JPH086278A - 画像形成方法 - Google Patents
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- JPH086278A JPH086278A JP6140363A JP14036394A JPH086278A JP H086278 A JPH086278 A JP H086278A JP 6140363 A JP6140363 A JP 6140363A JP 14036394 A JP14036394 A JP 14036394A JP H086278 A JPH086278 A JP H086278A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 高速複写機の繰り返し使用においても感度低
下、残留電位上昇による画像不良を生ずることのない画
像形成方法を提供する。 【構成】 感光体として導電性支持体上に少なくとも電
荷発生層及び電荷輸送層を積層して成り、電荷発生層中
に下記一般式〔1〕及び/または〔2〕で表され、かつ
Cu−Kα線に対するX線回折スペクトルのブラック角
2θが6.3±0.3°、12.4±0.2°、25.3±0.2°及び27.1
±0.2°にピークを有すると共に、12.4°±0.2°に最大
ピーク強度を有し、ピークの半値幅が0.65°以上であ
り、かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを有していない結
晶型を有するペリレン顔料を電荷発生物質として含有す
る感光体を用い、感光体上への露光時間を1×10-4秒以
上、2×10-2秒以下とする。 (式中Zは複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。)
下、残留電位上昇による画像不良を生ずることのない画
像形成方法を提供する。 【構成】 感光体として導電性支持体上に少なくとも電
荷発生層及び電荷輸送層を積層して成り、電荷発生層中
に下記一般式〔1〕及び/または〔2〕で表され、かつ
Cu−Kα線に対するX線回折スペクトルのブラック角
2θが6.3±0.3°、12.4±0.2°、25.3±0.2°及び27.1
±0.2°にピークを有すると共に、12.4°±0.2°に最大
ピーク強度を有し、ピークの半値幅が0.65°以上であ
り、かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを有していない結
晶型を有するペリレン顔料を電荷発生物質として含有す
る感光体を用い、感光体上への露光時間を1×10-4秒以
上、2×10-2秒以下とする。 (式中Zは複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は特定の有機感光体を用い
て高速複写を行う画像形成方法に関する。
て高速複写を行う画像形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】カールソン法の電子写真複写機において
は、感光体に一様な帯電を付与した後、露光により像様
に電荷を消去して静電潜像を形成し、該静電潜像をトナ
ーにより現像してトナー像を形成し、得られたトナー像
を紙等の転写材に転写・定着して画像形成が行われる。
は、感光体に一様な帯電を付与した後、露光により像様
に電荷を消去して静電潜像を形成し、該静電潜像をトナ
ーにより現像してトナー像を形成し、得られたトナー像
を紙等の転写材に転写・定着して画像形成が行われる。
【0003】一方、転写後の感光体は残留トナーの除去
や、除電等の表面清浄化が施され、長期に亘って繰り返
し使用される。従って電子写真用の感光体としては、帯
電特性及び感度が良好で更に暗減衰が小さい等の電子写
真特性は勿論、加えて繰り返し使用での耐刷生、耐摩耗
性、耐傷性等の物理的性質やコロナ放電時に発生するオ
ゾン、露光時の紫外線等への耐性においても良好である
ことが要請される。
や、除電等の表面清浄化が施され、長期に亘って繰り返
し使用される。従って電子写真用の感光体としては、帯
電特性及び感度が良好で更に暗減衰が小さい等の電子写
真特性は勿論、加えて繰り返し使用での耐刷生、耐摩耗
性、耐傷性等の物理的性質やコロナ放電時に発生するオ
ゾン、露光時の紫外線等への耐性においても良好である
ことが要請される。
【0004】さらに近年複写機等の普及に伴い、大量コ
ピーを迅速に処理する高速複写タイプの複写機、その他
オフィスの省スペース化及びファミリーユースに対応す
るコンパクト型設計タイプの複写機等がユーザーにより
要望されている。
ピーを迅速に処理する高速複写タイプの複写機、その他
オフィスの省スペース化及びファミリーユースに対応す
るコンパクト型設計タイプの複写機等がユーザーにより
要望されている。
【0005】このようなユーザーの要望に対応するには
高感度、高耐久性の感光体の開発が必要不可欠である。
高感度、高耐久性の感光体の開発が必要不可欠である。
【0006】従来高感度で耐久性にも優れた感光体の例
として、セレン系無機光導電性物質を主成分として感光
層中に含有する無機感光体が知られているが、前記セレ
ン系光導電性物質は人体に有害であって環境衛生上好ま
しくない。また加工技術が難しく生産性に劣り、さらに
は耐湿性が悪いなどの欠点も有している。
として、セレン系無機光導電性物質を主成分として感光
層中に含有する無機感光体が知られているが、前記セレ
ン系光導電性物質は人体に有害であって環境衛生上好ま
しくない。また加工技術が難しく生産性に劣り、さらに
は耐湿性が悪いなどの欠点も有している。
【0007】そこで、近年無公害で加工性にも優れてお
り、かつ耐湿性にも優れた有機感光体の研究、開発が活
発である。なかでも電荷発生機能と電荷輸送機能とを異
なる物質に分担させ、希望する特性に照らして各機能を
発揮する物質を広い範囲から選択できる機能分離型感体
が注目されている。
り、かつ耐湿性にも優れた有機感光体の研究、開発が活
発である。なかでも電荷発生機能と電荷輸送機能とを異
なる物質に分担させ、希望する特性に照らして各機能を
発揮する物質を広い範囲から選択できる機能分離型感体
が注目されている。
【0008】前記研究、開発の過程で電荷発生機能を有
する電荷発生物質及び電荷輸送機能を有する電荷輸送物
質に関する研究成果が多数提案されている。
する電荷発生物質及び電荷輸送機能を有する電荷輸送物
質に関する研究成果が多数提案されている。
【0009】例えば特開昭58-222152号公報等には電荷
発生物質として有用なアゾ系顔料が提案され、特開昭63
-149652号公報には電荷輸送物質として有用なスチリル
系化合物が提案されている。
発生物質として有用なアゾ系顔料が提案され、特開昭63
-149652号公報には電荷輸送物質として有用なスチリル
系化合物が提案されている。
【0010】かくして感度及び耐久性において前記セレ
ン系感光体に匹敵する又はそれを上廻る有機感光体が開
発され、実用化の動向にある。
ン系感光体に匹敵する又はそれを上廻る有機感光体が開
発され、実用化の動向にある。
【0011】このように有機感光体の高感度、高耐久性
化に伴い、従来前記有機感光体の使用分野であったA4
サイズ60枚/分以下の低速機または中速機からA4サイ
ズ70枚/分以上の高速機への用途拡大が要請されるよう
になった。前記高速機としては感光体ドラムを用いたス
リット露光方式の高速複写機及びベルト感光体を用いた
フラッシュ露光方式の高速複写機が含まれる。
化に伴い、従来前記有機感光体の使用分野であったA4
サイズ60枚/分以下の低速機または中速機からA4サイ
ズ70枚/分以上の高速機への用途拡大が要請されるよう
になった。前記高速機としては感光体ドラムを用いたス
リット露光方式の高速複写機及びベルト感光体を用いた
フラッシュ露光方式の高速複写機が含まれる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記高速
機では前記低・中速機に比して厳しい像形成条件が要請
され、特に下記のような像露光に係る問題点を克服する
必要がある。
機では前記低・中速機に比して厳しい像形成条件が要請
され、特に下記のような像露光に係る問題点を克服する
必要がある。
【0013】即ち高速複写では感光体表面を強い光で短
時間露光を行うようになるため、相反則不軌により感度
低下、残留電位の増大及び潜像形成不良等を生じ、形成
される画像にカブリが多く不鮮明となるなどの問題があ
る。
時間露光を行うようになるため、相反則不軌により感度
低下、残留電位の増大及び潜像形成不良等を生じ、形成
される画像にカブリが多く不鮮明となるなどの問題があ
る。
【0014】特にA4サイズ100枚/分以上の高速複写
が可能なフラッシュ露光方式の複写機では前記問題が著
しい。またスリット露光方式の複写機において高速化を
行った場合、感光体の移動速度を速くする必要があるた
め、感光体をスリットで露光する時間が短くなり、フラ
ッシュ露光の時と同様の問題を生ずる。装置のコンパク
ト化に関連しては感光体ドラムの小径化に伴い、所望の
解像力の画像をうるため像露光スリット幅を狭くするこ
とが必要とされる。このためより強い光で短時間露光と
することが要望され、フラッシュ露光の場合と同様前記
相反則不軌の影響をうけるようになる。
が可能なフラッシュ露光方式の複写機では前記問題が著
しい。またスリット露光方式の複写機において高速化を
行った場合、感光体の移動速度を速くする必要があるた
め、感光体をスリットで露光する時間が短くなり、フラ
ッシュ露光の時と同様の問題を生ずる。装置のコンパク
ト化に関連しては感光体ドラムの小径化に伴い、所望の
解像力の画像をうるため像露光スリット幅を狭くするこ
とが必要とされる。このためより強い光で短時間露光と
することが要望され、フラッシュ露光の場合と同様前記
相反則不軌の影響をうけるようになる。
【0015】本発明は前記実情に鑑みて提案されたもの
であり、その目的とするところは、フラッシュ露光方式
の高速複写機、スリット露光方式の高速複写機等に適用
して感度不足による画像不良を生ずることがなく、さら
に前記高速複写機の繰り返し使用においても感度低下、
残留電位上昇による画像不良を生ずることのない画像形
成方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、フラッシュ露光方式
の高速複写機、スリット露光方式の高速複写機等に適用
して感度不足による画像不良を生ずることがなく、さら
に前記高速複写機の繰り返し使用においても感度低下、
残留電位上昇による画像不良を生ずることのない画像形
成方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記の目的は、下記構成
のいずれかを採ることによって達成される。
のいずれかを採ることによって達成される。
【0017】(1)感光体上に帯電、像露光、現像及び
転写を行う工程を繰り返して像形成を行う画像形成方法
において、前記感光体として導電性支持体上に少なくと
も電荷発生層及び電荷輸送層を積層して成り、前記電荷
発生層中に下記一般式〔1〕及び/または〔2〕で表さ
れ、かつCu−Kα線に対するX線回折スペクトルのブ
ラック角2θが6.3±0.3°、12.4±0.2°、25.3±0.2°
及び27.1±0.2°にピークを有すると共に、12.4°±0.2
°に最大ピーク強度を有し、該ピークの半値幅が0.65°
以上であり、かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを有して
いない結晶型を有するペリレン顔料を電荷発生物質とし
て含有する感光体を用い、前記像露光を行う工程におけ
る前記感光体上への露光時間tを1×10-4秒以上、2×
10-2秒以下とすることを特徴とする画像形成方法。
転写を行う工程を繰り返して像形成を行う画像形成方法
において、前記感光体として導電性支持体上に少なくと
も電荷発生層及び電荷輸送層を積層して成り、前記電荷
発生層中に下記一般式〔1〕及び/または〔2〕で表さ
れ、かつCu−Kα線に対するX線回折スペクトルのブ
ラック角2θが6.3±0.3°、12.4±0.2°、25.3±0.2°
及び27.1±0.2°にピークを有すると共に、12.4°±0.2
°に最大ピーク強度を有し、該ピークの半値幅が0.65°
以上であり、かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを有して
いない結晶型を有するペリレン顔料を電荷発生物質とし
て含有する感光体を用い、前記像露光を行う工程におけ
る前記感光体上への露光時間tを1×10-4秒以上、2×
10-2秒以下とすることを特徴とする画像形成方法。
【0018】
【化3】
【0019】(一般式〔1〕、〔2〕中、Zは置換また
は無置換の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。) (2)前記露光を行う工程がフラッシュランプで瞬時露
光を行う工程である(1)項に記載の画像形成方法。
は無置換の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。) (2)前記露光を行う工程がフラッシュランプで瞬時露
光を行う工程である(1)項に記載の画像形成方法。
【0020】(3)前記露光を行う工程がスリットによ
る走査露光を行う工程である(1)項に記載の画像形成
方法。
る走査露光を行う工程である(1)項に記載の画像形成
方法。
【0021】(4)前記電荷輸送層に含有される電荷輸
送物質が下記一般式〔3〕で表される(1),(2)又
は(3)項のいづれかに記載の画像形成方法。
送物質が下記一般式〔3〕で表される(1),(2)又
は(3)項のいづれかに記載の画像形成方法。
【0022】
【化4】
【0023】(一般式〔3〕中、Ar1、Ar2は脂肪族基ま
たは芳香族基、Ar3はフェニレン基を表し、Ar1、Ar3で
環を形成してもよい。R1、R2は水素原子、アルキル
基、アリール基、R3はアルキル基、アリール基を表
し、R2、R3で環を形成してもよい。) 前記本発明に係る感光体において、前記特定構造のペリ
レン顔料を表す一般式〔1〕及び〔2〕のZで表される
2価の芳香族環の好ましい例としては、例えばベンゼン
環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、アント
ラキノン環等が挙げられ、特にベンゼン環又はナフタレ
ン環であることが好ましい。またZで表される前記芳香
族環は置換されていてもよく、置換基としては、アルキ
ル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、
アシール基、アシロキシ基、アミノ基、カルバモイル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基などを挙げるこ
とができる。
たは芳香族基、Ar3はフェニレン基を表し、Ar1、Ar3で
環を形成してもよい。R1、R2は水素原子、アルキル
基、アリール基、R3はアルキル基、アリール基を表
し、R2、R3で環を形成してもよい。) 前記本発明に係る感光体において、前記特定構造のペリ
レン顔料を表す一般式〔1〕及び〔2〕のZで表される
2価の芳香族環の好ましい例としては、例えばベンゼン
環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、アント
ラキノン環等が挙げられ、特にベンゼン環又はナフタレ
ン環であることが好ましい。またZで表される前記芳香
族環は置換されていてもよく、置換基としては、アルキ
ル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、
アシール基、アシロキシ基、アミノ基、カルバモイル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基などを挙げるこ
とができる。
【0024】次に一般式〔1〕及び〔2〕で表される具
体的例示化合物を以下に示すが、本発明はこれらにより
限定されるものではない。なおこれらの例示化合物は、
例えば特開昭49-128734号及び特開昭59-59686号の各号
公報に記載の方法により合成することができる。
体的例示化合物を以下に示すが、本発明はこれらにより
限定されるものではない。なおこれらの例示化合物は、
例えば特開昭49-128734号及び特開昭59-59686号の各号
公報に記載の方法により合成することができる。
【0025】
【化5】
【0026】一般に高感度な感光体特性を得るためには
第一にキャリア発生物質の微粒化された均一な塗布膜を
得ることが必要である。すなわち分散微粒化工程でまず
重要となるのは電荷発生物質を微粒化することである。
第一にキャリア発生物質の微粒化された均一な塗布膜を
得ることが必要である。すなわち分散微粒化工程でまず
重要となるのは電荷発生物質を微粒化することである。
【0027】分散微粒化を行うことにより結晶子サイズ
がある大きさ以下になってくるとX線回折スペクトルに
おいて回折ピークのブロードニングとピーク強度の低下
が起こる。本発明のペリレン顔料のρ型結晶はCu−K
α線に対するX線回折スペクトルにおいて6.3±0.2°、
12.4±0.2°、25.3±0.2°、27.1±0.2°のピークが特
徴であるが、この他に11.5±0.2°に固有のピークが存
在する。ρ型結晶を分散微粒化していくとピーク全体の
ブロードニングをみることができるが、特に本発明にお
いて重要であるのは、12.4±0.2°のピークの半値幅が
0.65゜以上になることであり、このようにブロードニン
グした12.4±0.2°のピークによって11.5±0.2°のピー
クが埋もれてしまい、11.5±0.2°の領域にピークが認
められなくなる必要がある。ただし、12.4±0.2°のピ
ークの半値幅が1.5°を越えるとρ型結晶状態とはいえ
なくなる。
がある大きさ以下になってくるとX線回折スペクトルに
おいて回折ピークのブロードニングとピーク強度の低下
が起こる。本発明のペリレン顔料のρ型結晶はCu−K
α線に対するX線回折スペクトルにおいて6.3±0.2°、
12.4±0.2°、25.3±0.2°、27.1±0.2°のピークが特
徴であるが、この他に11.5±0.2°に固有のピークが存
在する。ρ型結晶を分散微粒化していくとピーク全体の
ブロードニングをみることができるが、特に本発明にお
いて重要であるのは、12.4±0.2°のピークの半値幅が
0.65゜以上になることであり、このようにブロードニン
グした12.4±0.2°のピークによって11.5±0.2°のピー
クが埋もれてしまい、11.5±0.2°の領域にピークが認
められなくなる必要がある。ただし、12.4±0.2°のピ
ークの半値幅が1.5°を越えるとρ型結晶状態とはいえ
なくなる。
【0028】また本発明のペリレン顔料の感光体特性は
X線回折スペクトルにおけるピークの相対強度によって
特徴づけられる結晶状態に依存する。該ペリレン顔料
は、合成した段階では6.3°付近のピーク強度が最大で
ある場合が多く、また昇華したものでは25〜28°のピー
ク強度が最大となる場合と12.4°のピーク強度が最大と
なる場合がある。しかしこれらを有機溶媒中で分散微粒
化すると各ピークの相対強度は変化し、したがって感光
体特性が変化していくが、本発明の結晶はX線回折スペ
クトルの12.4±0.2°のピーク強度が最大となるように
することにより特に優れた感度特性を得ることができ
る。
X線回折スペクトルにおけるピークの相対強度によって
特徴づけられる結晶状態に依存する。該ペリレン顔料
は、合成した段階では6.3°付近のピーク強度が最大で
ある場合が多く、また昇華したものでは25〜28°のピー
ク強度が最大となる場合と12.4°のピーク強度が最大と
なる場合がある。しかしこれらを有機溶媒中で分散微粒
化すると各ピークの相対強度は変化し、したがって感光
体特性が変化していくが、本発明の結晶はX線回折スペ
クトルの12.4±0.2°のピーク強度が最大となるように
することにより特に優れた感度特性を得ることができ
る。
【0029】すなわち本発明ではρ型結晶の12.4±0.2
°のピークの半値幅が0.65°以上であり、かつ11.5±0.
2°に明瞭なピークを示さない状態まで微粒化したうえ
で、12.4±0.2°のピーク強度が最大である状態が用い
られる。
°のピークの半値幅が0.65°以上であり、かつ11.5±0.
2°に明瞭なピークを示さない状態まで微粒化したうえ
で、12.4±0.2°のピーク強度が最大である状態が用い
られる。
【0030】このような状態の電荷発生物質を本発明で
特定される電荷輸送物質と組合わせて用いることにより
優れた感度効果と繰り返し安定性が得られるものであ
る。電荷発生物質のこのような結晶状態を得るための方
法は特に限定されないが、乾式粉砕法に見られるような
電子写真画像の欠陥を防止するために最も優れた方法
は、昇華精製した本発明のペリレン顔料を硫酸を用いて
アシッドペースト処理(アモルファス化もしくは低結晶
化)する。これを親和性の高い有機溶媒中でポリマーバ
インダを介在させながら穏やかに分散することによって
結晶成長させながら目的の結晶状態にするものである。
この方法においては均一な微粒化が達成され、また機械
的衝撃が小さいために結晶欠陥の導入による特性低下が
避けられる。
特定される電荷輸送物質と組合わせて用いることにより
優れた感度効果と繰り返し安定性が得られるものであ
る。電荷発生物質のこのような結晶状態を得るための方
法は特に限定されないが、乾式粉砕法に見られるような
電子写真画像の欠陥を防止するために最も優れた方法
は、昇華精製した本発明のペリレン顔料を硫酸を用いて
アシッドペースト処理(アモルファス化もしくは低結晶
化)する。これを親和性の高い有機溶媒中でポリマーバ
インダを介在させながら穏やかに分散することによって
結晶成長させながら目的の結晶状態にするものである。
この方法においては均一な微粒化が達成され、また機械
的衝撃が小さいために結晶欠陥の導入による特性低下が
避けられる。
【0031】一般式〔1〕または〔2〕と対応する構造
式(1)または(2)のペリレン顔料(A−1)はペリ
レン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物とo-フェニレ
ンジアミンの脱水縮合反応によって合成できる。
式(1)または(2)のペリレン顔料(A−1)はペリ
レン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物とo-フェニレ
ンジアミンの脱水縮合反応によって合成できる。
【0032】
【化6】
【0033】合成されたイミダゾールペリレン化合物は
不純物を除去するために昇華精製にかけられる。昇華操
作は1回から5〜6回程度の範囲で繰り返されるが、望
ましくは2回以上の繰り返しを行う方が良い。昇華精製
を行わないで塗布液を調製した場合は本発明の結晶状態
を得ることが難しい。昇華して得られたイミダゾールペ
リレン化合物はX線回折スペクトルにおいてシャープな
ピークパターンを示し、結晶化度の高い状態であること
が確認される。
不純物を除去するために昇華精製にかけられる。昇華操
作は1回から5〜6回程度の範囲で繰り返されるが、望
ましくは2回以上の繰り返しを行う方が良い。昇華精製
を行わないで塗布液を調製した場合は本発明の結晶状態
を得ることが難しい。昇華して得られたイミダゾールペ
リレン化合物はX線回折スペクトルにおいてシャープな
ピークパターンを示し、結晶化度の高い状態であること
が確認される。
【0034】昇華精製して得られた高結晶化度のイミダ
ゾールペリレン化合物は硫酸を用いたアシッドペースト
処理を行うことにより結晶化度の低い状態に変換され
る。すなわち濃硫酸に溶解した後、その溶液を水もしく
はメタノール等の貧溶媒にあけて析出させ、これをろ
過、乾燥して低結晶性の微粒子粉末を得るものである。
ゾールペリレン化合物は硫酸を用いたアシッドペースト
処理を行うことにより結晶化度の低い状態に変換され
る。すなわち濃硫酸に溶解した後、その溶液を水もしく
はメタノール等の貧溶媒にあけて析出させ、これをろ
過、乾燥して低結晶性の微粒子粉末を得るものである。
【0035】アシッドペースト処理後の低結晶性粉末は
イミダゾールペリレン化合物に対する親和性の高い溶媒
中で適当な分散機を用いて分散処理が行われる。親和性
の高い溶媒としては炭素数4〜8のケトン系溶媒もしく
は炭素数4〜7の環状エーテル系溶媒もしくは炭素数2
〜4のハロゲン化炭化水素溶媒が有用である。なかでも
特に好ましい溶媒として、メチルエチルケトン、メチル
イソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジクロルエタン、ト
リクロルエタンを挙げることができる。またこの分散処
理においては適当なバインダポリマーの存在によって良
い結果を与えることができる。
イミダゾールペリレン化合物に対する親和性の高い溶媒
中で適当な分散機を用いて分散処理が行われる。親和性
の高い溶媒としては炭素数4〜8のケトン系溶媒もしく
は炭素数4〜7の環状エーテル系溶媒もしくは炭素数2
〜4のハロゲン化炭化水素溶媒が有用である。なかでも
特に好ましい溶媒として、メチルエチルケトン、メチル
イソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジクロルエタン、ト
リクロルエタンを挙げることができる。またこの分散処
理においては適当なバインダポリマーの存在によって良
い結果を与えることができる。
【0036】特に望ましいバインダポリマーとしてはポ
リビニルビチラールやポリビニルホルマールなどのポリ
ビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリ
ル樹脂及びメタクリル樹脂、アクリル及びメタクリル共
重合樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン共重合樹脂、ポ
リスチレン、スチレン共重合樹脂、フェノキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を挙げる
ことができる。
リビニルビチラールやポリビニルホルマールなどのポリ
ビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリ
ル樹脂及びメタクリル樹脂、アクリル及びメタクリル共
重合樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン共重合樹脂、ポ
リスチレン、スチレン共重合樹脂、フェノキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を挙げる
ことができる。
【0037】このような方法で得られた分散塗布液にお
いて本発明の特定の結晶状態が実現される。この方法に
おいては昇華精製による高純度化が分散時の結晶状態調
整に重要となっており、さらにこれを硫酸によるアシッ
ドペースト処理によってアモルファス化し、分散処理の
過程ではアモルファス状態(もしくは低結晶性の状態)
から特定の溶媒効果によって結晶成長させており、この
ことによって従来とは全く異なった観点から本発明の特
定の結晶状態を安定して得られるようにしたものであ
る。
いて本発明の特定の結晶状態が実現される。この方法に
おいては昇華精製による高純度化が分散時の結晶状態調
整に重要となっており、さらにこれを硫酸によるアシッ
ドペースト処理によってアモルファス化し、分散処理の
過程ではアモルファス状態(もしくは低結晶性の状態)
から特定の溶媒効果によって結晶成長させており、この
ことによって従来とは全く異なった観点から本発明の特
定の結晶状態を安定して得られるようにしたものであ
る。
【0038】得られた分散塗布液を用いて感光体が作ら
れる。感光体中において本発明の結晶状態が実現されて
いるかどうかは感光体から剥離した本発明のペリレン顔
料のX線回折スペクトルを測定することで確認できる。
また感光体塗布の過程においては結晶状態の変化は起き
ないので分散塗布液から溶媒を除去してX線回折スペク
トルを測定しても確認となる。
れる。感光体中において本発明の結晶状態が実現されて
いるかどうかは感光体から剥離した本発明のペリレン顔
料のX線回折スペクトルを測定することで確認できる。
また感光体塗布の過程においては結晶状態の変化は起き
ないので分散塗布液から溶媒を除去してX線回折スペク
トルを測定しても確認となる。
【0039】これらのサンプルはCu−Kα線をX線源
とした粉末X線回折測定装置によって測定され、ブラッ
グ角2θの関数として回折線強度分布が得られる。この
とき試料量が十分な場合はピーク強度間の相対強度比は
試料量によって変化しないが、試料量が少なくなると低
角度側のピーク強度が相対的に大きくなる。したがって
測定においてはピーク強度比が試料量によって変化しな
い程度に十分な量の試料を用いなければならない。
とした粉末X線回折測定装置によって測定され、ブラッ
グ角2θの関数として回折線強度分布が得られる。この
とき試料量が十分な場合はピーク強度間の相対強度比は
試料量によって変化しないが、試料量が少なくなると低
角度側のピーク強度が相対的に大きくなる。したがって
測定においてはピーク強度比が試料量によって変化しな
い程度に十分な量の試料を用いなければならない。
【0040】ここでのピーク強度は図1に示したように
ノイズを含んだベースラインレベルからの立ち上がり点
aとbを結ぶ線分と頂点cからおろした垂線との交点d
を起点としたときの頂点cまでの高さ(線分cdの長
さ)で定義されるものとする。またピークの半値幅は点
dを起点としてcd/2の高さの位置におけるピーク幅
として定義される。
ノイズを含んだベースラインレベルからの立ち上がり点
aとbを結ぶ線分と頂点cからおろした垂線との交点d
を起点としたときの頂点cまでの高さ(線分cdの長
さ)で定義されるものとする。またピークの半値幅は点
dを起点としてcd/2の高さの位置におけるピーク幅
として定義される。
【0041】次に本発明に係る感光体において、前記特
定構造の電荷輸送物質(CTM)を表す一般式〔3〕の
具体的化合物例を以下に示すが、これらにより本発明が
限定されるものではない。
定構造の電荷輸送物質(CTM)を表す一般式〔3〕の
具体的化合物例を以下に示すが、これらにより本発明が
限定されるものではない。
【0042】
【化7】
【0043】
【化8】
【0044】
【化9】
【0045】
【化10】
【0046】
【化11】
【0047】
【化12】
【0048】
【化13】
【0049】なお本発明に係る感光体では、前記一般式
〔3〕で表されるCTMと共に他のCTMを併用しても
よく、併用可能なCTMとしては特に制限はないが、例
えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
アミン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンゾチアゾール
誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導
体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジ
ン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ-N-ビニルカ
ルバゾール、ポリ-1-ビニルピレン、ポリ-9-ビニルアン
トラセン等である。
〔3〕で表されるCTMと共に他のCTMを併用しても
よく、併用可能なCTMとしては特に制限はないが、例
えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
アミン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンゾチアゾール
誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導
体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジ
ン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ-N-ビニルカ
ルバゾール、ポリ-1-ビニルピレン、ポリ-9-ビニルアン
トラセン等である。
【0050】前記本発明に係る一般式〔1〕、〔2〕及
び〔3〕で表される化合物は、それ自体では皮膜形成能
が乏しいので各種のバインダを用いて感光層を形成して
もよい。
び〔3〕で表される化合物は、それ自体では皮膜形成能
が乏しいので各種のバインダを用いて感光層を形成して
もよい。
【0051】感光層の形成に用いられるバインダ樹脂に
は任意のものを用いることができるが、疎水性、かつ誘
電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合体
を用いるのが好ましい。このような高分子重合体として
は、例えばポリカーボネート、ポリエステル、メタクリ
ル酸樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、スチ
レン-ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニ
トリル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコ
ーン樹脂、シリコーン-アルキッド樹脂、フェノールホ
ルムアルデヒド樹脂、スチレン-アルキッド樹脂、ポリ-
N-ビニルカルバゾール、ポリビニルアセタール(例えば
ポリビニルブチラール)等が挙げられる。これらのバイ
ンダ樹脂は単独であるいは2種以上の混合物として用い
ることができる。
は任意のものを用いることができるが、疎水性、かつ誘
電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合体
を用いるのが好ましい。このような高分子重合体として
は、例えばポリカーボネート、ポリエステル、メタクリ
ル酸樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、スチ
レン-ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニ
トリル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコ
ーン樹脂、シリコーン-アルキッド樹脂、フェノールホ
ルムアルデヒド樹脂、スチレン-アルキッド樹脂、ポリ-
N-ビニルカルバゾール、ポリビニルアセタール(例えば
ポリビニルブチラール)等が挙げられる。これらのバイ
ンダ樹脂は単独であるいは2種以上の混合物として用い
ることができる。
【0052】本発明に係る感光層には、オゾン劣化防止
の目的で酸化防止剤を添加することができる。酸化防止
剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミ
ン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイ
ドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそ
れらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げ
られる。
の目的で酸化防止剤を添加することができる。酸化防止
剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミ
ン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイ
ドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそ
れらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げ
られる。
【0053】これらの具体的化合物としては、特開昭63
-14154号、同63-18355号、同63-44662号、同63-50848
号、同63-50849号、同63-58455号、同63-71856号、同63
-71857号及び同63-146046号に記載がある。
-14154号、同63-18355号、同63-44662号、同63-50848
号、同63-50849号、同63-58455号、同63-71856号、同63
-71857号及び同63-146046号に記載がある。
【0054】酸化防止剤の添加量はCTM100重量部に
対して0.1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部、特に
好ましくは5〜25重量部である。
対して0.1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部、特に
好ましくは5〜25重量部である。
【0055】本発明において感光層には感度の向上、残
留電位及び反復使用時の疲労低減等を目的として、一種
または二種以上の公知の電子受容性物質を含有せしめる
ことができる。
留電位及び反復使用時の疲労低減等を目的として、一種
または二種以上の公知の電子受容性物質を含有せしめる
ことができる。
【0056】電子受容性物質の添加量は、電荷発生物質
(CGM)100重量部に対して0.01〜200重量部、好まし
くは0.1〜100重量部である。
(CGM)100重量部に対して0.01〜200重量部、好まし
くは0.1〜100重量部である。
【0057】電子受容性物質は電荷輸送層(CTL)に
添加してもよい。係る層への電子受容性物質の添加量
は、CTM100重量部に対して0.01〜100重量部、好まし
くは0.1〜50重量部である。ここで用いることのできる
電子受容性物質としては、例えば、無水マレイン酸、無
水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、クロラニル、2,4,7-トリニトロフルオレノ
ン、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げることが
できる。
添加してもよい。係る層への電子受容性物質の添加量
は、CTM100重量部に対して0.01〜100重量部、好まし
くは0.1〜50重量部である。ここで用いることのできる
電子受容性物質としては、例えば、無水マレイン酸、無
水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、クロラニル、2,4,7-トリニトロフルオレノ
ン、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げることが
できる。
【0058】また、前記感光層中にはCGMの電荷発生
機能を改善する目的で有機アミン類を添加することで
き、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
機能を改善する目的で有機アミン類を添加することで
き、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
【0059】これらの化合物は特開昭59-218447号、同6
2-8160号に記載されている。
2-8160号に記載されている。
【0060】また、前記感光体には、その他、必要によ
り感光層を保護する目的で紫外線吸収剤等を含有しても
よく、また感色性補正の染料を含有してもよい。
り感光層を保護する目的で紫外線吸収剤等を含有しても
よく、また感色性補正の染料を含有してもよい。
【0061】次に本発明に係る感光体の構成に用いられ
る導電性支持体としては、主として下記のものが用いら
れるが、これらにより限定されるものではない。
る導電性支持体としては、主として下記のものが用いら
れるが、これらにより限定されるものではない。
【0062】1)アルミニウム板、ステンレス板等の金
属板。
属板。
【0063】2)紙あるいはプラスチック等の支持体上
に、アルミニウム、パラジウム、金等の金属薄膜をラミ
ネートもしくは蒸着によって設けたもの。
に、アルミニウム、パラジウム、金等の金属薄膜をラミ
ネートもしくは蒸着によって設けたもの。
【0064】3)紙あるいはプラスチックフィルム等の
支持体上に、導電性ポリマー、酸化インジウム、酸化錫
等の導電性化合物の層を塗布もしくは蒸着によって設け
たもの。
支持体上に、導電性ポリマー、酸化インジウム、酸化錫
等の導電性化合物の層を塗布もしくは蒸着によって設け
たもの。
【0065】本発明感光体は支持体上に、電荷発生層
(CGL)、電荷輸送層(CTL)の他、更に必要に応
じ、保護層、中間層、バリア層、接着層等の補助層が積
層されてもよい。
(CGL)、電荷輸送層(CTL)の他、更に必要に応
じ、保護層、中間層、バリア層、接着層等の補助層が積
層されてもよい。
【0066】また本発明に係る保護層中には加工性及び
物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必
要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめること
ができる。
物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必
要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめること
ができる。
【0067】また前記中間層は接着層またはブロッキン
グ層として機能するもので、上記バインダ樹脂の外に、
例えばポリビニルアルコール、エチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロース、カゼイン、共重合ナイロン、
N-アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。
グ層として機能するもので、上記バインダ樹脂の外に、
例えばポリビニルアルコール、エチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロース、カゼイン、共重合ナイロン、
N-アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。
【0068】電荷発生層及び電荷輸送層の形成に使用さ
れる溶媒あるいは分散媒としては、ブチルアミン、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,
N-ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロホルム、1,2-ジクロルエタン、1,2-ジクロル
プロパン、1,1,2-トリクロルエタン、1,1,1-トリクロル
エタン、トリクロルエチレン、テトラクロルエタン、ジ
クロルメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセルソルブ
等が挙げられる。
れる溶媒あるいは分散媒としては、ブチルアミン、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,
N-ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロホルム、1,2-ジクロルエタン、1,2-ジクロル
プロパン、1,1,2-トリクロルエタン、1,1,1-トリクロル
エタン、トリクロルエチレン、テトラクロルエタン、ジ
クロルメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセルソルブ
等が挙げられる。
【0069】本発明に係る電子写真感光体は図2(1)
〜(6)に例示する形態を与えることができる。
〜(6)に例示する形態を与えることができる。
【0070】本発明の感光体は、図2(1)及び(2)
に示すように導電性支持体1上に本発明に係るCGMを
主成分として含有するCGL2とCTMを主成分として
含有するCTL3との積層体より成る感光層4を設け
る。
に示すように導電性支持体1上に本発明に係るCGMを
主成分として含有するCGL2とCTMを主成分として
含有するCTL3との積層体より成る感光層4を設け
る。
【0071】同図(3)及び(4)に示すようにこの感
光層4は導電性支持体1上に設けた中間層5を介して設
けてもよい。
光層4は導電性支持体1上に設けた中間層5を介して設
けてもよい。
【0072】このように感光層4を二層構成としたとき
に優れた電子写真特性を有する電子写真感光体が得られ
る。
に優れた電子写真特性を有する電子写真感光体が得られ
る。
【0073】また、本発明においては、同図(5)およ
び(6)に示すように前記CTMを主成分とする層6中
に微粒子状のCGM7を分散して成る感光層4を導電性
支持体1上に直接あるいは、中間層5を介して設けても
よい。
び(6)に示すように前記CTMを主成分とする層6中
に微粒子状のCGM7を分散して成る感光層4を導電性
支持体1上に直接あるいは、中間層5を介して設けても
よい。
【0074】更に前記感光層4上には、必要に応じて保
護層8を設けてもよい。
護層8を設けてもよい。
【0075】ここで感光層4を図2(1)〜(4)のよ
うに二層構成としたときCGL2は、導電性支持体1も
しくはCTL3上に直接あるいは必要に応じて接着層も
しくはブロッキング層等の中間層を設けた上に、次の方
法によって形成することができる。
うに二層構成としたときCGL2は、導電性支持体1も
しくはCTL3上に直接あるいは必要に応じて接着層も
しくはブロッキング層等の中間層を設けた上に、次の方
法によって形成することができる。
【0076】(1)真空蒸着法。
【0077】(2)CGMを適当な溶剤に溶解した溶液
を塗布する方法。
を塗布する方法。
【0078】(3)CGMをボールミル、サンドグライ
ンダ等によって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じ
て、バインダーと混合分散して得られる分散液を塗布す
る方法。
ンダ等によって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じ
て、バインダーと混合分散して得られる分散液を塗布す
る方法。
【0079】即ち具体的には、真空蒸着、スパッタリン
グ、CVD等の気相堆積法あるいはディッピング、スプ
レー、ブレード、ロール法等の塗布方法が任意に用いら
れる。
グ、CVD等の気相堆積法あるいはディッピング、スプ
レー、ブレード、ロール法等の塗布方法が任意に用いら
れる。
【0080】このようにして形成されるCGL2の厚さ
は0.01〜5μmであることが好ましく、更に好ましくは
0.05〜3μmである。
は0.01〜5μmであることが好ましく、更に好ましくは
0.05〜3μmである。
【0081】また、CTM3は上記CGL2と同様にし
て形成することができる。
て形成することができる。
【0082】このときの、CTL3の厚さは、必要に応
じて変更し得るが通常5〜30μmであることが好まし
い。このCTL3における組成割合は、CTM1重量部
に対してバインダ0.1〜5重量部とするのが好ましい
が、微粒子状のCGM7を分散せしめた感光層4を形成
する場合は、CGM1重量部に対してバインダ5重量部
以下の範囲で用いることが好ましい。
じて変更し得るが通常5〜30μmであることが好まし
い。このCTL3における組成割合は、CTM1重量部
に対してバインダ0.1〜5重量部とするのが好ましい
が、微粒子状のCGM7を分散せしめた感光層4を形成
する場合は、CGM1重量部に対してバインダ5重量部
以下の範囲で用いることが好ましい。
【0083】また、CGLをバインダ中分散型のものと
して構成する場合には、CGM1重量部に対してバイン
ダを5重量部以下の範囲で用いることが好ましい。
して構成する場合には、CGM1重量部に対してバイン
ダを5重量部以下の範囲で用いることが好ましい。
【0084】以上が本発明に係る感光体の説明であり、
以下該感光体を用いた画像形成方法を図3及び図4によ
り説明する。
以下該感光体を用いた画像形成方法を図3及び図4によ
り説明する。
【0085】図3はフラッシュ露光方式の複写機であ
り、図中ローラ15,16及び17に張架されたベルト状感光
体20は400〜800mm/秒の搬送速度で矢印方向に搬送さ
れ、帯電器16により一様な帯電が付与され、次いでフラ
ッシュ露光装置10により感光体の20にフラッシュ露光が
施されて、高速で静電潜像が形成される。この静電潜像
は現像器19により磁気ブラシ現像されてトナー像が形成
され、このトナー像はDCバイアスが印加された転写ロ
ーラ22により転写紙給送手段25,26により給送された転
写紙P上に転写され、搬送手段27により定着装置28へと
搬送され、定着後排出される。
り、図中ローラ15,16及び17に張架されたベルト状感光
体20は400〜800mm/秒の搬送速度で矢印方向に搬送さ
れ、帯電器16により一様な帯電が付与され、次いでフラ
ッシュ露光装置10により感光体の20にフラッシュ露光が
施されて、高速で静電潜像が形成される。この静電潜像
は現像器19により磁気ブラシ現像されてトナー像が形成
され、このトナー像はDCバイアスが印加された転写ロ
ーラ22により転写紙給送手段25,26により給送された転
写紙P上に転写され、搬送手段27により定着装置28へと
搬送され、定着後排出される。
【0086】前記フラッシュ露光装置10の露光ランプ13
としては、例えば水銀ランプ、キセノン放電管、セシウ
ムアーク燈、ストロボ放電管(冷陰極放電管)等が用い
られるが、一般に前記ストロボ放電管が用いられる。
としては、例えば水銀ランプ、キセノン放電管、セシウ
ムアーク燈、ストロボ放電管(冷陰極放電管)等が用い
られるが、一般に前記ストロボ放電管が用いられる。
【0087】前記ストロボ放電管は図4に示すように瞬
間的に強い光をパルス状に出力する光源であり、使用感
光体に適性露光を付与するには該感光体の感度特性、搬
送速度Vmm/秒、必要とする画像の解像度等との関連に
おいてストロボ放電管の駆動回路に印加される電圧、コ
ンデンサーの容量及び時定数(CR)等を制御して行わ
れる。
間的に強い光をパルス状に出力する光源であり、使用感
光体に適性露光を付与するには該感光体の感度特性、搬
送速度Vmm/秒、必要とする画像の解像度等との関連に
おいてストロボ放電管の駆動回路に印加される電圧、コ
ンデンサーの容量及び時定数(CR)等を制御して行わ
れる。
【0088】なお前記フラッシュ露光装置を含む複写機
では、例えば特開昭48-71225号公報等に記載されるよう
に通常露光時間が10-4秒台で複写速度が100枚/分以上
(前記公報では8×10-4秒で125枚/分)の高速型の複
写機とされる。
では、例えば特開昭48-71225号公報等に記載されるよう
に通常露光時間が10-4秒台で複写速度が100枚/分以上
(前記公報では8×10-4秒で125枚/分)の高速型の複
写機とされる。
【0089】前記図4の横軸はストロボ発光時間
(秒)、縦軸は最大値を100としたときの光出力の相対
値を表し、有効発光時間は通常10-4秒のオーダーとされ
ている。
(秒)、縦軸は最大値を100としたときの光出力の相対
値を表し、有効発光時間は通常10-4秒のオーダーとされ
ている。
【0090】結像レンズ14は原稿台11上の原稿12を露光
ランプ13により全面露光して得た反射光を感光体20の表
面に結像するためのレンズであり、図3では等倍露光と
したが、感光体20面に垂直移動して拡大、縮小露光とし
てもよく、又画像のより高い解像力をうるため感光体の
移動方向に1/2の速度(等倍露光の場合)で移動させ露
光を行ってもよい。
ランプ13により全面露光して得た反射光を感光体20の表
面に結像するためのレンズであり、図3では等倍露光と
したが、感光体20面に垂直移動して拡大、縮小露光とし
てもよく、又画像のより高い解像力をうるため感光体の
移動方向に1/2の速度(等倍露光の場合)で移動させ露
光を行ってもよい。
【0091】次に図5は、スリット露光方式の複写機で
あり、40は本発明に係る感光体であり、矢印方向に400
〜800mm/秒で回転するドラム状感光体である。該感光
体40には帯電器42により一様な帯電が付与されたあと、
露光装置30により原稿台31上の原稿32を光走査して得た
光を像露光することにより静電潜像を形成し、該潜像を
現像器43の磁気ブラシ44により現像することにより、前
記感光体上にトナー像が形成される。このトナー像は給
紙手段45及び46によりタイミングを合わせて給送された
転写紙P上に転写極47により転写され、分散極48により
分離され、搬送手段53により定着器54へと搬送され定着
されて画像形成が行われる。
あり、40は本発明に係る感光体であり、矢印方向に400
〜800mm/秒で回転するドラム状感光体である。該感光
体40には帯電器42により一様な帯電が付与されたあと、
露光装置30により原稿台31上の原稿32を光走査して得た
光を像露光することにより静電潜像を形成し、該潜像を
現像器43の磁気ブラシ44により現像することにより、前
記感光体上にトナー像が形成される。このトナー像は給
紙手段45及び46によりタイミングを合わせて給送された
転写紙P上に転写極47により転写され、分散極48により
分離され、搬送手段53により定着器54へと搬送され定着
されて画像形成が行われる。
【0092】一方転写後の感光体は除電器49により除電
された後クリーニング装置50のクリーニングブレート51
により清掃され、感光体上に残留電位を露光ランプ52で
除去して次の像形成に備えられる。
された後クリーニング装置50のクリーニングブレート51
により清掃され、感光体上に残留電位を露光ランプ52で
除去して次の像形成に備えられる。
【0093】前記露光装置30では、ハロゲンランプまた
は蛍光灯等の光源33,33′の光により原稿32を光走査
し、その反射光を原稿台側スリット34、反射ミラー35、
Vミラー36,37、結像レンズ38、反射ミラー39、感光体
側スリット41を介して感光体40に像露光される。
は蛍光灯等の光源33,33′の光により原稿32を光走査
し、その反射光を原稿台側スリット34、反射ミラー35、
Vミラー36,37、結像レンズ38、反射ミラー39、感光体
側スリット41を介して感光体40に像露光される。
【0094】前記スリット34及び41の幅は画像解像力の
関係から制限をうけ、特にスリット41の幅dは特に前記
解像力への影響が大きく、通常スリット41の幅dは5〜
20mmの範囲とされる。前記感光体40の移動速度をVpmm
/秒としたとき露光時間Vp/d=tが1×10-4秒以
上、2×10-2以下とされる。
関係から制限をうけ、特にスリット41の幅dは特に前記
解像力への影響が大きく、通常スリット41の幅dは5〜
20mmの範囲とされる。前記感光体40の移動速度をVpmm
/秒としたとき露光時間Vp/d=tが1×10-4秒以
上、2×10-2以下とされる。
【0095】以上説明したように本発明の画像形成方法
では、フラッシュ露光方式及びスリット露光方式であっ
て、露光時間tが1×10-4秒以上、2×10-2秒以下と云
う特に制限された高速複写プロセスとされても、前記特
性に優れた感光体を組み合わせて用いることにより感度
不足をきたすことがなく、また繰り返し像形成の過程で
感度低下、残留電位上昇等による画像不良を生ずること
がない。
では、フラッシュ露光方式及びスリット露光方式であっ
て、露光時間tが1×10-4秒以上、2×10-2秒以下と云
う特に制限された高速複写プロセスとされても、前記特
性に優れた感光体を組み合わせて用いることにより感度
不足をきたすことがなく、また繰り返し像形成の過程で
感度低下、残留電位上昇等による画像不良を生ずること
がない。
【0096】なお本発明において露光時間tが1×10-4
秒未満の場合は、現状では複写機自体の機構上実現性に
乏しく、又業界の要請もない。
秒未満の場合は、現状では複写機自体の機構上実現性に
乏しく、又業界の要請もない。
【0097】又tが2×10-2秒を越えると高速複写プロ
セスが実現されない。
セスが実現されない。
【0098】
【実施例】以下本発明を実施例により具体例に説明する
が、本発明の実施態様がこれにより限定されるものでは
ない。
が、本発明の実施態様がこれにより限定されるものでは
ない。
【0099】(合成例)ペリレン-3,4,9,10-テトラカル
ボン酸二無水物 39.2g、o-フェニレンジアミン 32.4
g、α−クロルナフタレン 800mlを混合し、260℃で6
時間反応させた。放冷後、析出量を濾過しメタノールで
繰り返し洗浄した。加熱乾燥して例示化合物A−1を合
成した。
ボン酸二無水物 39.2g、o-フェニレンジアミン 32.4
g、α−クロルナフタレン 800mlを混合し、260℃で6
時間反応させた。放冷後、析出量を濾過しメタノールで
繰り返し洗浄した。加熱乾燥して例示化合物A−1を合
成した。
【0100】(昇華精製例)前記合成例により得られた
例示化合物A−1は5×10-4〜5×10-3torrの圧力下に
おいて500℃の加熱条件で昇華精製を行った。揮発性の
不純物はシャッターを用いて除去した。得られた精製結
晶はもう一度同様の昇華処理を行ってさらに高純度化し
た。このようにして2回の昇華操作を経たものを例示化
合物A−1の昇華品(SUB品)と称する。
例示化合物A−1は5×10-4〜5×10-3torrの圧力下に
おいて500℃の加熱条件で昇華精製を行った。揮発性の
不純物はシャッターを用いて除去した。得られた精製結
晶はもう一度同様の昇華処理を行ってさらに高純度化し
た。このようにして2回の昇華操作を経たものを例示化
合物A−1の昇華品(SUB品)と称する。
【0101】(アシッドペースト処理例)前記例示物A
−1の昇華品 20gを600mlの濃硫酸に溶解した液をグラ
スフィルターで濾過した後、1200mlの純水中に滴下して
析出させた。これを濾取し純水で十分に洗浄してから乾
燥させた。こうして得られたものを例示化合物A−1の
アシッドペースト処理品(AP品)と称する。
−1の昇華品 20gを600mlの濃硫酸に溶解した液をグラ
スフィルターで濾過した後、1200mlの純水中に滴下して
析出させた。これを濾取し純水で十分に洗浄してから乾
燥させた。こうして得られたものを例示化合物A−1の
アシッドペースト処理品(AP品)と称する。
【0102】(感光体1の作製)ポリアミド樹脂CM−
8000(東レ社製)30gをメタノール 900ml、1-ブタノー
ル 100mlの混合溶媒中に投入し50℃で加熱溶解した。こ
の液を100μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム
表面上にアルミニウムの蒸着層を設けた導電性支持体上
に塗布し、0.5μm厚の中間層を形成した。
8000(東レ社製)30gをメタノール 900ml、1-ブタノー
ル 100mlの混合溶媒中に投入し50℃で加熱溶解した。こ
の液を100μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム
表面上にアルミニウムの蒸着層を設けた導電性支持体上
に塗布し、0.5μm厚の中間層を形成した。
【0103】続いて、ポリビニルブチラール樹脂エスレ
ックBLS(積水化学(株))6gをメチルエチルケトン
(関東化学(株)製)1000ml中に溶解し、更に電荷発生物
質(CGM)として前記した方法で得た例示化合物A−
1のAP品 28gを混合した後、直径1mmのガラスビー
ズ 2000gと共にサンドミル(SG)を用いて15時間分
散を行い、分散液1を得た。この液を用いて、前記中間
層上に浸漬塗布して厚さ0.3μmの電荷発生層(CGL)
を形成した。
ックBLS(積水化学(株))6gをメチルエチルケトン
(関東化学(株)製)1000ml中に溶解し、更に電荷発生物
質(CGM)として前記した方法で得た例示化合物A−
1のAP品 28gを混合した後、直径1mmのガラスビー
ズ 2000gと共にサンドミル(SG)を用いて15時間分
散を行い、分散液1を得た。この液を用いて、前記中間
層上に浸漬塗布して厚さ0.3μmの電荷発生層(CGL)
を形成した。
【0104】この時、得られた分散液をガラスプレート
上に複数回塗布し、乾燥させることにより約200μmの厚
さを持つ乾固膜を作成し、CuKα線を用いたX線回折
スペクトルの測定を行ったところ、ブラッグ角2θが6.
3±0.2°、12.4±0.2°、25.3±0.2°及び27.1±0.2°
にピークを有し、12.4±0.2°のピーク強度が最大であ
ると共に、該ピークの半値幅が0.86°であり、かつ11.5
±0.2°に明瞭なピークを示さない結晶であることがわ
かった。
上に複数回塗布し、乾燥させることにより約200μmの厚
さを持つ乾固膜を作成し、CuKα線を用いたX線回折
スペクトルの測定を行ったところ、ブラッグ角2θが6.
3±0.2°、12.4±0.2°、25.3±0.2°及び27.1±0.2°
にピークを有し、12.4±0.2°のピーク強度が最大であ
ると共に、該ピークの半値幅が0.86°であり、かつ11.5
±0.2°に明瞭なピークを示さない結晶であることがわ
かった。
【0105】次に電荷輸送物質(CTM)として例示化
合物T−1 150gとポリカーボネート樹脂ユーピロンZ
−200(三菱ガス化学社製)200gを1,2-ジクロルエタン
1000mlに溶解し、得られた塗布液を前記CGL上に塗
布し、100℃で1時間乾燥して20μm厚の電荷輸送層(C
TL)を形成した。
合物T−1 150gとポリカーボネート樹脂ユーピロンZ
−200(三菱ガス化学社製)200gを1,2-ジクロルエタン
1000mlに溶解し、得られた塗布液を前記CGL上に塗
布し、100℃で1時間乾燥して20μm厚の電荷輸送層(C
TL)を形成した。
【0106】このようにして中間層上にCGL、CTL
を有する表2の感光体1(実施例1及び比較例3用)を
得た。なお前記分散液1を用いたときのX線回折スペク
トル(XRD)を図6に示した。
を有する表2の感光体1(実施例1及び比較例3用)を
得た。なお前記分散液1を用いたときのX線回折スペク
トル(XRD)を図6に示した。
【0107】(感光体2の作製)感光体1の導電性基体
としてのアルミニウム蒸着膜を有するフィルムに代えて
表2の如くアルミニウム製ドラムを用い他は同様にして
表2の感光体2(実施例2及び比較例4用)を得た。
としてのアルミニウム蒸着膜を有するフィルムに代えて
表2の如くアルミニウム製ドラムを用い他は同様にして
表2の感光体2(実施例2及び比較例4用)を得た。
【0108】(感光体3の作製)前記分散液1の溶媒メ
チルエチルケトンに代えて1,2-ジクロルエタンを用いる
と共に、分散用サンドミルのガラスビーズ量を2500gと
し、20時間分散して分散液2を得、該分散液2を用いて
感光体2と同様のアルミニウムドラム上に塗布してCG
Lを形成した。
チルエチルケトンに代えて1,2-ジクロルエタンを用いる
と共に、分散用サンドミルのガラスビーズ量を2500gと
し、20時間分散して分散液2を得、該分散液2を用いて
感光体2と同様のアルミニウムドラム上に塗布してCG
Lを形成した。
【0109】前記分散液2のX線回折スペクトルを感光
体1の場合と同様にして測定したところ、表1で示すよ
うに12.4±0.2°のピーク強度が最大であり、該ピーク
の半値幅が0.94°であり、11.5±0.2°に明瞭をピーク
を示さないことがわかった。
体1の場合と同様にして測定したところ、表1で示すよ
うに12.4±0.2°のピーク強度が最大であり、該ピーク
の半値幅が0.94°であり、11.5±0.2°に明瞭をピーク
を示さないことがわかった。
【0110】次に前記CGL上にCTMを例示化合物T
−2とした他は感光体2と同様にしてCTLを形成し、
表2の感光体3(実施例3用)を得た。
−2とした他は感光体2と同様にしてCTLを形成し、
表2の感光体3(実施例3用)を得た。
【0111】(感光体4の作製)前記分散液2の溶媒1,
2-ジクロルエタンに代えてテトラハイドロフランを用い
ると共に、分散用サンドミルのガラスビーズの量を1500
gとし、10時間分散して分散液3を得、該分散液3を用
いた他は感光体3と同様にして表2の感光体4(実施例
4用)を得た。
2-ジクロルエタンに代えてテトラハイドロフランを用い
ると共に、分散用サンドミルのガラスビーズの量を1500
gとし、10時間分散して分散液3を得、該分散液3を用
いた他は感光体3と同様にして表2の感光体4(実施例
4用)を得た。
【0112】前記分散液3のX線回折スペクトルを感光
体1の場合と同様にして測定したところ、表1で示すよ
うに12.4±0.2°のピーク強度が最大であり、該ピーク
の半値幅が0.68°であり、11.5±0.2°に明瞭なピーク
を有していないことがわかった。
体1の場合と同様にして測定したところ、表1で示すよ
うに12.4±0.2°のピーク強度が最大であり、該ピーク
の半値幅が0.68°であり、11.5±0.2°に明瞭なピーク
を有していないことがわかった。
【0113】(感光体5の作製)前記分散液1の分散手
段であるサンドミルに代えて超音波分散(US)を用い
て5時間分散した他は分散液1と同様にして分散液4を
得た。該分散液をアルミニウム製ドラムに塗布した他は
感光体1と同様にして表2の感光体5(比較例1用)を
得た。
段であるサンドミルに代えて超音波分散(US)を用い
て5時間分散した他は分散液1と同様にして分散液4を
得た。該分散液をアルミニウム製ドラムに塗布した他は
感光体1と同様にして表2の感光体5(比較例1用)を
得た。
【0114】前記分散液4を感光体1の場合と同様にし
てX線回折スペクトルを測定したところ、表1に示すよ
うに12.4±0.2°に最大のピーク強度を有し、該ピーク
の半値幅が0.60°である外、11.5±0.2°に明瞭なピー
クを示すことがわかった。
てX線回折スペクトルを測定したところ、表1に示すよ
うに12.4±0.2°に最大のピーク強度を有し、該ピーク
の半値幅が0.60°である外、11.5±0.2°に明瞭なピー
クを示すことがわかった。
【0115】(感光体6の作製)前記分散液1の例示化
合物A−1のAP品に代えて例示化合物A−1の昇華品
(SUB品)を用いた他は分散液1と同様にして分散液
5を得た。該分散液をアルミニウム製ドラムに塗布した
他は感光体1と同様にして表2の感光体6(比較例2
用)を得た。
合物A−1のAP品に代えて例示化合物A−1の昇華品
(SUB品)を用いた他は分散液1と同様にして分散液
5を得た。該分散液をアルミニウム製ドラムに塗布した
他は感光体1と同様にして表2の感光体6(比較例2
用)を得た。
【0116】前記分散液5を感光体1の場合と同様にし
てX線回折スペクトルを測定したところ、表1の如く1
2.4±0.2°に最大ピーク強度を有せず、27.1±0.2°に
最大ピーク強度を有し、かつ12.4±0.2°のピークの半
値幅が0.68°であり、11.5±0.2°に明瞭なピークを有
していないことがわかった。なお前記X線回折スペクト
ル(XRD)を図7に示した。
てX線回折スペクトルを測定したところ、表1の如く1
2.4±0.2°に最大ピーク強度を有せず、27.1±0.2°に
最大ピーク強度を有し、かつ12.4±0.2°のピークの半
値幅が0.68°であり、11.5±0.2°に明瞭なピークを有
していないことがわかった。なお前記X線回折スペクト
ル(XRD)を図7に示した。
【0117】
【表1】
【0118】
【表2】
【0119】これらの感光体を、それぞれ表3に示す露
光方式、露光時間を有する装置に搭載し、10万サイクル
の帯電露光を繰り返す試験を行った。表中のVb,Vw,
Vrは以下のとおりである。
光方式、露光時間を有する装置に搭載し、10万サイクル
の帯電露光を繰り返す試験を行った。表中のVb,Vw,
Vrは以下のとおりである。
【0120】Vb:濃度1.3の原稿に対する表面電位 Vw:濃度0.0の原稿に対する表面電位 Vr:除電後の電位(残留電位) また、このとき、各装置で達成される複写速度を1分間
あたりのA4サイズの複写枚数(CPM)で評価し、61
CPM以上を〇、60CPM以下を×とした。
あたりのA4サイズの複写枚数(CPM)で評価し、61
CPM以上を〇、60CPM以下を×とした。
【0121】
【表3】
【0122】
【発明の効果】フラッシュ露光方式の高速複写機、スリ
ット露光方式の高速複写機等に適用して感度不足による
画像不良を生ずることなく、さらに前記高速複写機の繰
り返し使用においても感度低下、残留電位上昇による画
像不良を生ずることのない画像形成方法を提供すること
が出来る。
ット露光方式の高速複写機等に適用して感度不足による
画像不良を生ずることなく、さらに前記高速複写機の繰
り返し使用においても感度低下、残留電位上昇による画
像不良を生ずることのない画像形成方法を提供すること
が出来る。
【0123】これに対し比較例1〜4に示すように、感
光体、露光時間が本発明外の時は、繰り返しによる電位
変動が大きく安定性に劣ったり、高速複写が実現できな
いという問題があることがわかる。
光体、露光時間が本発明外の時は、繰り返しによる電位
変動が大きく安定性に劣ったり、高速複写が実現できな
いという問題があることがわかる。
【図1】X線回折ピークにおけるピーク強度、半値幅を
定義する図。
定義する図。
【図2】本発明に係る電子写真感光体の形態を示す断面
図。
図。
【図3】本発明に係るフラッシュ露光方式の複写機の概
念図。
念図。
【図4】ストロボ発光時間と光出力を表示した図。
【図5】本発明に係るスリット露光方式の複写機の概念
図。
図。
【図6】ペリレン顔料(本発明内)のX線回折スペクト
ル図。
ル図。
【図7】ペリレン顔料(本発明外)のX線回折スペクト
ル図。
ル図。
1 導電性支持体 2 CGL(電荷発生層) 3 CTL(電荷輸送層) 4 感光層 5 中間層 6 CTMを主成分とする層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03G 15/043 15/04
Claims (4)
- 【請求項1】 感光体上に帯電後、像露光、現像及び転
写を行う工程を繰り返して像形成を行う画像形成方法に
おいて、前記感光体として導電性支持体上に少なくとも
電荷発生層及び電荷輸送層を積層して成り、前記電荷発
生層中に下記一般式〔1〕及び/または〔2〕で表さ
れ、かつCu−Kα線に対するX線回折スペクトルのブ
ラック角2θが6.3±0.3°、12.4±0.2°、25.3±0.2°
及び27.1±0.2°にピークを有すると共に、12.4°±0.2
°に最大ピーク強度を有し、該ピークの半値幅が0.65°
以上であり、かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを有して
いない結晶型を有するペリレン顔料を電荷発生物質とし
て含有する感光体を用い、前記像露光を行う工程におけ
る前記感光体上への露光時間tを1×10-4秒以上、2×
10-2秒以下とすることを特徴とする画像形成方法。 【化1】 (一般式〔1〕、〔2〕中、Zは置換または無置換の複
素環を形成するのに必要な原子群を表す。) - 【請求項2】 前記像露光を行う工程がフラッシュラン
プで瞬時露光を行う工程である請求項1に記載の画像形
成方法。 - 【請求項3】 前記像露光を行う工程がスリットによる
走査露光を行う工程である請求項1に記載の画像形成方
法。 - 【請求項4】 前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物
質が下記一般式〔3〕で表される請求項1〜3のいづれ
かに記載の画像形成方法。 【化2】 (一般式〔3〕中、Ar1、Ar2は脂肪族基または芳香族
基、Ar3はフェニレン基を表し、Ar1、Ar3で環を形成し
てもよい。R1、R2は水素原子、アルキル基、アリール
基、R3はアルキル基、アリール基を表し、R2、R3で
環を形成してもよい。)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6140363A JPH086278A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像形成方法 |
US08/490,781 US5589314A (en) | 1994-06-22 | 1995-06-15 | Image forming method using an imidazole-perylene electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6140363A JPH086278A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH086278A true JPH086278A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15267089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6140363A Pending JPH086278A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 画像形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5589314A (ja) |
JP (1) | JPH086278A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US5645965A (en) * | 1996-08-08 | 1997-07-08 | Xerox Corporation | Symmetrical perylene dimers |
EP1324139A3 (en) * | 2001-12-06 | 2003-10-22 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, process cartridge, image forming apparatus and image forming method |
JP5402279B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2014-01-29 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、その製造方法、及びそれを使用した画像形成装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2636421A1 (de) * | 1976-08-13 | 1978-02-16 | Basf Ag | Elektrisch leitfaehige perylenderivate |
US4792508A (en) * | 1987-06-29 | 1988-12-20 | Xerox Corporation | Electrophotographic photoconductive imaging members with cis, trans perylene isomers |
JP3066882B2 (ja) * | 1991-09-24 | 2000-07-17 | コニカ株式会社 | 電子写真感光体 |
US5434027A (en) * | 1992-12-25 | 1995-07-18 | Konica Corporation | Photorecptor for electrophotography and image forming method |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6140363A patent/JPH086278A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-15 US US08/490,781 patent/US5589314A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5589314A (en) | 1996-12-31 |
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