JPH0851273A - 電気回路群特に素子を具備した基板のはんだ付けのための方法と装置 - Google Patents
電気回路群特に素子を具備した基板のはんだ付けのための方法と装置Info
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- JPH0851273A JPH0851273A JP3338775A JP33877591A JPH0851273A JP H0851273 A JPH0851273 A JP H0851273A JP 3338775 A JP3338775 A JP 3338775A JP 33877591 A JP33877591 A JP 33877591A JP H0851273 A JPH0851273 A JP H0851273A
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- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気回路特に素子具備の基板のはんだ付けの
ための方法と装置。 【構成】 電気回路群特に素子で具備された基板のはん
だづけのための発明による方法は酸洗行程の間まずハン
ダ接続面上の酸化物層の欠陥個所に凝結可能な補助物
質、たとえば水が吸着のため運ばれそして欠陥個所に少
なくとも部分的に凝結される。その後酸化物層が非常に
迅速に加熱され欠陥個所に凝結した補助物質が急激に蒸
発しそして酸化物層が破裂し金属の基礎材料から裂離し
次に続く本来のはんだ行程のためのはんだ接続面を純潔
な状態に持ち込む。迅速な加熱は、効果的にははんだ波
自身によって行われる。非酸化物の受動層も酸洗される
必要がある限り、効果的にはこれは酸洗行程のその前の
段階で行われる。その間酸化物層は親水性である。これ
に対してプラズマ前処理が適している。発明の装置には
一つの湿潤室がある。そこでは凝結可能な補助物質が親
水性の酸化物層に提供されそれ（酸化物層）によって吸
着される。 【効果】溶剤を使わないはんだ付けが可能である。
ための方法と装置。 【構成】 電気回路群特に素子で具備された基板のはん
だづけのための発明による方法は酸洗行程の間まずハン
ダ接続面上の酸化物層の欠陥個所に凝結可能な補助物
質、たとえば水が吸着のため運ばれそして欠陥個所に少
なくとも部分的に凝結される。その後酸化物層が非常に
迅速に加熱され欠陥個所に凝結した補助物質が急激に蒸
発しそして酸化物層が破裂し金属の基礎材料から裂離し
次に続く本来のはんだ行程のためのはんだ接続面を純潔
な状態に持ち込む。迅速な加熱は、効果的にははんだ波
自身によって行われる。非酸化物の受動層も酸洗される
必要がある限り、効果的にはこれは酸洗行程のその前の
段階で行われる。その間酸化物層は親水性である。これ
に対してプラズマ前処理が適している。発明の装置には
一つの湿潤室がある。そこでは凝結可能な補助物質が親
水性の酸化物層に提供されそれ（酸化物層）によって吸
着される。 【効果】溶剤を使わないはんだ付けが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気回路基板特に特許
クレーム１による素子がついた回路基板のはんだ付け
（Loeten)の方法に関するおよび特許クレーム２０によ
るこの方法の実行用の装置に関するものである。
クレーム１による素子がついた回路基板のはんだ付け
（Loeten)の方法に関するおよび特許クレーム２０によ
るこの方法の実行用の装置に関するものである。
【０００２】この発明は基本的にはいかなる種類の電気
回路基板のはんだ付けにも適しているが、ここではふさ
わしい使用分野つまり素子をつけた基板のはんだ付けに
基づいて述べる。その場合ナクトシップ（Nacktship)-
（ＣＯＢ）素子または差込み可能な（ＴＨＭ）素子また
は組立可能な（ＳＭＤ）素子あるいはそれらの混合取り
付けが扱われる。
回路基板のはんだ付けにも適しているが、ここではふさ
わしい使用分野つまり素子をつけた基板のはんだ付けに
基づいて述べる。その場合ナクトシップ（Nacktship)-
（ＣＯＢ）素子または差込み可能な（ＴＨＭ）素子また
は組立可能な（ＳＭＤ）素子あるいはそれらの混合取り
付けが扱われる。
【０００３】
【従来の技術】高い信頼性を要求される複雑な電気回路
基板の割合は間断なくたかまる。その際回路基板の上の
ＳＭＤ−及びＴＨＭ−構成素子一つずつ又は混合した形
での素子群として処理される必要がある。
基板の割合は間断なくたかまる。その際回路基板の上の
ＳＭＤ−及びＴＨＭ−構成素子一つずつ又は混合した形
での素子群として処理される必要がある。
【０００４】その上素子は、有用なほとんどの場合自動
取り付け方法で回路基板のうえに位置づけられる。純粋
なＳＭＤ−素子群において素子の固定は主にはんだペー
ストを使っておこなわれる。ＳＭＤ−及びＴＨＭ素子を
混合具備した素子群ではＴＨＭ素子が型状的に（formsc
hluessig)正確に取り付けられ又はんだ付け側にＳＭＤ
−素子が適した接着剤で取り付けられる。素子のはんだ
接続面と回路基板との間を材質的に正確（stoffschluss
ig）に結合させるためはんだ接続面が本来のはんだ行程
中、はんだにより湿潤可可能であることが必要である。
しかし普通しばしばはんだ接続面に酸化物層及び有機及
び／又は無機混合物層であるいわゆる受動層が見られ
る。この受動層がはんだ接続面へはんだが入り込むのを
妨げるので普通の場合酸洗つまり金属底床から取り除か
ねばならない。
取り付け方法で回路基板のうえに位置づけられる。純粋
なＳＭＤ−素子群において素子の固定は主にはんだペー
ストを使っておこなわれる。ＳＭＤ−及びＴＨＭ素子を
混合具備した素子群ではＴＨＭ素子が型状的に（formsc
hluessig)正確に取り付けられ又はんだ付け側にＳＭＤ
−素子が適した接着剤で取り付けられる。素子のはんだ
接続面と回路基板との間を材質的に正確（stoffschluss
ig）に結合させるためはんだ接続面が本来のはんだ行程
中、はんだにより湿潤可可能であることが必要である。
しかし普通しばしばはんだ接続面に酸化物層及び有機及
び／又は無機混合物層であるいわゆる受動層が見られ
る。この受動層がはんだ接続面へはんだが入り込むのを
妨げるので普通の場合酸洗つまり金属底床から取り除か
ねばならない。
【０００５】故に本格的なはんだ行程の前に酸洗行程を
行うことが基本的に知られている。従ってはんだ接続面
を液体はんだで湿潤するはんだ付け装置の他に周知の装
置には酸洗装置がある。それを使ってはんだ接続面上に
すくなくとも存在する酸化物層が十分に取り除かれる。
行うことが基本的に知られている。従ってはんだ接続面
を液体はんだで湿潤するはんだ付け装置の他に周知の装
置には酸洗装置がある。それを使ってはんだ接続面上に
すくなくとも存在する酸化物層が十分に取り除かれる。
【０００６】酸洗は溶剤を使っておこなわれる。その溶
剤は溶剤付着装置をもつ酸洗装置を使って継目部分（Fu
egeteile)の上部に塗られるのは周知である。溶剤は受
動層とともに反応し、その層を例えば複合構造に分解す
る。その上その溶剤は液状はんだを使っての湿潤まで受
動層の新形成を妨げるという課題をもっている。又溶剤
ははんだの表面張力を低め、隣合わせたはんだ付け箇所
どうしの橋渡しを予防し、最後に溶剤がはんだしたばか
りの位置での酸化物の表面形成を遅らせる。それにより
希望の構造に変化することができる。
剤は溶剤付着装置をもつ酸洗装置を使って継目部分（Fu
egeteile)の上部に塗られるのは周知である。溶剤は受
動層とともに反応し、その層を例えば複合構造に分解す
る。その上その溶剤は液状はんだを使っての湿潤まで受
動層の新形成を妨げるという課題をもっている。又溶剤
ははんだの表面張力を低め、隣合わせたはんだ付け箇所
どうしの橋渡しを予防し、最後に溶剤がはんだしたばか
りの位置での酸化物の表面形成を遅らせる。それにより
希望の構造に変化することができる。
【０００７】ただし溶剤の残りが回路群の電気機能を妨
げる可能性があり、素子や回路基板を腐食させる。故
に、確かな電気機能を保証するために、溶剤の残りをは
んだ付けの後に続く清浄行程で液体化学的に取り除く。
今までは普通弗素化した塩化炭化水素（ＦＣＫＷ）又は
塩化炭化水素（ＣＫＷ）洗浄液に浸していた。ＦＣＫＷ
及びＣＫＷを含む流動体による自然汚染を制限する努力
が、排気及び排水洗浄に関して高い投資がなされたた
め、溶剤によるはんだ付け方法がかなり高価なものとな
った。
げる可能性があり、素子や回路基板を腐食させる。故
に、確かな電気機能を保証するために、溶剤の残りをは
んだ付けの後に続く清浄行程で液体化学的に取り除く。
今までは普通弗素化した塩化炭化水素（ＦＣＫＷ）又は
塩化炭化水素（ＣＫＷ）洗浄液に浸していた。ＦＣＫＷ
及びＣＫＷを含む流動体による自然汚染を制限する努力
が、排気及び排水洗浄に関して高い投資がなされたた
め、溶剤によるはんだ付け方法がかなり高価なものとな
った。
【０００８】溶剤の少ない又は全く含まない電気回路基
板用はんだ付け方法の使用が望まれている。電気回路基
板（DE-GM 85 20 254)のはんだ付け方法はよく知られて
いる。その方法では酸洗は酸化物層を減らした、望まし
くは窒素水素混合物でできた保護ガスの助けをかりて行
われる。回路群ははんだ付け行程にスイッチ接続された
ガス室でこのガスにさらされる。そのガス室では、この
周知の方法の場合に酸洗行程がなされる。保護ガスが酸
化物層を減少するという効果のため溶剤なしで回路群の
はんだ付けが可能である。しかしその際問題は保護ガス
混合物の爆破を防ぐのに必要な処置及び必要な処理温度
とにより酸化物層の減少の妨げとなる。
板用はんだ付け方法の使用が望まれている。電気回路基
板（DE-GM 85 20 254)のはんだ付け方法はよく知られて
いる。その方法では酸洗は酸化物層を減らした、望まし
くは窒素水素混合物でできた保護ガスの助けをかりて行
われる。回路群ははんだ付け行程にスイッチ接続された
ガス室でこのガスにさらされる。そのガス室では、この
周知の方法の場合に酸洗行程がなされる。保護ガスが酸
化物層を減少するという効果のため溶剤なしで回路群の
はんだ付けが可能である。しかしその際問題は保護ガス
混合物の爆破を防ぐのに必要な処置及び必要な処理温度
とにより酸化物層の減少の妨げとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は特許ク
レーム１の電気回路群のはんだ付けをする方法を創作す
ることであり、その方法は従来の溶剤の形での酸洗剤を
放棄し溶剤使用の際必要なはんだ付けされた回路群の清
浄後処理を不必要とする。更に特許クレーム２０の装置
を新しい方法の実行に適する様に改良することである。
レーム１の電気回路群のはんだ付けをする方法を創作す
ることであり、その方法は従来の溶剤の形での酸洗剤を
放棄し溶剤使用の際必要なはんだ付けされた回路群の清
浄後処理を不必要とする。更に特許クレーム２０の装置
を新しい方法の実行に適する様に改良することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】この課題は、本
発明により次の様に解決される。本発明は酸洗行程の間
まず酸化物層の欠陥部に凝結可能な補助物質が吸着のた
めにもちこまれ、その欠陥部で少なくとも部分的に補助
物質が凝結されその後酸化物層が迅速に加熱され、それ
によって欠陥部に凝結した補助物質が急激に蒸発し酸化
物層が裂け金属の底層から裂離され、酸洗行程の間はん
だ接続面上にある酸化物層が広範囲に取り除かれ、その
後はんだ行程の間液体はんだのついた金属のはんだ接続
面が湿潤されることを特徴とする電気回路群特に素子を
具備した基板のはんだ付けのための方法を要旨とする。
発明により次の様に解決される。本発明は酸洗行程の間
まず酸化物層の欠陥部に凝結可能な補助物質が吸着のた
めにもちこまれ、その欠陥部で少なくとも部分的に補助
物質が凝結されその後酸化物層が迅速に加熱され、それ
によって欠陥部に凝結した補助物質が急激に蒸発し酸化
物層が裂け金属の底層から裂離され、酸洗行程の間はん
だ接続面上にある酸化物層が広範囲に取り除かれ、その
後はんだ行程の間液体はんだのついた金属のはんだ接続
面が湿潤されることを特徴とする電気回路群特に素子を
具備した基板のはんだ付けのための方法を要旨とする。
【００１１】また本発明は酸洗装置を使ってはんだ接続
面に存在する酸化物層を広範囲に取り除きはんだ装置を
使って液体はんだを有するはんだ接続面が湿潤され、そ
の際個々の回路群がまず酸洗装置で、その後はんだ装置
で処理されるという電気回路特に素子を具備した基板の
はんだ付けのための装置であって、酸洗装置（３８）に
湿潤室がありそこでは回路群（４）が調整可能な処理時
間とどまり、又ガス雰囲気があり、その雰囲気はガス状
の凝縮可能な補助物質が含まれ、その際ガス雰囲気の状
態条件（圧力、温度、相対補助凝集度）酸化物層（５
８）の補助物質が吸着され、少なくとも部分的に凝結す
るように又、加熱装置（４８）がそれを使って補助物質
の凝結に関連して酸化物層が迅速に加熱されるように調
整可能であることを特徴とする請求項１ないし１９のい
ずれか一つに記載の方法の実施のための装置である。
面に存在する酸化物層を広範囲に取り除きはんだ装置を
使って液体はんだを有するはんだ接続面が湿潤され、そ
の際個々の回路群がまず酸洗装置で、その後はんだ装置
で処理されるという電気回路特に素子を具備した基板の
はんだ付けのための装置であって、酸洗装置（３８）に
湿潤室がありそこでは回路群（４）が調整可能な処理時
間とどまり、又ガス雰囲気があり、その雰囲気はガス状
の凝縮可能な補助物質が含まれ、その際ガス雰囲気の状
態条件（圧力、温度、相対補助凝集度）酸化物層（５
８）の補助物質が吸着され、少なくとも部分的に凝結す
るように又、加熱装置（４８）がそれを使って補助物質
の凝結に関連して酸化物層が迅速に加熱されるように調
整可能であることを特徴とする請求項１ないし１９のい
ずれか一つに記載の方法の実施のための装置である。
【００１２】酸洗行程の間まず酸化物層の欠陥部に凝縮
可能な補助物質が吸着のために入れられ、欠陥部で少な
くとも部分的に凝結させる。その後酸化物層は急速に加
熱される。それにより欠陥部で凝結した補助物が急激に
蒸発し、酸化物は破裂し金属の底層から裂け飛ぶ。
可能な補助物質が吸着のために入れられ、欠陥部で少な
くとも部分的に凝結させる。その後酸化物層は急速に加
熱される。それにより欠陥部で凝結した補助物が急激に
蒸発し、酸化物は破裂し金属の底層から裂け飛ぶ。
【００１３】酸化層の構造は一般に層の厚さの増加によ
り３次元の層の欠陥が多くなる。普通は閉ざされた表面
上の極微のプロフィール（Profilen)、裂け目及び穴の
形をしたこの３次元の層の欠陥の全表面積がはんだ接続
面の平坦な投射の面（Projektionsflaeche)を何十倍に
もこえる。本発明においてはこの欠陥部はその表面でま
ずガス状の補助物質を吸着するのに使われる。その物質
はその後欠陥部で少なくとも部分的に凝結し欠陥部が液
体で満たされる。後に酸化物層が急速に暖められると欠
陥部の液体が非常な勢いで蒸発する。そのことが必然的
に補助物質の容積の増加を招く。容積の増加が十分速い
テンポでおこれば欠陥部の中の圧力が非常に高くなり、
その圧力が酸化層を破裂させ、そして酸化物層のもろさ
や基礎材料への接着力の弱さゆえ問題のはんだ接続面の
金属底層から裂け飛ぶ。それにより層は純潔な金属冶金
の反応可能な状態になる。その結果はんだ付け行程の間
にはんだがこの純潔な表面に来ると支障のない順応、湿
潤作用及び固体例えばはんだ接続面と液状はんだの間で
の境界面反応が可能である。
り３次元の層の欠陥が多くなる。普通は閉ざされた表面
上の極微のプロフィール（Profilen)、裂け目及び穴の
形をしたこの３次元の層の欠陥の全表面積がはんだ接続
面の平坦な投射の面（Projektionsflaeche)を何十倍に
もこえる。本発明においてはこの欠陥部はその表面でま
ずガス状の補助物質を吸着するのに使われる。その物質
はその後欠陥部で少なくとも部分的に凝結し欠陥部が液
体で満たされる。後に酸化物層が急速に暖められると欠
陥部の液体が非常な勢いで蒸発する。そのことが必然的
に補助物質の容積の増加を招く。容積の増加が十分速い
テンポでおこれば欠陥部の中の圧力が非常に高くなり、
その圧力が酸化層を破裂させ、そして酸化物層のもろさ
や基礎材料への接着力の弱さゆえ問題のはんだ接続面の
金属底層から裂け飛ぶ。それにより層は純潔な金属冶金
の反応可能な状態になる。その結果はんだ付け行程の間
にはんだがこの純潔な表面に来ると支障のない順応、湿
潤作用及び固体例えばはんだ接続面と液状はんだの間で
の境界面反応が可能である。
【００１４】故に上記の発明による方法は酸化物層の３
次元の層の欠陥部に吸着され、凝結された補助物質の急
速な容積膨張というメカニズムを持つ。この方法は次の
ように実行される。補助物質がガス状段階において欠陥
部に侵入し、そこで吸着可能である。その後欠陥部で補
助物質の凝結がおこり、最後に凝結した補助物質に十分
な熱が及ぶ。それにより、その容積が急激に増加する。
この方法の実行のための条件は比較的簡単に満たされ
る。何もない酸化物層の表面が十分に親水性である場合
には、補助物質を含んだガス雰囲気に、はんだ接続面を
好適な圧力と好適な温度のもとで置くだけで足りる。そ
うすると補助物質が欠陥部へ浸入し、そこで吸着され最
後に凝結する。酸化物層に必要な迅速な加熱には、基本
的に難しい問題はない。
次元の層の欠陥部に吸着され、凝結された補助物質の急
速な容積膨張というメカニズムを持つ。この方法は次の
ように実行される。補助物質がガス状段階において欠陥
部に侵入し、そこで吸着可能である。その後欠陥部で補
助物質の凝結がおこり、最後に凝結した補助物質に十分
な熱が及ぶ。それにより、その容積が急激に増加する。
この方法の実行のための条件は比較的簡単に満たされ
る。何もない酸化物層の表面が十分に親水性である場合
には、補助物質を含んだガス雰囲気に、はんだ接続面を
好適な圧力と好適な温度のもとで置くだけで足りる。そ
うすると補助物質が欠陥部へ浸入し、そこで吸着され最
後に凝結する。酸化物層に必要な迅速な加熱には、基本
的に難しい問題はない。
【００１５】発明の行程ではミクロの世界での同類物の
物理的削裂によって酸化物層の酸洗がおこる。ここで溶
剤は必要ない。故に発明の方法では溶剤を使わないはん
だ付けが可能である。化学的反応の産物はこの種の酸洗
では出ない。それ故その産物を取り除く必要もないし、
それがはんだの欠陥部に入ることもない。作業のメカニ
ズムが層の特別な構造の特徴を利用するので酸化物層の
下にある基礎材料の表面は酸洗の際腐食しない。最後に
注意する事は酸化物層の古さ及び厚さとに比例し欠陥部
が多くなる。その欠陥部には膨張可能な補助物質が入り
込む。それは言い替えれば、酸化物層がその大きさにお
いてより厚くより妨げとなるように作用しても発明で想
定されたやり方ではより効果的に消滅可能である。ここ
に明らかに溶剤使用の液体化学的酸洗または酸化物層を
減少させる保護ガスを使っての酸洗の違いがある。
物理的削裂によって酸化物層の酸洗がおこる。ここで溶
剤は必要ない。故に発明の方法では溶剤を使わないはん
だ付けが可能である。化学的反応の産物はこの種の酸洗
では出ない。それ故その産物を取り除く必要もないし、
それがはんだの欠陥部に入ることもない。作業のメカニ
ズムが層の特別な構造の特徴を利用するので酸化物層の
下にある基礎材料の表面は酸洗の際腐食しない。最後に
注意する事は酸化物層の古さ及び厚さとに比例し欠陥部
が多くなる。その欠陥部には膨張可能な補助物質が入り
込む。それは言い替えれば、酸化物層がその大きさにお
いてより厚くより妨げとなるように作用しても発明で想
定されたやり方ではより効果的に消滅可能である。ここ
に明らかに溶剤使用の液体化学的酸洗または酸化物層を
減少させる保護ガスを使っての酸洗の違いがある。
【００１６】使用した補助物質はできるだけ分子重量の
小さいもので両極性であるべきである。それによりその
物質はガス状の状態で欠陥部に拡散可能でそこに吸着さ
れる。補助物質の沸騰温度は効果的には室温以上であ
る。好適な補助物質は水、メタノール、アセトン、エタ
ノールで、この補助物質の枚挙は限りがない。
小さいもので両極性であるべきである。それによりその
物質はガス状の状態で欠陥部に拡散可能でそこに吸着さ
れる。補助物質の沸騰温度は効果的には室温以上であ
る。好適な補助物質は水、メタノール、アセトン、エタ
ノールで、この補助物質の枚挙は限りがない。
【００１７】効果的には素子を備えたすべての回路群が
ガス状段階の補助物質を含むガス雰囲気にさらされ、そ
のガス雰囲気は補助物質としての水分を含む空気であ
る。状態の条件（圧力、温度、相対湿度）は次の事が条
件である。ガス状段階での補助物質が欠陥部にできた気
孔に侵入し、そこで吸着可能である。酸化物の表面に早
期に滴が形成される事により、気孔が滴の形成によりふ
さがれガス状の補助物質が欠陥部に拡散不可能となる。
故にそのような早期の滴の形成は効果的でない。
ガス状段階の補助物質を含むガス雰囲気にさらされ、そ
のガス雰囲気は補助物質としての水分を含む空気であ
る。状態の条件（圧力、温度、相対湿度）は次の事が条
件である。ガス状段階での補助物質が欠陥部にできた気
孔に侵入し、そこで吸着可能である。酸化物の表面に早
期に滴が形成される事により、気孔が滴の形成によりふ
さがれガス状の補助物質が欠陥部に拡散不可能となる。
故にそのような早期の滴の形成は効果的でない。
【００１８】空気と補助物質のガス混合物は特に補助物
質が水の時、このガス雰囲気の供給の面で簡単であり及
び最大限に環境を考慮できるという長所を持つ。もちろ
ん純粋な補助物質雰囲気例えば１００％水蒸気雰囲気も
考えられる。欠陥部に凝結する補助物質は、発明による
方法では、突然、急激に蒸発する。急速な加熱のおこる
瞬間にまだ十分な量の補助物質の液が酸化物層に存在す
る。故に凝結した補助物質をその迅速な加熱の前に徐々
に蒸発させ消散することを避けねばならない。その徐々
の補助物質の蒸発は簡単な方法で予防する事ができる。
短い時間間隔で補助物質の吸着及び凝結の迅速な加熱が
おこり、及び／又は補助物質の蒸発が起こらないよう継
目パートナー（Fuegepartner)を補助物質の凝結の後、
迅速な加熱まで例えばそのような状態状況に調節された
室に置くことである。
質が水の時、このガス雰囲気の供給の面で簡単であり及
び最大限に環境を考慮できるという長所を持つ。もちろ
ん純粋な補助物質雰囲気例えば１００％水蒸気雰囲気も
考えられる。欠陥部に凝結する補助物質は、発明による
方法では、突然、急激に蒸発する。急速な加熱のおこる
瞬間にまだ十分な量の補助物質の液が酸化物層に存在す
る。故に凝結した補助物質をその迅速な加熱の前に徐々
に蒸発させ消散することを避けねばならない。その徐々
の補助物質の蒸発は簡単な方法で予防する事ができる。
短い時間間隔で補助物質の吸着及び凝結の迅速な加熱が
おこり、及び／又は補助物質の蒸発が起こらないよう継
目パートナー（Fuegepartner)を補助物質の凝結の後、
迅速な加熱まで例えばそのような状態状況に調節された
室に置くことである。
【００１９】回路群の補助物質が含まれた酸化物層の迅
速な加熱で酸化物層の時間的温度勾配は効果的には５０
Ｋ/ｓ以上，特に１５０Ｋ/以上である。本質的に高い時
間的温度勾配は５００Ｋ/ｓまでが適切であり実現可能
である。迅速な加熱のための熱の供給は任意の好適な装
置によって行われる、例えば、赤外線暖房装置又はレー
ザー暖房装置による。そのような暖房装置が使用される
限りそれ（熱の供給）は効果的には保護ガス雰囲気にお
いておこる。そのため酸化物層の削裂のために生じるは
んだ接続面の純潔さはそのまま残っている。
速な加熱で酸化物層の時間的温度勾配は効果的には５０
Ｋ/ｓ以上，特に１５０Ｋ/以上である。本質的に高い時
間的温度勾配は５００Ｋ/ｓまでが適切であり実現可能
である。迅速な加熱のための熱の供給は任意の好適な装
置によって行われる、例えば、赤外線暖房装置又はレー
ザー暖房装置による。そのような暖房装置が使用される
限りそれ（熱の供給）は効果的には保護ガス雰囲気にお
いておこる。そのため酸化物層の削裂のために生じるは
んだ接続面の純潔さはそのまま残っている。
【００２０】酸化物の迅速な加熱すなわちその暖房のた
めの熱の供給は時間的にはんだ付け行程の直前に起こる
ことが可能である。別の可能性としてははんだ行程の前
に一定の時間的間隔をもって実行される。しかしその際
には造られた純潔表面がはんだ行程まで保護ガス雰囲気
に効果的に保持されなければならない。
めの熱の供給は時間的にはんだ付け行程の直前に起こる
ことが可能である。別の可能性としてははんだ行程の前
に一定の時間的間隔をもって実行される。しかしその際
には造られた純潔表面がはんだ行程まで保護ガス雰囲気
に効果的に保持されなければならない。
【００２１】本発明の特に効果的な構造は次のことが想
定できる。吸着した補助物質を含む酸化物層の加熱は、
はんだ行程の間はんだに含まれた又はそれに供給された
熱エネルギーによっておこる。はんだ行程は、はんだが
液体状に存在し、はんだ接続面を湿潤できる様本来はん
だへの熱供給を必要とする。これは効果的として想定さ
れるのであるが、その熱供給から酸化物層の迅速な加熱
のための熱エネルギーが受け取られる時、迅速な加熱の
ために、はんだ行程とは別の一時的な処理段階は必要な
く、その処理段階は、はんだ接続面が実質的に液体状は
んだの湿潤の直前又は質潤中に加熱操作される。
定できる。吸着した補助物質を含む酸化物層の加熱は、
はんだ行程の間はんだに含まれた又はそれに供給された
熱エネルギーによっておこる。はんだ行程は、はんだが
液体状に存在し、はんだ接続面を湿潤できる様本来はん
だへの熱供給を必要とする。これは効果的として想定さ
れるのであるが、その熱供給から酸化物層の迅速な加熱
のための熱エネルギーが受け取られる時、迅速な加熱の
ために、はんだ行程とは別の一時的な処理段階は必要な
く、その処理段階は、はんだ接続面が実質的に液体状は
んだの湿潤の直前又は質潤中に加熱操作される。
【００２２】上述の方法は例えばレーザーはんだ付け又
は抵抗衝動はんだ付けにおいても処理される。しかし特
に効果的なのは波状はんだ付けの際の直接、はんだ波(L
otwelle)で熱供給する。発明による方法が実行される
時、波状はんだ行程との接続においてそれは次のように
なされる。酸化物層が前もってはんだ接続面から取り除
かれる事なく付着した回路群はそこにあるはんだの波の
上を滑走する。しかしその際、酸化物層にはすでに凝結
した補助物質が組み入れられている。はんだ接続面の一
定の表面要素がはんだ波の循環の際に見られる時、この
表面要素は、はんだ波との最初のコンタクトにおいて急
激に加熱される。そのため既に述べた補助物質の急激な
量的拡大や酸化物層の削裂がおこる。削裂した酸化物層
は、はんだ波から洗い落とされる。酸化物層の削裂で邪
魔物を除かれた純潔なはんだ接続面は、遅滞なくはんだ
波で覆われる。それによりはんだ波が自身で保護流動機
能を満たし、例えば新たな酸化物形成を排除する。この
純潔なはんだ接続面の保護の包囲と同時にはんだによる
湿潤が始まる。
は抵抗衝動はんだ付けにおいても処理される。しかし特
に効果的なのは波状はんだ付けの際の直接、はんだ波(L
otwelle)で熱供給する。発明による方法が実行される
時、波状はんだ行程との接続においてそれは次のように
なされる。酸化物層が前もってはんだ接続面から取り除
かれる事なく付着した回路群はそこにあるはんだの波の
上を滑走する。しかしその際、酸化物層にはすでに凝結
した補助物質が組み入れられている。はんだ接続面の一
定の表面要素がはんだ波の循環の際に見られる時、この
表面要素は、はんだ波との最初のコンタクトにおいて急
激に加熱される。そのため既に述べた補助物質の急激な
量的拡大や酸化物層の削裂がおこる。削裂した酸化物層
は、はんだ波から洗い落とされる。酸化物層の削裂で邪
魔物を除かれた純潔なはんだ接続面は、遅滞なくはんだ
波で覆われる。それによりはんだ波が自身で保護流動機
能を満たし、例えば新たな酸化物形成を排除する。この
純潔なはんだ接続面の保護の包囲と同時にはんだによる
湿潤が始まる。
【００２３】欠陥部のガス状の補助物質の上記のような
吸着はつぎのことを前提とする。補助物質が欠陥部に流
れる可能性があること、また補助物質が吸着されるべき
表面は十分に親水性である。しかし、はんだ接続面の酸
化物層がしばしば別の有機及び／又無機の種類の受動層
により汚染される。だから酸化物層表面には自由な結合
がない。なぜならその面が汚染によって飽和状態になり
疎水性（hydrophob)であるからである。この理由から効
果的な発明の構成において次の事が想定されている。酸
洗行程の際、補助物質の吸着の前に酸化物層の受動層の
除去のための前処理が実行される。それによって酸化物
層の気孔を覆う邪魔物である受動層を除去し酸化物層の
表面を親水性にする。
吸着はつぎのことを前提とする。補助物質が欠陥部に流
れる可能性があること、また補助物質が吸着されるべき
表面は十分に親水性である。しかし、はんだ接続面の酸
化物層がしばしば別の有機及び／又無機の種類の受動層
により汚染される。だから酸化物層表面には自由な結合
がない。なぜならその面が汚染によって飽和状態になり
疎水性（hydrophob)であるからである。この理由から効
果的な発明の構成において次の事が想定されている。酸
洗行程の際、補助物質の吸着の前に酸化物層の受動層の
除去のための前処理が実行される。それによって酸化物
層の気孔を覆う邪魔物である受動層を除去し酸化物層の
表面を親水性にする。
【００２４】この親水性にするのは液体化学の方法でな
ら洗浄剤の働きで可能である。その際、この洗浄剤の攻
撃性及びそれにより生じる廃棄物による負荷が有機及び
無機混合物層だけでなく酸化物層も除去する溶剤の場合
よりも減少している可能性がある。
ら洗浄剤の働きで可能である。その際、この洗浄剤の攻
撃性及びそれにより生じる廃棄物による負荷が有機及び
無機混合物層だけでなく酸化物層も除去する溶剤の場合
よりも減少している可能性がある。
【００２５】発明の効果的な構成で次のことが想定され
る。つまりはんだ接続面が置かれているプラズマを使っ
て前処理がなされる。回路群のプラズマ前処理は先行技
術としてドイツ特許Ｐ３９３６９５５．２に属する。そ
の際先行技術に属するこのケースは酸化物層を含む完全
酸洗がプラズマ前処理によっておこなわれる。それと対
照的に本発明の範囲では酸化物層除去のためでなく親水
性のためにプラズマ前処理がおこなわれプラズマの機能
は減少しない。プラズマ前処理により空洞形成つまり存
在する地勢学上の障害物（Topologischesstoerungen)を
除去することが酸化物部分で潜在的に均一的に実行され
る。
る。つまりはんだ接続面が置かれているプラズマを使っ
て前処理がなされる。回路群のプラズマ前処理は先行技
術としてドイツ特許Ｐ３９３６９５５．２に属する。そ
の際先行技術に属するこのケースは酸化物層を含む完全
酸洗がプラズマ前処理によっておこなわれる。それと対
照的に本発明の範囲では酸化物層除去のためでなく親水
性のためにプラズマ前処理がおこなわれプラズマの機能
は減少しない。プラズマ前処理により空洞形成つまり存
在する地勢学上の障害物（Topologischesstoerungen)を
除去することが酸化物部分で潜在的に均一的に実行され
る。
【００２６】プラズマ用処理ガスとしてＯ2，Ｎ2，
Ｈ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又は特に空気が適している。
その際効果的には低圧プラズマでなされる。親水性によ
って得られた状態は補助物質の吸着貯蔵の瞬間にもまだ
存在する。故に効果的な発明構成において次の事が想定
可能である。プラズマ前処理と補助物質の吸着貯蔵の間
に回路群を炭化水素をふくまない空気中にさらす。はん
だ接続面上にまだ酸化物層が存在するので酸素の除去は
この時点では必要ない。しかしそのような環境条件にお
いてはプラズマ前処理された継目パートナーが長時間貯
蔵も環境条件においてはんだ接続面が後処理にはいまだ
不適当である。
Ｈ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又は特に空気が適している。
その際効果的には低圧プラズマでなされる。親水性によ
って得られた状態は補助物質の吸着貯蔵の瞬間にもまだ
存在する。故に効果的な発明構成において次の事が想定
可能である。プラズマ前処理と補助物質の吸着貯蔵の間
に回路群を炭化水素をふくまない空気中にさらす。はん
だ接続面上にまだ酸化物層が存在するので酸素の除去は
この時点では必要ない。しかしそのような環境条件にお
いてはプラズマ前処理された継目パートナーが長時間貯
蔵も環境条件においてはんだ接続面が後処理にはいまだ
不適当である。
【００２７】装置に関する課題は発明の特許クレーム２
０の装置により解決される。発明において電気回路群の
はんだ付けのための装置にはガス状で凝結可能な補助物
質を含むガス雰囲気が存在する湿潤室がある。回路群は
操作可能な処理時間中、湿潤室に残る。ガス雰囲気（Ga
satmosphaere)の状態条件は酸化物層中の補助物質が継
目パートナーのはんだ接続面に吸収され少なくとも部分
的に凝結されるように調整可能である。更に本発明の装
置は加熱装置と言う点で優れ、それにより補助物質の吸
着と凝結による湿潤に関連して酸化物層が迅速に加熱さ
れる。湿潤室には湿潤中、状態条件を十分正確に操作可
能であるというメリットがある。それにより障害影響が
抑圧可能であり湿潤が再生可能な結果を導く。
０の装置により解決される。発明において電気回路群の
はんだ付けのための装置にはガス状で凝結可能な補助物
質を含むガス雰囲気が存在する湿潤室がある。回路群は
操作可能な処理時間中、湿潤室に残る。ガス雰囲気（Ga
satmosphaere)の状態条件は酸化物層中の補助物質が継
目パートナーのはんだ接続面に吸収され少なくとも部分
的に凝結されるように調整可能である。更に本発明の装
置は加熱装置と言う点で優れ、それにより補助物質の吸
着と凝結による湿潤に関連して酸化物層が迅速に加熱さ
れる。湿潤室には湿潤中、状態条件を十分正確に操作可
能であるというメリットがある。それにより障害影響が
抑圧可能であり湿潤が再生可能な結果を導く。
【００２８】上記に既に述べられたが湿潤つまり凝結し
た補助物質の酸化物層の欠陥部への貯蔵に対して効果及
び目的にかなうという面でプラズマ前処理が先行する。
このプラズマ前処理がこの湿潤室で実施可能である。そ
の際そこでは選択によってプラズマ前処理のためのガス
雰囲気か、処理ガス雰囲気が造りだされる。この装置の
形成によって特に発明の方法により少ない数のはんだす
べき回路群であっても装置に関する費用を少なくする事
が可能である。
た補助物質の酸化物層の欠陥部への貯蔵に対して効果及
び目的にかなうという面でプラズマ前処理が先行する。
このプラズマ前処理がこの湿潤室で実施可能である。そ
の際そこでは選択によってプラズマ前処理のためのガス
雰囲気か、処理ガス雰囲気が造りだされる。この装置の
形成によって特に発明の方法により少ない数のはんだす
べき回路群であっても装置に関する費用を少なくする事
が可能である。
【００２９】発明の効果的な構成という点で湿潤室に加
えて、はんだ接続面のプラズマ前処理のための処理室が
酸洗装置に取り付けられる。発明による装置の効果的な
構造はこの処理室が順番に排気室、プラズマ前処理のた
めの処理室、プラズマ前処理された回路群の炭化水素を
ふくまない空気での換気がおこなわれる喚気室、湿潤室
及び少なくとも一つの定常の（stehend)はんだの波を作
り出すはんだ付け装置としての波状はんだ付け装置を含
む。その際すべての上記の部屋は通過の部屋として形成
され、関によってお互いに分離可能である。その際湿潤
室は同時にはんだ付け行程のための前加熱装置として働
き、波状はんだ装置は同時に貯蔵した補助物質を含む酸
化物層のための加熱装置を形成する。しかしはんだ付け
装置は必ずしも波状はんだ付け装置ではない。例えば静
止する（ruhend)はんだ浸液を持つはんだ付け装置又
は、再噴流式はんだ付け装置であってもよい。
えて、はんだ接続面のプラズマ前処理のための処理室が
酸洗装置に取り付けられる。発明による装置の効果的な
構造はこの処理室が順番に排気室、プラズマ前処理のた
めの処理室、プラズマ前処理された回路群の炭化水素を
ふくまない空気での換気がおこなわれる喚気室、湿潤室
及び少なくとも一つの定常の（stehend)はんだの波を作
り出すはんだ付け装置としての波状はんだ付け装置を含
む。その際すべての上記の部屋は通過の部屋として形成
され、関によってお互いに分離可能である。その際湿潤
室は同時にはんだ付け行程のための前加熱装置として働
き、波状はんだ装置は同時に貯蔵した補助物質を含む酸
化物層のための加熱装置を形成する。しかしはんだ付け
装置は必ずしも波状はんだ付け装置ではない。例えば静
止する（ruhend)はんだ浸液を持つはんだ付け装置又
は、再噴流式はんだ付け装置であってもよい。
【００３０】発明の更に効果的な構造は下記の実施例で
特徴づけられる。
特徴づけられる。
【００３１】
【実施例】発明の実施例を図で描写したように詳細に述
べる。図１に図示した装置はただ図解描写したもので、
装置のすべての機能部分を持つ器械の足場２を含む。は
んだづけされる回路群４は図１のように左から右へ装置
を通過する。各々の回路群４は図示された実施例におい
て、ここでは描かれていない素子がついた基板６を含
む。素子は例えば挿入可能及び／あるいは組立可能な素
子である。各々の基板６はここで描かれていないはんだ
付け枠により保たれている。
べる。図１に図示した装置はただ図解描写したもので、
装置のすべての機能部分を持つ器械の足場２を含む。は
んだづけされる回路群４は図１のように左から右へ装置
を通過する。各々の回路群４は図示された実施例におい
て、ここでは描かれていない素子がついた基板６を含
む。素子は例えば挿入可能及び／あるいは組立可能な素
子である。各々の基板６はここで描かれていないはんだ
付け枠により保たれている。
【００３２】装置による基板６の運搬は連続して配置さ
れた例えば帯状又は鎖状運搬装置と呼ばれた回路群の縁
に触れる運搬装置８、１０、１２、１４及び１６を使っ
てなされる。この運搬装置の詳細については発明の構成
に関係がないのでここでは言及しない。運搬装置８は運
搬した回路群４を運搬装置１０へ渡す。装置１０が運搬
装置１２へ、装置１２が運搬装置１４へ、そして装置１
４が運搬装置１６へ引き渡す。運搬装置８、１０及び１
２は実質的に水平なレール上を運搬する。運搬装置１４
によって限界を明示された運搬レールはその終点で少し
上昇する。運搬装置１６の終点もやや上昇した運搬レー
ルである。
れた例えば帯状又は鎖状運搬装置と呼ばれた回路群の縁
に触れる運搬装置８、１０、１２、１４及び１６を使っ
てなされる。この運搬装置の詳細については発明の構成
に関係がないのでここでは言及しない。運搬装置８は運
搬した回路群４を運搬装置１０へ渡す。装置１０が運搬
装置１２へ、装置１２が運搬装置１４へ、そして装置１
４が運搬装置１６へ引き渡す。運搬装置８、１０及び１
２は実質的に水平なレール上を運搬する。運搬装置１４
によって限界を明示された運搬レールはその終点で少し
上昇する。運搬装置１６の終点もやや上昇した運搬レー
ルである。
【００３３】従来の方法でまだ酸洗されていない付着さ
れた基板６は、まず図１の装置の左端にある排気室１８
に持ち込まれ。その左縁では回路群４の装置への装填が
任意に好適な形でおこなわれる。排気室１８はトンネル
状の通過室として形成され故に左端には入口、右端には
出口がある。入口は例えば垂直移動可能な板として形成
されている最初の関２０によって開閉移動可能である。
排気室１８の出口は装置の他の関の様に垂直移動可能な
板として形成可能な第２の関２２によって開閉移動可能
である。排気室１８内で最初の運搬装置８は回路群４を
決められた方法で入口から出口へ排気室１８を通って運
搬可能であるように配置されている。排気室１８の内室
は排気真空ポンプ２４に接続している。そのポンプによ
り関２０、２２で閉鎖された排気室１８を望みの低圧に
する事ができる。その低圧は例えばプラズマ前処理のた
めの処理室２６内での３０P〜４０Paの処理圧力であ
る。排気室１８は更に換気装置を備えている。それは排
気室１８内の圧力を再び周囲の圧力(Umgebungsdruck)ま
たは周囲の圧力の範囲に上昇させる事を可能にする。
れた基板６は、まず図１の装置の左端にある排気室１８
に持ち込まれ。その左縁では回路群４の装置への装填が
任意に好適な形でおこなわれる。排気室１８はトンネル
状の通過室として形成され故に左端には入口、右端には
出口がある。入口は例えば垂直移動可能な板として形成
されている最初の関２０によって開閉移動可能である。
排気室１８の出口は装置の他の関の様に垂直移動可能な
板として形成可能な第２の関２２によって開閉移動可能
である。排気室１８内で最初の運搬装置８は回路群４を
決められた方法で入口から出口へ排気室１８を通って運
搬可能であるように配置されている。排気室１８の内室
は排気真空ポンプ２４に接続している。そのポンプによ
り関２０、２２で閉鎖された排気室１８を望みの低圧に
する事ができる。その低圧は例えばプラズマ前処理のた
めの処理室２６内での３０P〜４０Paの処理圧力であ
る。排気室１８は更に換気装置を備えている。それは排
気室１８内の圧力を再び周囲の圧力(Umgebungsdruck)ま
たは周囲の圧力の範囲に上昇させる事を可能にする。
【００３４】排気室１８にプラズマ前処理用の処理室２
６が接続している。処理室２６も通過室として入口と出
口がそなわっている。その際、その入口は排気室１８の
出口の締め金として働く同様な第２の関２２によって移
動可能である。処理室２６の出口は第３の関２８によっ
て移動可能である。処理室２６内に第２の運搬装置１０
が配置されていて、閉鎖した第１の関２０と第３の関２
８及び開いた第２の関２２においてその装置１０へ回路
群４が第１の運搬装置８から渡される。処理室２６は排
気ポンプ３０に接続されている。そのポンプ３０によっ
て処理室２６を３０〜４０Paの処理室圧力にする事がで
きる。又処理室２６は換気可能である。ただ処理室２６
の換気は全装置をスイッチオフしてのみおこなわれる。
回路群４の処理室２６への供給及び運び出しは常に同じ
処理圧力に調整されている部屋でなされるので、作動中
は処理室２６は常に処理室圧力に保たれ、常に処理ガス
で満たされている。処理室２６にはここには図示のない
装置つまり処理室２６内で低圧プラズマをつくり、それ
を保持する事が可能な装置が備わっている。そのここに
図示されない装置にはガスの接続装置、加熱装置及び処
理ガス用の循環装置がついている。ガスの接続装置は処
理ガスを処理室２６に導き入れ又は導き出し、加熱装置
は処理室２６を処理温度に上げ、ガスの循環装置はガス
を処理室２６内で循環させる。場合によっては例えば吸
着機を持ったガス清浄装置が取り付けられる。
６が接続している。処理室２６も通過室として入口と出
口がそなわっている。その際、その入口は排気室１８の
出口の締め金として働く同様な第２の関２２によって移
動可能である。処理室２６の出口は第３の関２８によっ
て移動可能である。処理室２６内に第２の運搬装置１０
が配置されていて、閉鎖した第１の関２０と第３の関２
８及び開いた第２の関２２においてその装置１０へ回路
群４が第１の運搬装置８から渡される。処理室２６は排
気ポンプ３０に接続されている。そのポンプ３０によっ
て処理室２６を３０〜４０Paの処理室圧力にする事がで
きる。又処理室２６は換気可能である。ただ処理室２６
の換気は全装置をスイッチオフしてのみおこなわれる。
回路群４の処理室２６への供給及び運び出しは常に同じ
処理圧力に調整されている部屋でなされるので、作動中
は処理室２６は常に処理室圧力に保たれ、常に処理ガス
で満たされている。処理室２６にはここには図示のない
装置つまり処理室２６内で低圧プラズマをつくり、それ
を保持する事が可能な装置が備わっている。そのここに
図示されない装置にはガスの接続装置、加熱装置及び処
理ガス用の循環装置がついている。ガスの接続装置は処
理ガスを処理室２６に導き入れ又は導き出し、加熱装置
は処理室２６を処理温度に上げ、ガスの循環装置はガス
を処理室２６内で循環させる。場合によっては例えば吸
着機を持ったガス清浄装置が取り付けられる。
【００３５】処理室２６内では作動時に処理ガスが
Ｏ2，Ｎ2，Ｈ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏからあるいはこれ
らのガスの組合せから出来ている低圧プラズマが造られ
保持される。処理ガスは空気でもよい。ここに図示され
ていない装置においてプラズマの刺激のために例えばマ
グネトロンが使用可能である。それを介して高周波エネ
ルギーがガスプラズマをつくるために導入され、マグネ
トロンは処理室２６の上部壁の範囲に配置されている。
Ｏ2，Ｎ2，Ｈ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏからあるいはこれ
らのガスの組合せから出来ている低圧プラズマが造られ
保持される。処理ガスは空気でもよい。ここに図示され
ていない装置においてプラズマの刺激のために例えばマ
グネトロンが使用可能である。それを介して高周波エネ
ルギーがガスプラズマをつくるために導入され、マグネ
トロンは処理室２６の上部壁の範囲に配置されている。
【００３６】ここに記述する装置の範囲で設置可能な処
理室に関する詳細は以前のドイツ特許Ｐ３９３６９９
５．２とＰ４０３２３２８．５に記述されている。処理
室２６に換気室３２が接続していて通過室として入口と
出口をもって形成されている。換気室３２の入口は第３
の関２８によって移動可能であり関２８は同時に処理室
２６の出口を移動をさせている。換気室３２の出口は第
４の関３４によって移動可能である。換気室３２内に第
３の運搬装置１２が配置されている。その運搬装置１２
は回路群４を第２の運搬装置１０から受取り、第４の運
搬装置１４に引き渡す。換気室３２は換気室の内室のポ
ンプの働きで処理室２６の処理圧力に調整する別の排気
真空ポンプ３６につながっている。換気室３２は周囲圧
力（Umgebungsdruck)で炭化水素を含まない空気に含ま
れる湿気を使って換気される。処理室２６から回路群４
が換気室３２に導入可能なように換気室３２は第３の関
２８が開いている時排気される。この時点では関２２と
３４ともに閉ざされている。回路群４が換気室３２から
後述する湿潤室３８への引渡しが可能となるよう換気室
３２は第４の関３４が開いている時、周囲の圧力にあ
る。この時点では処理室２６が常に処理圧力に保たれる
よう関２８は閉ざされている。
理室に関する詳細は以前のドイツ特許Ｐ３９３６９９
５．２とＰ４０３２３２８．５に記述されている。処理
室２６に換気室３２が接続していて通過室として入口と
出口をもって形成されている。換気室３２の入口は第３
の関２８によって移動可能であり関２８は同時に処理室
２６の出口を移動をさせている。換気室３２の出口は第
４の関３４によって移動可能である。換気室３２内に第
３の運搬装置１２が配置されている。その運搬装置１２
は回路群４を第２の運搬装置１０から受取り、第４の運
搬装置１４に引き渡す。換気室３２は換気室の内室のポ
ンプの働きで処理室２６の処理圧力に調整する別の排気
真空ポンプ３６につながっている。換気室３２は周囲圧
力（Umgebungsdruck)で炭化水素を含まない空気に含ま
れる湿気を使って換気される。処理室２６から回路群４
が換気室３２に導入可能なように換気室３２は第３の関
２８が開いている時排気される。この時点では関２２と
３４ともに閉ざされている。回路群４が換気室３２から
後述する湿潤室３８への引渡しが可能となるよう換気室
３２は第４の関３４が開いている時、周囲の圧力にあ
る。この時点では処理室２６が常に処理圧力に保たれる
よう関２８は閉ざされている。
【００３７】換気室３２には湿潤室３８が直接つながっ
ていてその湿潤室３８は通過室として形成され入口４０
と出口４２が一つずつある。湿潤室３８の内室が作動時
に常に環境圧力にあるので入口４０と出口４２は移動可
能でなく常に開いている。湿潤室３８内に第４の運搬装
置１４が配置され、開いた第４の関３４で回路群４が第
３の運搬装置１２から第４の運搬装置１４へ渡される。
この第４の運搬装置１４は出口４２で回路群４を第５運
搬装置１６に渡す。実施例では水分を含んだ空気からな
りガス状の状態にあるガス雰囲気が湿潤室３８内に存在
する。すなわち希望する状態特に希望の温度及び希望の
相対湿度を調整するために湿潤室３８には湿潤室３８内
の空気雰囲気を調整するためのここでは図示されていな
い装置が配置されている。温度は雰囲気温度以上、例え
ば４０℃〜５０℃の範囲にある。この雰囲気温度以上の
温度を保つため効果的にはここで図示されていない加熱
装置が配置される。その加熱装置は同時にそれに続く本
来のはんだ行程への準備のために回路群４を予め加熱す
る。
ていてその湿潤室３８は通過室として形成され入口４０
と出口４２が一つずつある。湿潤室３８の内室が作動時
に常に環境圧力にあるので入口４０と出口４２は移動可
能でなく常に開いている。湿潤室３８内に第４の運搬装
置１４が配置され、開いた第４の関３４で回路群４が第
３の運搬装置１２から第４の運搬装置１４へ渡される。
この第４の運搬装置１４は出口４２で回路群４を第５運
搬装置１６に渡す。実施例では水分を含んだ空気からな
りガス状の状態にあるガス雰囲気が湿潤室３８内に存在
する。すなわち希望する状態特に希望の温度及び希望の
相対湿度を調整するために湿潤室３８には湿潤室３８内
の空気雰囲気を調整するためのここでは図示されていな
い装置が配置されている。温度は雰囲気温度以上、例え
ば４０℃〜５０℃の範囲にある。この雰囲気温度以上の
温度を保つため効果的にはここで図示されていない加熱
装置が配置される。その加熱装置は同時にそれに続く本
来のはんだ行程への準備のために回路群４を予め加熱す
る。
【００３８】湿潤室３８の入口４０の部分に第１のジェ
ット装置４４が配置されている。第２のジェット装置４
６は出口４２の部分に配置されている。この二つのジェ
ット装置４４、４６を通って各々清浄された空気が吹き
出され入口４０と出口４２でエアーカーテンが作られ
る。それによって一方では湿潤室３８内のガス雰囲気が
その周りから分離される。他方ジェット装置４６によっ
て造られたエアーカーテンに好適な温度操作によって回
路群４のはんだ接続面上の酸化物層の温度を零度以下に
調整する。それにより酸化物層の欠陥部に吸着する水の
凝結が助けられる。
ット装置４４が配置されている。第２のジェット装置４
６は出口４２の部分に配置されている。この二つのジェ
ット装置４４、４６を通って各々清浄された空気が吹き
出され入口４０と出口４２でエアーカーテンが作られ
る。それによって一方では湿潤室３８内のガス雰囲気が
その周りから分離される。他方ジェット装置４６によっ
て造られたエアーカーテンに好適な温度操作によって回
路群４のはんだ接続面上の酸化物層の温度を零度以下に
調整する。それにより酸化物層の欠陥部に吸着する水の
凝結が助けられる。
【００３９】上記の湿潤室３８の構成の他の可能性は部
屋を連続する二つの部分にわける事である。その際上述
の凝結を支持するため出口４２に近い部分が最初の部分
と比較して、より低い温度に保たれる。湿潤室３８のす
ぐ後ろに回路群４の通過方向にはんだ装置４８が配置さ
れる。その装置４８は描かれた実施例では波状はんだ装
置として形成され、起動時に溶液状態のはんだが入って
いる坩堝５０を含み、更に各々その上部先端で回路群４
の運搬方向Ｙに斜めの切れ目状の出口開口がある二つの
シャフト５２と５４を含む。そのシャフト５２、５４を
通ってここでは図示せぬポンプ装置によって液状はんだ
が上部へ運搬されることにより出口開口を通って外へで
るはんだはそこで定常なはんだ波（図示されていない）
を形成する。回路群４がはんだ装置４８を越えて運搬さ
れる間各々の基板６の下側がはんだの波頭を触れるため
基板の下部がはんだで湿潤される。下部から突き出した
ＳＭＤ素子及びＴＨＭ素子の接続がはんだに浸される。
はんだは継目部分表面及びはんだ接続面を湿潤し凝縮し
た結合を形づくる。
屋を連続する二つの部分にわける事である。その際上述
の凝結を支持するため出口４２に近い部分が最初の部分
と比較して、より低い温度に保たれる。湿潤室３８のす
ぐ後ろに回路群４の通過方向にはんだ装置４８が配置さ
れる。その装置４８は描かれた実施例では波状はんだ装
置として形成され、起動時に溶液状態のはんだが入って
いる坩堝５０を含み、更に各々その上部先端で回路群４
の運搬方向Ｙに斜めの切れ目状の出口開口がある二つの
シャフト５２と５４を含む。そのシャフト５２、５４を
通ってここでは図示せぬポンプ装置によって液状はんだ
が上部へ運搬されることにより出口開口を通って外へで
るはんだはそこで定常なはんだ波（図示されていない）
を形成する。回路群４がはんだ装置４８を越えて運搬さ
れる間各々の基板６の下側がはんだの波頭を触れるため
基板の下部がはんだで湿潤される。下部から突き出した
ＳＭＤ素子及びＴＨＭ素子の接続がはんだに浸される。
はんだは継目部分表面及びはんだ接続面を湿潤し凝縮し
た結合を形づくる。
【００４０】図１に描かれてはいないがその実施例では
示されない保護ガスふきだし装置がある。保護ガス吹き
出し装置ははんだ装置４８の後に設けられ、はんだ部分
に対しはんだ行程の直後で保護ガス特に窒素を使って装
置４８が起動される。上記の装置において排気室１８、
処理室２６、換気室３２及び２段式酸洗処理がなされる
湿潤室３８がすべて酸洗装置に属している。この第一の
酸洗処理の段階は処理室２６でのプラズマ前処理によっ
て形成される。その際有機及び無機受動層がはんだ接続
面上の酸化物層から取り除かれる。第２の酸洗処理の段
階が湿潤室３８に導入される。その湿潤室３８では水状
のガス状補助物質がまず酸化物層の欠陥部に吸着のため
持ち込まれ凝結される。しかし酸洗ははんだ装置４８に
おいて注目の基板６が通過方向に最初のはんだの波上を
走る瞬間に初めて終了する。この瞬間に初めて補助物質
を内臓した酸化物層に突然強い加熱がおこる。それによ
り酸化物層ははんだ接続面の金属の底層から拡散され
る。それではんだ装置は同時に酸洗装置の加熱装置を形
成する。
示されない保護ガスふきだし装置がある。保護ガス吹き
出し装置ははんだ装置４８の後に設けられ、はんだ部分
に対しはんだ行程の直後で保護ガス特に窒素を使って装
置４８が起動される。上記の装置において排気室１８、
処理室２６、換気室３２及び２段式酸洗処理がなされる
湿潤室３８がすべて酸洗装置に属している。この第一の
酸洗処理の段階は処理室２６でのプラズマ前処理によっ
て形成される。その際有機及び無機受動層がはんだ接続
面上の酸化物層から取り除かれる。第２の酸洗処理の段
階が湿潤室３８に導入される。その湿潤室３８では水状
のガス状補助物質がまず酸化物層の欠陥部に吸着のため
持ち込まれ凝結される。しかし酸洗ははんだ装置４８に
おいて注目の基板６が通過方向に最初のはんだの波上を
走る瞬間に初めて終了する。この瞬間に初めて補助物質
を内臓した酸化物層に突然強い加熱がおこる。それによ
り酸化物層ははんだ接続面の金属の底層から拡散され
る。それではんだ装置は同時に酸洗装置の加熱装置を形
成する。
【００４１】はんだ装置が同時に酸洗装置の加熱装置と
なることは効果的であるがしかし必要ではない。それよ
りは湿潤室３８とはんだ装置４８の間に補助の分離した
加熱装置を配置することも可能である。上記の装置を使
用しての電気回路群４のはんだ付け方法を次のように詳
細に述べる。
なることは効果的であるがしかし必要ではない。それよ
りは湿潤室３８とはんだ装置４８の間に補助の分離した
加熱装置を配置することも可能である。上記の装置を使
用しての電気回路群４のはんだ付け方法を次のように詳
細に述べる。
【００４２】波状はんだ付けに合わせたレイアウトに差
込み可能な素子が構造上正確に固定される。ＳＭＤ−素
子は接着剤で固定される。そしてすべての回路群４は温
度Ｔ＝１２５℃、所要時間ｔ＝５分で接着剤硬化のため
に焼き戻しがされる。このようにして用意された回路群
４は乾化学的前処理の組み合わされた酸洗処理の最初の
段階で処理される。その際ここで記された効果的な実施
例では低圧プラズマのプラズマ前処理、処理圧力（Proz
essdruck) Ｐ＝（１０Pa〜１５０Pa）、プラズマ電力
密度(Plasmaleistungsdruck) Ｊ＝（０．０５Ｗ／ｃｍ
2〜１Ｗ／ｃｍ2）,処理ガス容量電流(Prozessgasvolume
nstrom) Ｖ＝０．１ ｌ／ｈ〜３ ｌ／ｈ、処理湿度
(Prozesstemperatur) Ｔ＝（２０℃〜１００℃）、処
理及び前処理所要時間(Vorbehandlungsdauer) ｔ＝
（３０秒〜６００秒）である。処理ガスとして例えばＯ
2，Ｎ2，Ｈ2，ＣＯ2，又はＮ2Ｏそしてそれらのガスの
混合体及び空気も使用できる。その際処理ガスの種類は
プラズマ係数の選択によりきまる。プラズマ雰囲気とプ
ラズマ係数の選択ははんだ接続面上の主に有機の混合体
の種類及び予想される厚さ及び洗浄技術的に必要な割れ
目表面の活性度によってきまる。
込み可能な素子が構造上正確に固定される。ＳＭＤ−素
子は接着剤で固定される。そしてすべての回路群４は温
度Ｔ＝１２５℃、所要時間ｔ＝５分で接着剤硬化のため
に焼き戻しがされる。このようにして用意された回路群
４は乾化学的前処理の組み合わされた酸洗処理の最初の
段階で処理される。その際ここで記された効果的な実施
例では低圧プラズマのプラズマ前処理、処理圧力（Proz
essdruck) Ｐ＝（１０Pa〜１５０Pa）、プラズマ電力
密度(Plasmaleistungsdruck) Ｊ＝（０．０５Ｗ／ｃｍ
2〜１Ｗ／ｃｍ2）,処理ガス容量電流(Prozessgasvolume
nstrom) Ｖ＝０．１ ｌ／ｈ〜３ ｌ／ｈ、処理湿度
(Prozesstemperatur) Ｔ＝（２０℃〜１００℃）、処
理及び前処理所要時間(Vorbehandlungsdauer) ｔ＝
（３０秒〜６００秒）である。処理ガスとして例えばＯ
2，Ｎ2，Ｈ2，ＣＯ2，又はＮ2Ｏそしてそれらのガスの
混合体及び空気も使用できる。その際処理ガスの種類は
プラズマ係数の選択によりきまる。プラズマ雰囲気とプ
ラズマ係数の選択ははんだ接続面上の主に有機の混合体
の種類及び予想される厚さ及び洗浄技術的に必要な割れ
目表面の活性度によってきまる。
【００４３】例えば処理圧力 Ｐ＝４０Pa、処理ガス容
量電流 Ｖ＝１．５ ｌ／ｈ、プラズマ電力密度 Ｊ＝
０．７Ｗ／ｃｍ2，前処理所要時間 ｔ＝４８０秒のＨ2
プラズマ雰囲気が効果的に使用された。又処理圧力 Ｐ
＝４０Pa，処理ガス容量電流Ｖ＝１．５ ｌ／ｈ、プラ
ズマ電力密度 Ｊ＝０．１Ｗ／ｃｍ2，前処理所要時間
ｔ＝２４０秒の空気プラズマが成功例として使用され
た。
量電流 Ｖ＝１．５ ｌ／ｈ、プラズマ電力密度 Ｊ＝
０．７Ｗ／ｃｍ2，前処理所要時間 ｔ＝４８０秒のＨ2
プラズマ雰囲気が効果的に使用された。又処理圧力 Ｐ
＝４０Pa，処理ガス容量電流Ｖ＝１．５ ｌ／ｈ、プラ
ズマ電力密度 Ｊ＝０．１Ｗ／ｃｍ2，前処理所要時間
ｔ＝２４０秒の空気プラズマが成功例として使用され
た。
【００４４】プラズマ前処理は同種のはんだ接続面上の
有機受動混合物層の除外及び高度のはんだの広がりや湿
潤を保証するために必要なはんだ接続面上の酸化物層の
表面の必要な活性を処理段階別して安全にする。図２が
はんだ接続面を断片的に部分図解で示す。その層の構造
はＳｎ，ＳｎＰｄ，Ａｇｐｄ，ＡｇＰｄＢｉといった金
属基礎構成材料５６からなる。酸洗の前に金属性基礎材
料である底層５６へ金属の酸化物でできた酸化物層５８
を固着する。酸化物層５８の上に主として有機の混合物
層６０が固着する。酸化物層５８と混合物層６０は酸洗
により取り除かれる受動層６２を一緒に形成する。
有機受動混合物層の除外及び高度のはんだの広がりや湿
潤を保証するために必要なはんだ接続面上の酸化物層の
表面の必要な活性を処理段階別して安全にする。図２が
はんだ接続面を断片的に部分図解で示す。その層の構造
はＳｎ，ＳｎＰｄ，Ａｇｐｄ，ＡｇＰｄＢｉといった金
属基礎構成材料５６からなる。酸洗の前に金属性基礎材
料である底層５６へ金属の酸化物でできた酸化物層５８
を固着する。酸化物層５８の上に主として有機の混合物
層６０が固着する。酸化物層５８と混合物層６０は酸洗
により取り除かれる受動層６２を一緒に形成する。
【００４５】処理室２６でプラズマ前処理により有機の
混合物層６０から自由にされたはんだ接続面つまり回路
群４全体が引き続き炭化水素をふくまないガス雰囲気を
もった換気室３２で強制換気される。炭化水素をふくま
ないガス雰囲気というのは炭化水素を含まない空気であ
ってよい。窒素（Ｎ2）での換気は同じく適切と証され
た。換気室３２での換気によって有機の混合物の新しい
発生を防ぐ必要がある。この目的は雰囲気空気により換
気される時、適切な状況のもとで達成可能である。しか
しその際、回路群４は比較的短い時間例えば３０秒〜６
００秒の間雰囲気空気にさらされる必要がある。
混合物層６０から自由にされたはんだ接続面つまり回路
群４全体が引き続き炭化水素をふくまないガス雰囲気を
もった換気室３２で強制換気される。炭化水素をふくま
ないガス雰囲気というのは炭化水素を含まない空気であ
ってよい。窒素（Ｎ2）での換気は同じく適切と証され
た。換気室３２での換気によって有機の混合物の新しい
発生を防ぐ必要がある。この目的は雰囲気空気により換
気される時、適切な状況のもとで達成可能である。しか
しその際、回路群４は比較的短い時間例えば３０秒〜６
００秒の間雰囲気空気にさらされる必要がある。
【００４６】はんだ接続面上にあってプラズマ前処理で
邪魔物を取り除き活性化された例えばＳｎＰｄ混合物か
らなる酸化物層５８は引続き結合した酸洗行程の第２段
階へと導かれる。プラズマ前処理によって酸化物５８の
自然の地勢は精製される。この酸化物層５８には欠陥部
６４がひんぱんに現れる。その頻度は層の暑さによって
増す。この３次元の層の欠陥つまり欠陥部の全表面は問
題のはんだ接続面の投象（Projektion)面よりも何倍も
大きい。プラズマ前処理によって取り除かれた有機の混
合物６０により飽和されていた原子価結合が解離する。
この裂けた原子価接合は邪魔物を取り去った酸化物層の
反動性を特徴づける。熱力学的に不安定な酸化物層の地
勢（Topologie)を持つ前処理したはんだ接続面がガス状
の凝結可能な補助物質を含む環境にさらされると３次元
の層の欠陥に適応して均一に配分された凝結行程が遂行
される。プラズマ前処理によって金属酸化物の親水性を
誘発されていた。故に親水性の金属酸化物は上記種類の
好適な環境において補助物質の凝結によって表面的に飽
和される。
邪魔物を取り除き活性化された例えばＳｎＰｄ混合物か
らなる酸化物層５８は引続き結合した酸洗行程の第２段
階へと導かれる。プラズマ前処理によって酸化物５８の
自然の地勢は精製される。この酸化物層５８には欠陥部
６４がひんぱんに現れる。その頻度は層の暑さによって
増す。この３次元の層の欠陥つまり欠陥部の全表面は問
題のはんだ接続面の投象（Projektion)面よりも何倍も
大きい。プラズマ前処理によって取り除かれた有機の混
合物６０により飽和されていた原子価結合が解離する。
この裂けた原子価接合は邪魔物を取り去った酸化物層の
反動性を特徴づける。熱力学的に不安定な酸化物層の地
勢（Topologie)を持つ前処理したはんだ接続面がガス状
の凝結可能な補助物質を含む環境にさらされると３次元
の層の欠陥に適応して均一に配分された凝結行程が遂行
される。プラズマ前処理によって金属酸化物の親水性を
誘発されていた。故に親水性の金属酸化物は上記種類の
好適な環境において補助物質の凝結によって表面的に飽
和される。
【００４７】最初にガス状の補助物質が欠陥部で吸着さ
れ凝結されるという上記の行程は湿潤と呼ばれ湿潤室３
８でなされ、その湿潤室３８では水分を含む空気のガス
雰囲気が補助物質として存在する。その際空気中の相対
湿度は少なくとも３０％である。空気中の湿気の吸着が
自発的におこる。しかし膨張可能な補助物質の容積を上
げるために湿潤は処理技術的に凝結経路を描写する湿潤
室３８で行うのが効果的である。湿潤室３８の水蒸気の
温度は通常圧力では４０℃〜８５℃、効果的には７５℃
〜８５℃である。湿潤室のとどまる時間はたとえば１秒
から３０秒である。効果的にはその指示された範囲内の
上限に近い方がよい。記述の実施例において凝結経路は
同時に回路群４のための前加熱行程として働き回路群４
が引き続くはんだ行程において温度的に処理可能に調整
される。その際、使用の補助物質の凝結温度が前加熱温
度範囲の上限にある事に注意する必要がある。欠陥部６
４の補助物質の凝結は湿潤室３８の出口でジェット装置
４６によって造られたエアーカーテンによって支持され
る。
れ凝結されるという上記の行程は湿潤と呼ばれ湿潤室３
８でなされ、その湿潤室３８では水分を含む空気のガス
雰囲気が補助物質として存在する。その際空気中の相対
湿度は少なくとも３０％である。空気中の湿気の吸着が
自発的におこる。しかし膨張可能な補助物質の容積を上
げるために湿潤は処理技術的に凝結経路を描写する湿潤
室３８で行うのが効果的である。湿潤室３８の水蒸気の
温度は通常圧力では４０℃〜８５℃、効果的には７５℃
〜８５℃である。湿潤室のとどまる時間はたとえば１秒
から３０秒である。効果的にはその指示された範囲内の
上限に近い方がよい。記述の実施例において凝結経路は
同時に回路群４のための前加熱行程として働き回路群４
が引き続くはんだ行程において温度的に処理可能に調整
される。その際、使用の補助物質の凝結温度が前加熱温
度範囲の上限にある事に注意する必要がある。欠陥部６
４の補助物質の凝結は湿潤室３８の出口でジェット装置
４６によって造られたエアーカーテンによって支持され
る。
【００４８】湿潤室３８は波状はんだ装置として形成さ
れたはんだ装置４８に直接続く。そのはんだ装置に記述
された方法で準備された回路群４が導かれる。その際湿
潤室３８と第１のシャフト５２によって造られたはんだ
の波との間の最短距離は吸着のつまり酸洗の損失を防ぐ
目的に沿っている。記述の方法で処理された回路群４は
（ここでは図示されない）最初のはんだ波の凝結経路へ
導かれる。はんだの温度はその際例えば２４５℃で平均
的はんだ時間は例えば５秒である。
れたはんだ装置４８に直接続く。そのはんだ装置に記述
された方法で準備された回路群４が導かれる。その際湿
潤室３８と第１のシャフト５２によって造られたはんだ
の波との間の最短距離は吸着のつまり酸洗の損失を防ぐ
目的に沿っている。記述の方法で処理された回路群４は
（ここでは図示されない）最初のはんだ波の凝結経路へ
導かれる。はんだの温度はその際例えば２４５℃で平均
的はんだ時間は例えば５秒である。
【００４９】図３では具備された前処理された基板６が
はんだ装置４８でシャフト５２によってつくられるはん
だ波６６上を走行する際に生じる状態が図解拡大して描
かれる。はんだ波６６は図１において左へ、すなわち図
３に描かれた矢印に流れるはんだ波６６の中の方向に流
れる。基板６は図１と図３において左から右へはんだ波
６６上をすなわち図３に描かれた矢印の方向へはしる。
基板６の底部にはんだ接続面の金属底層５６が固着す
る。この底層５６上に無限に多数の定義され(definier
t)飽和された(gesaettigt)酸化物の酸化物層５８が固着
している。その酸化物はたとえばＳｎ，Ｐｂ及び／又は
ＳｎＰｂ混合物である。酸化物層５８とはんだ波６６の
間の過渡部分にそれらの間の最初のコンタクトの時点で
比較的大きい一時的な温度勾配Ｔ／ｔがある。それは少
なくとも５０Ｋ／ｓ、効果的には１５０Ｋ／ｓ以上であ
るべきで、ミクロの範囲では本質的にはより高い値に達
する。一時的な温度の勾配による迅速な酸化物層５８の
加熱は自発的な蒸発へ、すなわち垂直で水平な酸化物層
欠陥部６４に内臓され、凝結された補助物質の容積を膨
張させる。補助物質容積は例えば水（Ｈ2Ｏ）の場合１
０００倍にふえる。その際現れる時間的温度の勾配は吸
着し凝結した補助物質の膨張速度を決める。この自発的
容積膨張は酸化物層５８の金属の基礎構成材料５６から
の破裂、例えばはんだ接続面を形成するＳｎＰｂ層から
のミクロの急激な破裂に効果をあらわす。酸洗行程の第
２且つ最後の段階は素子のついた基板６の底部が線状に
はんだ波６６へ出現する際直接実行される。それで純潔
なはんだ接続面が作られるのは液体はんだを使ったはん
だ接続面の湿潤と時間的に同時である。湿潤を躊躇しな
い受動層は一つはＳＭＤ−素子とＴＨＭ−素子との間、
もう一つはＳＭＤ−素子と基板６に接触するパド（pa
d）との間に再生可能な（第３図に描かれていない）は
んだ箇所の形成を妨げている。この行程は図３で図解描
写する。ミクロの爆発が酸化物層５８を酸化物破片６８
に分解する。その破片は同時に金属の底層５６からミク
ロの爆発によって水平にされ取り除かれる。破裂した酸
化物の破片６８は流れ終わったはんだ波６６とともには
んだの接続面を去る。図３に描かれたようなはんだの波
６６の左側面上を通って泳ぎ去る酸化物の破片６８のよ
うに描かれている。同様に前述の基板６のはんだ接続面
のため述べた様に酸化物層を素子のはんだ接続面から破
裂させる。
はんだ装置４８でシャフト５２によってつくられるはん
だ波６６上を走行する際に生じる状態が図解拡大して描
かれる。はんだ波６６は図１において左へ、すなわち図
３に描かれた矢印に流れるはんだ波６６の中の方向に流
れる。基板６は図１と図３において左から右へはんだ波
６６上をすなわち図３に描かれた矢印の方向へはしる。
基板６の底部にはんだ接続面の金属底層５６が固着す
る。この底層５６上に無限に多数の定義され(definier
t)飽和された(gesaettigt)酸化物の酸化物層５８が固着
している。その酸化物はたとえばＳｎ，Ｐｂ及び／又は
ＳｎＰｂ混合物である。酸化物層５８とはんだ波６６の
間の過渡部分にそれらの間の最初のコンタクトの時点で
比較的大きい一時的な温度勾配Ｔ／ｔがある。それは少
なくとも５０Ｋ／ｓ、効果的には１５０Ｋ／ｓ以上であ
るべきで、ミクロの範囲では本質的にはより高い値に達
する。一時的な温度の勾配による迅速な酸化物層５８の
加熱は自発的な蒸発へ、すなわち垂直で水平な酸化物層
欠陥部６４に内臓され、凝結された補助物質の容積を膨
張させる。補助物質容積は例えば水（Ｈ2Ｏ）の場合１
０００倍にふえる。その際現れる時間的温度の勾配は吸
着し凝結した補助物質の膨張速度を決める。この自発的
容積膨張は酸化物層５８の金属の基礎構成材料５６から
の破裂、例えばはんだ接続面を形成するＳｎＰｂ層から
のミクロの急激な破裂に効果をあらわす。酸洗行程の第
２且つ最後の段階は素子のついた基板６の底部が線状に
はんだ波６６へ出現する際直接実行される。それで純潔
なはんだ接続面が作られるのは液体はんだを使ったはん
だ接続面の湿潤と時間的に同時である。湿潤を躊躇しな
い受動層は一つはＳＭＤ−素子とＴＨＭ−素子との間、
もう一つはＳＭＤ−素子と基板６に接触するパド（pa
d）との間に再生可能な（第３図に描かれていない）は
んだ箇所の形成を妨げている。この行程は図３で図解描
写する。ミクロの爆発が酸化物層５８を酸化物破片６８
に分解する。その破片は同時に金属の底層５６からミク
ロの爆発によって水平にされ取り除かれる。破裂した酸
化物の破片６８は流れ終わったはんだ波６６とともには
んだの接続面を去る。図３に描かれたようなはんだの波
６６の左側面上を通って泳ぎ去る酸化物の破片６８のよ
うに描かれている。同様に前述の基板６のはんだ接続面
のため述べた様に酸化物層を素子のはんだ接続面から破
裂させる。
【００５０】シャフト５４によって造られる第２の孤立
した(verlassenden)新鮮なはんだ波は効果的には保護ガ
ス雰囲気に置かれる。その波の助けによってはんだ部分
の地勢が効果的に変更可能である。この補助ガスはたと
えば窒素（Ｎ2）が使われる。 前述の酸洗行程の効果
は吸着する補助物質の容積及びはんだ装置４８の温度見
取図、特に温度勾配Ｔ／ｔに影響する。
した(verlassenden)新鮮なはんだ波は効果的には保護ガ
ス雰囲気に置かれる。その波の助けによってはんだ部分
の地勢が効果的に変更可能である。この補助ガスはたと
えば窒素（Ｎ2）が使われる。 前述の酸洗行程の効果
は吸着する補助物質の容積及びはんだ装置４８の温度見
取図、特に温度勾配Ｔ／ｔに影響する。
【００５１】電気回路をはんだする発明での方法は特に
素子を取り付けた基板６が酸洗行程の間まずはんだ接続
面の酸化物の欠陥部６４に凝結可能な補助物質たとえば
水が酸洗のために持ち込まれ欠陥部６４に少なくとも部
分的に凝結される。その後酸化物層５８がこのように迅
速に加熱され、欠陥部６４で凝結する補助物質が急激に
蒸発する。それにより酸化物層５８は破れ金属の基礎材
料から破裂するため続く本来のはんだ行程のためのはん
だ接続面が純潔な状態にされる。急激な加熱は波はんだ
の場合に効果的にはんだ波自身により起こる。非酸化物
の受動層は酸洗される必要ある限り、酸化物層が親水性
である間、酸洗行程の前段階でおこる。ここではプラズ
マ前処理が適している。発明の装置には凝結可能な補助
物質が親水性の酸化物層を提供し、それにより酸洗され
る湿潤室がある。
素子を取り付けた基板６が酸洗行程の間まずはんだ接続
面の酸化物の欠陥部６４に凝結可能な補助物質たとえば
水が酸洗のために持ち込まれ欠陥部６４に少なくとも部
分的に凝結される。その後酸化物層５８がこのように迅
速に加熱され、欠陥部６４で凝結する補助物質が急激に
蒸発する。それにより酸化物層５８は破れ金属の基礎材
料から破裂するため続く本来のはんだ行程のためのはん
だ接続面が純潔な状態にされる。急激な加熱は波はんだ
の場合に効果的にはんだ波自身により起こる。非酸化物
の受動層は酸洗される必要ある限り、酸化物層が親水性
である間、酸洗行程の前段階でおこる。ここではプラズ
マ前処理が適している。発明の装置には凝結可能な補助
物質が親水性の酸化物層を提供し、それにより酸洗され
る湿潤室がある。
【００５２】
【発明の効果】発明による方法のメカニズムは酸化物層
の３次元の層の欠陥箇所に吸着され又凝結された補助物
質の急速な容量拡大である。この方法実行のための条件
は比較的簡単に満たされる。何もない酸化物層の表面が
十分に親水性である限り補助物質を含んだガス雰囲気の
はんだ接続面を適した圧力と適した温度のもとに置くだ
けで足りる。発明の行程ではミクロの世界での同類物の
物理的爆裂により酸化物層の酸洗がおこる。発明の方法
ではこの酸洗の際、溶剤を使わないはんだ付けが可能で
ある。使用した保護ガス用補助物質はできるだけ分子重
量の小さいもので両極性であるべきである。それにより
その物質はガス状の状態で欠陥箇所に拡散可能でそこに
吸着される。空気と補助物質のガス混合物は特に補助物
質が水の時、このガス雰囲気の供給の面での簡単さ及び
最大に可能な環境への考慮という長所を持つ。
の３次元の層の欠陥箇所に吸着され又凝結された補助物
質の急速な容量拡大である。この方法実行のための条件
は比較的簡単に満たされる。何もない酸化物層の表面が
十分に親水性である限り補助物質を含んだガス雰囲気の
はんだ接続面を適した圧力と適した温度のもとに置くだ
けで足りる。発明の行程ではミクロの世界での同類物の
物理的爆裂により酸化物層の酸洗がおこる。発明の方法
ではこの酸洗の際、溶剤を使わないはんだ付けが可能で
ある。使用した保護ガス用補助物質はできるだけ分子重
量の小さいもので両極性であるべきである。それにより
その物質はガス状の状態で欠陥箇所に拡散可能でそこに
吸着される。空気と補助物質のガス混合物は特に補助物
質が水の時、このガス雰囲気の供給の面での簡単さ及び
最大に可能な環境への考慮という長所を持つ。
【００５３】迅速な加熱のための熱の供給は効果的には
保護ガス雰囲気においておきる。そのため酸化物層の爆
裂のために生じるはんだ接続面の純潔さはそのまま残っ
ている。特に効果的なのは波状はんだ付けの際のはんだ
の波による直接の熱供給である。はんだ接続面が置かれ
ているプラズマを使って酸洗行程の際、補助物質の吸着
の前に酸化物層の受動層の除去のための前処理がなされ
る。先行技術に帰属するこのケースは酸化物層を含む完
全酸洗がプラズマ前処理（低圧プラズマでなされる）に
よって行われる。それと対照的に発明の範囲では酸化物
層除去のためでなく親水性のためにプラズマ前処理によ
り空洞形成つまり存在する地勢上の障害物を除去するこ
とが酸化物部分で潜在的に均一的に支持される。発明の
装置は加熱装置という点で優れ、それにより補助物質の
吸着と凝結による湿潤に関連して酸化物層が迅速に加熱
される。湿潤室には湿潤中、状態条件を十分正確に操作
が可能であるというメリットである。それにより障害影
響が抑圧可能であり湿潤が再生可能な結果を導く。プラ
ズマ前処理がこの湿潤室で実施可能である。そこでは選
択によりプラズマ前処理のためのガス雰囲気あるいは処
理ガス雰囲気が作り出される。この装置の形成によって
特に発明の方法が少ない数のはんだすべき回路郡でも装
置に関する費用を少なくすることが可能である。
保護ガス雰囲気においておきる。そのため酸化物層の爆
裂のために生じるはんだ接続面の純潔さはそのまま残っ
ている。特に効果的なのは波状はんだ付けの際のはんだ
の波による直接の熱供給である。はんだ接続面が置かれ
ているプラズマを使って酸洗行程の際、補助物質の吸着
の前に酸化物層の受動層の除去のための前処理がなされ
る。先行技術に帰属するこのケースは酸化物層を含む完
全酸洗がプラズマ前処理（低圧プラズマでなされる）に
よって行われる。それと対照的に発明の範囲では酸化物
層除去のためでなく親水性のためにプラズマ前処理によ
り空洞形成つまり存在する地勢上の障害物を除去するこ
とが酸化物部分で潜在的に均一的に支持される。発明の
装置は加熱装置という点で優れ、それにより補助物質の
吸着と凝結による湿潤に関連して酸化物層が迅速に加熱
される。湿潤室には湿潤中、状態条件を十分正確に操作
が可能であるというメリットである。それにより障害影
響が抑圧可能であり湿潤が再生可能な結果を導く。プラ
ズマ前処理がこの湿潤室で実施可能である。そこでは選
択によりプラズマ前処理のためのガス雰囲気あるいは処
理ガス雰囲気が作り出される。この装置の形成によって
特に発明の方法が少ない数のはんだすべき回路郡でも装
置に関する費用を少なくすることが可能である。
【図１】 電気回路群のはんだ付けのための装置の図解
的側面図、部分的に断片図。
的側面図、部分的に断片図。
【図２】 受動層をもつはんだ接続面の図解的断片的縦
断面図。
断面図。
【図３】 はんだの波上を基板が動く際の行程を説明す
る図解的描写。
る図解的描写。
４ 回路群 １０ 運搬装置 １４ 運搬装置 １６ 運搬装置 ２２ 関 ２６ 処理室 ２８ 関 ３２ 換気室 ３４ 関 ３８ 湿潤室 ４０ 入口 ４２ 出口 ４４ ジェット装置 ４６ ジェット装置 ４８ 加熱装置/はんだ装置 ５８ 酸化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フォルカー リードケ ドイツ連邦共和国 8751 アイゼンフェル ド／アイヘルスバッハ ホ−エンシュトラ −セ 48 (72)発明者 カール−ハインツ グラスマン ドイツ連邦共和国 6985 シュタットプロ ツエルテン クライネ シュタイク 24 (72)発明者 ハンス−ユルゲン アルブレヒト ドイツ連邦共和国 ０−1093 ベルリン ビーッカー シュトラーセ ２ (72)発明者 ハラルド ビットリッヒ ドイツ連邦共和国 ０−1122 ベルリン フランケンシュトラーセ 65 (72)発明者 ビルフレッド ヨーン ドイツ連邦共和国 ０−1153 ベルリン ルツインシュトラーセ 10 (72)発明者 ボルフガング シール ドイツ連邦共和国 ０−1020 ベルリン リヒテンベルガー シュトラーセ ９
Claims (33)
- 【請求項１】 酸洗行程の間まず酸化物層の欠陥部に凝
結可能な補助物質が吸着のためにもちこまれ、その欠陥
部で少なくとも部分的に補助物質が凝結されその後酸化
物層が迅速に加熱され、それによって欠陥部に凝結した
補助物質が急激に蒸発し酸化物層が裂け金属の底層から
裂離され、酸洗行程の間はんだ接続面上にある酸化物層
が広範囲に取り除かれ、その後はんだ行程の間液体はん
だのついた金属のはんだ接続面が湿潤されることを特徴
とする電気回路群特に素子を具備した基板のはんだ付け
のための方法。 - 【請求項２】 補助物質が水であることを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 補助物質がメタノール、アセトン又はエ
タノール群から選ばれることを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項４】 各々全回路群が補助物質をガス状段階に
保つガス雰囲気にさらすことを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項５】 規定された量の水分を含むガス雰囲気空
気が補助物質であることを特徴とする請求項２又は４に
記載の方法。 - 【請求項６】 吸着する補助物質を含む酸化物層で加熱
の間一時的温度勾配が５０Ｋ／ｓ以上の値に達すること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の
方法。 - 【請求項７】 一時的に温度勾配が１５０Ｋ／ｓ以上に
達することを特徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 吸着する補助物質を含む酸化物層の加熱
がはんだ行程前に一時的にそこから離れておこなわれる
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記
載の方法。 - 【請求項９】 吸着した補助物質を含む酸化物層の加熱
がはんだ行程の間はんだを介して導入された熱エネルギ
ーによっておこなわれることを特徴とする請求項１ない
し７のいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項１０】 吸着した補助物質を含む酸化物層の加
熱が酸化物層の裂離の目的で直接はんだ波を通っておこ
なわれるはんだ行程の間各々の回路群が少なくとも一つ
の静止しているはんだ波を介して運搬されその際はんだ
波の波頭が回路群底側に触れることを特徴とする請求項
９に記載の方法。 - 【請求項１１】 補助物質の吸着の前の酸洗の間、受動
層の除去への前処理が酸化物層の上で実行されることを
特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の
方法。 - 【請求項１２】 液体化学的に清浄剤を使って前処理が
行われることを特徴とする請求項１１の方法。 - 【請求項１３】 前処理がはんだ接続面がさらされてい
るプラズマを使って行われることを特徴とする請求項１
１に記載の方法。 - 【請求項１４】 プリズマの処理ガスがＯ2，Ｎ2，
Ｈ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，又はＨ2Ｏ，又はそれらのガスの混
合体からなることを特徴とする請求項１３に記載の方
法。 - 【請求項１５】 処理ガスが空気であることを特徴とす
る請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 プラズマ前処理は処理圧力 Ｐ＝１０
Ｐa〜１５０Ｐa、プラズマ動力密度 Ｊ＝０．０５Ｗ／
ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2,処理ガス容量電流 Ｖ＝０．１
ｌ／ｈ〜３ ｌ／ｈ，処理温度 Ｔ＝２０℃〜１００
℃、前処理所要時間 ｔ＝３０秒〜６００秒の低圧プラ
ズマで行われることを特徴とする請求項１３ないし１５
のいずれか一つに記載の方法。。 - 【請求項１７】 プラズマ前処理と補助物質の吸着内蔵
との間で炭化水素を含まない空気で規定された湿気中に
換気されることを特徴とする請求項１３ないし１６のい
ずれか一つに記載の方法。 - 【請求項１８】 はんだ行程直後にはんだ位置が補助ガ
ス雰囲気にさらされることを特徴とする請求項１ないし
１７のいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項１９】 ガス雰囲気の主成分が窒素であること
を特徴とする請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 酸洗装置を使ってはんだ接続面に存在
する酸化物層を広範囲に取り除きはんだ装置を使って液
体はんだを有するはんだ接続面が湿潤され、その際個々
の回路群がまず酸洗装置で、その後はんだ装置で処理さ
れるという電気回路特に素子を具備した基板のはんだ付
けのための装置であって、酸洗装置（３８）に湿潤室が
ありそこでは回路群（４）が調整可能な処理時間とどま
り、又ガス雰囲気があり、その雰囲気はガス状の凝縮可
能な補助物質が含まれ、その際ガス雰囲気の状態条件
（圧力、温度、相対補助凝集度）酸化物層（５８）の補
助物質が吸着され、少なくとも部分的に凝結するように
又、加熱装置（４８）がそれを使って補助物質の凝結に
関連して酸化物層が迅速に加熱されるように調整可能で
あることを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか一
つに記載の方法の実施のための装置。 - 【請求項２１】 湿潤室（３８）が炭化水素を含まない
空気によって換気可能であることを特徴とする請求項２
０に記載の装置。 - 【請求項２２】 湿潤室（３８）が一つの入口（４０）
及び一つの出口（４２）のついた通過室として形成さ
れ、そこを通って回路群（４）が運搬装置（１４、１
６）を使って運搬されることを特徴とする請求項２０に
記載の装置。 - 【請求項２３】 通過室の入口（４０）又出口（４２）
近くに配置されたジェット装置（４４、４６）の両方が
各々空気を吹き出しそれによって入口と出口でエアーカ
ーテンが作られることを特徴とする請求項２２に記載の
装置。 - 【請求項２４】 加熱装置がはんだ装置（４８）によっ
て形成されていることを特徴とする請求項２０ないし２
３のいずれか一つに記載の装置。 - 【請求項２５】 はんだ装置（４８）が通過室の出口
（４２）の近くに配置され、又運搬装置（１４、１６）
が回路群（４）を通過装置から運び出しはんだ装置を通
って運搬されることを特徴とする請求項２４が記載する
装置。 - 【請求項２６】 はんだ装置（４８）が少なくとも１つ
の定常のはんだ波を作り、はんだ接続面がその波と触れ
るようにする波状はんだ装置であることを特徴とする請
求項２４または２５に記載の装置。 - 【請求項２７】 はんだ装置（４８）に保護ガス吹き上
げ装置が配置され、その吹き上げ装置を使ってはんだ行
程の直後に保護ガス特に窒素で動かされることを特徴と
する請求項２６に掲載の装置。 - 【請求項２８】 はんだ装置が再流動性はんだ装置であ
ることを特徴とする請求項２４又は２５に記載の装置。 - 【請求項２９】 湿潤室（３８）が同時にプラズマ前処
理のための処理室として働き湿潤室（３８）が選択によ
ってガス雰囲気又はプラズマ前処理のための処理ガス雰
囲気を作ることが可能であることを特徴とする請求項２
０ないし２８のいずれか一つに記載の装置。 - 【請求項３０】 酸洗装置には湿潤室（３８）に加えて
はんだ接続面のプラズマ前処理への処理室（２６）があ
ることを特徴とする請求項２０ないし２８のいずれか一
つに掲載の装置。 - 【請求項３１】 処理室（２６）が低圧処理室であるこ
とを特徴とする請求項３０に記載の装置。 - 【請求項３２】 処理室（２６）が一つの入口と一つの
出口を持った通過室として形成され、そこを通って回路
群（４）が運搬装置（１０）を使って運搬されることを
特徴とする請求項３０又は３１に記載の装置。 - 【請求項３３】 処理室（２６）と湿潤室（３８）の間
に換気室（３２）が配置され、その換気室でプラズマ前
処理された回路群（４）が炭化水素を含まない空気で換
気されその際処理室（２６）、換気室（３２）及び湿潤
室（３８）が直接連続して続きその３つの部屋の内室が
各々関（２２、２８、３４）によってお互いに分離され
ていることを特徴とする請求項２２、２３又は３２に記
載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4041270A DE4041270A1 (de) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von elektronischen flachbaugruppen, insbesondere mit bauelementen bestueckten leiterplatten |
| DE40412709 | 1990-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851273A true JPH0851273A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=6421086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3338775A Pending JPH0851273A (ja) | 1990-12-21 | 1991-12-20 | 電気回路群特に素子を具備した基板のはんだ付けのための方法と装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5193739A (ja) |
| EP (1) | EP0492095B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0851273A (ja) |
| AT (1) | ATE98542T1 (ja) |
| DE (2) | DE4041270A1 (ja) |
| DK (1) | DK0492095T3 (ja) |
| ES (1) | ES2049074T3 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4225378A1 (de) * | 1992-03-20 | 1993-09-23 | Linde Ag | Verfahren zum verloeten von leiterplatten unter niederdruck |
| FR2697456B1 (fr) * | 1992-10-30 | 1994-12-23 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche. |
| DE4338225A1 (de) * | 1993-11-09 | 1995-05-11 | Linde Ag | Verfahren zum Wellenlöten mit bleifreien Lotmaterialien |
| US5499754A (en) * | 1993-11-19 | 1996-03-19 | Mcnc | Fluxless soldering sample pretreating system |
| DE69939072D1 (de) * | 1998-02-27 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zum Trennen des Lötmaterials von der Oxidlötung |
| DE10210217A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-10-16 | Behr Gmbh & Co | Verfahren zum Löten von Aluminium |
| DE10342242A1 (de) | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Behr Gmbh & Co. Kg | Lötwerkstück, Lötverfahren und Wärmetauscher |
| US8844793B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-09-30 | Raytheon Company | Reducing formation of oxide on solder |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2136392A (en) * | 1936-06-08 | 1938-11-15 | Murphy Daniel Francis | Method for removing scale from boilers |
| DE1546174A1 (de) * | 1965-03-19 | 1970-02-26 | Otto & Co Gmbh Dr C | Verfahren zum kontinuierlichen Beizen von strangfoermigem Material |
| JPS5315010A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Nec Corp | Bipolar pulse polarity error detection circuit |
| DE8520254U1 (de) * | 1985-07-11 | 1985-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lötvorrichtung zum Löten elektronischer Flachbaugruppen in einer schutzgasgefüllten Lötkammer |
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| GB8827933D0 (en) * | 1988-11-30 | 1989-01-05 | Plessey Co Plc | Improvements relating to soldering processes |
| JPH02174190A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
| DE4032328A1 (de) * | 1989-11-06 | 1991-09-19 | Wls Karl Heinz Grasmann Weichl | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern |
-
1990
- 1990-12-21 DE DE4041270A patent/DE4041270A1/de not_active Withdrawn
-
1991
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- 1991-11-04 DK DK91118821.7T patent/DK0492095T3/da active
- 1991-11-04 EP EP91118821A patent/EP0492095B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-04 AT AT91118821T patent/ATE98542T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-11-04 DE DE91118821T patent/DE59100736D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-18 US US07/810,708 patent/US5193739A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 JP JP3338775A patent/JPH0851273A/ja active Pending
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|---|---|
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| ATE98542T1 (de) | 1994-01-15 |
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| EP0492095A3 (en) | 1992-08-26 |
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