JPH0846008A

JPH0846008A - 半導体基板の接触保持方法、半導体基板の接触保持搬送用具、及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0846008A
Application number: JP19609794A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Hayakawa; 秀明早川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-28
Filing date: 1994-07-28
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】保持爪（キャリア爪）からのパーティクルの
発生を抑制して、汚染を抑制できる半導体基板保持を達
成でき、また歩留まりが高く信頼性の向上した半導体装
置を得ることが可能な半導体基板の接触保持方法、半導
体基板の接触保持搬送用具、及び半導体装置の製造方法
を提供する。【構成】半導体基板を該半導体基板の外周部において
複数箇所で保持爪３２，３３により接触保持する半導体
基板の接触保持方法であって保持爪の半導体基板との
接触を線接触または面接触するとともに、該保持爪の半
導体基板との接触部の形状を半導体基板の外周部の形状
に合わせる。保持爪の半導体基板との接触部の表面凹
凸が１．０μｍ以下となる構成とする。保持爪の半導
体基板との接触部の材質を延性材料で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の接触保持
方法、半導体基板の接触保持搬送用具、及び半導体装置
の製造方法に関する。本発明は、特に、半導体基板を搬
送する時、基板保持爪が基板に接触する際に発生する接
触磨耗量を低減する半導体基板の接触保持方法、半導体
基板の接触保持搬送用具、及び半導体装置の製造方法を
提供するものである。

【０００２】

【従来技術及びその問題点】近年、半導体装置の分野で
は、例えば代表的にはＬＳＩの開発において、高集積化
・高速化に伴う超微細加工技術及び半導体装置の製造装
置に対する諸要求は、ますます厳しいものになってい
る。この中で、クリーン化技術に対する要求も例外では
ない。

【０００３】特に、半導体基板上に付着する異物の問題
は大きい。例えば、パーティクルと称される異物として
の粒子は、トランジスタの特性不良だけでなく加工不良
による断線やショートの原因となり、ＬＳＩ等の歩留ま
りや信頼性の低下を引き起こす。パーティクルは、例え
ば、気相反応の副生成物や、装置の内壁に付着した膜が
温度変化で剥がれたものが、基板上や基板上に形成され
た膜上に付着して、異物となり、絶縁破壊、リークなど
の問題を引き起こし、歩留まりの低下、信頼性の低下を
招いてしまうものであり、従ってパーティクルの原因と
なる半導体装置の各製造プロセスにおける製造装置内の
発塵等を低減することが切望されている。

【０００４】以下に、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置にお
ける基板搬送時の接触磨耗によるパーティクルの発生の
場合を例にとって、パーティクルの問題について説明す
る。

【０００５】バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置において、基
板へのメタル汚染を防ぐため、搬送系の半導体基板接続
保持爪を石英製のものにする。これを図９に示す。図９
（ａ）中、符号１で保持具のキャリア部、２，３で保持
爪（石英製キャリア爪）、４で基板を示す。図９（ｂ）
は、保持爪２（３）の拡大図である。

【０００６】ところが、基板上のパーティクルの分布を
調べたところ、図１０に細点を施して示したように、基
板４と保持爪２，３（石英製）の接触部（これを符号２
ａ，２ｂ，３ａ，３ｂで示す）付近に多くのパーティク
ルが付着していることが分かった。このパーティクルを
蛍光Ｘ線分析（ＥＤＸ）したところ、ＳｉＯのピークが
観測されたことから、これらが石英製の保持爪２，３か
らの磨耗による発塵であることが判明した。

【０００７】

【発明が解決しようとする問題点】上記のように、基板
搬送時の基板保持爪の接触磨耗によりパーティクルの発
生がみられるものである。かかるパーティクルを低減す
ることが、半導体装置の製造装置内の発塵を低減させる
ことになる。

【０００８】

【発明の目的】本発明は、上記問題点を解決して、保持
爪からのパーティクルの発生を抑制して、汚染を抑制で
きる半導体基板保持を達成でき、また歩留まりが高く信
頼性の向上した半導体装置を得ることが可能な半導体基
板の接触保持方法、半導体基板の接触保持搬送用具、及
び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、半導体基板を該半導体基板の外周部において複数箇
所で保持爪により接触保持する半導体基板の接触保持方
法であって、該保持爪の半導体基板との接触を線接触ま
たは面接触するとともに、該保持爪の半導体基板との接
触部の形状を半導体基板の外周部の形状に合わせた構造
としたことを特徴とする半導体基板の接触保持方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。

【００１０】本出願の請求項２の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持する半導体基板の接触保持方法であって、該保
持爪の半導体基板との接触部の表面凹凸が１．０μｍ以
下となる構成としたことを特徴とする半導体基板の接触
保持方法であって、これにより上記目的を達成するもの
である。

【００１１】本出願の請求項３の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持する半導体基板の接触保持方法であって、該保
持爪の半導体基板との接触部の材質を延性材料で構成す
るものとしたことを特徴とする半導体基板の接触保持方
法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。

【００１２】本出願の請求項４の発明は、延性材料が、
ポリフッ化エチレン、ポリエチレン、またはポリプロピ
レンであることを特徴とする請求項３に記載の半導体基
板の接触保持方法であって、これにより上記目的を達成
するものである。

【００１３】本出願の請求項５の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持する半導体基板の接触保持方法であって、半導
体基板を保持爪で接触保持する前の半導体基板と保持爪
との位置関係を、保持爪のＶ字溝の中心と半導体基板の
厚み方向における中心を一致させる構成としたことを特
徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体基
板の接触保持方法であって、これにより上記目的を達成
するものである。

【００１４】本出願の請求項６の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持して搬送する半導体基板の接触保持搬送用具で
あって、該保持爪の半導体基板との接触を線接触または
面接触するとともに、該保持爪の半導体基板との接触部
の形状を半導体基板の外周部の形状に合わせた構造とし
たことを特徴とする半導体基板の接触保持搬送用具であ
って、これにより上記目的を達成するものである。

【００１５】本出願の請求項７の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持して搬送する半導体基板の接触保持搬送用具で
あって、該保持爪の半導体基板との接触部の表面凹凸が
１．０μｍ以下となる構成としたことを特徴とする半導
体基板の接触保持搬送用具であって、これにより上記目
的を達成するものである。

【００１６】本出願の請求項８の発明は、半導体基板を
該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪により
接触保持して搬送する半導体基板の接触保持搬送用具で
あって、該保持爪の半導体基板との接触部の材質を延性
材料で構成するものとしたことを特徴とする半導体基板
の接触保持搬送用具であって、これにより上記目的を達
成するものである。

【００１７】本出願の請求項９の発明は、延性材料が、
ポリフッ化エチレン、ポリエチレン、またはポリプロピ
レンであることを特徴とする請求項８に記載の半導体基
板の接触保持搬送用具であって、これにより上記目的を
達成するものである。

【００１８】本出願の請求項１０の発明は、半導体基板
を該半導体基板の外周部において複数箇所で保持爪によ
り接触保持して搬送する半導体基板の接触保持搬送用具
であって、半導体基板を保持爪で接触保持する前の半導
体基板と保持爪との位置関係を、保持爪のＶ字溝の中心
と半導体基板の厚み方向における中心を一致させる構成
としたことを特徴とする半導体基板の接触保持搬送用具
であって、これにより上記目的を達成するものである。

【００１９】本出願の請求項１１の発明は、半導体基板
を搬送する搬送機構を備えた半導体装置の製造装置であ
って、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周
部を複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の
接触保持搬送用具を備え、該保持爪の半導体基板との接
触を線接触または面接触するとともに、該保持爪の半導
体基板との接触部の形状を半導体基板の外周部の形状に
合わせた構造としたものであることを特徴とする半導体
装置の製造方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。

【００２０】本出願の請求項１２の発明は、半導体基板
を搬送する搬送機構を備えた半導体装置の製造装置であ
って、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周
部を複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の
接触保持搬送用具を備え、該保持爪の半導体基板との接
触部の表面凹凸が１．０μｍ以下となる構成としたもの
であることを特徴とする半導体装置の製造方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。表面凹
凸Ｒａは、好ましくは０．３０〜０．５０μｍであるこ
とが良い。

【００２１】本出願の請求項１３の発明は、半導体基板
を搬送する搬送機構を備えた半導体装置の製造装置であ
って、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周
部を複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の
接触保持搬送用具を備え、接触保持搬送用具が、その保
持爪の半導体基板との接触部の材質を延性材料で構成す
るものとしたことを特徴とする半導体装置の製造方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。

【００２２】本出願の請求項１４の発明は、延性材料
が、ポリフッ化エチレン、ポリエチレン、またはポリプ
ロピレンであることを特徴とする請求項１３に記載の半
導体装置の製造方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。

【００２３】本出願の請求項１５の発明は、半導体基板
を搬送する搬送機構を備えた半導体装置の製造装置であ
って、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周
部を複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の
接触保持搬送用具を備え、半導体基板を接触保持搬送用
具の保持爪で接触保持する前の半導体基板と保持爪との
位置関係を、保持爪のＶ字溝の中心と半導体基板の厚み
方向における中心を一致させる構成としたことを特徴と
する半導体装置の製造方法であって、これにより上記目
的を達成するものである。

【００２４】本発明は、本発明者の以下の知見により得
られたものである。一般的に磨耗による発塵の量（磨耗
量）Ｗは、式（１）に示したような関係がある。Ｗ＝ＫＳＡ＝ＫＳＰ／Ｐ_m ・・・・・・（１）

【００２５】ここで、Ｋ：磨耗係数、Ｓ：すべり距離、
Ａ：真実接触面積、Ｐ：接触荷重、Ｐ_m：組み合せ材料
の軟らかい方の降伏応力または硬度である。

【００２６】（１）式と、図９に示した保持爪の構造か
ら、該保持爪による発塵は、以下に示した原因によるも
のと考えた。なお保持爪のすべり速度は０．２ｍ／ｓよ
り小さく、一定であるため、機械的破壊磨耗が支配的と
なっている（図１１。なお図１１については、大越、坂
井「日本機械学会論文集」９，（１９４３），Ｉ−７２
参照）。

【００２７】（１）保持爪が基板に点接触しているとこ
ろで、接触荷重Ｐ（接触圧力と接触面積の積）が接触点
に集中したため。（２）保持爪の面仕上げ（表面粗度）がＲａ≧６．３μ
ｍであるため、磨耗係数Ｋが大きくなったため。（３）基板の厚み方向の中心と保持爪の谷の中心線が一
致していなかったことで基板と保持爪のすべり距離Ｓが
大きくなったため。

【００２８】よって、これらの（１）〜（３）の原因を
克服するべき構成として、本発明を採用するに至ったも
のである。

【００２９】即ち、前記した問題点は、下記〜の手
段を単独あるいは重複させて行うことにより解決できる
のであって、本発明は、基板と保持爪の単位接触面積当たりの接触荷重Ｗを下
げるために、保持爪の形状を基板外周部の形状に合わ
せ、点接触から線接触あるいは面接触とする。保持爪の面仕上げ（表面粗度）をＲａ≧１．０μｍと
することで、磨耗係数Ｋを小さくすることができる。保持爪における基板との接触部の材質をポリフッ化エ
チレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等の延性材料で
構成すること（コーティングも含む）で組み合わせ材料
の軟らかい方の降伏応力Ｐ_mを見かけ上大きくすること
ができる。基板を保持爪で接触保持する前の基板と保持爪の位置
において、保持爪のＶ字溝の中心（谷）と基板の厚み方
向における中心を一致させることで基板と保持爪のすべ
り距離Ｓを小さくすることができる（図７参照）。

【００３０】

【作用】本発明によれば、半導体基板の接触保持につい
て、発塵の量（接触磨耗量）Ｗを低減するため、（１）
式に基づいて、Ｐ：接触荷重、Ｋ：磨耗係数、Ｓ：すべ
り距離を小さくし、Ｐ_m：組み合せ材料の軟らかい方の
降伏応力を大きくする。これにより、接触磨耗によるパ
ーティクルの発生量（接触磨耗量）Ｗを低減することが
可能となる。

【００３１】

【実施例】以下に本発明の具体的な実施例について説明
する。但し、当然のことではあるが、本発明は以下の実
施例により限定されるものではない。

【００３２】実施例１この実施例は、半導体基板を接触保持する場合に本発明
の特に請求項１及び請求項３の発明を適用したものであ
る。図１に保持爪３２，３３（キャリア爪）の構造を示
し、図２〜図５に搬送時のフローを示した。

【００３３】本実施例は、図１及び図２〜図５に示すよ
うに、半導体基板３４，３５を該半導体基板の外周部に
おいて複数箇所で保持爪３２，３３により接触保持する
際、該保持爪３２，３３の半導体基板３４，３５との接
触を線接触または面接触するとともに、該保持爪３２，
３３の半導体基板３４，３５との接触部の形状を半導体
基板３４，３５の外周部の形状に合わせた構造とした
（図１中、保持爪３２，３３の曲率半径Ｒを、保持すべ
き基板３４，３５の半径と同一にしたものである）。

【００３４】また本実施例は、保持爪３２，３３（キャ
リア爪）の半導体基板との接触部の材質を延性材料で構
成するものとした。具体的には、ポリフッ化エチレンと
した。これにより、接触部の表面凹凸（Ｒａ）を０．５
μｍとした。

【００３５】更に詳しくは、本実施例は、次の構成をと
る。まず、キャリアアーム本体３１は、図２に示すよう
に、基板３４が収納されているケース３６（以後キャリ
アケースとも称する）内の基板３４と基板３５の隙間に
入り込む。

【００３６】次に保持爪（キャリア爪）３２，３３の間
に基板３４が来るように、キャリアアーム本体３１が上
昇する（図３参照）。保持爪３２は固定保持爪であり、
固定爪３３は固定保持爪である。

【００３７】更に、図３に矢印で示すように移動保持爪
３３が基板３４の中心方向に移動し、基板３４を接触保
持する。保持された状態を図４に示す。この時、保持爪
３２，３３の曲率半径は基板の半径と同じであり、接触
部の材質をポリフッ化エチレンで形成しているため、
（１）式のＰ（接触荷重）を小さくすることができ、か
つ、Ｐ_m（組み合せ材料の軟らかい方の降伏応力）を大
きくすることで、接触磨耗によるパーティクルの発生を
抑制できる。

【００３８】最後に、この状態で基板３４はキャリアケ
ース３６から外へ搬送される。なお別途、保持爪３２，
３３の基板３４，３５との接触部をポリエチレンで形成
した場合、及びポリプロピレンで形成した場合について
実施したが、上記と同様のパーティクル抑制効果が得ら
れた。

【００３９】実施例２この実施例は、半導体基板を接触保持する場合に本発明
の請求項１、請求項３及び請求項５を適用したものであ
る。図５に保持爪４２，４３（キャリア爪）の構造を示
し、図６〜図８に搬送時のフローを示した。

【００４０】本実施例は、図５及び図６〜図８に示すよ
うに、半導体基板４４，４５を該半導体基板の外周部に
おいて複数箇所で保持爪４２，４３により接触保持する
際、該保持爪４２，４３の半導体基板４４，４５との接
触を線接触または面接触するとともに、該保持爪４２，
４３の半導体基板４４，４５との接触部の形状を半導体
基板４４，４５の外周部の形状に合わせた構造とした
（図４中、保持爪４２，４３の曲率半径Ｒを、保持すべ
き基板３４，３５の半径と同一にした）ものである。

【００４１】また本実施例は、保持爪４２，４３の半導
体基板４４，４５との接触部の材質を延性材料で構成す
るものとした。具体的にはポリフッ化エチレンとした。
これにより（あるいはコーティングを併用して）、接触
部の表面凹凸（Ｒａ）を、０．３μｍとした。

【００４２】また本実施例は、図７に詳しく示すよう
に、半導体基板４４を該半導体基板４４の外周部におい
て複数箇所で保持爪４２，４３により接触保持する際、
半導体基板４４を保持爪４２，４３で接触保持する前の
半導体基板４４と保持爪４２，４３との位置関係を、保
持爪４３のＶ字溝の中心４３ａと半導体基板４４の厚み
方向における中心４４ａを一致させる構成とした。

【００４３】更に詳しくは、本実施例は次の構造をと
る。まず、キャリアアーム本体４１は、図６に示すよう
に、基板４４が収納されているケース４６（以後キャリ
アケースとも称する）内の基板４４と基板４５の隙間に
入り込む。

【００４４】次に保持爪（キャリア爪）４２，４３の間
に基板４４が来るようにキャリアアーム本体４１が上昇
する（図７参照）。保持爪４２は固定保持爪であり、保
持爪４３は移動保持爪である。

【００４５】この時、保持爪４２，４３の間に基板４４
が来るように、図７に示す如く保持爪４３のＶ字溝の中
心４３ａ（谷）と、基板４４の厚み方向における中心４
４ａを一致させているので、（１）式のＳ（すべり距
離）を小さくすることができる。

【００４６】更に、図７に矢印で示すように、移動保持
爪４３が基板中心方向に移動し基板４４を接触保持す
る。保持された状態を図８に示す。この時、保持爪４
２，４３の曲率は基板の半径と同じであり接触部の材質
をポリフッ化エチレンで形成しているため、（１）式の
Ｐ（接触荷重）を小さくすることができ、かつ、Ｐ
_m（組み合せ材料の軟らかい方の降伏応力）を大きくす
ることで接触磨耗によるパーティクルの発生を抑制でき
る。

【００４７】最後に、この状態で基板４４はキャリアケ
ース４６から外へ搬送される。

【００４８】本実施例によるパーティクルの低減効果を
従来の保持爪（図１参照）と比較したところ、表１に示
したような結果となり、本発明の効果を確認できた。

【００４９】

【表１】従来の保持爪（図９）と実施例２の比較

【００５０】なお別途保持爪３２，３３の基板３４，３
５との接触部をポリエチレンで形成した場合、及びポリ
プロピレンで形成した場合について実施したが、上記と
同様のパーティクル抑制効果が得られた。

【００５１】

【発明の効果】上記詳述したように、本発明によれば、
保持爪からのパーティクルの発生を抑制して、汚染を抑
制できる半導体基板保持を達成でき、また歩留まりが高
く信頼性の向上した半導体装置を得ることが可能な半導
体基板の接触保持方法、半導体基板の接触保持搬送用
具、及び半導体装置の製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の半導体基板の接触保持搬送用具を示
す図である。

【図２】実施例１における半導体基板の搬送を示す図で
ある（１）。

【図３】実施例１における半導体基板の搬送を示す図で
ある（２）。

【図４】実施例１における半導体基板の搬送を示す図で
ある（３）。

【図５】実施例２の半導体基板の接触保持搬送用具を示
す図である。

【図６】実施例２における半導体基板の搬送を示す図で
ある（１）。

【図７】実施例２における半導体基板の搬送を示す図で
ある（２）。

【図８】実施例２における半導体基板の搬送を示す図で
ある（３）。

【図９】背景技術を示す図である。

【図１０】背景技術における基板上のパーティクルの面
内分布を示す図である。

【図１１】磨耗曲線を示す図である。

【符号の説明】

３１，４１キャリアアーム本体３２，４２移動保持爪３３，４３固定保持爪３４，４４基板３５，４５基板３６，４６キャリアケース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接
触保持方法であって、該保持爪の半導体基板との接触を線接触または面接触す
るとともに、該保持爪の半導体基板との接触部の形状を
半導体基板の外周部の形状に合わせた構造としたことを
特徴とする半導体基板の接触保持方法。
【請求項２】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接
触保持方法であって、該保持爪の半導体基板との接触部の表面凹凸が１．０μ
ｍ以下となる構成としたことを特徴とする半導体基板の
接触保持方法。
【請求項３】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接
触保持方法であって、該保持爪の半導体基板との接触部の材質を延性材料で構
成するものとしたことを特徴とする半導体基板の接触保
持方法。
【請求項４】延性材料が、ポリフッ化エチレン、ポリエ
チレン、またはポリプロピレンであることを特徴とする
請求項３に記載の半導体基板の接触保持方法。
【請求項５】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接
触保持方法であって、半導体基板を保持爪で接触保持する前の半導体基板と保
持爪との位置関係を、保持爪のＶ字溝の中心と半導体基
板の厚み方向における中心を一致させる構成としたこと
を特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導
体基板の接触保持方法。
【請求項６】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持して搬送する半導体
基板の接触保持搬送用具であって、該保持爪の半導体基板との接触を線接触または面接触す
るとともに、該保持爪の半導体基板との接触部の形状を
半導体基板の外周部の形状に合わせた構造としたことを
特徴とする半導体基板の接触保持搬送用具。
【請求項７】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持して搬送する半導体
基板の接触保持搬送用具であって、該保持爪の半導体基板との接触部の表面凹凸が１．０μ
ｍ以下となる構成としたことを特徴とする半導体基板の
接触保持搬送用具。
【請求項８】半導体基板を該半導体基板の外周部におい
て複数箇所で保持爪により接触保持して搬送する半導体
基板の接触保持搬送用具であって、該保持爪の半導体基板との接触部の材質を延性材料で構
成するものとしたことを特徴とする半導体基板の接触保
持搬送用具。
【請求項９】延性材料が、ポリフッ化エチレン、ポリエ
チレン、またはポリプロピレンであることを特徴とする
請求項８に記載の半導体基板の接触保持搬送用具。
【請求項１０】半導体基板を該半導体基板の外周部にお
いて複数箇所で保持爪により接触保持して搬送する半導
体基板の接触保持搬送用具であって、半導体基板を保持爪で接触保持する前の半導体基板と保
持爪との位置関係を、保持爪のＶ字溝の中心と半導体基
板の厚み方向における中心を一致させる構成としたこと
を特徴とする半導体基板の接触保持搬送用具。
【請求項１１】半導体基板を搬送する搬送機構を備えた
半導体装置の製造装置であって、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周部を複
数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接触保
持搬送用具を備え、該保持爪の半導体基板との接触を線接触または面接触す
るとともに、該保持爪の半導体基板との接触部の形状を
半導体基板の外周部の形状に合わせた構造としたもので
あることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】半導体基板を搬送する搬送機構を備えた
半導体装置の製造装置であって、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周部を複
数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接触保
持搬送用具を備え、該保持爪の半導体基板との接触部の表面凹凸が１．０μ
ｍ以下となる構成としたものであることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項１３】半導体基板を搬送する搬送機構を備えた
半導体装置の製造装置であって、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周部を複
数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接触保
持搬送用具を備え、接触保持搬送用具が、その保持爪の半導体基板との接触
部の材質を延性材料で構成するものとしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】延性材料が、ポリフッ化エチレン、ポリ
エチレン、またはポリプロピレンであることを特徴とす
る請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】半導体基板を搬送する搬送機構を備えた
半導体装置の製造装置であって、該搬送機構は、半導体基板を該半導体基板の外周部を複
数箇所で保持爪により接触保持する半導体基板の接触保
持搬送用具を備え、半導体基板を接触保持搬送用具の保持爪で接触保持する
前の半導体基板と保持爪との位置関係を、保持爪のＶ字
溝の中心と半導体基板の厚み方向における中心を一致さ
せる構成としたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。