JPH0859342A - 高温超電導体の製造法 - Google Patents
高温超電導体の製造法Info
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- JPH0859342A JPH0859342A JP6197116A JP19711694A JPH0859342A JP H0859342 A JPH0859342 A JP H0859342A JP 6197116 A JP6197116 A JP 6197116A JP 19711694 A JP19711694 A JP 19711694A JP H0859342 A JPH0859342 A JP H0859342A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有害で気化し易い鉛を多量に添加しなくても
高い比率で2223相に結晶化することができると共
に、高い臨界温度や臨界電流密度が得られる高温超電導
体を提供する。 【構成】 BiASrXCaYBaZCu3Onと表わしたと
き、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した後、焼成して高い比率で2
223相に結晶化させる高温超電導体の製造法。
高い比率で2223相に結晶化することができると共
に、高い臨界温度や臨界電流密度が得られる高温超電導
体を提供する。 【構成】 BiASrXCaYBaZCu3Onと表わしたと
き、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した後、焼成して高い比率で2
223相に結晶化させる高温超電導体の製造法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コイル、電流リード等
に有用な、高い臨界温度を有し、かつ高い臨界電流密度
が得られる高温超電導体の製造法に関する。
に有用な、高い臨界温度を有し、かつ高い臨界電流密度
が得られる高温超電導体の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】高温超電導体において、Bi系超電導体
は、臨界温度が高いうえ、タリウム、水銀等の有害な材
料を用いないこと、製造が簡単なこと、さらにその超電
導体結晶は板状に成長し易く、導電性に有利な配向構造
が得られ易い等の特長がある。これらの特長からさまざ
まな用途に向けた開発が進められている。特に高い臨界
温度を示す2223相超電導体はコイル、電流リードに
使用する研究が進められている。
は、臨界温度が高いうえ、タリウム、水銀等の有害な材
料を用いないこと、製造が簡単なこと、さらにその超電
導体結晶は板状に成長し易く、導電性に有利な配向構造
が得られ易い等の特長がある。これらの特長からさまざ
まな用途に向けた開発が進められている。特に高い臨界
温度を示す2223相超電導体はコイル、電流リードに
使用する研究が進められている。
【0003】ところが、Bi系2223相超電導体結晶
(以下2223相結晶とする)は、Bi系超電導体のう
ちでは生成しにくい結晶であり、Biの一部をPbで置
き換えた組成物を出発原料として用いると生成し易くな
ることが知られている。一般的にはこのPb置換組成が
高温超電導体の製造に用いられるようになっている。さ
らに2223相結晶を、高い比率で結晶化したものは密
度が低いという欠点がある。そこで通電用途には結晶
を、電流を通し易いc面に配向させ、同時に緻密にする
ための加圧又は延伸処理とその処理で劣化した超電導接
合を修復するために熱処理を施している。
(以下2223相結晶とする)は、Bi系超電導体のう
ちでは生成しにくい結晶であり、Biの一部をPbで置
き換えた組成物を出発原料として用いると生成し易くな
ることが知られている。一般的にはこのPb置換組成が
高温超電導体の製造に用いられるようになっている。さ
らに2223相結晶を、高い比率で結晶化したものは密
度が低いという欠点がある。そこで通電用途には結晶
を、電流を通し易いc面に配向させ、同時に緻密にする
ための加圧又は延伸処理とその処理で劣化した超電導接
合を修復するために熱処理を施している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらBiの一
部を置換するPbは、有害で、かつ高温で気化し易い元
素である。Pbで置き換えた組成物を用いても2223
相結晶を生成させるには800℃以上の温度で100時
間以上の高温処理が必要であり、この間にPbの気化が
避けられないという問題点がある。また結晶を生成させ
た後に、電流を通し易いc面に配向させる処理と、その
処理で劣化した超電導接合を修復するための熱処理を施
せば臨界電流密度は向上するが、配向させるために加え
られた機械的な力で損傷した結晶とその結晶粒界は熱処
理によって完全に修復されることはなく、悪影響が残る
と考えられている。
部を置換するPbは、有害で、かつ高温で気化し易い元
素である。Pbで置き換えた組成物を用いても2223
相結晶を生成させるには800℃以上の温度で100時
間以上の高温処理が必要であり、この間にPbの気化が
避けられないという問題点がある。また結晶を生成させ
た後に、電流を通し易いc面に配向させる処理と、その
処理で劣化した超電導接合を修復するための熱処理を施
せば臨界電流密度は向上するが、配向させるために加え
られた機械的な力で損傷した結晶とその結晶粒界は熱処
理によって完全に修復されることはなく、悪影響が残る
と考えられている。
【0005】本発明は、上記のような問題点の生じない
高温超電導体の製造法を提供するものである。
高温超電導体の製造法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、BiASrXC
aYBaZCu3Onと表わしたとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した後、焼成して高い比率で2
223相に結晶化させる高温超電導体の製造法及びBi
ASrXCaYBaZCu3Onと表わしたとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した粉体に有機バインダーと溶
剤とを添加、混合してグリーンシートを得た後、該グリ
ーンシートを基材上に載置し、次いでこれを基材と共に
焼成して高い比率で2223相に結晶化させる高温超電
導体の製造法に関する。
aYBaZCu3Onと表わしたとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した後、焼成して高い比率で2
223相に結晶化させる高温超電導体の製造法及びBi
ASrXCaYBaZCu3Onと表わしたとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した粉体に有機バインダーと溶
剤とを添加、混合してグリーンシートを得た後、該グリ
ーンシートを基材上に載置し、次いでこれを基材と共に
焼成して高い比率で2223相に結晶化させる高温超電
導体の製造法に関する。
【0007】本発明においてBiASrXCaYBaZCu
3Onと表わしたとき、A、X、Y及びZはそれぞれ1.
6≦A≦3.2、1.4≦X≦3.2、1.1≦Y≦
2.2、0≦Z≦0.6及び2.7≦X+Y+Z≦4.
2(但し数字は原子比を表わす)の範囲とされ、この範
囲から外れると、高い比率で2223相に結晶化させる
ことが困難である。なおO(酸素)の量はBi、Sr、
Ca、Ba及びCuの量並びにこれらの各金属元素の酸
化状態によって定まる。しかし酸化状態を厳密にそして
精度よく測定することができないため本発明においては
nで表わすことにした。
3Onと表わしたとき、A、X、Y及びZはそれぞれ1.
6≦A≦3.2、1.4≦X≦3.2、1.1≦Y≦
2.2、0≦Z≦0.6及び2.7≦X+Y+Z≦4.
2(但し数字は原子比を表わす)の範囲とされ、この範
囲から外れると、高い比率で2223相に結晶化させる
ことが困難である。なおO(酸素)の量はBi、Sr、
Ca、Ba及びCuの量並びにこれらの各金属元素の酸
化状態によって定まる。しかし酸化状態を厳密にそして
精度よく測定することができないため本発明においては
nで表わすことにした。
【0008】BiASrXCaYBaZCu3Onと表わした
とき、1.6≦A≦3.2、1.4≦X≦3.2、1.
1≦Y≦2.2、0≦Z≦0.6及び2.7≦X+Y+
Z≦4.2(但し数字は原子比を表わす)の条件を満足
する組成範囲からなる非晶質組成物は、上記の組成範囲
になるように配合した超電導体用組成物を溶融急冷した
り、結晶が析出しにくい温度で仮焼成したり、結晶化し
た高温超電導体を長時間高いせん断力を与えながら粉砕
することにより得られる。
とき、1.6≦A≦3.2、1.4≦X≦3.2、1.
1≦Y≦2.2、0≦Z≦0.6及び2.7≦X+Y+
Z≦4.2(但し数字は原子比を表わす)の条件を満足
する組成範囲からなる非晶質組成物は、上記の組成範囲
になるように配合した超電導体用組成物を溶融急冷した
り、結晶が析出しにくい温度で仮焼成したり、結晶化し
た高温超電導体を長時間高いせん断力を与えながら粉砕
することにより得られる。
【0009】上記の非晶質組成物は微粉で使用すること
が望ましく、その平均粒径は1〜15μmであることが
好ましく、3〜10μmであればさらに好ましい。
が望ましく、その平均粒径は1〜15μmであることが
好ましく、3〜10μmであればさらに好ましい。
【0010】また非晶質組成物は、銀を0.1〜10.
0重量%含有させれば、超電導体結晶の結晶成長が良好
であり、加熱温度を3〜10℃程低下させることができ
るので好ましい。さらに好ましい範囲は1〜10.0重
量%である。銀は非晶質組成物中に均一に分散している
ことが望ましく、均一に分散させるためには銀を添加し
た超電導体用組成物を溶融急冷する方法が最適である。
0重量%含有させれば、超電導体結晶の結晶成長が良好
であり、加熱温度を3〜10℃程低下させることができ
るので好ましい。さらに好ましい範囲は1〜10.0重
量%である。銀は非晶質組成物中に均一に分散している
ことが望ましく、均一に分散させるためには銀を添加し
た超電導体用組成物を溶融急冷する方法が最適である。
【0011】非晶質組成物に添加するBi系2223相
結晶は異相をできるだけ含有しない高含有率の粉体を用
いることが望ましいが、必要に応じて2212相結晶を
含有する粉体が添加される。なおBi系2223相結晶
は非晶質組成物と混合、焼成して高い比率で2223相
に結晶化させた高温超電導体として添加、混合してもよ
い。添加する粉体の結晶粒子は薄い平板状が望ましく、
その平板面側(平面側)の平均粒径は5〜150μmで
あることが好ましく、10〜100μmであればさらに
好ましい。
結晶は異相をできるだけ含有しない高含有率の粉体を用
いることが望ましいが、必要に応じて2212相結晶を
含有する粉体が添加される。なおBi系2223相結晶
は非晶質組成物と混合、焼成して高い比率で2223相
に結晶化させた高温超電導体として添加、混合してもよ
い。添加する粉体の結晶粒子は薄い平板状が望ましく、
その平板面側(平面側)の平均粒径は5〜150μmで
あることが好ましく、10〜100μmであればさらに
好ましい。
【0012】非晶質組成物にBi系2223相結晶を添
加、混合した後、焼成前に加圧、延伸等の工程を加える
か又はシート状に成形すれば、添加したBi系2223
相結晶が配向し、超電導体結晶の成長方向が制御できる
ので好ましい。
加、混合した後、焼成前に加圧、延伸等の工程を加える
か又はシート状に成形すれば、添加したBi系2223
相結晶が配向し、超電導体結晶の成長方向が制御できる
ので好ましい。
【0013】焼成は、2223相結晶が分解溶融しない
温度以下で、2223相結晶が成長する温度に保持又は
2223相結晶が成長する温度範囲内で徐冷して結晶成
長させることが好ましい。なお結晶成長に最適の温度
は、非晶質組成物の化学組成や添加するBi系2223
相結晶の粒径や周囲の酸素分圧、昇温速度等の焼成条件
により変化するため適宜選定する。雰囲気は、大気中、
O2分圧が0.05気圧以下の弱還元性雰囲気中等で行
うことが好ましい。
温度以下で、2223相結晶が成長する温度に保持又は
2223相結晶が成長する温度範囲内で徐冷して結晶成
長させることが好ましい。なお結晶成長に最適の温度
は、非晶質組成物の化学組成や添加するBi系2223
相結晶の粒径や周囲の酸素分圧、昇温速度等の焼成条件
により変化するため適宜選定する。雰囲気は、大気中、
O2分圧が0.05気圧以下の弱還元性雰囲気中等で行
うことが好ましい。
【0014】本発明においてグリーンシートを得る方法
については上記の非晶質組成物にBi系2223相結晶
を1〜30重量%添加、混合した粉体を用いるほかに
は、特に制限はなく公知の方法で得ることができるが、
例えばドクターブレード法でグリーンシート化する方法
が好ましい。なおBi系2223相結晶は非晶質組成物
と混合、焼成して高い比率で2223相に結晶化させた
高温超電導体として添加、混合してもよい。グリーンシ
ート化するために用いられる有機バインダーとしては、
ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール樹脂、ア
クリル樹脂等が用いられ、また溶剤としては、ジオクチ
ルフタレート、フタル酸エステル、ブタノール、蒸留水
等が用いられる。
については上記の非晶質組成物にBi系2223相結晶
を1〜30重量%添加、混合した粉体を用いるほかに
は、特に制限はなく公知の方法で得ることができるが、
例えばドクターブレード法でグリーンシート化する方法
が好ましい。なおBi系2223相結晶は非晶質組成物
と混合、焼成して高い比率で2223相に結晶化させた
高温超電導体として添加、混合してもよい。グリーンシ
ート化するために用いられる有機バインダーとしては、
ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール樹脂、ア
クリル樹脂等が用いられ、また溶剤としては、ジオクチ
ルフタレート、フタル酸エステル、ブタノール、蒸留水
等が用いられる。
【0015】上記のグリーンシートを載置する基材とし
ては、銀、銀合金、金、金合金、白金等の貴金属、酸化
マグネシウム、酸化ジルコニウム等のセラミックスなど
が用いられる。
ては、銀、銀合金、金、金合金、白金等の貴金属、酸化
マグネシウム、酸化ジルコニウム等のセラミックスなど
が用いられる。
【0016】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。なお本発明
はこれらに制限されない。 実施例1 純度99.9重量%以上の酸化ビスマス466g、炭酸
ストロンチウム236.2g、炭酸カルシウム200
g、炭酸バリウム39.5g及び酸化銅238.6g
(いずれも高純度化学研究所製、試薬特級)を評量し、
出発原料粉とした。
はこれらに制限されない。 実施例1 純度99.9重量%以上の酸化ビスマス466g、炭酸
ストロンチウム236.2g、炭酸カルシウム200
g、炭酸バリウム39.5g及び酸化銅238.6g
(いずれも高純度化学研究所製、試薬特級)を評量し、
出発原料粉とした。
【0017】上記の出発原料粉を合成樹脂製ボールミル
内に合成樹脂ボール及び水1500gと共に充てんし、
72時間湿式混合後、乾燥して超電導体用組成物を得
た。この超電導体用組成物をジルコニア容器に入れ、大
気中で1000℃で加熱溶融後、鋼板上に流し出し急冷
した。これを乳鉢で平均粒径が5μm以下に乾式粉砕し
て超電導体用非晶質組成物を得た。
内に合成樹脂ボール及び水1500gと共に充てんし、
72時間湿式混合後、乾燥して超電導体用組成物を得
た。この超電導体用組成物をジルコニア容器に入れ、大
気中で1000℃で加熱溶融後、鋼板上に流し出し急冷
した。これを乳鉢で平均粒径が5μm以下に乾式粉砕し
て超電導体用非晶質組成物を得た。
【0018】一方純度99.9重量%以上の酸化ビスマ
ス372.8g、酸化鉛89.3g、炭酸ストロンチウ
ム236.2g、炭酸カルシウム200g、炭酸バリウ
ム39.5g及び酸化銅238.6g(いずれも高純度
化学研究所製、試薬特級)を評量し、上記と同様の方法
で湿式混合、乾燥した後、銀板上にのせ、大気中で78
0℃で3時間加熱処理し、冷却後乳鉢で平均粒径が10
0μm以下に乾式粉砕した。次いで粉砕物を845℃で
100時間、空気と窒素ガスを1:1の割合に混合した
ガス中で加熱処理し、Bi系2223相結晶を95重量
%含有する平板面側の平均粒径が20μmの粉体(以下
2223相超電導体粉体とする)を得た。
ス372.8g、酸化鉛89.3g、炭酸ストロンチウ
ム236.2g、炭酸カルシウム200g、炭酸バリウ
ム39.5g及び酸化銅238.6g(いずれも高純度
化学研究所製、試薬特級)を評量し、上記と同様の方法
で湿式混合、乾燥した後、銀板上にのせ、大気中で78
0℃で3時間加熱処理し、冷却後乳鉢で平均粒径が10
0μm以下に乾式粉砕した。次いで粉砕物を845℃で
100時間、空気と窒素ガスを1:1の割合に混合した
ガス中で加熱処理し、Bi系2223相結晶を95重量
%含有する平板面側の平均粒径が20μmの粉体(以下
2223相超電導体粉体とする)を得た。
【0019】次に上記で得られた超電導体用非晶質組成
物90重量%に2223相超電導体粉体5重量%及びメ
タノール5重量%を添加し、均一に混合した。乾燥後、
大気中で845℃で100時間焼成して結晶化した高温
超電導体の粉体を得た。得られた高温超電導体の粉体の
結晶相及びその含有率をX線回折及びインダクタンス法
で調べた。その結果、臨界温度が107Kの2223相
が92重量%及び微量の2212相が生成しているのが
確認された。
物90重量%に2223相超電導体粉体5重量%及びメ
タノール5重量%を添加し、均一に混合した。乾燥後、
大気中で845℃で100時間焼成して結晶化した高温
超電導体の粉体を得た。得られた高温超電導体の粉体の
結晶相及びその含有率をX線回折及びインダクタンス法
で調べた。その結果、臨界温度が107Kの2223相
が92重量%及び微量の2212相が生成しているのが
確認された。
【0020】比較例1 実施例1で得られた超電導体用非晶質組成物を大気中で
845℃で100時間焼成して高温超電導体を得た。得
られた高温超電導体の結晶相及びその含有率を実施例1
と同様の方法で調べた。その結果、2212相が53重
量%結晶化され、他のほとんどは結晶化しないガラス状
等の異相であった。
845℃で100時間焼成して高温超電導体を得た。得
られた高温超電導体の結晶相及びその含有率を実施例1
と同様の方法で調べた。その結果、2212相が53重
量%結晶化され、他のほとんどは結晶化しないガラス状
等の異相であった。
【0021】実施例2 純度99.9重量%以上の酸化ビスマス466g、炭酸
ストロンチウム295.2g、炭酸カルシウム200g
及び酸化銅238.6g(いずれも高純度化学研究所
製、試薬特級)を評量し、出発原料粉とした。以下実施
例1と同様の工程を経て超電導体用非晶質組成物を得
た。
ストロンチウム295.2g、炭酸カルシウム200g
及び酸化銅238.6g(いずれも高純度化学研究所
製、試薬特級)を評量し、出発原料粉とした。以下実施
例1と同様の工程を経て超電導体用非晶質組成物を得
た。
【0022】次に上記で得られた超電導体用非晶質組成
物83重量%に実施例1で得られた2223相超電導体
粉体9重量%及びメタノール8重量%を添加し、均一に
混合した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、
この成形体を大気中で847℃で100時間焼成して結
晶化した高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の
結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べ
た。その結果、臨界温度が107Kの2223相が67
重量%及び2212相が15重量%生成しているのが確
認された。
物83重量%に実施例1で得られた2223相超電導体
粉体9重量%及びメタノール8重量%を添加し、均一に
混合した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、
この成形体を大気中で847℃で100時間焼成して結
晶化した高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の
結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べ
た。その結果、臨界温度が107Kの2223相が67
重量%及び2212相が15重量%生成しているのが確
認された。
【0023】比較例2 実施例2で得られた超電導体用非晶質組成物を20MP
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で847℃で1
00時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超
電導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法
で調べた。その結果、2212相が32重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で847℃で1
00時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超
電導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法
で調べた。その結果、2212相が32重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
【0024】実施例3 実施例1で得られた出発原料粉98重量%に銀粉(平均
粒径35μm、田中マッセイ製)を2重量%添加し、以
下実施例1と同様の方法で混合、加熱溶融、急冷及び粉
砕して超電導体用非晶質組成物を得た。
粒径35μm、田中マッセイ製)を2重量%添加し、以
下実施例1と同様の方法で混合、加熱溶融、急冷及び粉
砕して超電導体用非晶質組成物を得た。
【0025】次に上記で得られた超電導体用非晶質組成
物83重量%に実施例1で得られた高温超電導体の粉体
9重量%及びメタノール8重量%を添加し、均一に混合
した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、この
成形体を大気中で840℃で60時間焼成して結晶化し
た高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の結晶相
及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べた。その
結果、臨界温度が107Kの2223相が87重量%及
び2212相が3重量%生成しているのが確認された。
物83重量%に実施例1で得られた高温超電導体の粉体
9重量%及びメタノール8重量%を添加し、均一に混合
した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、この
成形体を大気中で840℃で60時間焼成して結晶化し
た高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の結晶相
及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べた。その
結果、臨界温度が107Kの2223相が87重量%及
び2212相が3重量%生成しているのが確認された。
【0026】比較例3 実施例3で得られた超電導体用非晶質組成物を20MP
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で840℃で6
0時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超電
導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で
調べた。その結果、2212相が63重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で840℃で6
0時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超電
導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で
調べた。その結果、2212相が63重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
【0027】実施例4 純度99.9重量%以上の酸化ビスマス489.3g、
炭酸ストロンチウム236.2g、炭酸カルシウム18
0g、炭酸バリウム39.5g及び酸化銅238.6g
(いずれも高純度化学研究所製、試薬特級)を評量し、
出発原料粉とした。以下実施例1と同様の工程を経て超
電導体用非晶質組成物を得た。
炭酸ストロンチウム236.2g、炭酸カルシウム18
0g、炭酸バリウム39.5g及び酸化銅238.6g
(いずれも高純度化学研究所製、試薬特級)を評量し、
出発原料粉とした。以下実施例1と同様の工程を経て超
電導体用非晶質組成物を得た。
【0028】次に上記で得られた超電導体用非晶質組成
物74重量%に実施例1で得られた高温超電導体の粉体
19重量%及びメタノール7重量%を添加し、均一に混
合した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、こ
の成形体を大気中で843℃で60時間焼成して結晶化
した高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の結晶
相及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べた。そ
の結果、臨界温度が107Kの2223相が73重量%
及び2212相が17重量%生成しているのが確認され
た。
物74重量%に実施例1で得られた高温超電導体の粉体
19重量%及びメタノール7重量%を添加し、均一に混
合した後乾燥し、これを20MPaの圧力で成形し、こ
の成形体を大気中で843℃で60時間焼成して結晶化
した高温超電導体を得た。得られた高温超電導体の結晶
相及びその含有率を実施例1と同様の方法で調べた。そ
の結果、臨界温度が107Kの2223相が73重量%
及び2212相が17重量%生成しているのが確認され
た。
【0029】比較例4 実施例4で得られた超電導体用非晶質組成物を20MP
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で843℃で6
0時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超電
導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で
調べた。その結果、2212相が41重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
aの圧力で成形し、この成形体を大気中で843℃で6
0時間焼成して高温超電導体を得た。得られた高温超電
導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方法で
調べた。その結果、2212相が41重量%結晶化さ
れ、他のほとんどは結晶化しないガラス状等の異相であ
った。
【0030】実施例5 実施例1で得られた超電導体用非晶質組成物90重量%
に実施例1で得られた2223相超電導体粉体を10重
量%添加したもの100重量部に対し、ポリビニールア
ルコール(和光純薬製、試薬一級)8重量部、ジオクチ
ルフタレート(和光純薬製、試薬一級)3重量部及び蒸
留水28重量部を加えて均一に混合した後、厚さが18
0μmのポリエステル製フィルム(東レ製)上に供給
し、ドクターブレード法で厚さ0.35mmの超電導体用
グリーンシートを得た。
に実施例1で得られた2223相超電導体粉体を10重
量%添加したもの100重量部に対し、ポリビニールア
ルコール(和光純薬製、試薬一級)8重量部、ジオクチ
ルフタレート(和光純薬製、試薬一級)3重量部及び蒸
留水28重量部を加えて均一に混合した後、厚さが18
0μmのポリエステル製フィルム(東レ製)上に供給
し、ドクターブレード法で厚さ0.35mmの超電導体用
グリーンシートを得た。
【0031】次に該超電導体用グリーンシートを厚さが
0.2mmの銀板上に温度70℃、圧力5MPaの条件で
15分間加熱圧着した後、大気中で840℃で80時間
焼成して結晶化した高温超電導体を得た。得られた高温
超電導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方
法で調べた。その結果、臨界温度が107Kの2223
相が90重量%生成しているのが確認された。なお22
12相は検出限界以下であった。
0.2mmの銀板上に温度70℃、圧力5MPaの条件で
15分間加熱圧着した後、大気中で840℃で80時間
焼成して結晶化した高温超電導体を得た。得られた高温
超電導体の結晶相及びその含有率を実施例1と同様の方
法で調べた。その結果、臨界温度が107Kの2223
相が90重量%生成しているのが確認された。なお22
12相は検出限界以下であった。
【0032】
【発明の効果】本発明の製造法によって得られる高温超
電導体は、有害で気化し易い鉛を多量に添加しなくても
高い比率で2223相に結晶化することができると共
に、高い臨界温度や臨界電流密度が得られ、工業的に極
めて好適な高温超電導体である。
電導体は、有害で気化し易い鉛を多量に添加しなくても
高い比率で2223相に結晶化することができると共
に、高い臨界温度や臨界電流密度が得られ、工業的に極
めて好適な高温超電導体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 13/00 565 D
Claims (4)
- 【請求項1】 BiASrXCaYBaZCu3Onと表わし
たとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす) の条件を満足する組成範囲からなる非晶質組成物に、B
i系2223相結晶を1〜30重量%添加、混合した
後、焼成して高い比率で2223相に結晶化させること
を特徴とする高温超電導体の製造法。 - 【請求項2】 Bi系2223相結晶を請求項1記載の
焼成して高い比率で2223相に結晶化させて高温超電
導体とした請求項1記載の高温超電導体の製造法。 - 【請求項3】 BiASrXCaYBaZCu3Onと表わし
たとき、 1.6≦A≦3.2 1.4≦X≦3.2 1.1≦Y≦2.2 0≦Z≦0.6 2.7≦X+Y+Z≦4.2 (但し数字は原子比を表わす)の条件を満足する組成範
囲からなる非晶質組成物に、Bi系2223相結晶を1
〜30重量%添加、混合した粉体に有機バインダーと溶
剤とを添加、混合してグリーンシートを得た後、該グリ
ーンシートを基材上に載置し、次いでこれを基材と共に
焼成して高い比率で2223相に結晶化させることを特
徴とする高温超電導体の製造法。 - 【請求項4】 Bi系2223相結晶を請求項1記載の
焼成して高い比率で2223相に結晶化させて高温超電
導体とした請求項3記載の高温超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6197116A JPH0859342A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 高温超電導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6197116A JPH0859342A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 高温超電導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0859342A true JPH0859342A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16369004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6197116A Pending JPH0859342A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 高温超電導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0859342A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012067067A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | 日本電気硝子株式会社 | 超伝導材料の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6197116A patent/JPH0859342A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012067067A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | 日本電気硝子株式会社 | 超伝導材料の製造方法 |
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