JPH0846306A - プリント配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 特性インピーダンス測定が容易なプリント配
線基板を提供する。 【構成】 絶縁体層と、この絶縁体層に設けた伝送用配
線と、絶縁体層の上面または下面の少なくとも１つの面
に設けられたグラウンド層を有する実回路プリント配線
１２を具える。そして、この実回路プリント配線をもっ
た基板の基板面に対して直交する切断面内に現れた実回
路パターンの形状及び寸法関係が同一又は近似した形状
及び寸法を有し、この実回路プリント配線を設けた基板
の角部に、この角部において交わる二つの側壁面のうち
の少なくとも一方の側壁面に擬似回路パターンが現れる
ように設けられた擬似回路パターン１０ａ〜１０ｄを具
えている。この擬似回路パターンは絶縁体層と、絶縁体
層に設けた擬似伝送用配線と、この擬似伝送用配線と対
向かつ離間させて絶縁体層の上側あるいは下側に少なく
とも１つの擬似グラウンドパターンを具えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プリント配線基板、
特に、高速伝送に用いられるプリント配線基板に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の伝送路を有するプリント配線基板
の特性インピーダンスの合否判定を行うには、実回路プ
リント配線を設けた基板に直交させて切断したときの実
回路パターンの形状及び寸法関係を近似させて形成した
専用テストパターン又は専用のテスト基板（テストクー
ポンともいう。）を用いていた。そして、この専用テス
トパターンの内部は、実回路プリント配線と同様に複数
の伝送用配線が絶縁体層の上面あるいは絶縁体層中に埋
め込んである。そして、この伝送用配線が絶縁体層の上
面にあるときは、伝送用配線と対向させて絶縁体層の下
面にグラウンド層を設け、伝送用配線が絶縁体層中に埋
め込まれているときは絶縁体層の上面と下面にグラウン
ド層を設ける。

【０００３】そして、この専用テストパターンを用いて
特性インピーダンスを測定する。このとき、特性インピ
ーダンスが設計で定めたクリアランス内の値であれば良
品とし、クリアランスを外れていれば不良品と判定して
いた。なお、特性インピーダンスを測定する方法として
は、通常ＬＣＲメータによるオープン／ショート法やオ
シロスコープによるＴＤＲ法が採用されており、それぞ
れの測定方法については文献に開示されている（文献：
「平衡ケーブルの特性インピーダンス測定」、ＹＨＰ
編、１９９２年９月、Ｒｅｐｏｒｔ１９３）。この文献
では、伝送ケーブルに対する特性インピーダンス測定方
法について説明しているが、実回路プリント配線にも適
用できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
専用テストパターンを用いて特性インピーダンスを測定
する場合、特性インピーダンス測定の再現性を良くする
ために測定用治具を用いる必要がある。このとき、治具
に取りつけられた同軸コネクタは、嵌合して使うときに
締めつけトルクを調整しておく必要があり、また、キャ
リブレーションの調整（零点調整）に細心の注意を払う
必要があるなど測定上での操作が非常に煩雑であるとい
う問題がある。

【０００５】また、例えば専用テストパターンに２つの
伝送用配線（この２つの伝送用配線を正論理側パター
ン、負論理側パターンとも称する。）が埋め込まれてい
る場合、上述した特性インピーダンス測定用の測定器を
用いて良否判定をすることはできるが、特性インピーダ
ンスの劣化の原因となっているパラメータを専用テスト
パターンから直ちに判断することは難しい。このため、
特性インピーダンスの劣化のパラメータを調べる方法と
して、従来は、専用テストパターンの基板方向に直交さ
せてテスト基板を切断し、その切断面の形状及び寸法関
係を測定して、インピーダンス特性劣化のパラメータを
調べていた。その後、製造ラインにフィードバックする
ため、フィードバックに時間がかかるという問題があっ
た。

【０００６】このため、特性インピーダンスの測定が容
易で、かつ劣化パラメータをただちに製造ラインにフィ
ードバックできるプリント配線基板が望まれていた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このため、この発明のプ
リント配線基板は、絶縁体層と、この絶縁体層に設けら
れた伝送用配線と、絶縁体層の上面または下面の少なく
とも１つの面に設けられたグラウンド層を有する実回路
プリント配線とを具えている。

【０００８】そして、この実回路プリント配線をもった
基板面に対して直交する切断面内に現れた実回路パター
ンの形状及び寸法関係が同一又は近似した形状及び寸法
関係を有し、また、この実回路プリント配線をもった基
板の角部には擬似回路パターンを設けてある。そして、
この擬似回路パターンは、角部において交わる二つの側
壁面のうちの少なくとも一方の側壁面にその端面が現れ
るようにして設けてある。

【０００９】また、擬似回路パターンは、絶縁体層と、
この絶縁体層に設けた擬似伝送用配線と、この擬似伝送
用配線と対向かつ離間させて絶縁体層の上側あるいは下
側に設けた少なくとも１つの擬似グラウンドパターンと
を具えている。

【００１０】

【作用】この発明のプリント配線基板によれば、実回路
パターンの形状及び寸法が同一又は近似した形状及び寸
法関係を有する擬似回路パターンを実回路プリント配線
もった基板の角部に設けてある。また、実回路プリント
配線をもった基板の角部に、この角部において交わる二
つの側壁面のうちの少なくとも一方の側壁面に擬似回路
パターンの端面が現れるように当該擬似回路パターンを
設けている。このため、この擬似回路パターンの所定の
断面寸法を測定することにより、容易に特性インピーダ
ンスを算定することができる。したがって、従来のよう
な特性インピーダンス測定用の測定器を用いずに特性イ
ンピーダンス測定ができるので、測定が簡単になる。し
かも、従来のように専用テストパターンの所定の部分を
切断して実回路パターンの特性インピーダンスの劣化原
因を調べる必要がなくなる。このため、実回路プリント
配線を用いた製品を作製する際の製造ラインへのフィー
ドバックを迅速に行うことができる。

【００１１】また、この擬似回路パターンは、絶縁体層
の上側又は下側に少なくとも１つの擬似グラウンドパタ
ーンを設けてあるので、実回路パターン断面部の積層プ
レス時の影響とほぼ同等な状態を擬似回路パターンに反
映させることができる。このため、擬似回路パターン
は、実回路パターンとほぼ同一の断面の形状及び寸法に
できる。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明のプリント
配線基板の擬似回路パターン及び実回路パターンについ
て説明する。なお、図１〜図１２は、この発明が理解で
きる程度に各構成成分、大きさ及び配置関係を概略的に
示してあるにすぎない。

【００１３】この発明の実施例の擬似回路パターン及び
実回路パターンの説明に先立って、先ず、図１を参照し
てこの発明のプリント配線基板の全体構成について説明
する。

【００１４】この実施例のプリント配線基板１１は、基
板の四つの角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄ（図
中、一点破線の円で示してある）に擬似回路パターン１
０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び１０ｄが設けてある。ただ
し、この擬似回路パターン１０ａ〜１０ｄは、なんら四
つの角部の全部に設ける必要がなく、例えば基板１５の
側壁面１１ａと１１ｃに１か所ずつ設けてあっても良
い。そして、この擬似回路パターン１０ａ，１０ｂ，１
０ｃ及び１０ｄのが形成されていない基板１１の領域に
実回路プリント配線１２が設けてある。

【００１５】また、この実回路プリント配線１２を、例
えば密結合形平衡ラインとする。また、プリント配線基
板１１の端面及び側面は、例えばルータなどを用いて切
削加工を施して平坦性をもたせてある。

【００１６】［第１実施例］次に、図２を参照してこの
発明の第１実施例に用いる実回路パターンを説明する。
なお、図２は、図１のＸ−Ｘ断面に沿って切断したとき
の断面の要部を示す。なお、図中、図をわかりやすくす
るために１２、７０、７１、７５の領域に断面を示すハ
ッチングなどを省略してある。

【００１７】第１実施例の実回路プリント配線１２は、
中間絶縁体層７０を挟んで２つの伝送用配線７２及び７
４を設けている。これらの配線７２及び７４は、上下方
向に中間絶縁体層７０を挟んでそれぞれ対向し、かつ離
間して設けている。ここでは、伝送用配線７２を正論理
側パターンと称し、７４を負論理側パターンと称する。

【００１８】また、中間絶縁体層７０上面には、正論理
側パターン７２を埋め込んで上側絶縁体層７１を具えて
おり、他方、中間絶縁体層７０の下面には負論理側パタ
ーン７４を埋め込んで下側絶縁体層７５を具えている。
なお、中間絶縁体層７０、上側絶縁体層７１及び下側絶
縁体層７５を総称して絶縁体層７７と称する。

【００１９】更に、上側絶縁体層７１上に上側グラウン
ド層７６を具え、下側絶縁体層７５の下面に下側グラン
ド層７８を具えている。

【００２０】実回路パターンの特性インピーダンスを測
定するときは、以下に述べるような断面寸法を測定し
て、計算式より求めることができる。

【００２１】正論理側パターン７２の幅をＷ₁₁及びＷ₁₂
とし、膜厚をｔ₁ とする。一方、負論理側パターン７４
の幅をＷ₂₁及びＷ₂₂とし、膜厚をｔ₂ とする。

【００２２】また、正論理側パターン７２の幅の中心線
と負論理側パターン７４の幅の中心線のずれをｅとす
る。

【００２３】また、上側グランド層７６と上側絶縁体層
７１の接合面から正論理側パターン７２の膜厚の中心線
までの間隔をｈ₁ とし、下側グランド層７８上面と下側
絶縁体層７５の接合面から負論理側パターン７４の膜厚
の中心線までの間隔をｈ₂ とする。

【００２４】更に、正論理側パターン７２の膜厚の中心
線から負論理側パターン７４の膜厚の中心線までの間隔
をＳとする。そして、ｈ₁ ＋ｈ₂ ＋Ｓの加算した間隔
を、Ｈとする。

【００２５】上述した各寸法パラメータを測定すること
により、例えば次式により伝送路の特性インピーダンス
を求めることができる。

【００２６】 Ｚ₀ ＝（α／√ε_r ） ×〔１／｛（Ｗ／Ｈ）／（β−Ｓ／Ｈ） ＋Ｗ／Ｓ＋Ｃ_f0／ε_r ｝〕 （１） また、 Ｃ_f0／ε_r ＝｛Ｈ／γＳ｝×〔 ｌｎ｛σ／（δ−Ｓ／Ｈ）｝＋（Ｓ／Ｈ） ×｛１／（τ−Ｓ／Ｈ）｝×ｌｎ（Ｈ／Ｓ）〕 （２） ただし、ｈ₁ ＝ｈ₂ 、ｔ₁ ＝ｔ₂ 、ｅ＝０、Ｗ₁₁＝Ｗ₁₂
＝Ｗ₂₁＝Ｗ₂₂≡Ｗとし、α、β、γ、δ、σおよびτは
定数とする。また、ε_r は比誘電率とする。

【００２７】［第１実施例の擬似回路パターンの説明］
次に、図３を参照してこの発明の第１実施例の擬似回路
パターンについて説明する。なお、ここでは、一つの角
部の擬似回路パターンのみを説明するが、他の角部の箇
所の他の擬似回路パターンもほぼ同じ断面形状及び寸法
を有している。

【００２８】図３は、第１実施例の擬似回路パターンの
分解斜視図である。

【００２９】第１実施例では、中間絶縁体層２０の表面
及び裏面に１つずつ合計で２つの擬似伝送用配線２６、
２８を面対称になるように設けてある。なお、この中間
絶縁体層２０は、符号を変えて示してあるが、実回路パ
ターンの中間絶縁体層７０と同一のものである。また、
以下、擬似伝送用配線２６を正論理側伝送用配線と称
し、擬似伝送用配線２８を負論理側伝送用配線と称す
る。なお、このとき、正及び負論理側伝送用配線２６及
び２８の材料を例えば銅（Ｃｕ）とする。

【００３０】また、中間絶縁体層２０の上側には、正論
理側伝送用配線２６を埋め込んだ上側絶縁体層３４を具
え、中間絶縁体層２０の下側には負論理側伝送用配線２
８を埋め込んだ下側絶縁体層３６を具えている。なお、
ここでは、中間絶縁体層２０、上側絶縁体層３４及び下
側絶縁体層３６を総称して疑似絶縁体層３７と称し、こ
の疑似絶縁体層３７は、符号を変えて示してあるが実回
路パターンの絶縁体層７７と同一のものである。すなわ
ち、疑似絶縁体層３７として絶縁体層７７を共用してい
る。

【００３１】更に、上側絶縁体層３４上に上側グラウン
ドパターン４２を具え、下側絶縁体層３６上に下側グラ
ウンドパターン４４を具えている。そして、ここでは、
上側グラウンドパターン４２と下側グラウンドパターン
４４を総称して擬似グラウンドパターンと称する。

【００３２】次に、図４の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して正
及び負論理側伝送用配線の構造について説明する。

【００３３】図４の（Ａ）は、短冊形の正及び負論理側
伝送用配線１６及び１８をそれぞれ二つずつ中間絶縁体
層２０に設けた例を説明するための図である。

【００３４】そして、正及び負論理側伝送用配線１６及
び１８を中間絶縁体層２０の表面と裏面との面対称とな
るように設けてある。また、正及び負論理側伝送用配線
１６及び１８の各端面１５及び１７は、中間絶縁体層２
０の壁面にそれぞれ露出している。

【００３５】また、図４の（Ｂ）は、正及び負論理側伝
送用配線２２及び２４の形状が角がＲ付きの（丸みをも
った角をもつ）Ｌ字形をしている例の斜視図である。

【００３６】また、図４の（Ｃ）は、正及び負論理側伝
送用配線２６及び２８の角が直角のＬ字形をしている場
合の斜視図である。なお、Ｌ字形の正及び負論理側伝送
用配線のいずれの端面（この場合には先端面と後端面が
ある。）も中間絶縁体層２０の壁面にそれぞれ露出して
いる。なお、図中、３０及び３２は、端面とする。

【００３７】また、擬似回路パターン１０ａ〜１０ｄの
正及び負論理側伝送用配線２６、２８と擬似絶縁体層３
７の断面形状と寸法は、同一基板の内側に形成されてい
る実回路プリント配線１２（図２参照）の正及び負論理
側パターン７２及び７４と絶縁体層７７の断面形状と寸
法とほぼ同一とするのが好適である。

【００３８】次に、図５の斜視図を用いて第１実施例の
特性インピーダンスを求める方法について説明する。

【００３９】正論理側伝送用配線２６の幅をＷ₁ 及びＷ
₂ とし、膜厚をｔ_1１とする。一方、負論理側伝送用配
線２８の幅をＷ₃ 及びＷ₄ とし、膜厚をｔ₂₁とする。

【００４０】また、正論理側伝送用配線２６の幅の中心
線と負論理側伝送用配線２８の幅の中心線のずれをｅ₀
とする。

【００４１】また、上側グランドパターン４２と上側絶
縁体層３４の接合面から正論理側伝送用配線２６の膜厚
の中心線までの間隔をｈ₁₁とし、下側グランドパターン
４４と下側絶縁体層３６の接合面から負論理側伝送用配
線２８の膜厚の中心線までの間隔をｈ₂₁とする。

【００４２】更に、正論理側伝送用配線２６の膜厚の中
心線から負論理側伝送用配線２８の膜厚の中心線までの
間隔をＳ₀ とする。そして、ｈ₁₁＋ｈ₂₁＋Ｓ₀ の加算し
た間隔を、Ｈ₀ （Ｈ₀ ＝ｈ₁₁＋ｈ₂₁＋Ｓ₀ ）とする。

【００４３】上述した擬似回路パターンの断面寸法を例
えば光学顕微鏡で測定し、測定データ及び幾何光学系パ
ラメータを上述した実回路パターンに用いた計算式と同
じ式に代入して、特性インピーダンスを求めることがで
きる。

【００４４】ここでは、ｈ₁₁＝ｈ₂₁、ｔ₁₁＝ｔ₂₁、ｅ＝
０、Ｗ₁ ＝Ｗ₂ ＝Ｗ₃ ＝Ｗ₄ ≡Ｗ₀とするとき特性イン
ピーダンスＺ₀ は（３）式で表わされる。

【００４５】 Ｚ₀ ＝（α／√ε_r ） ×〔１／｛（Ｗ₀ ／Ｈ₀ ）／（β−Ｓ／Ｈ₀ ）＋Ｗ₀ ／Ｓ ＋Ｃ_f0／ε_r ｝〕 （３） また、 Ｃ_f0／ε_r ＝｛Ｈ₀ ／γＳ₀ ｝×〔 ｌｎ｛σ／（δ−Ｓ₀ ／Ｈ₀ ） ＋（Ｓ₀ ／Ｈ₀ ）×｛１／（τ−Ｓ₀ ／Ｈ₀ ）｝ ×ｌｎ（Ｈ₀ ／Ｓ₀ ）〕 （４） ただし、α、β、γ、δ、σおよびτを定数とする。

【００４６】第１実施例では、従来のように測定器を用
いた煩雑な特性インピーダンス測定をする必要がないの
で、測定方法が極めて簡単になる。また、実回路プリン
ト配線をもった基板を切断破壊して特性劣化のパラメー
タを調べる必要もなくなるので、製造ラインへのフィー
ドバックが迅速になる。

【００４７】［第２実施例］次に、図６及び図７を参照
して正及び論理側伝送用配線が左右方向に平行に設けた
擬似実回路パターン及び実回路パターンの例について説
明する。

【００４８】先ず、図６を参照して実回路パターンの説
明をする。第２実施例の実回路パターンは、正論理側伝
送用配線８２と負論理側伝送用配線８４、中間絶縁体層
８０、上側絶縁体層８１、下側絶縁体層８３、上側グラ
ウンド層８６及び下側グラウンド層８８から構成されて
いる。

【００４９】また、この実施例では、下側絶縁体層８３
上に正論理側伝送用配線８２と負論理側伝送用配線８４
とが左右方向に平行に離間して設けてある。

【００５０】ここでは、正論理側伝送用配線８２の幅を
Ｗ₁₁及びＷ₁₂とし、負論理側伝送用配線８４の幅をＷ₂₁
及びＷ₂₂とする。また、正及び負論理側伝送用配線８
２、８４の膜厚をｔとする。正論理側伝送用配線幅の中
心線と負論理側伝送用配線幅の中心線間の間隔をＰとす
る。更に、正論理側伝送用配線８２と負論理側伝送用配
線８４間の間隔をＳとする。

【００５１】上側グラウンド層８６と上側絶縁体層８１
の接合面から正及び負論理側伝送用配線８２及び８４の
膜厚の中心線間の間隔をｈ₁ とし、下側グラウンド層８
８と下側絶縁体層８３の接合面から正及び負論理側伝送
用配線８２及び８４の膜厚の中心線間の間隔をｈ₂ とす
る。ｈ₁ とｈ₂ を加えたものをＨとする。

【００５２】上述した断面の各寸法を用いて特性インピ
ーダンスは例えば次式により計算できる（「ＳＴＲＩＰ
ＬＩＮＥ ＣＩＲＣＵＩＴ ＤＥＳＩＧＮ」、Ｈａｒｌ
ａｎＨｏｗｅ，Ｊｒ．、ＡＲＴＥＣＨ ＨＯＵＳＥ、Ｉ
ＮＣ．，１９７４年参照）。

【００５３】 Ｚ_o ＝（α／√ε_r ）／〔（Ｗ／Ｈ）＋β ＋γ×ｌｎ｛１＋ｃｏｔｈ（δ×Ｓ／Ｈ）｝〕 （５） ただし、Ｗ₁₁＝Ｗ₁₂＝Ｗ₂₁＝Ｗ₂₂≡Ｗ、ｈ₁ ＝ｈ₂ と
し、α、β、γ及びδは定数とする。また、ε_r は比誘
電率とする。

【００５４】次に、図７を参照して第２実施例の擬似回
路パターンについて説明する。

【００５５】図７は、第２実施例の擬似回路パターンの
分解斜視図である。

【００５６】第２実施例では、下側絶縁体層４６上に互
いに相似形の直角の角を有するＬ字形の正及び負論理側
伝送用配線４８及び５０が左右方向に平行に並べて配設
してある。そして、下側絶縁体層４６の上面には、正及
び負論理側伝送用配線４８及び５０を埋め込んだ中間絶
縁体層５２を具えている。更に、中間絶縁体層５２上に
上側絶縁体層５４を具えている。

【００５７】また、正及び論理側伝送用配線４８、５０
に対向させて上側絶縁体層５４上には上側グラウンドパ
ターン５６を設け、下側絶縁体層４６の下面には下側グ
ラウンドパターン５８を設けてある。

【００５８】第２実施例の擬似回路パターンは、第２実
施例の実回路パターンとほぼ同一断面形状と寸法とで形
成してあるので、（５）式を用いて特性インピーダンス
を測定することができる。

【００５９】［第３実施例］次に、図８及び図９を参照
して第３実施例の実回路パターン及び擬似回路パターン
について説明する。

【００６０】この擬似回路パターンの説明に先立って先
ず、図８を参照して第２実施例の実回路パターンの形状
を説明する。

【００６１】第３実施例の実回路パターンでは、不平衡
ラインであり、絶縁体層中に１つの伝送用配線９２を埋
め込んである。この伝送用配線９２は、下側絶縁体層９
３上に設けられており、更に、この伝送用配線９２を中
間絶縁体層９０で埋め込んである。そして、中間絶縁体
層９０上に上側絶縁体層９１を具えている。

【００６２】また、上側絶縁体層９１上には上側グラウ
ンド層９４を具え、下側絶縁体層９３の下面には下側グ
ラウンド層９６を具えている。

【００６３】また、第３実施例の断面寸法は以下の通り
とする。

【００６４】伝送用配線９２の幅をＷ₁₁及びＷ₁₂とし、
膜厚をｔとする。また、上側グラウンド層９４と上側絶
縁体層９１との接合面から伝送用配線９２の膜厚の中心
線までの間隔をｈ₁ とし、下側グラウンド層９６と下側
絶縁体層９３との接合面から伝送用配線９２の膜厚の中
心線までの間隔をｈ₂ とする。そして、ｈ₁ ＋ｈ₂ をＨ
とする。

【００６５】上述した各断面寸法を用いて例えば次式に
より特性インピーダンスを計算式より求めることができ
る（信学技報、電子部品・材料（ＣＰＭ８５−２９）、
「多層回路基板の電気的特性の一評価」、武井著、電子
通信学会、１９８５年７月号参照）。

【００６６】 Ｚ₀ ＝ α／〔√ε_r ×｛３Ｗ／２ｈ₁ ＋Ｗ／（Ｈ−ｈ₁ ）＋β｝〕（６） ただし、Ｗ₁₁＝Ｗ₁₂＝Ｗとし、α、βは定数とする。
尚、ε_r は比誘電率とする。

【００６７】次に、図９を参照して第３実施例の擬似回
路パターンについて説明する。

【００６８】第３実施例では、実回路プリント配線基板
の角部に１つの伝送用配線４７を具えている。

【００６９】下側絶縁体層４６上に伝送用配線４７を具
えている。そして、この伝送用配線４７の先端部４９と
後端部５１は、それぞれ下側絶縁体層４６の壁面に露出
している。更に、下側絶縁体層上には、伝送用配線４７
を埋め込んだ中間絶縁体層５２を具えている。

【００７０】また、中間絶縁体層５２上に上側絶縁体層
５４を具えている。また、伝送用配線４７に対向させて
上側絶縁体層５４上には上側グラウンドパターン５６を
具え、下側絶縁体層４６の下面には下側グラウンドパタ
ーン５８を具えている。

【００７１】第３実施例の特性インピーダンスを測定す
るときは、擬似回路パターンが実回路パターンとほぼ同
一の断面寸法であるので、上述した（６）式が適用でき
る。したがって、擬似回路パターンの各測定寸法を
（６）式に代入して特性インピーダンスを求めることが
できる。

【００７２】［第４実施例］次に、図１０及び図１１を
参照してこの発明の第４実施例の実回路パターン及び擬
似実回路パターンについて説明する。

【００７３】第４実施例の擬似回路パターンの説明に先
立ち、図１０を参照して実回路パターンの形状について
説明する。

【００７４】第４実施例の実回路パターンは、絶縁体層
９８上に伝送用配線１００を具えている。また、絶縁体
層９８の下面にのみ下側グラウンド層１０２を具えてい
る。また、第４実施例の断面寸法を次の通りとする。

【００７５】伝送用配線１００の幅をＷ₁₁及びＷ₁₂と
し、膜厚をｔとする。そして、絶縁体層９８の上面から
この絶縁体層９８と下側グラウンド層１０２の接合面ま
での間隔をｈとする。

【００７６】このとき、特性インピーダンスは、例えば
次式により計算で求めることができる（「例題演習マイ
クロ波回路」、倉石著、東京電機大学出版局、１９８３
年，Ｐ１８７参照）。

【００７７】 Ｚ₀ ＝｛４２．４／√（ε_r ＋１）｝ ×ｌｎ｛１＋（４ｈ／Ｗ’）×（ｂ＋√（ｂ² ＋ａπ² ））｝ （７） ただし、ａ＝（１＋１／ε_r ）／２ ｂ＝｛（１４＋８／ε_r ）／１１｝×（４ｈ／Ｗ’） Ｗ’＝Ｗ＋ａ×ΔＷ ΔＷ＝（ｔ／π）×｛１＋ｌｎ（４／√ｃ）｝ ｃ＝（ｔ／ｈ）² ＋｛１／｛π×（Ｗ／ｔ＋１．１）｝
² とする。

【００７８】また、Ｗ₁₁＝Ｗ₁₂＝Ｗとし、ε_r は比誘電
率とする。

【００７９】次に、図１１を参照して第４実施例の擬似
回路パターンについて説明する。

【００８０】第４実施例は、絶縁体層６０と伝送用配線
６２と下側グラウンドパターン６４とから構成されてい
る。

【００８１】絶縁体層６０上に伝送用配線６２を具えて
いる。このとき、伝送用配線６２の端面６１及び端面６
３は、絶縁体層６０の角部の側壁面にそれぞれ露出して
いる。そして、絶縁体層６０の下面には下側グラウンド
パターン６４を具えている。

【００８２】第４実施例の特性インピーダンスを測定す
るときは、第４実施例の実回路パターンで説明した断面
寸法とほぼ同一の擬似回路パターンの寸法を測定して上
述した（７）式を用いて特性インピーダンスを求めるこ
とができる。

【００８３】図１２は、擬似回路パターンが多層配線の
場合のときの斜視図である。

【００８４】擬似回路パターンが多層配線の場合、第１
実施例から第４実施例の擬似回路パターンを積層してお
けば良い。ここで、絶縁体層を２０、３４、、３５、３
６、４６、５２及び６０で表し、伝送用配線を２６、２
８、４８、５０及び６２で表す。

【００８５】また、擬似グラウンドパターンを４４、４
７、５８及び６４で表す。

【００８６】第１実施例〜第４実施例では、そのいずれ
の擬似回路パターンも実回路パターンとほぼ同一断面形
状に形成してあるので、擬似回路パターンの所定の断面
寸法を光学顕微鏡を用いて測定することにより、特性イ
ンピーダンスが求めることができる。このため、従来の
ような特性インピーダンス測定器を用いなくても良いの
で、測定の煩雑さが低減され、特性インピーダンスの測
定が簡単になる。

【００８７】更に、特性インピーダンス測定による合否
判定で不良になったときに、擬似回路パターンから劣化
原因のパラメータの要因を見つけることができるので、
製造ラインへのフィードバックが迅速になる。

【００８８】また、擬似回路パターンには、伝送用配線
よりも広い大きさで擬似グラウンドパターンを設けてあ
るので、積層プレス時の影響をプリント配線基板と同様
の状態にすることができる。

【００８９】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のプリント配線基板は、実回路パターンの形状及
び寸法関係と同一又は近似させて擬似回路パターンを実
回路プリント配線をもった基板の角部に設けてある。こ
のため、この擬似回路パターンの絶縁体層と擬似伝送用
配線と擬似グラウンドパターンの断面寸法を光学顕微鏡
で測定することにより、容易に実回路パターンの特性イ
ンピーダンスを算定することができる。

【００９０】また、従来のように特性インピーダンス測
定の際に測定器を用いる必要がなくなるので、測定の煩
雑さがなくなる。したがって、測定が簡単で測定の再現
性も良くなる。

【００９１】また、擬似回路パターンを実回路プリント
配線をもった基板の四つの角部に設けてあるので、実回
路パターンの状態を更に精度良く擬似回路パターンに反
映することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のプリント配線基板の全体構成を説明
するために供する概略構成図である。

【図２】この発明の第１実施例の実回路プリント配線を
図１のＸ−Ｘ線に沿って切断したときの実回路パターン
の断面図である。

【図３】この発明の第１実施例の擬似回路パターンを説
明するために供する分解斜視図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の正及び負論理側
伝送用配線の構造を説明するために供する斜視部であ
る。

【図５】この発明の第１実施例の擬似回路パターンの断
面寸法を説明するために供する斜視図である。

【図６】この発明の第２実施例の実回路プリント配線を
図１のＸ−Ｘ線に沿って切断したときの実回路パターン
の断面図である。

【図７】この発明の第２実施例の擬似回路パターンを説
明するために供する分解斜視図である。

【図８】この発明の第３実施例の実回路プリント配線を
図１のＸ−Ｘ線に沿って切断したときの実回路パターン
の断面図である。

【図９】この発明の第３実施例の擬似回路パターンを説
明するために供する分解斜視図である。

【図１０】この発明の第４実施例の実回路プリント配線
を図１のＸ−Ｘ線に沿って切断したときの実回路パター
ンの断面図である。

【図１１】この発明の第４実施例の擬似回路パターンを
説明するために供する分解斜視図である。

【図１２】この発明の多層配線を有する擬似回路パター
ンの斜視図である。

【符号の説明】

１０ａ〜１０ｄ：擬似回路パターン １１：プリント配線基板 １２：実回路プリント配線 １５、３０：端面 １６、２２、２６：正論理側伝送用配線 １７、３２：端面 １８、２４、２８：負論理側伝送用配線 ２０、７０：中間絶縁体層 ３４、７１：上側絶縁体層 ３６、７５：下側絶縁体層 ３７：疑似絶縁体層 ４２：上側グラウンドパターン ４４：下側グラウンドパターン ７６：上側グラウンド層 ７７：絶縁体層 ７８：下側グラウンド層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体層と、該絶縁体層に設けられた伝
   送用配線と、前記絶縁体層の上面又は下面の少なくとも
   １つの面に設けられたグラウンド層を有する実回路プリ
   ント配線を具え、 前記実回路プリント配線をもった基板面に対して直交す
   る切断面内に現れた実回路パターンの形状及び寸法関係
   が同一又は近似した形状及び寸法関係を有し、 前記実回路プリント配線をもった基板の角部に、該角部
   において交わる二つの側壁面のうちの少なくとも一方の
   側壁面に擬似回路パターンの端面が現れるように設けた
   当該擬似回路パターンを具え、 該擬似回路パターンは、前記絶縁体層と、該絶縁体層に
   設けた擬似伝送用配線と、前記擬似伝送用配線と対向か
   つ離間させて前記絶縁体層の上側あるいは下側に設けた
   少なくとも１つの擬似グラウンドパターンとを具えてい
   ることを特徴とするプリント配線基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のプリント配線基板にお
   いて、 前記擬似回路パターンを、前記実回路プリント基板の四
   つの角部に設けてあることを特徴とするプリント配線基
   板。