JPH08508988A - β−アルコキシアクリル酸の新製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 式（Ｉ）（ここで、Ｒは８個までの炭素原子を含有する置換されていてもよいアルケニル若しくはアルキニル基又は置換されていてもよい単環式若しくは多環式のアリール若しくはヘテロアリール基を表わし、Ｒ₂及びＲ₃は同一であっても異なっていてもよく、４個までの炭素原子を含有するアルキル基を表わす）の化合物の製造方法。この方法によれば、式（II）（ここで、Ｘはハロゲン原子を表わす）の化合物に次式（III）：Ｒ−Ｚ（ここで、Ｒは前記の意味を有し、Ｚは金属又は金属誘導体を表わす）の有機金属化合物を作用させる。別法として、式（II'）（ここで、Ｚ’は金属又は金属誘導体を表わし、Ｒ₁及びＲ₂は前記の意味を有する）の化合物に式（III'）：Ｒ−Ｘ’（ここで、Ｒは前記の意味を有し、Ｘ’は求核性反応離脱基を表わす）の化合物を作用させる。

Description

【発明の詳細な説明】 β−アルコキシアクリル酸の新製造法 本発明は、β−アルコキシアクリル酸の誘導体の製造法に関する。 しかして、本発明の主題は、次式（Ｉ） （ここで、Ｒは８個までの炭素原子を含有する置換されていてもよいアルケニル 若しくはアルキニル基、又は置換されていてもよい単環式若しくは多環式のアリ ール若しくはヘテロアリール基を表わし、Ｒ₂及びＲ₃は同一であっても異なって いてもよく、４個までの炭素原子を含有するアルキル基を表わす） の化合物を製造するにあたり、次式（II） （ここで、Ｘはハロゲン原子を表わす） の化合物に次式（III） Ｒ−Ｚ （III） （ここで、Ｒは前記の意味を有し、Ｚは金属又は金属誘導体を表わす） の有機金属化合物を作用させるか、或いは次式（II'） （ここで、Ｚ’は金属又は金属誘導体を表わし、Ｒ₁及びＲ₂は前記の意味を有す る） の化合物に次式（III'） Ｒ−Ｘ’ （III'） （ここで、Ｒは前記の意味を有し、Ｘ’は求核性反応離脱基を表わす） の化合物を作用させて相当する式（Ｉ）の化合物を得ることを特徴とする、式（ Ｉ）の化合物の製造法にある。 Ｒ₁及びＲ₂により表わされるアルキル基とは、メチル、エチル、直鎖状若しく は分岐鎖状のプロピル又は直鎖状若しくは分岐鎖状のブチル基を意味する。 Ｒがアルケニル基を表わすときは、それは、好ましくはビニル、アリル、ブテ ニル、ペンテニル、ヘキセニル又はシクロヘキセニル基である。 Ｒがアルキニル基を表わすときは、それは、好ましくはエチニル、プロパルギ ル又はブチニル基である。 Ｒがアリール基を表わすときは、それは、好ましくはフェニル又はナフチル基 である。 アルケニル又はアルキニル基が置換されているときは、それは例えばアルコキ シル化置換基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ基などである。 Ｒが複素環式アリール基を表わすときは、それは、好ましくは、５員の複素環 式基、例えば下記の基：チエニル、フリル、ピロリル、チアゾリル、オキサゾリ ル、イミダゾリル、チアジアゾリル、チアゾリジニル、ジオキサラニル、ピラゾ リル、オキサゾリル又はイソオキサゾリル基、或いは６員の複素環式基、例えば ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル又はピラジニル基、或いはさらに縮合ア リール基、例えばインドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、ベンゾチアゾ リル、キノリニル、キナゾリニル又はジヒドロキナゾリニル基の一つである。 Ｒが置換されたアリール又はヘテロアリール基であるときは、それは、好まし くは、遊離の、塩形成、エステル化若しくはアミド化されたカルボキシ基、ヒド ロキシル基、ハロゲン原子、ＮＨ₂、ＮＯ₂、Ｃ≡Ｎ、アルキル、アルケニル、ア ルキニル、アリール及びヘテロアリール基、Ｏ−アルキル、Ｏ−アルケニル、Ｏ −アルキニル、Ｏ−アリール及びＯ−ヘテロアリール基、Ｓ−アルキル、Ｓ−ア ルケニル、Ｓ−アルキニル、Ｓ−アリール及びＳ−ヘテロアリール基、Ｎ−アル キル、Ｎ−アルケニル、Ｎ−アルキニル、Ｎ−アリール及びＮ−ヘテロアリール 基（これらの基は２４個までの炭素原子を含有し 、１個以上のハロゲン原子により置換されていてもよい）、次式の基 （ここで、Ｒ₃及びＲ₄（同一であっても異なっていてもよい）並びにＲ₅は水素 原子又は１２個までの炭素原子を含有する置換されていてもよいアルキル若しく はアリール基を表わし、ｔは０、１又は２の数を表わす） よりなる群から選択される１個又はそれ以上の基よって置換されている。 ハロゲン原子とは、例えば弗素、塩素、臭素又は沃素原子を意味する。 アリール又はヘテロアリール基の置換基により表わすことができ又はこれらの 置換に含まれる得るアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール又はヘテロア リール基とは、好ましくは、Ｒ₁、Ｒ₂又はＲ₃について前記した基の一つを意味 する。 エステル化されたカルボキシ基とは、例えばメトキシカルボニル又はエトキシ カルボニル基を意味する。 塩形成されたカルボキシ基とは、例えばナトリウム又はカリウム原子により塩 形成された基を意昧する。 Ｘは弗素、塩素、臭素又は沃素原子を意昧する。 Ｚが金属を表わすときは、それは、リチウム、ナトリウム又はカリウムのよう なアルカリ金属である。 Ｚが金属誘導体を表わすときは、それは、アルカリ土類金属又はこれよりも高 い原子価を有する金属、例えばマグネシウム、カルシウム、チタン、ニッケル、 銅、亜鉛、アルミニウム、硼素、錫、パラジウム又は白金の誘導体である。 ここで、誘導体とは、ヒドロキシル化、アルコキシル化及びアルキル化された 誘導体、又はハロゲン化物、又はハロゲン含有アルキル化又はハロゲン含有ヒド ロキシル化された誘導体を意味する。 Ｚ’により表わされる金属又は金属誘導体とは、Ｚについて前記した金属又は 金属誘導体の一つを意味する。 Ｘ’によって表わされる求核性反応離脱基とは、例えば、ハロゲン原子、好ま しくは臭素若しくは沃素原子、又は−Ｏ−ＳＯ₂−Ｑ基｛ここで、ＱはＣＦ₃、（ ＣＦ₂）_m−ＣＦ₃（ｍは２〜９の間の数を表わす）、ｔ−ブチル若しくはアリー ル基（アリールは前記の通りである）を表わす｝を意味する。 本発明の特定の主題は、出発物質として使用される式（II）の化合物において 、Ｘが臭素又は沃素原子を表わすことを特徴とする前記の製造法にある。 また本発明の特定の主題は、Ｚがアルカリ金属又はアルカリ土類金属、錫、硼 素若しくは亜鉛の誘導体を表わす前記の製造法にある。 本発明のさらに特定の主題は、出発物質として使用される式Ｒ−Ｚの化合物に おいて、ＺがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、 ＭｇＨａｌ₁、ＺｎＨａｌ₂、Ｓｎ（Ｒ’）₃、Ｂ（ＯＨ）₂、Ｂ（ＯＲ"）₂又はＢ ［Ｏ（ＣＨ₂）_nＯ］₂（ここで、Ｈａｌ₁及びＨａｌ₂はハロゲン原子を表わし、 Ｒ’及びＲ”は４個までの炭素原子を含有する直鎖状又は分岐鎖状のアルキルき を表わし、ｎは１、２、３又は４の整数を表わす）よりなる群から選択されるこ とを特徴とする前記の製造法、特にＺが硼素の誘導体、例えばＢ（ＯＨ）₂であ る製造法、或いはＺが錫の誘導体、例えばＳｎ（Ｒ'）₃（ここで、Ｒ’は前記の 通りである）、例えばＳｎ（Ｂｕ）₃である製造法にある。 また、本発明の特定の主題は、式（II'）の化合物において、Ｚ’が錫、亜鉛 、銅、パラジウム又は白金の誘導体、好ましくは前記のような錫の誘導体Ｓｎ（ Ｒ'）₃、例えばＳｎ（Ｒ'）₃を表わすことを特徴とする製造法にある。 また、本発明の特定の主題は、式（III'）の化合物がハロゲン化誘導体、特に 沃素化誘導体であることを特徴とする製造法にある。 さらに本発明の特定の主題は、式（II）の化合物と式（III）の化合物並びに 式（II'）の化合物と式（III'）の化合物の間の反応がパラジウム触媒又は白金 触媒の存在下に或いは所望ならばその他の触媒の存在下に行われることを特徴と する製造法にある。 本発明の好ましい製造法のうちでも、パラジウム触媒がＰｄ（ＯＡｃ）₂、Ｐ ｄＣｌ₂、Ｐｄ（Ｐφ₃）₄、 ＰｄＣｌ₂（ＣＨ₃ＣＮ）₂又はトリス（ジベンジリデン）ジパラジウムよりなる 群から選択されることを特徴とする製造法が挙げられる。そのうちでも、特に、 触媒がＰｄ（Ｐφ₃）₄であることを特徴とする製造法が挙げられる。また、式（ II）の化合物と式（III）の化合物並びに式（II'）の化合物と式（III'）の化合 物の間の反応が配位子の存在下に行われることを特徴とする製造法が挙げられる 。配位子は、好ましくは、トリフリルホスフィンのようなホスフィン、トリフェ ニルアルシンのようなアルシン又はアセトニトリル若しくはベンゾニトリルであ る。本発明のさらに全く特定の主題は、配位子がＰ（Ａｒ）₃及びＰｄ（Ｐφ₃）₄ よりなる群から選択されるホスフィンであることを特徴とする製造法にある。 パラジウム及び配位子は、例えばＰｄ（Ｐφ₃）₄が使用される場合には同じ化 学種の一部であってよい。 本発明の製造法のうちでも、また、式（II）の化合物と式（III）の化合物と の間の反応が塩基、例えばＮａ₂ ＣＯ₃、Ｂａ（ＯＨ）₂、ＮａＯＨ、ＣａＣＯ₃、ＣｓＣＯ₃及びＫ₃ＰＯ₄よりなな る群から選択される塩基、特にＮａ₂ＣＯ₃の存在下に行われることを特徴とする 製造法が挙げられる。 また、本発明の製造法のうちでも、また、式（II'）の化合物と式（III'）の 化合物との間の反応が銅塩、特に沃化第一銅の存在下に行われることを特徴とす る製造法が挙げられる。 Ｘが臭素又は沃素原子を表わす式（II）の化合物に、Ｚが硼素の誘導体を表わ す式（III）の化合物を作用させるときは、カップリング反応速度は、相移動剤 、例えば塩化トリエチルベンジルアンモニウムを添加することによって相当に増 大させることができる。 本発明の製造法の出発物質として使用される式（II）の化合物は、新規物質で あって、それ自体本発明の主題をなすものである。これらは、下記の化学反応式 ： （ここで、Ｘ、Ｒ₁及びＲ₂は前記の意味を有する） に従って製造することができる。 本発明の特定の主題は、２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル及 び２−ブロム−３−メトキシ−２−プロペン酸メチルにある。 式（IV）の化合物は、例えば、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ｌｅｔｔｅｒｓ」 Ｖｏ．３４，Ｎｏ．４７，ｐ．５２０９＾５２１０（１９８３）に記載された既 知の物質である。 式（III）の化合物は、「Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓ ｔｒｙ］第２版ｐ．５６６〜５６ ９に記載の方法に従って、相当するハロゲン化誘導体から標準的な態様で得られ る。 また、本発明の製造法の出発物質として使用される式（II'）の化合物は、新 規物質であって、それ自体本発明の主題をなす。それらは、有機溶媒中でパラジ ウム触媒の存在下に式（II）のハロゲン化化合物から出発して有機金属をカップ リングさせることにより製造することができる。このような製造例を後記の実験 の部に示す。 式（III'）の化合物は既知の物質であって、文献に記載されているか又は市販 されている。 本発明の製造法は、工業的に非常に有益なものであり、式（Ｉ）の化合物、特 にｏ−位に置換基を有する誘導体を立体特異的な態様でしかも単一工程で製造す るのを可能にさせる。 式（Ｉ）の化合物は一般的に既知であり、例えばヨーロッパ特許第１７８８２ ６号に記載されている。 下記の実施例は本発明を例示するものであって、これを何ら制限するものでは ない。例１ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−４−メチルベンゼン酢酸メチル １.４４ｇの２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル（製造例１に 記載のように得た）、１.２２ｇの４−メチルフェニルボロン酸、３０ｍｌのト ルエン、０.３４ｇのテトラ−トリフェニルホスフィンパラジウムＰｄ（Ｐφ₃）₄ 及び６ｍｌの２Ｍ炭酸ナトリウム溶液の 混合物を３時間還流させる。反応媒体を濾過し、酢酸エチルですすぐ。酢酸エチ ルで抽出し、抽出物を塩化アンモニウム溶液により洗浄し、有機相を乾燥し、濾 過し、溶媒を減圧下に除去する。２.０６ｇの生成物を得た。これを活性炭によ り処理し、イソプロピルエーテルとペンタンとの溶液（２０−８０）から再結晶 を行う。このようにして、１.０６ｇの所望化合物を得た。Ｍｐ＝６５℃。例２ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−３−クロル−４−フルオルベンゼン酢 酸メチル １.４４ｇの２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル、１.５７ｇの ３−クロル−４−フルオルフェニルボロン酸、３０ｍｌのトルエン、０.０７ｇ の酢酸パラジウム、０.１６ｇのトリフェニルホスフィン、２ｍｌのメタノール 及び１０ｍｌの２Ｍ炭酸ナトリウム溶液の混合物を１時間３０分還流させる。混 合物を濾過し、酢酸エチルですすぐ。酢酸エチルで抽出し、抽出物を塩化アンモ ニウム溶液により洗浄する。有機相を乾燥し、濾過する。減圧下に濃縮した後、 ２.１７ｇの生成物を得た。これをシリカでクロマトグラフィーする（溶離剤： ヘプタン−酢酸エチル８５−１５）。１.２５ｇの生成物を得た。これを活性炭 で処理し、イソプロピルアルコールから再結晶を行う。このようにして、１.１ ６ｇの所望化合物を得た。Ｍｐ＝６５℃。例３ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−２−メチルベ ンゼン酢酸メチル工程Ａ ：２−（２−メチルフェニル）−１，３，２−ジオキサボリナン １.７５ｇの２−メチルフェニルボロン酸、３０ｍｌのシクロヘキサン及び０. ５ｍｌの１，３−プロパンジオールの混合物を６時間加熱還流させる。混合物を 水洗し、ペンタンで抽出する。有機相を乾燥し、減圧下に濃縮する。このように して、１.８ｇの所望化合物を得た。工程Ｂ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−２−メチルベンゼン酢酸メチル ０.７３ｇの２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル、１.０２ｇの 工程Ａで製造した化合物、２０ｍｌのジメチルホルムアミド、０.１２ｇのテト ラ−トリフェニルホスフィンパラジウムＰｄ（Ｐφ₃）₄及び１.６ｇのりん酸三 カリウムの混合物を８０℃に１時間もたらす。反応混合物を氷上に注ぎ入れ、イ ソプロピルエーテルで抽出する。抽出し、洗浄し、乾燥した後、有機相を濾過し 、次いで減圧下に濃縮する。１.１６ｇの生成物を得た。これを活性炭により処 理し、ペンタンから再結晶を行う。このようにして、０.５４ｇの所望化合物を 得た。 Ｍｐ＝４３.５℃。例４ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−２，４−ジクロルベンゼン酢酸メチル １.４４ｇの２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル、１.７３ｇの ２，４−ジクロルフェニルボロン 酸、３０ｍｌのトルエン、０.１１ｇの塩化トリエチルベンジルアンモニウム（ ＴＥＢＡＣ）、０.３０ｇのテトラキス−トリフェニルホスフィンパラジウム及 び１０ｍｌの２Ｍ炭酸ナトリウム溶液の混合物を４時間還流させる。濾過した後 、酢酸エチルで抽出し、抽出物を塩化アンモニウム溶液により洗浄する。有機相 を乾燥し、濾過する。減圧下に濃縮した後、２.１７ｇの生成物を得た。これを シリカでクロマトグラフィーする（溶離剤：ヘプタン−酢酸エチル８５−１５） 。粗生成物を得た。これをイソプロピルアルコールとペンタンとの溶液（２０− ８０）から再結晶を行う。このようにして、１.３１ｇの所望化合物を得た。Ｍ ｐ＝８２.１℃。例５ ：（Ｅ）α−（メトキシメチレン）−２−メチルベンゼン酢酸メチル ５ｍｌの２−（トリブチル錫）−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル（製造 例３におけるようにして得た）、１.０９ｇの２−ヨードトルエン、０.５７ｇの テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、０.７１ｇの沃化第一銅及 び５０ｍｌのジメチルホルムアミドの混合物を８０℃に２４時間もたらす。濾過 した後、溶媒を減圧下に蒸発させ、残留物を１００ｍｌの酢酸エチルで溶解し、 弗化カリウム飽和溶液を添加し、次いで濾過し、有機相を塩化ナトリウム飽和水 溶液により洗浄し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発させる。シリカでクロマトグラ フィー（溶離剤：ヘキサン−酢酸エチル７５−２５）し た後、０.５７ｇの粗生成物を集めた。これをペンタンから再結晶する。このよ うにして、０.５ｇの所期化合物を得た。Ｍｐ＝４３℃。例６〜１５ 下記の反応式 に従って、例１に記載のように操作を行うことによって、下記の表に記載の化合 物を製造した。 例１６及び１７ 例３におけるようにして操作を行うことによって、下記の表に記載の化合物を 製造した。 例１８〜２５ 例２におけるようにして操作を行うことによって、下記の表に記載の化合物を 製造した。 例２６〜３０ 例４におけるようにして操作を行うことによって、下記の表に記載の化合物を 製造した。 例３１ 下記の反応式 に従って、例５に記載のように操作を行うことによって、下記の表に記載の化合 物を製造した。 例３２：３−メトキシ−２−（４−メチルフェニル）アクリル酸メチル ２９２ｍｇの製造例４で得た化合物と１００ｍｇのテトラキス（トリフェニル ホスフィン）パラジウムを７ｃｃのジメチルホルムアミド中に含有する溶液に６ ３ｍｇの４−ヨードトルエンを攪拌しながら添加する。５分後に、４２ｍｇの沃 化銅を添加し、混合物を光を遮断して１６時間攪拌する。次いで塩化ナトリウム 水溶液、次いで石油エーテル（Ｂｐ＝４０／６０℃）と酢酸エチルとの１：１混 合物を添加する。有機相を一緒にし、乾燥し、減圧下に蒸発させる。残留物をシ リカでクロマトグラフィー（溶離剤：酢酸エチル−石油エーテル４−１）し、４ ３ｍｇの所期化合物を得た。例３３ ：３−メトキシ−２−（２−メチルチオフェニル）アクリル酸メチル １００ｍｇの製造例４で得た化合物、２３ｍｇの沃化銅、２５ｍｇのトリス（ ジベンジリデン）ジパラジウム及び１１ｍｇのトリフェニルアルシンを５ｍｌの Ｎ−メチルピロリジノン中に含有する溶液に４１ｍｇの１−ヨ ード−２−メチルチオベンゼンを攪拌しながら添加する。反応媒体を不活性雰囲 気下に光を遮断して５０℃に４８時間加熱する。反応媒体を例１に記載のように 処理し、所期化合物を７９％の収率で得た。例３４ ：（Ｅ）３−メトキシ−２−（２−フェノキシフェニル）アクリル酸メチ ル １−ヨード−２−フェノキシベンゼンから出発して例３３にけるように操作を 行い、所期化合物を油状物として得た。例３５ ：（Ｅ）３−メトキシ−２−［２−（フェノキシメチル）フェニル］アク リル酸メチル １−ヨード−２−（フェノキシメチル）ベンゼンから出発して例３３にけるよ うに操作を行い、所期化合物を得た。 Ｍｐ＝５５℃。例３６ ：（Ｅ）３−メトキシ−２−［２−（フェニルメチルチオ）フェニル］ア クリル酸メチル １−ヨード−２−（フェニルメチルチオ）ベンゼンから出発して例３３にける ように操作を行い、所期化合物を得た。 Ｍｐ＝７２〜７４℃。例３７ ：（Ｅ）３−メトキシ−２−［３−メチル−２−（フェニルメチルチオ） フェニル］アクリル酸メチル １−ヨード−３−メチル−２−（フェニルメチルチオ）ベンゼンから出発して 例３３にけるように操作を行 い、所期化合物を得た。 Ｍｐ＝１１９〜１２０℃。例３８ ：３−メトキシ−２−（２−チオフェニル）アクリル酸メチル ２−ヨードチオフェンから出発して例３３におけるように操作を行い、所期化 合物を、Ｅ及びＺ異性体の２／１混合物を含有する油状物として得た。両異性体 をシリカでのクロマトグラフィーにより精製した。製造例１ ：２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル １２.９５ｇの３−メトキシ−２−プロペン酸メチルと５０ｍｌの酢酸を含有 する溶液を、３７ｇのＮ−ヨードスクシンイミドと１５０ｍｌの酢酸を含有する 溶液中に導入する。反応媒体を周囲温度で４時間攪拌する。これを減圧下に濃縮 し、イソプロピルエーテルで溶解する。濾過し、イソプロピルエーテルですすぐ 。濃縮し、塩化メチレンで溶解させた後、アクリル酸誘導体に転化させるのに十 分な量のトリエチルアミンを添加する。洗浄し、乾燥し、濃縮した後、油状物を 得たが、これは周囲温度で自動的に結晶化した。得られた結晶をイソプロパノー ルから再結晶する。１７ｇの所望化合物を得た。Ｍｐ＝５０.９℃。製造例２ ：２−ブロム−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル １７ｇの３−メトキシ−２−プロペン酸メチル、２０ ０ｍｌのアセトニトリル及び２６.１ｇのＮ−ブロムスクシンイミドの混合物を ２時間乾留させる。 ２ｇのＮ−ブロムスクシンイミドを添加し、反応媒体を減圧下に濃縮し、重炭 酸ナトリウム水溶液を使用して溶解させる。イソプロピルエーテルで抽出し、抽 出物を洗浄し、乾燥し、濃縮させる。油状物を得た。これを減圧下に蒸留する。 このようにして、１５ｇの生成物を得たが、これは周囲温度で自動的に結晶化す る。 得られた結晶をペンタンから再結晶する。このようにして、所望化合物を得た 。Ｍｐ＝３０.１℃。 微量分析 理論 実測 Ｃ ３０.７９ ３０.８ Ｈ ３.６２ ３.６ Ｂｒ ４０.９８ ４０.８製造例３ ：２−（トリブチル錫）−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル １０ｇの２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル（製造例１に記載 のように得た）及び５０ｍｌのヘキサブチル二錫を３００ｍｌのジオキサン中で １ｇの塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの存在下に加熱還流する 。溶媒を減圧下に除去し、残留物を３００ｍｌの酢酸エチルで溶解し、弗化カリ ウム飽和溶液を添加し、次いで濾過し、有機相を塩化ナトリウム飽和溶液により 洗浄し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発させる 。シリカでクロマトグラフィー（溶離剤：ヘキサン−酢酸エチル９８−２）した 後、９.５ｇの所期化合物を得た。製造例４ ：（Ｅ）３−メトキシ−２−トリ−ｎ−ブチルスタンニルプロペン酸メ チル ７５０ｍｇの２−ブロム−３−メトキシ−２−プロペン酸メチルと３.８７ｍ ｌのビス（トリ−ｎ−ブチル）錫を５ｍｌのトルエン中に含有する溶液に１００ ｍｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を周囲温度で攪 拌しながら添加する。混合物を加熱還流し、２４時間攪拌する。冷却した後、３ ０ｍｌのジエチルエーテル及び５ｍｌの弗化カリウム飽和水溶液を添加し、１５ 分間攪拌する。セライトを使用して濾過し、次いで塩化ナトリウム水溶液により 洗浄し、疏酸マグネシウムにより乾燥し、減圧下に蒸発させる。残留物をシリカ でクロマトグラフィー（溶離剤：石油エーテル−酢酸エチル９５−５）により精 製し、所期化合物を得た。 製造例４に記載の態様と同一の態様で操作し、２−ヨード−３−メトキシプロ ペン酸メチルより出発して、（Ｅ）３−メトキシ−２−トリ−ｎ−ブチルスタン ニルプロペン酸メチルを製造した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＵＳ (72)発明者 リチャーズ，イーアン クリストファー イギリス国 シービー10 １エックスエル エセックス，サフロン ウォルデン，チ ェスターフォード パーク （番地なし) (72)発明者 ウィザリントン，ジェイスン イギリス国 バークシア，リーディング, ピー．オー．ボックス 224，ホワイトナ イツ，ユニバーシティ オブ リーディン グ（番地なし)

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 次式（Ｉ） （ここで、Ｒは８個までの炭素原子を含有する置換されていてもよいアルケニル 若しくはアルキニル基、又は置換されていてもよい単環式若しくは多環式のアリ ール若しくはヘテロアリール基を表わし、Ｒ₂及びＲ₃は同一であっても異なって いてもよく、４個までの炭素原子を含有するアルキル基を表わす） の化合物を製造するにあたり、次式（II） （ここで、Ｘはハロゲン原子を表わす） の化合物に次式（III） Ｒ−Ｚ （III） （ここで、Ｒは前記の意味を有し、Ｚは金属又は金属誘導体を表わす） の有機金属化合物を作用させるか、或いは次式（II'） （ここで、Ｚ’は金属又は金属誘導体を表わし、Ｒ₁及びＲ₂は前記の意味を有す る） の化合物に次式（III'） Ｒ−Ｘ’ （III'） （ここで、Ｒは前記の意昧を有し、Ｘ’は求核性反応離脱基を表わす） の化合物を作用させて相当する式（Ｉ）の化合物を得ることを特徴とする、式（ Ｉ）の化合物の製造法。 ２． Ｘが臭素又は沃素原子を表わすことを特徴とする請求項１記載の製造法。 ３． Ｚがアルカリ金属又はアルカリ土類金属、錫、硼素若しくは亜鉛の誘導体 を表わす請求項１又は２記載の製造法。 ４． ＺがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＨａｌ₁、ＺｎＨａｌ₂、Ｓｎ（Ｒ'）₃、Ｂ（Ｏ Ｈ）₂、Ｂ（ＯＲ"）。又はＢ［Ｏ（ＣＨ₂）_nＯ］₂（ここで、Ｈａｌ₁及びＨａｌ₂ はハロゲン原子を表わし、Ｒ’及びＲ”は４個までの炭素原子を含有する直鎖 状又は分岐鎖状のアルキル基を表わし、ｎは１、２、３又は４の整数を表わす） よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製 造法。 ５． Ｚが硼素の誘導体であることを特徴とする請求項４記載の製造法。 ６． 硼素の誘導体がＢ（ＯＨ）₂であることを特徴とする請求項５記載の製造 法。 ７． Ｚが錫の誘導体Ｓｎ（Ｒ'）₃（ここで、Ｒ’は前記の通りである）である ことを特徴とする請求項４記載の製造法。 ８． 錫の誘導体がＳｎ（Ｂｕ）₃であることを特徴とする請求項７記載の製造 法。 ９． 式（II'）の化合物において、Ｚ’が錫、亜鉛、銅、パラジウム又は白金 の誘導体を表わすことを特徴とする請求項１記載の製造法。 １０．Ｚ’が錫の誘導体であることを特徴とする請求項９記載の製造法。 １１．錫の誘導体がＳｎ（Ｒ'）₃であることを特徴とする請求項９記載の製造法 。 １２．式（III'）の化合物がハロゲン化誘導体であることを特徴とする請求項９ 記載の製造法。 １３．ハロゲン化誘導体が沃素化誘導体であることを特徴とする請求項１２記載 の製造法。 １４．式（II）の化合物と式（III）の化合物並びに式（II'）の化合物と式（II I'）の化合物の間の反応がパラジウム触媒又は白金触媒の存在下に行われること を特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の製造法。 １５．パラジウム触媒がＰｄ（ＯＡｃ）₂、ＰｄＣｌ₂ 、Ｐｄ（Ｐφ₃）₄、ＰｄＣｌ₂（ＣＨ₃ＣＮ）₂又はトリス（ジベンジリデン）ジ パラジウムよりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれ かに記載の製造法。 １６．触媒がＰｄ（Ｐφ₃）₄であることを特徴とする請求項１５記載の製造法。 １７．式（II）の化合物と式（III）の化合物並びに式（II'）の化合物と式（II I'）の化合物の間の反応が配位子の存在下に行われることを特徴とする請求項１ 〜１６のいずれかに記載の製造法。 １８．配位子がホスフィン、アルシン、アセトニトリル又はベンゾニトリルであ ることを特徴とする請求項１７記載の製造法。 １９．配位子がＰ（Ａｒ）₃及びＰｄ（Ｐφ₃）₄よりなる群から選択されるホス フィンであることを特徴とする請求項１８記載の製造法。 ２０．式（II）の化合物と式（III）の化合物との間の反応が塩基の存在下に行 われることを特徴とする請求項１〜８及び１４のいずれかに記載の製造法。 ２１．塩基がＮａ₂ＣＯ₃、Ｂａ（ＯＨ）₂、ＮａＯＨ、ＣａＣＯ₃、ＣｓＣＯ₃及 びＫ₃ＰＯ₄よりなる群から選択されることを特徴とする請求項２０記載の製造法 。 ２２．塩基がＮａ₂ＣＯ₃であることを特徴とする請求項２１記載の製造法。 ２３．式（II'）の化合物と式（III'）の化合物との間の 反応が銅塩の存在下に行われることを特徴とする請求項１及び９〜１９のいずれ かに記載の製造法。 ２４．銅塩が沃化第一銅であることを特徴とする請求項２３記載の製造法。 ２５．新規な化合物としての請求項１又は２記載の式（II）の化合物。 ２６．新規な化合物としての２−ヨード−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル 及び２−ブロム−３−メトキシ−２−プロペン酸メチル。 ２７．新規な化合物としての請求項１及び９又は１１記載の式（II'）の化合物 。