JPH0860375A - めっき方法及びめっき装置 - Google Patents

めっき方法及びめっき装置

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JPH0860375A
JPH0860375A JP19998394A JP19998394A JPH0860375A JP H0860375 A JPH0860375 A JP H0860375A JP 19998394 A JP19998394 A JP 19998394A JP 19998394 A JP19998394 A JP 19998394A JP H0860375 A JPH0860375 A JP H0860375A
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JP
Japan
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plating
plating solution
bubbles
solution
bubble
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JP19998394A
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Takayuki Sone
孝之 曽根
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EEJA Ltd
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Electroplating Engineers of Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】めっき液の液面を上昇させることでめっき対象
物にめっき液を接触させてめっきを行なうについて、種
々の不具合を伴うめっき液の循環を行なわずにめっき液
の液面上昇を生じさせてるようにするめっき方法及び装
置の提供。 【構成】めっき槽1内の底部側で気泡Bを発生させ、こ
の気泡の上昇力でめっき液Lの液面を上昇させてめっき
物Mのめっき対象面にめっき液を接触させるようにして
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、めっき技術に関し、よ
り具体的にはめっき液の液面を静止状態の液面から上昇
させることでめっき物のめっき対象面にめっき液を接触
させつつめっきを行なうめっき技術に関する。
【0002】
【従来の技術】このようなめっき液に液面の上昇を生じ
させてめっきを行なう技術としては、例えば実開昭57
−65960号公報に見られるようなオーバーフロー式
が知られている。一般にオーバーフロー式のめっき装置
は、図2に示すように、めっき槽50を備えている。め
っき槽50にはポンプ51を含む循環機構52が接続さ
れており、この循環機構52でめっき液Lを循環させる
ようになっている。まためっき槽50の内部にはオーバ
ーフロー槽53が設けられており、めっき液Lの循環に
際してこのオーバーフロー槽53からめっき液Lがオー
バーフローし、このオーバーフローに伴ってめっき液L
がその液面を若干上昇させてオーバーフロー槽53の頂
端に載置のめっき物Mに接触することでめっきがなされ
る。
【0003】このように従来のオーバーフロー式のめっ
き装置では、めっき液を循環機構により循環させること
が不可欠となっている。しかるに、めっき液によっては
このような循環に伴って種々の障害を生じるものがあ
る。例えば無電解めっき液やノンシアン系の電解めっき
液などがその例で、これらのめっき液は、循環中におい
て循環機構の配管やポンプにめっき金属、例えば金が析
出し易い。従って一定処理量を越したら析出した金を王
水で取り除く作業が必要となるので、負担が増えて作業
効率が低下するし、高価な金が無駄になる可能性が高く
なる。またこれらのめっき液は、配管やポンプを損傷し
易く、循環機構の耐久性を低下させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
事情を背景になされたもので、めっき液の循環を行なわ
ずにめっき液にその液面の上昇を生じさせてめっきを行
なうことのできるようなめっき方法及び装置の提供を目
的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような目的のために
本発明では、めっき槽内における静止状態でのめっき液
の液面より若干上側でめっき液の液面に対し対向状態で
めっき物を配置し、この状態でめっき液の液面を静止状
態より上昇させてめっき物のめっき対象面にめっき液を
接触させることでめっきを行なうめっき方法について、
めっき槽内の底部側で気泡を発生させ、この気泡の上昇
力でめっき液の液面を上昇させるようにしている。
【0006】また本発明では、上記のめっき方法に用い
るめっき装置、つまりめっき槽内における静止状態での
めっき液の液面より若干上側でめっき液の液面に対し対
向状態でめっき物を配置し、この状態でめっき液の液面
を静止状態より上昇させてめっき物のめっき対象面にめ
っき液を接触させることでめっきを行なうめっき装置に
ついて、めっき槽内の底部側に気泡発生手段を設け、こ
れから発生させて気泡の上昇力でめっき液の液面を上昇
させるようにしている。
【0007】また本発明では、上記のめっき装置につい
て、上側すぼまりの集泡路を有する集泡体を気泡の上昇
経路に沿って設け、この集泡体によりめっき液の液面に
近づくにしたがって気泡を集積させるようにしている。
【0008】
【作用】上記のようなめっき方法及び装置によると、め
っき槽内で発生させた気泡の上昇力でめっき液の液面を
上昇させるようになっているので、めっき液に循環を行
なわせる必要がない。従ってめっき液の循環に伴う上記
のようなトラブルを避けることができる。
【0009】また集泡体を用いてめっき液の液面に近づ
くにしたがって気泡を集積させるめっき方法及び装置に
よると、気泡による液面の上昇力をより大きくすること
ができ、従ってめっき液の接触効率を高めることがで
き、めっき処理速度を速めることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
本実施例によるめっき装置は、図1に示すように、めっ
き槽1の内部に集泡体2を設け、さらに集泡体2の底部
に気泡発生手段3を配した構造となっている。
【0011】集泡体2は、上側に向けてすぼまり形状と
された集泡路4を有する筒状に形成され、その頂端部は
オーバーフロー開口5及び接触開口6を有する載置面7
とされている。
【0012】気泡発生手段3は、外部の給気手段(図示
せず)に通気管8を介して接続され、給気手段から供給
される圧縮気体を細かな気泡としてめっき槽1内のめっ
き液L中に供給するようになっている。
【0013】このめっき装置によるめっき処理は、以下
のようにして進められる。先ず気泡発生手段3を停止さ
せた状態で集泡体2の載置部7にめっき物Mをセットす
る。このめっき物Mのセットは、図示せぬ押圧手段でめ
っき物Mを載置部7に所定の押圧力で押し付けて行な
う。それから気泡発生手段3を作動させる。すると気泡
発生手段3から無数の気泡B、B、……が発生し、この
気泡B、B、……が集泡体2の集泡路4内を上昇し、こ
れに伴ってめっき液Lも押し上げられてその液面を上昇
させる。この際に気泡B、B、……は、集泡路4が上側
にすぼまり形状となっているために上側に行くにしたが
って徐々に密になり、その揚液力を増加させる。液面を
上昇させためっき液Lは、集泡体2のオーバーフロー開
口5からオーバーフローする。これに伴ってめっき液L
がめっき物Mのめっき対象面に接触し、めっきがなされ
る。
【0014】
【発明の効果】以上説明したごとく本発明によると、め
っき液に循環を行なわせる必要がないので、循環に伴っ
て障害を生じるめっき液についても効率的にめっきを行
なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるめっき装置の断面図。
【図2】従来のオーバーフロー式めっき装置の断面図。
【符号の説明】
1 めっき槽 2 集泡体 3 気泡発生手段 4 集泡路 L めっき液 M めっき物

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 めっき槽内における静止状態でのめっき
    液の液面より若干上側でめっき液の液面に対し対向状態
    でめっき物を配置し、この状態でめっき液の液面を静止
    状態より上昇させてめっき物のめっき対象面にめっき液
    を接触させることでめっきを行なうめっき方法におい
    て、めっき槽内の底部側で気泡を発生させ、この気泡の
    上昇力でめっき液の液面を上昇させるようにしたことを
    特徴とするめっき方法。
  2. 【請求項2】 めっき槽内における静止状態でのめっき
    液の液面より若干上側でめっき液の液面に対し対向状態
    でめっき物を配置し、この状態でめっき液の液面を静止
    状態より上昇させてめっき物のめっき対象面にめっき液
    を接触させることでめっきを行なうめっき装置におい
    て、めっき槽内の底部側に気泡発生手段を設け、これか
    ら発生させて気泡の上昇力でめっき液の液面を上昇させ
    るようにしたことを特徴とするめっき装置。
  3. 【請求項3】 上側すぼまりの集泡路を有する集泡体を
    気泡の上昇経路に沿って設け、この集泡体によりめっき
    液の液面に近づくにしたがって気泡を集積させるように
    した請求項2記載のめっき装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005344133A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Asahi Kasei Engineering Kk めっき処理方法及び処理装置
JP2013249525A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Yoshiji Ichihara 部分めっき装置及び部分めっき方法
JP2016081926A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 装置、二次電池、電子機器、および電池制御ユニット

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