JPH0845023A

JPH0845023A - 薄膜磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0845023A
Application number: JP17847594A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Sugano; 佳弘菅野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】コイルと平坦化層間の密着性を高め、薄膜磁
気ヘッド及び複合型磁気ヘッドの信頼性を高める。【構成】上層の薄膜磁気シールドコア７を第１の薄膜
磁気コアとし、この薄膜磁気シールドコア７上に絶縁層
１１を介して記録用コイル９を配し、上記記録用コイル
９上に絶縁性の平坦化層１２を介して第２の薄膜磁気コ
ア８を配し、上記上層の薄膜磁気シールドコア７と第２
の薄膜磁気コア８によりＡＢＳ面１に臨む記録用磁気ギ
ャップｇ₂ を形成する場合に、上記記録用コイル９と平
坦化層１２間に、Ｃｒ或いはＡｌよりなる密着層１３を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ギャップを形成す
る一対の磁気コア間に絶縁層或いは絶縁性の平坦化層を
介してコイルが配されてなる薄膜磁気ヘッド、或いは磁
気抵抗効果型磁気ヘッドと上記薄膜磁気ヘッドと略同様
の構成を有する誘導型磁気ヘッドの積層された複合型磁
気ヘッドに関し、詳細にはコイルと平坦化層間の密着性
の向上に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブの記
録再生用磁気ヘッドは、誘導型磁気ヘッド（以下、イン
ダクティブヘッドと称する。）による記録用磁気ヘッド
と、短波長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する。）による再生用磁気ヘッドと
の複合型とされるのが一般的である。

【０００３】かかる複合型磁気ヘッドとしては、例えば
スライダーと称される基板上に、ハードディスクとの対
向面であるエア・ベアリング・サーフェス（以下ＡＢＳ
面と称する。）に臨んで再生用磁気ギャップを構成する
ＭＲヘッドと、記録用磁気ギャップを構成するインダク
ティブヘッドが積層された構成のものが挙げられる。

【０００４】上記ＭＲヘッドは、ＡＢＳ面に臨んで再生
用磁気ギャップを構成する一対の薄膜磁気シールドコア
間に絶縁層を介して磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
と称する。）が挟み込まれてなるものである。

【０００５】一方、インダクティブヘッドは、ＭＲヘッ
ドの基板と反対側の薄膜磁気シールドコアを、閉磁路を
構成する第１の薄膜磁気コアとして兼用し、この薄膜磁
気コアに対向するように第２の薄膜磁気コアを積層する
ことでＡＢＳ面に臨んで記録用磁気ギャップを構成する
ようにしている。なお、上記一対の薄膜磁気コアは記録
用磁気ギャップと反対側において接続されており、閉磁
路を構成している。

【０００６】そして、これら薄膜磁気コアに記録情報に
基づく磁界を印加するための記録用コイルが、上記薄膜
磁気コアの接続部を取り囲むようにしてスパイラル状に
設けられている。なお、上記記録用コイルと薄膜磁気コ
ア間を電気的に絶縁するために、これらの間には絶縁層
或いは絶縁性の平坦化層が介されている。

【０００７】上記のような複合型磁気ヘッドは以下のよ
うにして製造される。すなわち、先ず、基板上にＭＲヘ
ッドを構成する一方の薄膜磁気シールドコアを形成し、
その上に絶縁層を介してＭＲ素子を形成し、さらに絶縁
層を介して他方の薄膜磁気シールドコアを形成してＭＲ
ヘッドを形成する。なお、このとき、一対の薄膜磁気シ
ールドコア間にＡＢＳ面に臨んで再生用磁気ギャップを
形成するようにする。

【０００８】続いて、基板と反対側、すなわち上層側の
薄膜磁気シールドコアを第１の薄膜磁気コアとしてイン
ダクティブヘッドを形成する。先ず、上層側の薄膜磁気
シールドコア上に絶縁層を形成する。該絶縁層は、薄膜
磁気シールドコアと記録用コイルの電気的絶縁を図ると
ともに、記録用コイルの形成を容易にするために形成す
るものであり、絶縁層表面が平坦なものとなるように形
成される。

【０００９】次に、上記絶縁層上に記録用コイルを形成
する。上記記録用コイルは、一般的に、加工が容易であ
ること、導電性が高いことから銅により構成され、銅の
メッキ或いは銅のスパッタリングによって形成される。

【００１０】続いて、上記記録用コイル上に絶縁性の平
坦化層を形成する。上記平坦化層は、記録用コイルと後
工程で形成される第２の薄膜磁気コアの電気的絶縁を図
るとともに、第２の薄膜磁気コアの形成を容易にするた
めに形成されるものである。すなわち、上記平坦化層
は、レジストやポリイミド等の有機材料を記録用コイル
を埋め込むようにして塗布した後、熱硬化させ、さら
に、その表面を平坦なものとするために、再度上記有機
材料を塗布した後、熱硬化させて形成する。

【００１１】そして、上記平坦化層上に第２の薄膜磁気
コアを形成し、インダクティブヘッドを形成する。な
お、このとき、上述の上層の薄膜磁気シールドコア（第
１の薄膜磁気コア）と第２の薄膜磁気コア間にＡＢＳ面
に臨んで記録用磁気ギャップを形成するようにし、かつ
ＡＢＳ面と反対側でこれらが接続するようにして閉磁路
を構成するようにする。

【００１２】さらに、上述のＭＲヘッドの端子等に金メ
ッキを施し、これを安定化させるためのアニール処理を
行って配線を行い、複合型磁気ヘッドを完成する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なインダクティブヘッドにおいては、以下のような不都
合が生じている。すなわち、記録用コイルとその上に形
成される平坦化層間の密着性があまり良好ではないた
め、記録用コイル形成後の平坦化層形成時の熱硬化や配
線時のアニール処理の際の熱ストレスや応力によって記
録用コイルと平坦化層の界面からの剥離が生じたり、こ
の界面中に存在する水分や気泡が上記工程において平坦
化層を破壊するといった不都合が生じている。

【００１４】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、コイルと平坦化層間の密着性を高
め、コイルと平坦化層間の剥離や平坦化層の破壊を防止
し、信頼性の高い薄膜磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド
を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、第１の磁気コア上に絶縁層を介してコイ
ルが配され、上記コイル上に絶縁性の平坦化層を介して
第２の磁気コアが配され、上記第１，２の磁気コアが媒
体対向面に臨む磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上記コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いは
Ａｌよりなる密着層が形成されていることを特徴とする
ものである。

【００１６】また、本発明は、媒体対向面に臨む再生用
磁気ギャップを形成する一対の磁気シールドコア間に磁
気抵抗効果素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドと、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一方の磁気シー
ルドコアを第１の磁気コアとし、上記第１の磁気コア上
に絶縁層を介して記録用コイルが配され、上記記録用コ
イル上に絶縁性の平坦化層を介して第２の磁気コアが配
され、上記第１，２の磁気コアが媒体対向面に臨む記録
用磁気ギャップを形成してなる誘導型磁気ヘッドが積層
されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、上記記録用コイ
ルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌよりなる密着層が形
成されていることを特徴とするものである。

【００１７】

【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、第１の磁
気コア上に絶縁層を介してコイルを配し、上記コイル上
に絶縁性の平坦化層を介して第２の磁気コアを配する場
合に、上記コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌより
なる密着層を形成するようにしている。従って、コイル
と平坦化層間の密着性が高まり、コイルと平坦化層間の
剥離や平坦化層の破壊が生じ難い。

【００１８】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド上に上記の薄膜磁気ヘッ
ドと略同様の構成を有する誘導型磁気ヘッドを積層し、
記録用コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌよりなる
密着層を形成するようにしている。従って、記録用コイ
ルと平坦化層間の密着性が高まり、記録用コイルと平坦
化層間の剥離や平坦化層の破壊が生じ難い。

【００１９】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２０】本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１に示
すように、ハードディスクとの対接面となるＡＢＳ面１
に再生用磁気ギャップｇ₁ を臨ませるＭＲヘッドと、こ
のＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ₂ を臨ませる薄膜
磁気ヘッドであるインダクティブヘッドをアルチック
（Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ）基板等からなるスライダー２の
一主面２ａ上に積層形成した、いわゆる２ギャップタイ
プの記録再生ヘッドとされている。

【００２１】上記ＭＲヘッドは、例えば先端部と後端部
にそれぞれ図示しない電極を積層したＭＲ素子３を絶縁
層４，５を介して軟磁性材料よりなる一対の薄膜磁気シ
ールドコア６，７により挟み込んで形成されている。こ
のとき、上記一対の薄膜磁気シールドコア６，７は対向
するようにして設けられるが、ＡＢＳ面１側に間隙を有
し、この間隙が再生用磁気ギャップｇ₁ とされ、ＡＢＳ
面１と反対側においては接触するようになされている。
なお、上記ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子３に所定の
向きの磁化状態を与える図示しないバイアス導体を設け
ても良い。なお、上記バイアス導体は、バイアス導体に
流れるバイアス電流の方向がＭＲ素子３の電極より流れ
るセンス電流の方向に対して垂直になるように形成され
る。

【００２２】一方、インダクティブヘッドは、ＭＲヘッ
ドの上層の薄膜磁気シールドコア７を、閉磁路を構成す
る第１の薄膜磁気コアとし、この薄膜磁気シールドコア
７（第１の薄膜磁気コア）に対向して積層される第２の
薄膜磁気コア８とによってＡＢＳ面１に臨む記録用磁気
ギャップｇ₂ を構成している。すなわち、ＭＲヘッドの
上層の薄膜磁気シールドコア７（第１の薄膜磁気コア）
に対向するようにして積層される第２の薄膜磁気コア８
は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部で薄膜磁気シールド
コア７（第１の薄膜磁気コア）側に屈曲され、その間隙
が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ₂ が構
成されている。

【００２３】また、上記第２の薄膜磁気コア８は、ＡＢ
Ｓ面１側と反対側において上層の薄膜磁気シールドコア
７（第１の薄膜磁気コア）と接続し、該薄膜磁気シール
ドコア７とによって閉磁路を構成するようになってい
る。

【００２４】そして、これら薄膜磁気シールドコア７
（第１の薄膜磁気コア），第２の薄膜磁気コア８に記録
情報に基づく磁界を印加するための記録用コイル９が、
上記薄膜磁気シールドコア７（第１の薄膜磁気コア），
第２の薄膜磁気コア８の接続部である磁気的接合部１０
を取り囲むようにしてスパイラル状に設けられている。

【００２５】さらに、記録用コイル９は、上記薄膜磁気
シールドコア７（第１の薄膜磁気コア），第２の薄膜磁
気コア８と電気的に絶縁するために、薄膜磁気シールド
コア７との間には絶縁層１１を介し、第２の薄膜磁気コ
ア８との間には絶縁性の平坦化層１２を介するようにし
ている。

【００２６】そして、本実施例の複合型磁気ヘッドにお
いては特に、薄膜磁気ヘッドであるインダクティブヘッ
ドの記録用コイル９と平坦化層１２の間にＣｒ或いはＡ
ｌよりなる密着層１３が形成されている。

【００２７】さらに、上記インダクティブヘッドの第２
の薄膜磁気コア８上にはアルミナ等よりなる保護膜１４
が形成されている。

【００２８】すなわち、上記構成の本実施例の複合型磁
気ヘッドは、ＭＲ素子３を挟む一対の薄膜磁気シールド
コア６，７を磁気シールドとしたいわゆるシールド型構
成のＭＲヘッドと、その一方の薄膜磁気シールドコア７
を磁路を構成する第１の薄膜磁気コアとして用い、第２
の薄膜磁気コア８とによって閉磁路を構成するインダク
ティブヘッドとが同一の基板２上に積層された、いわゆ
る２ギャップタイプのヘッド構成となっている。

【００２９】この複合型磁気ヘッドにおける情報記録
は、記録用コイル９より引き出される端子部に交流電流
を供給し、上記ＡＢＳ面１に臨む記録用磁気ギャップｇ
₂ より記録情報に基づく磁束を発生させて行う。一方、
再生は、ＭＲ素子３の先端部と後端部に積層される図示
しない先端電極と後端電極よりそれぞれ引き出された端
子部より直流電流を供給してＭＲ素子３にセンス電流を
流し、再生用磁気ギャップｇ₁ よりＭＲ素子３に入り込
む記録磁界の磁束の量に対するＭＲ素子３の電気抵抗の
変化を検出して行う。なお、バイアス導体が設けられて
いる場合には、バイアス導体の端子部に直流電流を流し
て上記ＭＲ素子３に所要の向きの磁化状態を与えて感度
を向上させて行えば良い。

【００３０】次に、本実施例の複合型磁気ヘッドの製造
方法について述べる。

【００３１】先ず、図２に示すように、アルチック（Ａ
ｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）基板等よりなるスライダー２１上
に、所定形状の下層の薄膜磁気シールドコア２３を形成
する。上記下層の薄膜磁気シールドコア２３は、再生用
の磁路となるものであるため、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）やセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）等よりなる磁性
膜をメッキやスパッタリング等によって成膜し、これを
所定の形状に加工して形成される。

【００３２】次に、図３に示すように、後述のＭＲ素子
やバイアス導体に電流を供給するための所定の配線パタ
ーンを有するリード電極２４を、スライダー２１上の下
層の薄膜磁気シールドコア２３と重ならない部分に形成
する。その結果、図４に示すように、スライダー２１上
に所定形状を有する下層の薄膜磁気シールドコア２３及
び所定配線パターンを有するリード電極２４が形成され
る。

【００３３】そして、下層の薄膜磁気シールドコア２３
及びリード電極２４形成面を平坦化するために、図５に
示すように、これらの上にＡｌ₂Ｏ₃膜２５をスパッタ
リングにより成膜し、その後、機械研磨を施す。その結
果、図６に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃膜２５が平坦化され
るとともに下層の薄膜磁気シールドコア２３及びリード
電極２４が露出する。

【００３４】次に、図７に示すように再生用磁気ギャッ
プｇ₁ を構成し、下層の薄膜磁気シールドコア２３と後
述のＭＲ素子間の電気的絶縁を図り、Ａｌ₂Ｏ₃等より
なる第１の絶縁層３０を下層の薄膜磁気シールドコア２
３及びＡｌ₂Ｏ₃膜２５上に形成する。

【００３５】次に、図７中に示すように、ＭＲ素子３１
を第１の絶縁層３０上に形成する。なお、上記ＭＲ素子
３１構成材料としては、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）やセ
ンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）等が挙げられる。

【００３６】続いて、図８に示すように、ＭＲ素子３１
と後工程で形成するバイアス導体の電気的絶縁を図るた
めに、ＳｉＯ₂ 等よりなる第２の絶縁層３２を第１の絶
縁層３０及びＭＲ素子３１上に形成する。なお、ここで
は、バイアス導体を有する複合型磁気ヘッドについて述
べる。

【００３７】次に、図９に示すように、第２の絶縁層３
２にＭＲ素子３１の後端部３１ａに電気的接続をとるた
めのコンタクトホール３３及び図示しないリード電極用
のコンタクトホールを形成する。なお、ここではＭＲ素
子３１の先端部と後端部に電極の形成される複合型磁気
ヘッドについて述べる。

【００３８】そして、図１０に示すように、バイアス磁
界を発生させるためのバイアス導体３４とＭＲ素子３１
にセンス電流を流すための電極３５を第１，２の絶縁層
３０，３２上に形成する。上記バイアス導体３４は、当
然のことながら、バイアス導体３４に流れるバイアス電
流の方向がＭＲ素子３１のセンス電流の方向に対して垂
直になるように形成され、電極３５は、その一部がコン
タクトホール３３においてＭＲ素子３１の後端部３１ａ
に接続されるように形成され、後端電極となる。

【００３９】次に、再生用磁気ギャップｇ₁ を構成し、
かつ後工程で形成される上層の薄膜磁気シールドコアと
バイアス導体３４及び電極３５との磁気的，電気的絶縁
を図るために、図１１に示すように、ＳｉＯ₂ 等よりな
る第３の絶縁層３６を、第２の絶縁層３２及びバイアス
導体３４，電極３５上にその形状に沿って形成する。

【００４０】そして、図１２に示すように、ＭＲ素子３
１の先端部３１ｂに電気的接続をとるように、第２，３
の絶縁層３２，３６にコンタクトホール３７を形成す
る。

【００４１】この結果、図１３に示すように、バイアス
導体３４とリード電極２４が接続されてバイアス電流の
印加が可能となり、ＭＲ素子３１とコンタクトホール３
３にて接続された電極３５がリード電極２４に接続さ
れ、また、ＭＲ素子３１の先端部３１ｂにコンタクトホ
ール３７が形成されていることから、これに後述の工程
で先端電極を接続することで、ＭＲ素子３１にセンス電
流を印加することも可能となる。

【００４２】次に、図１４に示すように、ＭＲ素子３１
にセンス電流を流す電極として機能し、また再生用磁気
ギャップｇ₁ を構成する電極３９を第３の絶縁層３６上
に形成する。上記電極３９は、その一部がコンタクトホ
ール３７においてＭＲ素子３１の先端部３１ｂに接続さ
れるように形成され、先端電極となる。その結果、ＭＲ
素子３１に先端電極と後端電極に挟まれた感磁部４０が
形成される。

【００４３】そして、図１４中に示すように、再生用の
磁路となる上層の薄膜磁気シールドコア４１を電極３９
上に形成する。なお、上層の薄膜磁気シールドコア４１
は、下層の薄膜磁気シールドコア２３と同様に形成され
る。また、図中に示すように、下層の薄膜磁気シールド
コア２３，上層の薄膜磁気シールドコア４１の前方端部
間には、再生用磁気ギャップｇ₁ が形成されることとな
る。

【００４４】従って、図１５に示されるように、図示し
ない下層の薄膜磁気シールドコアと上層の薄膜磁気シー
ルドコア４１間に、先端電極と後端電極に挟まれた感磁
部４０を有するＭＲ素子３１及びバイアス導体３４が配
されることとなり、ＭＲヘッド４２が形成される。

【００４５】次に、上記ＭＲヘッド４２上に記録用のイ
ンダクティブヘッドの形成を行う。なお、上記インダク
ティブヘッドにおいては、上記ＭＲヘッド４２の上層の
薄膜磁気シールドコア４１を一方の記録用磁気コアとし
て兼用する。すなわち、図１６に示すように、先ず、上
層の薄膜磁気シールドコア４１上に後工程で形成される
記録用コイルとの絶縁を図るとともに上記記録用コイル
の形成を容易とし、記録用コイルの断線等も防止するた
めの絶縁層４３を形成する。そして、このとき、上層の
薄膜磁気シールドコア４１のＡＢＳ面と反対側に、後工
程で形成される第２の薄膜磁気コアと上層の薄膜磁気シ
ールドコア２１の磁気的結合を図る図示しないコンタク
トホールも形成する。なお、図１６以降は、ＭＲヘッド
４２の上層の薄膜磁気シールドコア４１から上層のみを
示すものとする。

【００４６】次に、図１７に示すように、後工程で記録
用コイルを電解メッキ形成するための下地層４４を上記
絶縁層４３上に形成する。なお、上記下地層４４はＣｕ
膜をスパッタリングにより成膜して形成する。

【００４７】次に、図１８に示すように、記録用コイル
を電解メッキ形成するための所定のパターンを有するメ
ッキフレーム４５を下地層４４上にフォトリソグラフィ
ー工程により形成する。このとき、上記メッキフレーム
４５は、その断面形状をコイルの形状，コイルの巻線間
隔等を考慮した形状とされ、メッキフレームを構成する
レジストの種類、露光，現像の条件を適宜選定すること
により所定形状に形成する。なお、後工程のリフトオフ
を考慮すると、メッキフレームの断面形状は逆テーパー
形状とすることが好ましい。

【００４８】続いて、図１９に示すように、上記下地層
４４上にＣｕの電解メッキにより所定のパターンを有す
る記録用コイル４６を形成する。

【００４９】次に、本実施例の複合型磁気ヘッドにおい
ては、図２０に示すように、上記記録用コイル４６と後
工程にて形成される平坦化層の密着性を向上させるため
の密着層４７を記録用コイル４６及びメッキフレーム４
５上に形成する。なお、上記密着層４７は、Ｃｒ或いは
Ａｌよりなるものであり、その厚さは、後工程のリフト
オフを考慮して決定する。

【００５０】そして、有機溶剤を使用して、上記メッキ
フレーム４５を除去（リフトオフ）する。このとき、該
メッキフレーム４５上の密着層４７は除去され、図２１
に示すように記録用コイル４５上のみに密着層４７が残
存し、メッキフレーム４５が除去された部分には下地層
４４が露呈する。

【００５１】次に、図２２に示すように、露呈している
下地層４４をイオンミリング等の手法により除去し、記
録用コイル４５形成部分にのみ下地層４４を残す。

【００５２】続いて、図２３に示すように、上記記録用
コイル４５上に、該記録用コイル４５と後工程で形成さ
れる第２の薄膜磁気コアとの電気的絶縁を図り、平坦な
磁気コア形成面を得るために、レジストやポリイミド等
の有機材料よりなる平坦化層４８を形成する。

【００５３】上記平坦化層４８は、レジストやポリイミ
ド等の有機材料を上記記録用コイル４５を埋め込むよう
にしてスピンナー等により塗布した後、１５０℃〜３５
０℃程度の温度下で熱硬化させ、さらに、その表面を平
坦なものとするために、再度上記有機材料を塗布，熱硬
化させて形成する。

【００５４】次に、上記平坦化層４８上に、もう一方の
記録用磁気コアとなる第２の薄膜磁気コアをパーマロイ
等の磁性材料をメッキ又はスパッタリングした後、所定
形状に加工して形成し、インダクティブヘッドを完成す
る。

【００５５】さらに、上記第２の薄膜磁気コア上に、素
子の保護のためにＡｌ₂Ｏ₃等よりなる保護膜を形成す
る。そして、上述のＭＲヘッド４２のリード電極２４の
端部に金メッキを施し、これを安定化させるための２０
０℃程度の温度下でのアニール処理を行い、ワイヤーを
ボンディングして配線を行う。最後に、スライダー２１
のスライダー加工を行って、複合型磁気ヘッドを完成す
る。

【００５６】本実施例の複合型磁気ヘッドにおいては、
記録用コイル４５上に密着層４７を介して平坦化層４８
を形成するようにしているため、記録用コイル４５と平
坦化層４８間の密着性が高まり、記録用コイル４５形成
後の平坦化層４８形成時の熱硬化や配線時のアニール処
理の際の熱ストレスや応力による記録用コイル４５と平
坦化層４８間の剥離やこれらの界面中に存在する水分や
気泡による上記工程における平坦化層４８の破壊が防止
され、信頼性が高まる。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、第１の磁気コア上に絶縁層を介してコイルが配さ
れ、上記コイル上に絶縁性の平坦化層を介して第２の磁
気コアが配され、上記第１，２の磁気コアが媒体対向面
に臨む磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、上記コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌより
なる密着層を形成している。従って、コイルと平坦化層
間の密着性が高まり、コイルと平坦化層間の剥離や平坦
化層の破壊が生じ難く、信頼性が高まる。

【００５８】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド上に上記の薄膜磁気ヘッ
ドと略同様の構成を有する誘導型磁気ヘッドを積層し、
記録用コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌよりなる
密着層を形成するようにしている。従って、記録用コイ
ルと平坦化層間の密着性が高まり、記録用コイルと平坦
化層間の剥離や平坦化層の破壊が生じ難く、信頼性が高
まる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを示す要部
概略断面図である。

【図２】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、スライダー上に下層の薄膜
磁気シールドコアを形成する工程を示す断面図である。

【図３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、スライダー上にリード電極
を形成する工程を示す断面図である。

【図４】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層の薄膜磁気シールドコ
ア，リード電極を模式的に示す平面図である。

【図５】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層の薄膜磁気シールドコ
ア，リード電極上に、Ａｌ₂Ｏ₃膜を形成する工程を示
す断面図である。

【図６】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、Ａｌ₂Ｏ₃膜を平坦化し、
下層の薄膜磁気シールドコア，リード電極を露出させる
工程を示す断面図である。

【図７】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、第１の絶縁層及びＭＲ素子
を形成する工程を示す断面図である。

【図８】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、ＭＲ素子上に第２の絶縁層
を形成する工程を示す断面図である。

【図９】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、第２の絶縁層にコンタクト
ホールを形成する工程を示す断面図である。

【図１０】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、第２の絶縁層上にバイア
ス導体及び電極を形成する工程を示す断面図である。

【図１１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、第３の絶縁層を形成する
工程を示す断面図である。

【図１２】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、第２，３の絶縁層にコン
タクトホールを形成する工程を示す断面図である。

【図１３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、バイアス導体，リード電
極，ＭＲ素子，電極の関係を示す平面図である。

【図１４】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、電極，上層の薄膜磁気シ
ールドコアを形成する工程を示す断面図である。

【図１５】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、形成されたＭＲヘッドを
示す平面図である。

【図１６】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、ＭＲヘッドの上層の薄膜
磁気シールドコア上に絶縁層を形成する工程を示す断面
図である。

【図１７】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、絶縁層上に下地層を形成
する工程を示す断面図である。

【図１８】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、下地層上にメッキフレー
ムを形成する工程を示す断面図である。

【図１９】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、下地層上に記録用コイル
を形成する工程を示す断面図である。

【図２０】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、記録用コイル，メッキフ
レーム上に平坦化層を形成する工程を示す断面図であ
る。

【図２１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、リフトオフした後の状態
を示す断面図である。

【図２２】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、下地層を除去した後の状
態を示す断面図である。

【図２３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示すものであり、記録用コイル上に平坦化
層を形成する工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１ＡＢＳ面３ＭＲ素子６下層の薄膜磁気シールドコア７上層の薄膜磁気シールドコア８第２の薄膜磁気コア９記録用コイル１１絶縁層１２平坦化層１３密着層ｇ₁ 再生用磁気ギャップｇ₂ 記録用磁気ギャップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の磁気コア上に絶縁層を介してコイ
ルが配され、上記コイル上に絶縁性の平坦化層を介して
第２の磁気コアが配され、上記第１，２の磁気コアが媒
体対向面に臨む磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上記コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌよりなる密
着層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】媒体対向面に臨む再生用磁気ギャップを
形成する一対の磁気シールドコア間に磁気抵抗効果素子
が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、上記磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの一方の磁気シールドコアを第１
の磁気コアとし、上記第１の磁気コア上に絶縁層を介し
て記録用コイルが配され、上記記録用コイル上に絶縁性
の平坦化層を介して第２の磁気コアが配され、上記第
１，２の磁気コアが媒体対向面に臨む記録用磁気ギャッ
プを形成してなる誘導型磁気ヘッドが積層されてなる複
合型磁気ヘッドにおいて、上記記録用コイルと平坦化層間に、Ｃｒ或いはＡｌより
なる密着層が形成されていることを特徴とする複合型磁
気ヘッド。