JPH0859357A - ガラス・セラミックスパッケ−ジおよびその製造方法 - Google Patents
ガラス・セラミックスパッケ−ジおよびその製造方法Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高放熱性、高曲げ強度、低誘電率のガラス・
セラミックスパッケージを提供する。 【構成】 ガラスセラミックス１とＡｌＮ基板２との接
合に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材４を用いる。例えばパターン
印刷したグリーンシートを積層、同時焼成して形成した
ガラスセラミックス基板１をＡｌ材３を間にはさんでＡ
ｌＮ基板２に接合する。Ａｌ材３とガラスセラミックス
基板１との間、Ａｌ材３とＡｌＮ基板２との間には、Ａ
ｌ−Ｓｉ系ろう材の箔４を介在させ、６００℃で接合す
る。ガラスの転移点以下で加熱、接合するため、ＡｌＮ
基板２に反り、割れは生じない。
セラミックスパッケージを提供する。 【構成】 ガラスセラミックス１とＡｌＮ基板２との接
合に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材４を用いる。例えばパターン
印刷したグリーンシートを積層、同時焼成して形成した
ガラスセラミックス基板１をＡｌ材３を間にはさんでＡ
ｌＮ基板２に接合する。Ａｌ材３とガラスセラミックス
基板１との間、Ａｌ材３とＡｌＮ基板２との間には、Ａ
ｌ−Ｓｉ系ろう材の箔４を介在させ、６００℃で接合す
る。ガラスの転移点以下で加熱、接合するため、ＡｌＮ
基板２に反り、割れは生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体装置の
実装用基板として用いられるガラス・セラミックスパッ
ケージおよびその製造方法に関する。
実装用基板として用いられるガラス・セラミックスパッ
ケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高放熱性パッケージとしては、Ａ
ｌ2Ｏ3（アルミナ）を用いこれにタングステン導体を１
６００℃で同時焼結して得られるセラミックスパッケー
ジに、放熱用のＣｕ−Ｗ（銅−タングステン）合金をＡ
ｇ（銀）ろう付けしたものが知られている。これはＡｌ
2Ｏ3基板とＣｕ−Ｗ合金の熱膨張係数を完全に合わせな
いと、基板に反りが発生したりする。また、Ａｌ2Ｏ3パ
ッケージの裏面にＡｌ（アルミニウム）のヒートシンク
をシリコングリースで接合する場合は、接合層で熱抵抗
が大きく、良好な放熱性が得られない。
ｌ2Ｏ3（アルミナ）を用いこれにタングステン導体を１
６００℃で同時焼結して得られるセラミックスパッケー
ジに、放熱用のＣｕ−Ｗ（銅−タングステン）合金をＡ
ｇ（銀）ろう付けしたものが知られている。これはＡｌ
2Ｏ3基板とＣｕ−Ｗ合金の熱膨張係数を完全に合わせな
いと、基板に反りが発生したりする。また、Ａｌ2Ｏ3パ
ッケージの裏面にＡｌ（アルミニウム）のヒートシンク
をシリコングリースで接合する場合は、接合層で熱抵抗
が大きく、良好な放熱性が得られない。
【０００３】これとは別に、ガラス・セラミックス基板
の低誘電率性を用い、さらに、これに高放熱性基板であ
るＡｌＮ（窒化アルミニウム）を複合させてパッケージ
を製造することが知られている。これは、特開平４−１
１２５５７号公報に記載されているように、ガラス・セ
ラミックス基板とＡｌＮとの接合をガラスを用いて行う
方法である。
の低誘電率性を用い、さらに、これに高放熱性基板であ
るＡｌＮ（窒化アルミニウム）を複合させてパッケージ
を製造することが知られている。これは、特開平４−１
１２５５７号公報に記載されているように、ガラス・セ
ラミックス基板とＡｌＮとの接合をガラスを用いて行う
方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにガラス成分によりガラス・セラミックス基板とＡｌ
Ｎとを接合する場合、それぞれの熱膨張係数を揃えなけ
ればならないが、その接合温度はガラス・セラミックス
の焼成温度と同じ温度である８５０℃以上でなければな
らない。この場合、ガラス・セラミックス中には、焼結
に必要となるガラスでその転移点が６５０℃付近のガラ
スが含まれている。このため、６５０℃以上でその熱膨
張係数が急激に高くなり、接合するＡｌＮ基板との間で
熱膨張係数の差が大きくなる。その結果、ＡｌＮ基板に
反りが生じたり、割れが発生するという問題があった。
うにガラス成分によりガラス・セラミックス基板とＡｌ
Ｎとを接合する場合、それぞれの熱膨張係数を揃えなけ
ればならないが、その接合温度はガラス・セラミックス
の焼成温度と同じ温度である８５０℃以上でなければな
らない。この場合、ガラス・セラミックス中には、焼結
に必要となるガラスでその転移点が６５０℃付近のガラ
スが含まれている。このため、６５０℃以上でその熱膨
張係数が急激に高くなり、接合するＡｌＮ基板との間で
熱膨張係数の差が大きくなる。その結果、ＡｌＮ基板に
反りが生じたり、割れが発生するという問題があった。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明は、基板に反りが生じ
ることがなく、かつ、割れが発生することもないガラス
・セラミックスパッケージを提供することを、その目的
としている。また、この発明は、高放熱性のガラス・セ
ラミックスパッケージを提供することを、その目的とし
ている。さらに、このようなガラス・セラミックスパッ
ケージの製造方法を提供することを、その目的としてい
る。
ることがなく、かつ、割れが発生することもないガラス
・セラミックスパッケージを提供することを、その目的
としている。また、この発明は、高放熱性のガラス・セ
ラミックスパッケージを提供することを、その目的とし
ている。さらに、このようなガラス・セラミックスパッ
ケージの製造方法を提供することを、その目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合
されたガラスセラミックス体とを有するガラス・セラミ
ックスパッケージにおいて、セラミックス基板とガラス
セラミックス体との接合にＡｌ−Ｓｉ（アルミニウム・
シリコン合金）系ろう材を用いたガラス・セラミックス
パッケージである。
は、セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合
されたガラスセラミックス体とを有するガラス・セラミ
ックスパッケージにおいて、セラミックス基板とガラス
セラミックス体との接合にＡｌ−Ｓｉ（アルミニウム・
シリコン合金）系ろう材を用いたガラス・セラミックス
パッケージである。
【０００７】請求項２に記載の発明は、セラミックス基
板と、このセラミックス基板に接合されたガラスセラミ
ックス体とを有するガラス・セラミックスパッケージに
おいて、上記ガラスセラミックス体とセラミックス基板
との間にＡｌ材をはさむとともに、ガラスセラミックス
体とＡｌ材との接合、および、セラミックス基板とＡｌ
材との接合を、共にＡｌ−Ｓｉ系ろう材で行ったガラス
・セラミックスパッケージである。
板と、このセラミックス基板に接合されたガラスセラミ
ックス体とを有するガラス・セラミックスパッケージに
おいて、上記ガラスセラミックス体とセラミックス基板
との間にＡｌ材をはさむとともに、ガラスセラミックス
体とＡｌ材との接合、および、セラミックス基板とＡｌ
材との接合を、共にＡｌ−Ｓｉ系ろう材で行ったガラス
・セラミックスパッケージである。
【０００８】請求項３に記載した発明は、上記セラミッ
クス基板はＡｌＮまたはＡｌ2Ｏ3である請求項１または
請求項２に記載のガラス・セラミックスパッケージであ
る。
クス基板はＡｌＮまたはＡｌ2Ｏ3である請求項１または
請求項２に記載のガラス・セラミックスパッケージであ
る。
【０００９】請求項４に記載した発明は、上記ガラスセ
ラミックス体は低温焼成基板で構成した請求項１〜請求
項３のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケー
ジである。
ラミックス体は低温焼成基板で構成した請求項１〜請求
項３のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケー
ジである。
【００１０】請求項５に記載した発明は、請求項１〜請
求項４のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケ
ージを製造する際、ガラスセラミックス体、セラミック
ス基板、Ａｌ材およびＡｌ−Ｓｉ系ろう材を重ね合わせ
て一時に接合するガラス・セラミックスパッケージの製
造方法である。
求項４のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケ
ージを製造する際、ガラスセラミックス体、セラミック
ス基板、Ａｌ材およびＡｌ−Ｓｉ系ろう材を重ね合わせ
て一時に接合するガラス・セラミックスパッケージの製
造方法である。
【００１１】請求項６に記載した発明は、請求項１〜請
求項４のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケ
ージを製造する際、ガラスセラミックス体に接合するＩ
／ＯピンをＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて行う請求項５に
記載のガラス・セラミックスパッケージの製造方法であ
る。
求項４のいずれかに記載のガラス・セラミックスパッケ
ージを製造する際、ガラスセラミックス体に接合するＩ
／ＯピンをＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて行う請求項５に
記載のガラス・セラミックスパッケージの製造方法であ
る。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明は、セラミックス基板と
ガラスセラミックス体とをＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて
接合している。このＡｌ−Ｓｉ系ろう材は６００℃程度
の温度で溶融し、セラミックス基板とガラスセラミック
ス体とを強固に接合することができる。よって、ガラス
セラミックス体が、転移点が６５０℃程度のガラス成分
を含んでいても、その熱膨張差により、セラミックス基
板に反り、割れが発生することはない。
ガラスセラミックス体とをＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて
接合している。このＡｌ−Ｓｉ系ろう材は６００℃程度
の温度で溶融し、セラミックス基板とガラスセラミック
ス体とを強固に接合することができる。よって、ガラス
セラミックス体が、転移点が６５０℃程度のガラス成分
を含んでいても、その熱膨張差により、セラミックス基
板に反り、割れが発生することはない。
【００１３】請求項２に記載の発明は、ガラスセラミッ
クス体とセラミックス基板との間にはさまれたＡｌ材に
より、ガラスセラミックス体で発生した熱が良好に拡散
してセラミックス基板に伝わる。よって、その放熱性を
さらに高めることができる。
クス体とセラミックス基板との間にはさまれたＡｌ材に
より、ガラスセラミックス体で発生した熱が良好に拡散
してセラミックス基板に伝わる。よって、その放熱性を
さらに高めることができる。
【００１４】請求項３に記載した発明では、ＡｌＮ基板
またはＡｌ2Ｏ3基板を用いると、これらとＡｌ−Ｓｉ系
ろう材とのなじみがよく、接合力をよりいっそう高める
ことができる。また、ＡｌＮ基板は放熱効果を高めてい
る。
またはＡｌ2Ｏ3基板を用いると、これらとＡｌ−Ｓｉ系
ろう材とのなじみがよく、接合力をよりいっそう高める
ことができる。また、ＡｌＮ基板は放熱効果を高めてい
る。
【００１５】請求項４に記載した発明は、低温焼成基板
を用いることにより、基板の低誘電率化、低抵抗化、低
熱膨張率化を進めることができる。また、上記と同様に
放熱性等を高めることができる。
を用いることにより、基板の低誘電率化、低抵抗化、低
熱膨張率化を進めることができる。また、上記と同様に
放熱性等を高めることができる。
【００１６】請求項５に記載した発明では、ガラスセラ
ミックス体、セラミックス基板、Ａｌ材およびＡｌ−Ｓ
ｉ系ろう材を重ね合わせて一時に接合する。工程が少な
くて済み、簡易にガラス・セラミックスパッケージを製
造することができる。同時に焼成することでガラス・セ
ラミックスパッケージを製造することができる。例えば
接合時に重ね合わせた厚さ方向に所定の荷重を印加する
こともできる。より強固に接合することができる。
ミックス体、セラミックス基板、Ａｌ材およびＡｌ−Ｓ
ｉ系ろう材を重ね合わせて一時に接合する。工程が少な
くて済み、簡易にガラス・セラミックスパッケージを製
造することができる。同時に焼成することでガラス・セ
ラミックスパッケージを製造することができる。例えば
接合時に重ね合わせた厚さ方向に所定の荷重を印加する
こともできる。より強固に接合することができる。
【００１７】請求項６に記載した発明では、Ｉ／Ｏ（入
出力）ピンをガラスセラミックス体にＡｌ−Ｓｉ系ろう
材を用いて接合する結果、その接合強度を高めることが
できる。例えば低温焼成基板とした場合はピン接合工程
にて便利である。
出力）ピンをガラスセラミックス体にＡｌ−Ｓｉ系ろう
材を用いて接合する結果、その接合強度を高めることが
できる。例えば低温焼成基板とした場合はピン接合工程
にて便利である。
【００１８】
【実施例】以下に、この発明に係る高放熱性のガラス・
セラミックスパッケージの一実施例について、図１を参
照して説明する。
セラミックスパッケージの一実施例について、図１を参
照して説明する。
【００１９】図１にあって、１は厚さ０．９ｍｍの矩形
板状のガラスセラミックスであり、このガラスセラミッ
クス１は、厚さ０．６３５ｍｍの同一形状のＡｌＮ基板
２に、厚さ０．３ｍｍのＡｌ材３を間に挟んで、Ａｌ−
Ｓｉ系ろう材４により接合されている。ガラスセラミッ
クスとしては、例えば「低温焼成基板９５１（ＤｕＰｏ
ｎｔ社製）」を使用することができる。また、Ａｌ−Ｓ
ｉ系ろう材４としては、例えばＡｌ−７．５ｗｔ％Ｓｉ
を使用することができる。このガラスセラミックス基板
では、そのガラスセラミックス１の中央部に半導体素子
（Ｓｉチップ）を搭載するための穴が形成されている。
この穴にＳｉチップ５が接着材またははんだにより接
合、搭載されている。Ｓｉ（シリコン）チップ５のボン
ディングパッドは、ガラスセラミックス１上のＡｇ導体
のボンディングパッドにＡｕ（金）ワイヤ７でボンディ
ングされている。さらに、ガラスセラミックス１の上面
にはＩ／Ｏピン６がはんだ付けされている。
板状のガラスセラミックスであり、このガラスセラミッ
クス１は、厚さ０．６３５ｍｍの同一形状のＡｌＮ基板
２に、厚さ０．３ｍｍのＡｌ材３を間に挟んで、Ａｌ−
Ｓｉ系ろう材４により接合されている。ガラスセラミッ
クスとしては、例えば「低温焼成基板９５１（ＤｕＰｏ
ｎｔ社製）」を使用することができる。また、Ａｌ−Ｓ
ｉ系ろう材４としては、例えばＡｌ−７．５ｗｔ％Ｓｉ
を使用することができる。このガラスセラミックス基板
では、そのガラスセラミックス１の中央部に半導体素子
（Ｓｉチップ）を搭載するための穴が形成されている。
この穴にＳｉチップ５が接着材またははんだにより接
合、搭載されている。Ｓｉ（シリコン）チップ５のボン
ディングパッドは、ガラスセラミックス１上のＡｇ導体
のボンディングパッドにＡｕ（金）ワイヤ７でボンディ
ングされている。さらに、ガラスセラミックス１の上面
にはＩ／Ｏピン６がはんだ付けされている。
【００２０】次に、このガラス・セラミックスパッケー
ジの製造方法について説明する。ガラスセラミックス基
板１の製造は、まず、Ａｌ2Ｏ3粉末と、軟化点が６５０
℃であるガラス粉末とを７０：３０の割合（重量％）で
混合する。これに、有機溶剤、結合剤、可塑剤を加え、
このペーストをドクターブレード法を用いて成形する。
この後、乾燥してグリーンシートを製造する。これにＡ
ｇ系ペーストを用いてスクリーン印刷法により所望の配
線パターンを印刷する。このようにして形成したグリー
ンシートを複数積層し、２００ＭＰａでプレスする。こ
の後、脱脂を行い、８５０℃で焼成する。このようにし
てガラスセラミックス基板１を製造することができる。
ジの製造方法について説明する。ガラスセラミックス基
板１の製造は、まず、Ａｌ2Ｏ3粉末と、軟化点が６５０
℃であるガラス粉末とを７０：３０の割合（重量％）で
混合する。これに、有機溶剤、結合剤、可塑剤を加え、
このペーストをドクターブレード法を用いて成形する。
この後、乾燥してグリーンシートを製造する。これにＡ
ｇ系ペーストを用いてスクリーン印刷法により所望の配
線パターンを印刷する。このようにして形成したグリー
ンシートを複数積層し、２００ＭＰａでプレスする。こ
の後、脱脂を行い、８５０℃で焼成する。このようにし
てガラスセラミックス基板１を製造することができる。
【００２１】そして、このガラスセラミックス基板１と
ＡｌＮ基板２との間に、Ａｌ−Ｓｉの箔（厚さ３０μ
ｍ）を、図２のように、Ａｌ材とともにはさみこみ、さ
らに、真空中で荷重（２．０ｋｇｆ／ｃｍ2）をかけて
所定温度でろう付けした。このようにしてガラスセラミ
ックス１とＡｌＮ２とからなる複合基板を製造する。こ
れらにＳｉチップ５をＡｕ−Ｓｉはんだを用いてダイボ
ンドし、さらにＡｕワイヤ７でボンディングする。さら
に、Ｉ／Ｏピン６をはんだ付けして、図１の構造のパッ
ケージを得る。
ＡｌＮ基板２との間に、Ａｌ−Ｓｉの箔（厚さ３０μ
ｍ）を、図２のように、Ａｌ材とともにはさみこみ、さ
らに、真空中で荷重（２．０ｋｇｆ／ｃｍ2）をかけて
所定温度でろう付けした。このようにしてガラスセラミ
ックス１とＡｌＮ２とからなる複合基板を製造する。こ
れらにＳｉチップ５をＡｕ−Ｓｉはんだを用いてダイボ
ンドし、さらにＡｕワイヤ７でボンディングする。さら
に、Ｉ／Ｏピン６をはんだ付けして、図１の構造のパッ
ケージを得る。
【００２２】これらの高放熱性ガラス・セラミックスパ
ッケージの放熱特性と基板の反り、曲げ強度を、従来の
ガラスセラミックスとＡｌＮ基板との複合基板を用いた
パッケージのそれ、および、Ａｌ2Ｏ3基板のパッケージ
のそれと比較した。この結果を表１に示す。この表に示
すように、この発明に係るパッケージは反り、曲げ強度
とも、従来技術に比較して優れていることが明らかであ
る。また、反り、曲げについては以下のようにして測定
した。平坦な試料台上に４０ｍｍの長さのパッケージを
載置し、表面粗さ計（ミツトヨ（株）製のサーフテスト
５０１）で５０ｍｍの長さの断面曲線を測定した。ま
た、３Ｗ発熱時のチップ温度の測定は、パッケージのチ
ップを３Ｗで発熱させ、赤外線カメラ「ＴＶＳ−２００
０（日本アビオニクス（株）製）」を用いてチップ表面
温度Ｔｊを測定した。
ッケージの放熱特性と基板の反り、曲げ強度を、従来の
ガラスセラミックスとＡｌＮ基板との複合基板を用いた
パッケージのそれ、および、Ａｌ2Ｏ3基板のパッケージ
のそれと比較した。この結果を表１に示す。この表に示
すように、この発明に係るパッケージは反り、曲げ強度
とも、従来技術に比較して優れていることが明らかであ
る。また、反り、曲げについては以下のようにして測定
した。平坦な試料台上に４０ｍｍの長さのパッケージを
載置し、表面粗さ計（ミツトヨ（株）製のサーフテスト
５０１）で５０ｍｍの長さの断面曲線を測定した。ま
た、３Ｗ発熱時のチップ温度の測定は、パッケージのチ
ップを３Ｗで発熱させ、赤外線カメラ「ＴＶＳ−２００
０（日本アビオニクス（株）製）」を用いてチップ表面
温度Ｔｊを測定した。
【００２３】
【発明の効果】この発明では、高放熱性を有し、しか
も、接着強度が高く、さらには、曲げ、割れ等が生じな
いガラス・セラミックスパッケージを得ることができ
る。すなわち、この発明によれば、パワー素子用の基板
等として好適なパッケージを提供することができる。
も、接着強度が高く、さらには、曲げ、割れ等が生じな
いガラス・セラミックスパッケージを得ることができ
る。すなわち、この発明によれば、パワー素子用の基板
等として好適なパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るガラス・セラミック
スパッケージの構造を示す断面図である。
スパッケージの構造を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例に係るガラス・セラミック
スパッケージの製造過程を説明するための分解断面図で
ある。
スパッケージの製造過程を説明するための分解断面図で
ある。
１ ガラスセラミックス基板（低温焼成基板等） ２ ＡｌＮ基板 ３ Ａｌ材 ４ Ａｌ−Ｓｉ系ろう材 ６ Ｉ／Ｏピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 初鹿 昌文 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミックス基板と、このセラミックス
基板に接合されたガラスセラミックス体とを有するガラ
ス・セラミックスパッケージにおいて、 セラミックス基板とガラスセラミックス体との接合にＡ
ｌ−Ｓｉ系ろう材を用いたことを特徴とするガラス・セ
ラミックスパッケージ。 - 【請求項２】 セラミックス基板と、このセラミックス
基板に接合されたガラスセラミックス体とを有するガラ
ス・セラミックスパッケージにおいて、 上記ガラスセラミックス体とセラミックス基板との間に
Ａｌ材をはさむとともに、ガラスセラミックス体とＡｌ
材との接合、および、セラミックス基板とＡｌ材との接
合を、共にＡｌ−Ｓｉ系ろう材で行ったことを特徴とす
るガラス・セラミックスパッケージ。 - 【請求項３】 上記セラミックス基板はＡｌＮまたはＡ
ｌ2Ｏ3である請求項１または請求項２に記載のガラス・
セラミックスパッケージ。 - 【請求項４】 上記ガラスセラミックス体は低温焼成基
板で構成した請求項１〜請求項３のいずれかに記載のガ
ラス・セラミックスパッケージ。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
ガラス・セラミックスパッケージを製造する際、ガラス
セラミックス体、セラミックス基板、Ａｌ材およびＡｌ
−Ｓｉ系ろう材を重ね合わせて一時に接合することを特
徴とするガラス・セラミックスパッケージの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
ガラス・セラミックスパッケージを製造する際、ガラス
セラミックス体に接合するＩ／ＯピンをＡｌ−Ｓｉ系ろ
う材を用いて行う請求項５に記載のガラス・セラミック
スパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168115A JPH0859357A (ja) | 1994-06-09 | 1995-06-08 | ガラス・セラミックスパッケ−ジおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-152636 | 1994-06-09 | ||
| JP15263694 | 1994-06-09 | ||
| JP7168115A JPH0859357A (ja) | 1994-06-09 | 1995-06-08 | ガラス・セラミックスパッケ−ジおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859357A true JPH0859357A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=26481495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7168115A Withdrawn JPH0859357A (ja) | 1994-06-09 | 1995-06-08 | ガラス・セラミックスパッケ−ジおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0859357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426154B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board |
-
1995
- 1995-06-08 JP JP7168115A patent/JPH0859357A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426154B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board |
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