JPH0846300A - 量子井戸を有する半導体構造における波長のシフト方法 - Google Patents
量子井戸を有する半導体構造における波長のシフト方法Info
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- JPH0846300A JPH0846300A JP7081290A JP8129095A JPH0846300A JP H0846300 A JPH0846300 A JP H0846300A JP 7081290 A JP7081290 A JP 7081290A JP 8129095 A JP8129095 A JP 8129095A JP H0846300 A JPH0846300 A JP H0846300A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、量子井戸を有する半導体構造にお
ける波長のシフト方法を提供する。 【構成】 ＩＩＩ−Ｖ型半導体構造（１）の上面（４）
から、内部の量子構造（１０）の井戸と障壁の間に元素
の相互拡散を熱誘導する。この相互拡散は、振幅変調器
を構成するためにその特性波長をシフトしなければなら
ないセグメント（ＳＣ）中でのみ実施され、構造のもう
一方のセグメント（ＳＬ）はレーザ発信器を構成するた
めにブラグ格子（２２）を含む。本発明によれば、この
相互拡散は、誘電体密封層（２０）によって上面（４）
と接触した状態に維持されるインジウム層（１８）によ
って誘導される。本発明は、特に光遠隔通信に適用され
る。
ける波長のシフト方法を提供する。 【構成】 ＩＩＩ−Ｖ型半導体構造（１）の上面（４）
から、内部の量子構造（１０）の井戸と障壁の間に元素
の相互拡散を熱誘導する。この相互拡散は、振幅変調器
を構成するためにその特性波長をシフトしなければなら
ないセグメント（ＳＣ）中でのみ実施され、構造のもう
一方のセグメント（ＳＬ）はレーザ発信器を構成するた
めにブラグ格子（２２）を含む。本発明によれば、この
相互拡散は、誘電体密封層（２０）によって上面（４）
と接触した状態に維持されるインジウム層（１８）によ
って誘導される。本発明は、特に光遠隔通信に適用され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は全般的に、量子井戸を有
する半導体構造において波長をシフトする方法に関す
る。本発明は特に、同じＩＩＩ−Ｖ型半導体構造の連続
する２つのセグメントの形態でレーザと振幅変調器を統
合することに適用され、この２つのセグメントが、その
導波層の特性波長が互いに異なる、レーザ・セグメント
と変調器セグメントを構成する。この統合によって得ら
れる光コンポーネントは、光ファイバ通信システムで利
用される。
する半導体構造において波長をシフトする方法に関す
る。本発明は特に、同じＩＩＩ−Ｖ型半導体構造の連続
する２つのセグメントの形態でレーザと振幅変調器を統
合することに適用され、この２つのセグメントが、その
導波層の特性波長が互いに異なる、レーザ・セグメント
と変調器セグメントを構成する。この統合によって得ら
れる光コンポーネントは、光ファイバ通信システムで利
用される。
【０００２】
【従来の技術】このような統合を実現するための方法は
多数知られている。その最初のものは、「突合せ結合」
(butt-coupling method)と呼ばれ、B. GarrettとE. J.
Thrushの論文（J. Crys, Growth 、97 （1989） 273
）に記載されている。
多数知られている。その最初のものは、「突合せ結合」
(butt-coupling method)と呼ばれ、B. GarrettとE. J.
Thrushの論文（J. Crys, Growth 、97 （1989） 273
）に記載されている。
【０００３】上記の方法は、ステップ数が多いという欠
点をもつ。
点をもつ。
【０００４】この欠点はT. Kats, T. Sanaki, K. Komat
su及びJ. Mits の論文（Electron-Letters. 28 (1992)
153 ）に記載の既知の第２の方法では回避される。
su及びJ. Mits の論文（Electron-Letters. 28 (1992)
153 ）に記載の既知の第２の方法では回避される。
【０００５】この第２の方法は、レーザ・セグメントの
境界を定める誘電性マスクによって限定される領域内で
の選択的エピタキシアル成長を含む。この場合、２つの
セグメントの特性波長に差が現れる。これは、マスクで
覆われたゾーンから開口するゾーンへの気体種の拡散に
よって引き起こされる厚さ及び組成の違いから生じるも
のである。実際に、この方法は低圧有機金属気相エピタ
キシ（ＬＰ−ＯＭＶＰＥ）だけで実施することができ
る。この方法では、技術開発に時間がかかる。
境界を定める誘電性マスクによって限定される領域内で
の選択的エピタキシアル成長を含む。この場合、２つの
セグメントの特性波長に差が現れる。これは、マスクで
覆われたゾーンから開口するゾーンへの気体種の拡散に
よって引き起こされる厚さ及び組成の違いから生じるも
のである。実際に、この方法は低圧有機金属気相エピタ
キシ（ＬＰ−ＯＭＶＰＥ）だけで実施することができ
る。この方法では、技術開発に時間がかかる。
【０００６】既知の第３の方法は、「局所誘導相互拡
散」と呼ぶことができる。この方法は、上記の欠点を避
けることができ、J. Y. Emery 、L. Golstein 、C. Sta
rk、P.Pagnod-Rossiaux、J. L. Peyre 、F. Gabarit、
C. Labourie 、F. H. Julien及びC. Francis等の論文
（Proceedings of the Fifth International Conferenc
eon InP. and Related Materials, paris 1993, p.1
（事後提出論文））に記載されている。
散」と呼ぶことができる。この方法は、上記の欠点を避
けることができ、J. Y. Emery 、L. Golstein 、C. Sta
rk、P.Pagnod-Rossiaux、J. L. Peyre 、F. Gabarit、
C. Labourie 、F. H. Julien及びC. Francis等の論文
（Proceedings of the Fifth International Conferenc
eon InP. and Related Materials, paris 1993, p.1
（事後提出論文））に記載されている。
【０００７】以下に、この方法について詳述する。
【０００８】この方法は、工業的製造に移し難く、また
結果の再現性が悪いという欠点がある。
結果の再現性が悪いという欠点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特に上記の
欠点を簡単な方法で回避することを目的とする。
欠点を簡単な方法で回避することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、量子井戸を有
する半導体構造における波長のシフト方法を提供する。
この方法は、量子構造の井戸と障壁の構成元素の相互拡
散を含む。この量子構造は、ＩＩＩ−Ｖ型半導体構造の
内部にある。相互拡散は、この半導体構造の上面から熱
誘導される。この方法は、この相互拡散が、半導体構造
の前記面に接触して凝縮した状態（condensed state ）
に維持される誘導材料の層によって誘導されることを特
徴とする。
する半導体構造における波長のシフト方法を提供する。
この方法は、量子構造の井戸と障壁の構成元素の相互拡
散を含む。この量子構造は、ＩＩＩ−Ｖ型半導体構造の
内部にある。相互拡散は、この半導体構造の上面から熱
誘導される。この方法は、この相互拡散が、半導体構造
の前記面に接触して凝縮した状態（condensed state ）
に維持される誘導材料の層によって誘導されることを特
徴とする。
【００１１】次に、添付の図面を参照しながら、本発明
がどのように実施できるかを非限定的な例としてより詳
細に説明する。同一要素が複数の図に出てくる場合は、
同じ参照記号で表すことにする。
がどのように実施できるかを非限定的な例としてより詳
細に説明する。同一要素が複数の図に出てくる場合は、
同じ参照記号で表すことにする。
【００１２】
【実施例】まず最初に、本発明による方法と前述の既知
の第３の方法に共通する様々なステップについて述べ
る。
の第３の方法に共通する様々なステップについて述べ
る。
【００１３】第１の共通ステップにおいて、ＩＩＩ族元
素としてインジウムとガリウムを含み、Ｖ族元素として
リンとヒ素を含む、ＩＩＩ−Ｖ型半導体材料からなる単
結晶性の出発構造を形成する。この材料中のリンとヒ素
の含有量の比を、以下ではこの材料のリン／ヒ素比と称
する。この構造は、縦方向Ｘ、横方向Ｙ及び垂直方向Ｚ
を規定する。この構造は、この垂直方向に沿ってこの構
造の下面２から上面４へと連続する以下の層を備える。
素としてインジウムとガリウムを含み、Ｖ族元素として
リンとヒ素を含む、ＩＩＩ−Ｖ型半導体材料からなる単
結晶性の出発構造を形成する。この材料中のリンとヒ素
の含有量の比を、以下ではこの材料のリン／ヒ素比と称
する。この構造は、縦方向Ｘ、横方向Ｙ及び垂直方向Ｚ
を規定する。この構造は、この垂直方向に沿ってこの構
造の下面２から上面４へと連続する以下の層を備える。
【００１４】下部閉込め層６：この層はＩｎＰからな
り、厚さが少なくとも２００ｎｍである。これは、第１
の導電型、たとえばｎ型である。この層は、同じ導電型
の厚さ３００μｍの基板８上に形成される。
り、厚さが少なくとも２００ｎｍである。これは、第１
の導電型、たとえばｎ型である。この層は、同じ導電型
の厚さ３００μｍの基板８上に形成される。
【００１５】量子構造１０：この構造は、垂直方向に交
互に連続する、Ｐ２、Ｐ３などの量子井戸とＢ１、Ｂ
２、Ｂ３などの障壁とからなる。井戸の数はたとえば６
個である。これらの井戸と障壁の間に境界面ＳＦが現れ
る。井戸の材料のリン／ヒ素比は、障壁の材料のリン／
ヒ素比と異なる。この量子構造は、この比ならびに各層
の厚さとＩＩＩ族元素の含有量に依存するある特性波
長、たとえば１．５μｍの特性波長を有する。この第１
ステップにおいては、この波長は縦方向に沿って一定で
ある。
互に連続する、Ｐ２、Ｐ３などの量子井戸とＢ１、Ｂ
２、Ｂ３などの障壁とからなる。井戸の数はたとえば６
個である。これらの井戸と障壁の間に境界面ＳＦが現れ
る。井戸の材料のリン／ヒ素比は、障壁の材料のリン／
ヒ素比と異なる。この量子構造は、この比ならびに各層
の厚さとＩＩＩ族元素の含有量に依存するある特性波
長、たとえば１．５μｍの特性波長を有する。この第１
ステップにおいては、この波長は縦方向に沿って一定で
ある。
【００１６】第１の導電型とは反対の第２の導電型（ｐ
型）の上部閉込め層１２：この層はＩｎＰからなり、厚
さが少なくとも３００ｎｍである。この構造は、２つの
閉込め層の間を順方向に流れるバイアス電流が、量子構
造１０中に２つの逆のタイプの電荷担体を注入させるよ
うになっている。この注入によって、この量子構造の特
性波長を有する光波の選択的増幅が可能になる。
型）の上部閉込め層１２：この層はＩｎＰからなり、厚
さが少なくとも３００ｎｍである。この構造は、２つの
閉込め層の間を順方向に流れるバイアス電流が、量子構
造１０中に２つの逆のタイプの電荷担体を注入させるよ
うになっている。この注入によって、この量子構造の特
性波長を有する光波の選択的増幅が可能になる。
【００１７】この方法は、次に以下のステップを含む。
【００１８】−出発構造の長さに沿って、シフトされた
波長を有するセグメントＳＭと維持された波長を有する
セグメントＳＬとを構成する２つの分離されたセグメン
トを規定する。
波長を有するセグメントＳＭと維持された波長を有する
セグメントＳＬとを構成する２つの分離されたセグメン
トを規定する。
【００１９】−シフトされた波長を有するセグメントＳ
Ｍにおいては出発構造の上面４を露出させ、維持された
波長を有するセグメントＳＬにおいてはこの上面４を覆
うように、保護層１４を形成する。この層はたとえば厚
さ３００ｎｍの誘電体である。
Ｍにおいては出発構造の上面４を露出させ、維持された
波長を有するセグメントＳＬにおいてはこの上面４を覆
うように、保護層１４を形成する。この層はたとえば厚
さ３００ｎｍの誘電体である。
【００２０】−シフト・ステップにおいて、この上面を
相互拡散温度で拡散誘導材料の作用にさらす。この材料
の濃度とこの温度は、上部閉込め層１２の表面部分１３
に影響を与える改質を引き起こし、それによって上部閉
込め層を介して量子構造１０中にＶ族元素の相互拡散を
誘導するのに十分なものである。この相互拡散により、
リンとヒ素が量子構造１０の境界面ＳＦを横切って拡散
し、それにより、この層の特性波長の所望の局所的シフ
トを引き起こす。この改質、相互拡散及びシフトは、少
なくとも、維持された波長を有するセグメントＳＬにお
いては保護層１４によって制限される。
相互拡散温度で拡散誘導材料の作用にさらす。この材料
の濃度とこの温度は、上部閉込め層１２の表面部分１３
に影響を与える改質を引き起こし、それによって上部閉
込め層を介して量子構造１０中にＶ族元素の相互拡散を
誘導するのに十分なものである。この相互拡散により、
リンとヒ素が量子構造１０の境界面ＳＦを横切って拡散
し、それにより、この層の特性波長の所望の局所的シフ
トを引き起こす。この改質、相互拡散及びシフトは、少
なくとも、維持された波長を有するセグメントＳＬにお
いては保護層１４によって制限される。
【００２１】このようにして実現される波長のシフト
は、青色シフトである。このシフトの大きさは数十ナノ
メートルである。維持された波長及びシフトされた波長
は、たとえば１４９０ｎｍと１４２０ｎｍである。
は、青色シフトである。このシフトの大きさは数十ナノ
メートルである。維持された波長及びシフトされた波長
は、たとえば１４９０ｎｍと１４２０ｎｍである。
【００２２】−最後に、このように改質された出発構造
の上面４をエッチングして、維持された波長を有するセ
グメントＳＬにおける保護層１４を除去し、かつシフト
された波長を有するセグメントＳＭにおける上部閉込め
層１２の改質された表面部分１３を除去する。これによ
って、維持された波長を有する前記セグメント及びシフ
トされた波長を有する前記セグメントを通してバイアス
電流を伝導でき、この２つのセグメント中で異なる特性
波長を有する、局所的にシフトされた波長を有する構造
１６が得られる。
の上面４をエッチングして、維持された波長を有するセ
グメントＳＬにおける保護層１４を除去し、かつシフト
された波長を有するセグメントＳＭにおける上部閉込め
層１２の改質された表面部分１３を除去する。これによ
って、維持された波長を有する前記セグメント及びシフ
トされた波長を有する前記セグメントを通してバイアス
電流を伝導でき、この２つのセグメント中で異なる特性
波長を有する、局所的にシフトされた波長を有する構造
１６が得られる。
【００２３】この上記の既知の第３の方法では、シフト
・ステップは、誘導材料としてリンを含む密封アンプル
にこの構造を入れるステップを含む。次に、このアンプ
ルを相互拡散温度に加熱して、前述の構造の上面を前述
の材料の高い蒸気圧にさらす。相互拡散温度は、６００
〜７００℃である。
・ステップは、誘導材料としてリンを含む密封アンプル
にこの構造を入れるステップを含む。次に、このアンプ
ルを相互拡散温度に加熱して、前述の構造の上面を前述
の材料の高い蒸気圧にさらす。相互拡散温度は、６００
〜７００℃である。
【００２４】本発明によれば、シフト・ステップ自体は
以下のステップを含む。
以下のステップを含む。
【００２５】−出発構造１の上面４上に前記誘導材料の
層１８を堆積する。この誘導材料は、元素同期律表の第
ＩＩＩ欄及び第Ｖ欄から選択すると好都合であり、イン
ジウムから構成されるのが好ましい。
層１８を堆積する。この誘導材料は、元素同期律表の第
ＩＩＩ欄及び第Ｖ欄から選択すると好都合であり、イン
ジウムから構成されるのが好ましい。
【００２６】−この誘導材料層の上に、相互拡散温度に
耐えるリーク防止用密封層２０を堆積する。この層は、
たとえば厚さが５０ｎｍの誘電体である。
耐えるリーク防止用密封層２０を堆積する。この層は、
たとえば厚さが５０ｎｍの誘電体である。
【００２７】−最後に、出発構造を６００〜７００℃で
ある相互拡散温度に加熱する。
ある相互拡散温度に加熱する。
【００２８】この密封層は、この温度での誘導材料の蒸
発、リークまたは酸化を防止する。したがって、この構
造を密封アンプルに入れるステップの欠点が回避され
る。密封層で保護された前述の構造を、数回アニールし
て、所望の値の波長シフトを精度よく得ることができ
る。実際には、このシフトは、相互拡散温度で実施され
るアニール操作の全持続時間の関数として直線的に変化
することがわかる。その上、インジウムは、均一な厚さ
を有する薄い層の形で容易に堆積させることができる。
この厚さは通常３〜３００ｎｍであり、約１０〜５０ｎ
ｍとすることが好ましい。
発、リークまたは酸化を防止する。したがって、この構
造を密封アンプルに入れるステップの欠点が回避され
る。密封層で保護された前述の構造を、数回アニールし
て、所望の値の波長シフトを精度よく得ることができ
る。実際には、このシフトは、相互拡散温度で実施され
るアニール操作の全持続時間の関数として直線的に変化
することがわかる。その上、インジウムは、均一な厚さ
を有する薄い層の形で容易に堆積させることができる。
この厚さは通常３〜３００ｎｍであり、約１０〜５０ｎ
ｍとすることが好ましい。
【００２９】上記の相互拡散温度の範囲は、量子構造１
０中の境界面ＳＦを横切るＩＩＩ族元素の拡散と、下部
閉込め層６及び上部閉込め層１２からこの量子構造への
ドープ材料の拡散とを同時に防止するのに十分なだけ低
いものである。
０中の境界面ＳＦを横切るＩＩＩ族元素の拡散と、下部
閉込め層６及び上部閉込め層１２からこの量子構造への
ドープ材料の拡散とを同時に防止するのに十分なだけ低
いものである。
【００３０】保護層１４と密封層２０は、シリカＳｉＯ
2 や窒化シリコンＳｉ3 Ｎ4 等の通常使用される誘電体
材料から構成することが好ましい。
2 や窒化シリコンＳｉ3 Ｎ4 等の通常使用される誘電体
材料から構成することが好ましい。
【００３１】光ファイバ通信システム用のコンポーネン
ト作成の一環として、局所的にシフトされた波長を有す
る前述の構造１６における下面２及び上面４に電極Ｅ
Ｌ、ＥＭ、ＥＣを形成する。上面４上にはセグメントＳ
Ｌ中のレーザ電極ＥＬ及びセグメントＳＭ中の変調器電
極ＥＭがあり、下面２上には共通電極ＥＣがある。
ト作成の一環として、局所的にシフトされた波長を有す
る前述の構造１６における下面２及び上面４に電極Ｅ
Ｌ、ＥＭ、ＥＣを形成する。上面４上にはセグメントＳ
Ｌ中のレーザ電極ＥＬ及びセグメントＳＭ中の変調器電
極ＥＭがあり、下面２上には共通電極ＥＣがある。
【００３２】その上、この構造中には、たとえばブラグ
格子２２によって共鳴空洞が形成されている。このブラ
グ格子は、出発構造の上部閉込め層１２中に位置する。
格子２２によって共鳴空洞が形成されている。このブラ
グ格子は、出発構造の上部閉込め層１２中に位置する。
【００３３】このようにして、発信器と変調器を統合し
た形で含む半導体光コンポーネントが提供される。発信
器は、維持された波長を有するセグメント中で正の利得
を示すレーザ発信器である。変調器は、シフトされた波
長を有するセグメント中でこの発信器の光を変調する。
通常、共鳴空洞２２は維持された波長を有するセグメン
トＳＬ中に形成され、変調器は発信器の光の振幅を変調
する。
た形で含む半導体光コンポーネントが提供される。発信
器は、維持された波長を有するセグメント中で正の利得
を示すレーザ発信器である。変調器は、シフトされた波
長を有するセグメント中でこの発信器の光を変調する。
通常、共鳴空洞２２は維持された波長を有するセグメン
トＳＬ中に形成され、変調器は発信器の光の振幅を変調
する。
【図１】本発明の方法によって形成される波長シフト構
造を含む光コンポーネントの縦断面図である。
造を含む光コンポーネントの縦断面図である。
【図２】図１の細部ＩＩを示す図である。
【図３】図１の波長シフト構造に変形する前のシフト・
ステップ中における出発構造の、図４の線ＩＩＩ−ＩＩ
Ｉに沿って長手方向に切断した部分断面図である。
ステップ中における出発構造の、図４の線ＩＩＩ−ＩＩ
Ｉに沿って長手方向に切断した部分断面図である。
【図４】図３の構造の部分上面図である。
２ 下面 ４ 上面 ６ 下部閉込め層 ８ 基板 １０ 量子構造 １２ 上部閉込め層 １４ 保護層 １８ 誘導材料層 ２０ 密封層
Claims (10)
- 【請求項１】 量子構造（１０）の少なくとも１つの井
戸（Ｐ２）と障壁（Ｂ２）との間での元素の相互拡張を
含み、前記構造がＩＩＩ−Ｖ型半導体構造（１）の内部
にあり、この相互拡散が、この半導体構造の面（４）か
ら作用する誘導材料によって熱誘導される、量子井戸を
有する半導体構造における波長のシフト方法であって、 誘導材料が、半導体構造（１）の前記面（４）に接触し
た状態に維持される凝縮された材料の層（１８）の形を
有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記誘導材料が、元素周期律表のそれぞ
れ第ＩＩＩ欄及び第Ｖ欄に含まれるＩＩＩ族及びＶ族の
元素のうちから選択されることを特徴とする、請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】 前記誘導材料がインジウムであることを
特徴とする、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 誘導材料の前記層が、厚さ３〜３００ｎ
ｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍであることを特徴とす
る、請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記相互拡散が、Ｖ族元素の拡散に十分
なだけ高く、かつＩＩＩ族元素の拡散を避けるのに十分
なだけ低い相互拡散温度で実施されることを特徴とす
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記相互拡散温度が、６００〜７００℃
であることを特徴とする請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 まず、ＩＩＩ族元素としてインジウムと
ガリウムを含み、Ｖ族元素としてリンとヒ素を含む、Ｉ
ＩＩ−Ｖ型半導体材料からなり、この材料中のリンとヒ
素の含有量の比がこの材料のリン／ヒ素比を構成する単
結晶性の出発構造であって、この構造が、縦（Ｘ）、横
（Ｙ）及び垂直（Ｚ）の方向を有し、この構造の下面
（２）と上面（４）の間にこの垂直方向に沿って下記の
順序で連続する層、すなわち −第１の導電型の下部閉込め層（６）と、 −垂直方向に交互に連続する量子井戸（Ｐ２、Ｐ３）と
障壁（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）とからなり、これらの井戸と
障壁の間に境界面（ＳＦ）を有し、井戸の材料のリン／
ヒ素比が障壁の材料のリン／ヒ素比と異なり、この比に
依存する特性波長を有し、この波長が当初縦方向に一定
である、量子構造（１０）と、 −第１の導電型とは反対の第２の導電型の上部閉込め層
（１２）とを備え、２つの閉込め層間を順方向に流れる
バイアス電流が、量子構造（１０）中に２つの逆のタイ
プの電荷担体を注入させ、この注入によって、この量子
構造の前記特性波長を有する光波の選択的増幅が可能に
なるようになっている出発構造を形成するステップを含
み、続いて −出発構造の長さ中で、シフトした波長を有するセグメ
ント（ＳＭ）と維持された波長を有するセグメント（Ｓ
Ｌ）とを構成する２つの分離したセグメントを規定する
ステップと、 −シフトされた波長を有するセグメント（ＳＭ）中では
出発構造の上面（４）を露出させ、維持された波長を有
するセグメント（ＳＬ）中ではこの上面（４）を覆う保
護層（１４）を形成するステップと、 −シフト・ステップにおいて、誘導材料の濃度と相互拡
散温度が、上部閉込め層（１２）の表面部分（１３）に
影響を与える改質を引き起こし、それによって上部閉込
め層を介して量子構造（１０）中に、Ｖ族元素の相互拡
散を誘導するのに十分であり、この相互拡散により、リ
ンとヒ素が量子構造（１０）の境界面（ＳＦ）を横切っ
て拡散し、それにより、この層の特性波長の所望の局所
的シフトを引き起こし、この改質、相互拡散及びシフト
が少なくとも、維持された波長を有するセグメント（Ｓ
Ｌ）においては保護層（１４）によって制限されるよう
にして、この上面を相互拡散温度で誘導材料の作用のも
とにさらすステップと、 −改質された出発構造の上面（４）をエッチングして、
維持された波長を有するセグメント（ＳＬ）中の保護層
（１４）を除去し、かつシフトされた波長を有するセグ
メント（ＳＭ）中の上部閉込め層（１２）の改質された
表面部分（１３）を除去し、それによって、維持された
波長を有する前記セグメント及びシフトされた波長を有
する前記セグメントを通して前記バイアス電流を伝導で
き、この２つのセグメント中で異なる特性波長を有す
る、局所的にシフトされた波長を有する構造（１６）を
得るステップとを含み、 前記シフト・ステップ自体が、 −出発構造（１）の上面（４）上に前記誘導材料の層
（１８）を堆積するステップと、 −この誘導材料層上に、相互拡散温度に耐えるリーク防
止用密封層（２０）を堆積するステップと、 −前記出発構造を相互拡散温度に加熱するステップとを
含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記保護層（１４）及び密封層（２０）
が、シリカＳｉＯ2 や窒化シリコンＳｉ3 Ｎ4 などの誘
電体材料から構成されることを特徴とする、請求項７に
記載の方法。 - 【請求項９】 局所的にシフトされた波長を有する構造
（１６）の下面（２）及び上面（４）に電極（ＥＬ、Ｅ
Ｍ、ＥＣ）を形成し、この構造中に共鳴空洞（２２）を
形成して、発信器と変調器を統合した形で含む半導体光
コンポーネントを作成し、この発信器が、維持された波
長を有するセグメント中で正の利得を有し、この変調器
がシフトされた波長を有するセグメント中でこの発信器
の光を変調することを特徴とする、請求項７に記載の方
法。 - 【請求項１０】 前記共鳴空洞（２２）が維持された波
長を有するセグメント（ＳＬ）中に形成され、前記変調
器が発信器の光の振幅を変調することを特徴とする、請
求項９に記載の方法。
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