JPH0859389A - 単結晶の成長方法 - Google Patents
単結晶の成長方法Info
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- JPH0859389A JPH0859389A JP19941794A JP19941794A JPH0859389A JP H0859389 A JPH0859389 A JP H0859389A JP 19941794 A JP19941794 A JP 19941794A JP 19941794 A JP19941794 A JP 19941794A JP H0859389 A JPH0859389 A JP H0859389A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体はもちろんあらゆる電子工
業の素子を形成する材料の単結晶成長技術に関し、特に
液相叉は気相から種結晶を用いらせん転位のステップの
成長により単結晶成長を行う材料（例えば炭化珪素Ｓｉ
Ｃ）に有効で、欠陥の少ない単結晶を低温で成長可能と
する技術を供給することを目的とする。 【構成】 種結晶１の成長表面２にらせん転移の中心と
して機能する特異点１０として、人為的に突起・へこみ
・不純物を導入し、結晶成長させる。 【効果】 制御されて導入された特異点をらせん転位の
中心として機能させることにより、単結晶成長中のラン
ダムに発生するらせん転位が抑制され、欠陥の少ない単
結晶が低温で成長可能となる。
業の素子を形成する材料の単結晶成長技術に関し、特に
液相叉は気相から種結晶を用いらせん転位のステップの
成長により単結晶成長を行う材料（例えば炭化珪素Ｓｉ
Ｃ）に有効で、欠陥の少ない単結晶を低温で成長可能と
する技術を供給することを目的とする。 【構成】 種結晶１の成長表面２にらせん転移の中心と
して機能する特異点１０として、人為的に突起・へこみ
・不純物を導入し、結晶成長させる。 【効果】 制御されて導入された特異点をらせん転位の
中心として機能させることにより、単結晶成長中のラン
ダムに発生するらせん転位が抑制され、欠陥の少ない単
結晶が低温で成長可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体はもちろんあら
ゆる電子工業の素子を形成する材料の単結晶基板の製造
方法および単結晶成長技術に関する。
ゆる電子工業の素子を形成する材料の単結晶基板の製造
方法および単結晶成長技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から行われている昇華再結晶法によ
る炭化珪素（ＳｉＣ）種結晶の単結晶成長法は、まず黒
鉛の容器中に原料となるＳｉＣ粉末と種結晶がセットさ
れる。容器中でＳｉＣ粉末が２０００℃以上の高温で昇
華し気体状となり、若干低温下に保たれた種結晶表面に
ＳｉＣ気体が供給され単結晶成長する。
る炭化珪素（ＳｉＣ）種結晶の単結晶成長法は、まず黒
鉛の容器中に原料となるＳｉＣ粉末と種結晶がセットさ
れる。容器中でＳｉＣ粉末が２０００℃以上の高温で昇
華し気体状となり、若干低温下に保たれた種結晶表面に
ＳｉＣ気体が供給され単結晶成長する。
【０００３】図１に示すよう種結晶１の成長表面２にお
いて成長中にランダムにらせん転移３が複数個発生し、
このらせん転移のステップ４の矢印５に示したような成
長により種結晶の単結晶成長が進むことが知られてい
る。
いて成長中にランダムにらせん転移３が複数個発生し、
このらせん転移のステップ４の矢印５に示したような成
長により種結晶の単結晶成長が進むことが知られてい
る。
【０００４】また、この成長中に制御不可能なランダム
に発生するらせん転移の中心６には細い穴が残り貫通欠
陥が存在する。また、他の一般的な液相・気相からの種
結晶の単結晶成長においても、上記と同様のらせん転位
のランダムな発生・らせん転位のステップの成長による
単結晶成長・らせん転位の中心に形成される貫通欠陥の
存在した（参考文献：１９９４年春季第４１回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集３１ａ−ＺＤ−５）。
に発生するらせん転移の中心６には細い穴が残り貫通欠
陥が存在する。また、他の一般的な液相・気相からの種
結晶の単結晶成長においても、上記と同様のらせん転位
のランダムな発生・らせん転位のステップの成長による
単結晶成長・らせん転位の中心に形成される貫通欠陥の
存在した（参考文献：１９９４年春季第４１回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集３１ａ−ＺＤ−５）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この様な従来の種結晶
を用いた結晶成長法により成長させると、図２に示すよ
うに、単結晶（例えば炭化珪素）中に貫通欠陥７がラン
ダムに存在し、この単結晶８からウェハ９を切り出した
場合に、ウェハ９の表面から裏面に貫通する細い穴が１
００／ｃｍ2以上の密度で残ってしまう。このウェハを
用いて炭化珪素素子を形成すると、貫通欠陥７が絶縁不
良やショートの原因となってしまっていた。
を用いた結晶成長法により成長させると、図２に示すよ
うに、単結晶（例えば炭化珪素）中に貫通欠陥７がラン
ダムに存在し、この単結晶８からウェハ９を切り出した
場合に、ウェハ９の表面から裏面に貫通する細い穴が１
００／ｃｍ2以上の密度で残ってしまう。このウェハを
用いて炭化珪素素子を形成すると、貫通欠陥７が絶縁不
良やショートの原因となってしまっていた。
【０００６】そこで、炭化珪素単結晶中の貫通欠陥の低
減が炭化珪素ウェハの形成技術開発の最も大きな課題で
あり、単結晶成長中にランダムに発生するらせん転位を
コントロールする技術が必要となってきた。
減が炭化珪素ウェハの形成技術開発の最も大きな課題で
あり、単結晶成長中にランダムに発生するらせん転位を
コントロールする技術が必要となってきた。
【０００７】本発明は、欠陥の少ない単結晶基板を切り
出すことのできる単結晶を種結晶上に低温で成長可能と
する技術を供給することを目的とし、特に、液相叉は気
相の物質を種結晶の表面に供給して単結晶成長を行う材
料、例えば炭化珪素の結晶製造法を提供する。
出すことのできる単結晶を種結晶上に低温で成長可能と
する技術を供給することを目的とし、特に、液相叉は気
相の物質を種結晶の表面に供給して単結晶成長を行う材
料、例えば炭化珪素の結晶製造法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、単結晶成長に用いる種結晶の成長表面に故意に人為
的に特異点を少なくとも一つ導入する。
に、単結晶成長に用いる種結晶の成長表面に故意に人為
的に特異点を少なくとも一つ導入する。
【０００９】
【作用】上記の手段により、従来図２に示すようランダ
ムに成長中に発生していたらせん転位の中心（貫通欠
陥）の発生は抑制され、図３に示すようただ一つ（特異
点を複数個導入した場合は複数）の人為的に制御されて
導入されたらせん転位の周りのステップ成長によっての
み単結晶成長が進む。
ムに成長中に発生していたらせん転位の中心（貫通欠
陥）の発生は抑制され、図３に示すようただ一つ（特異
点を複数個導入した場合は複数）の人為的に制御されて
導入されたらせん転位の周りのステップ成長によっての
み単結晶成長が進む。
【００１０】らせん転位の中心に形成される貫通欠陥
は、従来ランダムに発生していたが、本発明に於いては
人為的に制御されて導入した特異点ただ一つ（特異点を
複数個導入した場合は複数）とすることが可能となる。
は、従来ランダムに発生していたが、本発明に於いては
人為的に制御されて導入した特異点ただ一つ（特異点を
複数個導入した場合は複数）とすることが可能となる。
【００１１】また、らせん転位の周りでのらせん状のス
テップ成長が単結晶成長初期から誘起されるため、結晶
表面の成長の活性化エネルギーが減少し、従来の人為的
に特異点１０を導入しない場合に比べて単結晶成長温度
を下げられる。つまり、本発明の単結晶の成長方法によ
って単結晶成長温度の低温化も可能となる。
テップ成長が単結晶成長初期から誘起されるため、結晶
表面の成長の活性化エネルギーが減少し、従来の人為的
に特異点１０を導入しない場合に比べて単結晶成長温度
を下げられる。つまり、本発明の単結晶の成長方法によ
って単結晶成長温度の低温化も可能となる。
【００１２】また、成長させた単結晶８の特異点１０上
の貫通欠陥７部分以外の部分１１からウェハを取り出す
と貫通欠陥の存在しない良好な結晶性を持つウェハがえ
られる。
の貫通欠陥７部分以外の部分１１からウェハを取り出す
と貫通欠陥の存在しない良好な結晶性を持つウェハがえ
られる。
【００１３】
（実施例１）黒鉛の容器中で６Ｈの炭化珪素のアチソン
結晶を種結晶とし2220〜2300℃に加熱し、SiCパウダー
原料を種結晶よりも80℃程度高い温度に加熱することに
より原料を昇華させ、上記加熱された種結晶上に昇華再
結晶法により炭化珪素単結晶を成長させた。
結晶を種結晶とし2220〜2300℃に加熱し、SiCパウダー
原料を種結晶よりも80℃程度高い温度に加熱することに
より原料を昇華させ、上記加熱された種結晶上に昇華再
結晶法により炭化珪素単結晶を成長させた。
【００１４】この場合、図４（ａ）に示すようアチソン
結晶の(0001)面の成長を行い種結晶１の(0001)面２中央
に、Ｔｉ１２を直径100μｍの円状に蒸着し、図４
（ｂ）に示すようＴｉ蒸着膜１２をマスクとした溶融ア
ルカリ（Ｎａ2ＣＯ3）エッチングを行い、その後図４
（ｃ）に示すよう直径100μｍ高さ20μｍの突起状の特
異点１３を形成した。
結晶の(0001)面の成長を行い種結晶１の(0001)面２中央
に、Ｔｉ１２を直径100μｍの円状に蒸着し、図４
（ｂ）に示すようＴｉ蒸着膜１２をマスクとした溶融ア
ルカリ（Ｎａ2ＣＯ3）エッチングを行い、その後図４
（ｃ）に示すよう直径100μｍ高さ20μｍの突起状の特
異点１３を形成した。
【００１５】この成長表面に人為的に突起状の特異点１
３が導入された種結晶からの単結晶成長は、突起部分が
らせん転位の中心として機能し、このらせん転位の周り
のらせん状のステップ成長により結晶成長が進行した。
３が導入された種結晶からの単結晶成長は、突起部分が
らせん転位の中心として機能し、このらせん転位の周り
のらせん状のステップ成長により結晶成長が進行した。
【００１６】図４（ｄ）に示すよう得られた単結晶８は
2cmの直径で、この単結晶内部には故意に導入した突起
状の特異点１３に形成されたらせん転位以外のらせん転
位は確認されず、ただ一つの導入されたらせん転位の中
心の貫通欠陥７だけとなった。
2cmの直径で、この単結晶内部には故意に導入した突起
状の特異点１３に形成されたらせん転位以外のらせん転
位は確認されず、ただ一つの導入されたらせん転位の中
心の貫通欠陥７だけとなった。
【００１７】なお、本実施例では、故意に導入されたら
せん転位の中心として機能する種結晶成長表面の特異点
は、結晶の突起を示したが、図５に示すように穴のあい
たマスク１４を用いて前記溶融アルカリエッチングによ
り形成された結晶のへこみ（ピット）１５が成長表面２
の中央にあるような種結晶１を用いた場合でもよく、ま
た図６に示すよう白金の蒸着物１６（結晶性の異なる不
純物）を種結晶の中央に形成した場合でも有効であっ
た。この場合、へこみ１５及び不純物１６の大きさは本
実施例の突起１３と同程度であった。
せん転位の中心として機能する種結晶成長表面の特異点
は、結晶の突起を示したが、図５に示すように穴のあい
たマスク１４を用いて前記溶融アルカリエッチングによ
り形成された結晶のへこみ（ピット）１５が成長表面２
の中央にあるような種結晶１を用いた場合でもよく、ま
た図６に示すよう白金の蒸着物１６（結晶性の異なる不
純物）を種結晶の中央に形成した場合でも有効であっ
た。この場合、へこみ１５及び不純物１６の大きさは本
実施例の突起１３と同程度であった。
【００１８】また、突起・へこみの形成法は溶融アルカ
リエッチングに限るものではなく、他の機械的方法によ
って形成しても、設けた特異点はらせん転移の中心とし
て機能した。
リエッチングに限るものではなく、他の機械的方法によ
って形成しても、設けた特異点はらせん転移の中心とし
て機能した。
【００１９】なお、不純物も前記白金に限るものではな
く、単結晶成長温度において存在するものであればよ
く、また例えばＡｌのようにシリサイドを形成し種結晶
と反応することにより種結晶表面になんらかの変化を与
えるものであればらせん転移の中心として機能する。
く、単結晶成長温度において存在するものであればよ
く、また例えばＡｌのようにシリサイドを形成し種結晶
と反応することにより種結晶表面になんらかの変化を与
えるものであればらせん転移の中心として機能する。
【００２０】また、人為的に制御されて導入された成長
表面の特異点は一つに限られるものではなく、複数個の
特異点が導入された場合でも有効で、導入された複数個
の特異点にのみらせん転位が形成され貫通欠陥が認めら
れるだけで他の部分は無欠陥であった。複数個のらせん
転位の中心として機能する特異点の導入は、特異点以外
の部分の欠陥密度を低く抑えるため、特に大型の単結晶
を形成する場合に有効であった。
表面の特異点は一つに限られるものではなく、複数個の
特異点が導入された場合でも有効で、導入された複数個
の特異点にのみらせん転位が形成され貫通欠陥が認めら
れるだけで他の部分は無欠陥であった。複数個のらせん
転位の中心として機能する特異点の導入は、特異点以外
の部分の欠陥密度を低く抑えるため、特に大型の単結晶
を形成する場合に有効であった。
【００２１】なお、本実施例の炭化珪素の単結晶成長に
おいて、成長温度を2180℃とした場合も良好な炭化珪素
単結晶の成長が確認され、成長温度の低温化も達成でき
る。
おいて、成長温度を2180℃とした場合も良好な炭化珪素
単結晶の成長が確認され、成長温度の低温化も達成でき
る。
【００２２】（実施例２）実施例１にしめす炭化珪素単
結晶を切り出してウェハを形成すると、ウェハ中の制御
された位置にだだ一つ（特異点を複数個導入の場合は複
数）の貫通欠陥が確認されるのみで、従来法の問題であ
ったランダムな制御できない貫通欠陥は存在しない。特
異点上の成長部分に全ての欠陥が起こるように制御され
るので、特異点上の部分以外の所を切り出せば、欠陥の
無い切り出しが可能となる。
結晶を切り出してウェハを形成すると、ウェハ中の制御
された位置にだだ一つ（特異点を複数個導入の場合は複
数）の貫通欠陥が確認されるのみで、従来法の問題であ
ったランダムな制御できない貫通欠陥は存在しない。特
異点上の成長部分に全ての欠陥が起こるように制御され
るので、特異点上の部分以外の所を切り出せば、欠陥の
無い切り出しが可能となる。
【００２３】よって、予め場所の特定できる貫通欠陥を
含まないようにウェハを切り出すことにより、貫通欠陥
の無い１ｃｍ角以上の単結晶基板を得ることができた。
含まないようにウェハを切り出すことにより、貫通欠陥
の無い１ｃｍ角以上の単結晶基板を得ることができた。
【００２４】なお、実施例では、炭化珪素の昇華再結晶
法による単結晶成長について述べたが、他の液相・気相
からの単結晶成長一般に対しても本発明の単結晶の成長
方法は応用すると同一の効果が得られる。
法による単結晶成長について述べたが、他の液相・気相
からの単結晶成長一般に対しても本発明の単結晶の成長
方法は応用すると同一の効果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の単結晶の成長方法により、貫通
欠陥を制御でき、貫通欠陥の無い（欠陥密度０）部分を
切り出すことにより、欠陥の少ないウェハが形成可能と
なる。また、大型の貫通欠陥の無い炭化珪素単結晶を形
成可能となり、それを用いた素子の絶縁不良やショート
等による歩どまりが向上する。本発明により、特に炭化
珪素を用いた高パワー・高周波・高速・耐環境デバイス
の製造を可能とし効率化できる。
欠陥を制御でき、貫通欠陥の無い（欠陥密度０）部分を
切り出すことにより、欠陥の少ないウェハが形成可能と
なる。また、大型の貫通欠陥の無い炭化珪素単結晶を形
成可能となり、それを用いた素子の絶縁不良やショート
等による歩どまりが向上する。本発明により、特に炭化
珪素を用いた高パワー・高周波・高速・耐環境デバイス
の製造を可能とし効率化できる。
【図１】従来の単結晶成長方法におけるらせん転移ステ
ップ成長を示す概略図
ップ成長を示す概略図
【図２】従来の単結晶成長方法によって形成された単結
晶の断面図
晶の断面図
【図３】本発明の単結晶の成長方法の概念図
【図４】本発明の実施例の成長方法の工程を示す図
【図５】本発明の種結晶の形成の手順を示す図
【図６】本発明の種結晶の断面図
１ 種結晶 ２ 成長表面 ３ らせん転移 ４ らせん転移のステップ ５ 成長方向 ６ らせん転移の中心 ７ 貫通欠陥 ８ 単結晶 ９ ウェハ １０ 特異点 １２ Ｔｉマスク １３ 突起状の特異点 １４ へこみの特異点 １５ 不純物の特異点
Claims (4)
- 【請求項１】種結晶の成長表面に、特異点を少なくとも
１つ導入し、前記表面上に単結晶を成長させることを特
徴とする単結晶の成長方法。 - 【請求項２】種結晶が炭化珪素（ＳｉＣ）で、炭化珪素
の単結晶成長であることを特徴とする請求項１記載の単
結晶の成長方法。 - 【請求項３】種結晶の成長表面の特異点が、突起または
へこみまたは不純物よりなることを特徴とする請求項１
記載の単結晶の成長方法。 - 【請求項４】種結晶の成長表面に特異点を少なくとも１
つ導入し上記成長表面上に単結晶を成長させる工程、特
異点上に成長した部分以外の単結晶成長部分を切り出す
工程を有することを特徴とする請求項１記載の単結晶の
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19941794A JP3520571B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19941794A JP3520571B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 単結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859389A true JPH0859389A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3520571B2 JP3520571B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=16407462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19941794A Expired - Lifetime JP3520571B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3520571B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135074B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Method for manufacturing silicon carbide single crystal from dislocation control seed crystal |
| JP2007299877A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Meijo | 半導体および半導体製造方法 |
| JP2008210821A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2020147497A (ja) * | 2020-05-29 | 2020-09-17 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣウェハ、半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19941794A patent/JP3520571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135074B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Method for manufacturing silicon carbide single crystal from dislocation control seed crystal |
| JP2007299877A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Meijo | 半導体および半導体製造方法 |
| JP2008210821A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4546982B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2010-09-22 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2020147497A (ja) * | 2020-05-29 | 2020-09-17 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣウェハ、半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3520571B2 (ja) | 2004-04-19 |
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