JPH0837320A

JPH0837320A - 半導体受光素子および装置

Info

Publication number: JPH0837320A
Application number: JP6170710A
Authority: JP
Inventors: Masato Shishikura; 正人宍倉; Hitoshi Nakamura; 均中村; Shinji Tsuji; 伸二辻; Shoichi Hanatani; 昌一花谷; Shigehisa Tanaka; 滋久田中
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-07-22
Filing date: 1994-07-22
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】他の光デバイスとの整合性が良く、しかも同時
に低動作電圧化とフラットエンドファイバとの高光結合
可能な端面入射型の半導体受光素子を提供する。【構成】第一の半導体層である半導体基板１５上に、半
導体基板１５よりもバンドギャップの大きい第二の半導
体層１１、第二の半導体層１１よりもバンドギャップが
小さいかつ信号光に対して受光感度を有する第三の半導
体層１２、第三の半導体層１２よりもバンドギャップが
大きい第四の半導体層１３、第四の半導体層１３よりも
バンドギャップが大きい第五の半導体層１４を順次積層
した構造で構成され、第二の半導体層１１と第三の半導
体層１２および第四の半導体層１３の合計層厚はフラッ
トエンドファイバのコア径に近い６μｍ以上とし、端面
から光を入射するための光導波路構造を有し、その幅は
フラットエンドファイバのコア径にほぼ等しい１０μｍ
以上とする。【効果】低動作電圧化とフラットエンドファイバとの光
結合効率を８０％以上に向上することができ、外部量子
効率や位置ずれトレランスの改善を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野等に用いら
れる端面入射型の半導体受光素子および装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、一般家庭への情報サービスの拡充
を図るため、光伝送分野においても、加入者系光伝送シ
ステム等の開発が進められている。このシステムで用い
られる光送受信モジュールは低コストでかつコンパクト
である必要がある。これには、様々な光デバイス及び電
子デバイス等を同一基板上にハイブリッドもしくはモノ
リシックに集積化し、光デバイスと電子デバイスが５Ｖ
以下の同一電源で駆動できることが望まれる。

【０００３】現在、半導体レーザダイオード、光変調器
や光スイッチ等に代表される光デバイスは一般に導波路
構造を有し、光を基板面内平行方向に入出射するもので
ある。一方、半導体受光素子は一般に基板面内に垂直な
方向から光信号を受光するものである。したがって、光
デバイスの集積化において、半導体受光素子は他の光デ
バイスとの整合性が悪い。また、半導体受光素子の動作
電圧は量子効率との兼ね合いから５Ｖ以上と高い動作電
圧が必要である。

【０００４】半導体受光素子においても、他の光デバイ
スとの整合性が良く、低電圧動作可能な端面入射型の半
導体受光素子が従来より知られているが、光ファイバと
の光結合損失が問題であった。特開平４−２４１４７１
号公報および特開平４−２４１４７２号公報には、光フ
ァイバ、特に先端にレンズ機能を有する先球ファイバと
の結合効率向上のため、コア層を複数設ける方法やコア
層の厚さを０．１５μｍ以下にする方法が記載さてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、通
常のフラットエンドファイバとの高光結合と低動作電圧
を同時に満足することは困難である。特開平４−２４１
４７１号公報記載の端面入射型半導体受光素子では、コ
ア層数を増加させることにより光結合効率を向上するこ
とができる反面、動作電圧が１０Ｖ以上と高くなる問題
点を有する。また、特開平４−２４１４７２号公報記載
の端面入射型半導体受光素子では、コア層を０．１５μ
ｍ以下にすることによって動作電圧の低減が図れ、かつ
先端にレンズ機能を有する先球ファイバとの結合効率を
向上することができるが、通常のフラットエンドファイ
バとの光結合効率を充分に取ることが困難であるという
問題点を有する。

【０００６】本発明の目的は、通常のフラットエンドフ
ァイバとの充分な光結合と低動作電圧化を同時に満足で
き、かつ他の光デバイスと整合性の良い端面入射型の半
導体受光素子および装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために、図１に示すような第一の半導体層であ
る半導体基板１５上に、半導体基板１５よりもバンドギ
ャップの小さい第二の半導体層１１、第二の半導体層１
１よりもバンドギャップが小さい第三の半導体層１２、
第三の半導体層１２よりもバンドギャップが大きい第四
の半導体層１３、第四の半導体層１３よりもバンドギャ
ップが大きい第五の半導体層１４を順次積層した構造で
構成する。第三の半導体層１２以外の半導体各層は不純
物添加により抵抗は充分低く、かつ信号光に対して透明
な半導体層を用い、第三の半導体層１２はキャリア濃度
が充分低く、信号光に対して受光感度を有する半導体層
を用いる。また、第二の半導体層１１と第三の半導体層
１２および第四の半導体層１３の合計層厚はフラットエ
ンドファイバのコア径に近い６μｍ以上とする。ｐｎ接
合は、第二の半導体層１１あるいは第四の半導体層１３
と第三の半導体層１２の境界界面近傍、または第二の半
導体層１１あるいは第四の半導体層１３内に設ける。ま
た、端面から光を入射するための光導波路構造を有し、
その幅はフラットエンドファイバのコア径にほぼ等しい
１０μｍ以上とする。

【０００８】さらに、第三の半導体層１３の層厚を５Ｖ
以下の低電圧で空乏可能な２μｍ以下とする。

【０００９】また、表面実装可能な構造にするために、
同一面上、特にメサ上部にバイアス電圧印加または応答
信号出力のためのｐ型およびｎ型電極を形成する。

【００１０】さらに、第一の半導体層１１から第五の半
導体層１４までの少なくとも一つの層を、光通信に良く
用いられる１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯に対して
透明な半導体層と受光感度を有する半導体層を構成でき
るＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ_zＰ_1-z（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦１）系の半導体層で構成する。特に第
二及び第四の半導体層がＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_zＰ_1-z（０≦
ｘ≦０．２８、０≦ｚ≦０．６１）あるいはＩｎ_1-x-y
Ｇａ_xＡｌ_yＡｓ（０≦ｘ≦０．３４、０．１３≦ｙ≦
０．４８）で、第三の半導体層がＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_zＰ
_1-z（０．２８≦ｘ≦０．４７、０．６１≦ｚ≦１）あ
るいはＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ（０．３４≦ｘ≦０．
０．４７、０≦ｙ≦０．１３）で構成することで１．３
μｍ帯の信号光のみを受信することができる。

【００１１】また、本発明の端面入射型の半導体受光素
子と光ファイバあるいは半導体レーザ、光導波路等の光
デバイスを同一基板上に表面実装技術を用いてハイブリ
ッド集積する。

【００１２】

【作用】フラットエンドファイバとの光結合効率を向上
させるには、フラットエンドファイバのスポットサイズ
は１０μｍ程度であり、それと同程度あるいはそれ以上
の受光面積が必要である。これには通常の基板表面から
信号光を入射する半導体受光素子の構造が適している。

【００１３】しかし、５Ｖ以下に動作電圧を低減するた
めには、主に信号光を吸収するための光吸収層で構成さ
れる空乏層領域を２μｍ以下に狭くする必要があり、通
常の面入射型の半導体受光素子では光吸収層を２μｍ以
下と薄くすると、充分に信号光を吸収することができ
ず、量子効率は８０％以下と劣化してしまう。これには
素子長手方向に光吸収距離を稼ぐことができる端面入射
型の半導体受光素子が適しているが、フラットエンドフ
ァイバとの光結合損失が問題である。

【００１４】また、他の光デバイスとの整合性を考慮す
ると、端面入射型の半導体受光素子が有効である。

【００１５】上述の３つの課題を解決するためには、低
動作電圧化のために２μｍ以下と薄い光吸収層で構成さ
れた端面入射型の半導体受光素子のスポットサイズを１
０μｍ程度まで拡大する必要がある。

【００１６】本発明では、図１に示すような第一の半導
体層である半導体基板１５上に、半導体基板１５よりも
バンドギャップの大きい第二の半導体層１１、第二の半
導体層１１よりもバンドギャップが小さい第三の半導体
層１２、第三の半導体層１２よりもバンドギャップが大
きい第四の半導体層１３、第四の半導体層１３よりもバ
ンドギャップが大きい第五の半導体層１４を順次積層し
た構造で構成する。第三の半導体層１２以外の半導体各
層は不純物添加により抵抗は充分低く、かつ信号光に対
して透明な半導体層を用い、第三の半導体層１２はキャ
リア濃度が充分低く、信号光に対して受光感度を有する
半導体層を用いる。これにより、印加電圧は主に光吸収
層である第三の半導体層１２のみに掛かり低動作電圧化
を図ることができ、抵抗の充分低い第二の半導体層およ
び第四の半導体層によりスポットサイズの拡大が可能で
ある。

【００１７】図２は、光吸収層である第三の半導体層１
２の層厚を０．１μｍとした場合の第二の半導体層１１
と第三の半導体層１２および第四の半導体層１３の全膜
厚に対するフラットエンドファイバとの光結合効率の関
係を示したものである。これにより、全膜厚約６μｍ以
上で光結合効率が８０％以上となる。したがって、第二
の半導体層１１と第三の半導体層１２および第四の半導
体層１３の合計層厚をフラットエンドファイバのコア径
に近い６μｍ以上とし、光導波路の幅を１０μｍ以上と
することにより、動作電圧を高くせずに、スポットサイ
ズが１０μｍ程度と広い通常のフラットエンドファイバ
に対する光結合効率を向上することができる。

【００１８】図３は、第二の半導体層１１と第三の半導
体層１２および第四の半導体層１３の全膜厚を８μｍ一
定とした場合の光吸収層である第三の半導体層１２の層
厚とフラットエンドファイバとの光結合効率の関係を示
したものである。光吸収層である第三の半導体層１２の
層厚にほとんど依存せずに約８０％程度の光結合効率が
得られる。したがって低動作電圧化のために光吸収層で
ある第三の半導体層１２を２μｍ以下に薄くしても良好
な結合効率が得られる。このことは、第二の半導体層１
１と第三の半導体層１２および第四の半導体層１３の全
膜厚が６μｍ以上の場合で同様である。

【００１９】図４は、第二の半導体層１１と第三の半導
体層１２および第四の半導体層１３の全膜厚を８μｍと
し、光吸収層である第三の半導体層１２の層厚を０．１
μｍとした場合のフラットエンドファイバとの位置ずれ
量と光結合損失の関係を示したものである。最適な位置
から０．５ｄＢ結合損失するには、１．５μｍ程度の位
置ずれが許され、従来の０．５μｍ程度に比べ大幅な改
善が可能である。このことは、光吸収層である第三の半
導体層１２の層厚にほとんど依存せず、第二の半導体層
１１と第三の半導体層１２および第四の半導体層１３の
全膜厚が６μｍ以上の場合において同様である。

【００２０】さらに、同一面上の特にメサ上部に、バイ
アス電圧印加または応答信号出力のためのｐ型およびｎ
型電極を形成することにより、フリップチップ実装また
は表面実装が可能となる。これにより、他の導波路型光
デバイスとの集積化がより容易になる。

【００２１】また、第一の半導体層から第五の半導体層
までの層をＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ_zＰ_1-z（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）系の半導体層で構成する
ことにより、光通信に一般的に用いられる波長１．３μ
ｍ帯や１．５５μｍ帯の信号光に対して効率良く受光
し、かつフラットエンドファイバとの高結合効率および
良好なトレランスが可能となる。

【００２２】特に、第二及び第四の半導体層を１．３μ
ｍ帯の信号光に対して透明なＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_zＰ
_1-z（０≦ｘ≦０．２８、０≦ｚ≦０．６１）あるいは
Ｉｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ（０≦ｘ≦０．３４、０．１
３≦ｙ≦０．４８）で、第三の半導体層を１．３μｍ帯
の信号光に対して受光感度を有し、１．５５μｍ帯の信
号光に対しては透明なＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_zＰ_1-z（０．２
８≦ｘ≦０．４７、０．６１≦ｚ≦１）あるいはＩｎ
_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ（０．３４≦ｘ≦０．０．４７、
０≦ｙ≦０．１３）で構成することで１．３μｍ帯の信
号光のみを受信することが可能となり、１．３μｍ帯と
１．５５μｍ帯を用いた波長多重光伝送を実現すること
ができる。

【００２３】また、本発明の端面入射型の半導体受光素
子と光ファイバあるいは半導体レーザ、光導波路等の光
デバイスを同一基板上に一括表面実装することにより、
コンパクトで高性能かつ低コストな送受信モジュールを
作製することができる。

【００２４】

【実施例】

（実施例１）図５はＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_yＰ_1-y（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１）系化合物半導体を用いた本発明の一実
施例の全体構造斜視図である。ｎ−ＩｎＰ基板上に有機
金属気相成長法により形成した半導体多層構造５４を化
学エッチングによりメサ構造とした。中央部のメサ型導
波路が端面入射型の半導体受光素子であり、メサ上部の
幅は１０μｍである。その後ＳｉＮ等の絶縁膜５２を積
層し、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕよりなるｐ型電極５１およびｎ
型電極５３を形成した。劈開することによりメサ型導波
路の長さを２００μｍとした。その壁開面に反射防止膜
５５を形成することにより入射端面とした。

【００２５】図６に図５のＡ−Ａ’断面の構造を示す。
積層構造は、ｎ−ＩｎＰ基板６０上に有機金属気相成長
法により形成し、ｎ−ＩｎＰバッファ層６９（ｎ＝２×
１０¹⁸／ｃｍ³）が０．５μｍ、ｎ−Ｉｎ_0.81Ｇａ_0.19
Ａｓ_0.40Ｐ_0.60下部第二コア層６６（ｎ＝２×１０¹⁸／
ｃｍ³）が３．５μｍ、ノンドープＩｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａ
ｓ_0.74Ｐ_0.26光吸収層６５（ｎ≦２×１０¹⁵／ｃｍ³）
が１．０μｍ、ｐ−Ｉｎ_0.81Ｇａ_0.19Ａｓ_0.40Ｐ_0.60上
部第二コア層６４（ｐ＝２×１０¹⁸／ｃｍ³）が３．５
μｍ、ｐ−ＩｎＰクラッド層６３（ｐ＝２×１０¹⁸／ｃ
ｍ³）が１．０μｍ、ｐ−Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓコンタ
クト層６２（ｐ＝５×１０¹⁸／ｃｍ³）が０．２μｍか
ら構成される。ここで上部第二コア層６４および下部第
二コア層６６であるＩｎ_0.81Ｇａ_0.19Ａｓ_0.40Ｐ_0.60の
バンドギャップ波長は１．１５μｍであり、光吸収層６
５であるＩｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26のバンドギャ
ップ波長は１．４μｍである。これは、１．３μｍの信
号光に対しては受光感度を持つが１．５５μｍの信号光
に対してはほとんど受光感動を持たない構造である。ま
た、図６中の６７はパッシベーション用のＳｉＮ等の絶
縁膜であり、６１はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電
極、６８はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ型電極である。

【００２６】図７に示すように、作製した端面入射型の
半導体受光素子７１をＶ型の溝が形成されたＳｉ基板７
５上にフリップチップ実装した。７３はｎ型電極用の半
田バンプであり、７４はｐ型電極用の半田バンプであ
る。その後、Ｓｉ基板７５に形成されたＶ型の溝に信号
光入力のためのフラットエンドファイバを固定した。

【００２７】作製した端面入射型の半導体受光素子は、
波長１．５５μｍの信号光に対して、フラットエンドフ
ァイバとの光結合効率が８５％、外部量子効率が８０％
程度と極めて良好な特性が得られた。また、位置ずれに
対しても１μｍで０．５ｄＢの光結合損失と良好であっ
た。さらに、動作電圧も低く、１．５Ｖで最大遮断周波
数が１０ＧＨｚであった。

【００２８】また、上記の構造をＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_y
Ａｓ_zＰ_1-z（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）系
の半導体層で構成しても同様の効果が得られる。本実施
例では光吸収層６５に波長１．５５μｍの信号光に受光
感度が無く、波長１．３μｍの信号光に対して受光感度
を有する半導体層を用いたが、波長１．５５μｍの信号
光に受光感度を有する半導体層を用いても同様の効果が
得られる。

【００２９】

【発明の効果】本発明の端面入射型の半導体受光素子を
用いれば、同時に低動作電圧化とフラットエンドファイ
バとの光結合効率を８０％以上に向上することができ、
外部量子効率や位置ずれトレランスの改善を図ることが
できる。また、他の光デバイス同様な導波路構造である
ので集積化が容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の典型的な断面構造と屈折率分布の関係
を表す図である。

【図２】第二の半導体層１１と第三の半導体層１２およ
び第四の半導体層１３の全膜厚に対するフラットエンド
ファイバとの光結合効率の典型的な関係を表す図であ
る。

【図３】第三の半導体層１２の層厚とフラットエンドフ
ァイバとの光結合効率の典型的な関係を表す図である。

【図４】フラットエンドファイバとの位置ずれ量と光結
合損失の典型的な関係を表す図である。

【図５】本発明実施例１の端面入射型の半導体受光素子
の全体構造斜視図である。

【図６】本発明実施例１の端面入射型の半導体受光素子
のＡ−Ａ’断面構造図である。

【図７】本発明実施例１の端面入射型の半導体受光素子
の実装構造の斜視図である。

【符号の説明】

１１…第二の半導体層、１２…第三の半導体層、１３…
第四の半導体層、１４…第五の半導体層、１５…第一の
半導体層である半導体基板、５１…Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕか
らなるｐ型電極、５２…絶縁膜、５３…Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕからなるｎ型電極、５４…半導体多層構造、５５…反
射防止膜、６０…ｎ−ＩｎＰ基板、６１…Ｔｉ／Ｐｔ／
Ａｕからなるｐ型電極、６２…ｐ−Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａ
ｓコンタクト層、６３…ｐ−ＩｎＰクラッド層、６４…
ｐ−Ｉｎ_0.81Ｇａ_0.19Ａｓ_0.40Ｐ_0.60上部第二コア層、
６５…ノンドープＩｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26光吸
収層、６６…ｎ−Ｉｎ_0.81Ｇａ_0.19Ａｓ_0.40Ｐ_0.60下部
第二コア層、６７…絶縁膜、６８…Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕか
らなるｎ型電極、６９…ｎ−ＩｎＰバッファ層、７１…
本発明実施例１の端面入射型の半導体受光素子、７２…
フラットエンドファイバ、７３…ｎ型電極用半田バン
プ、７４…ｐ型電極用半田バンプ、７５…Ｖ型溝付きＳ
ｉ基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者花谷昌一東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者田中滋久東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一の半導体層と、該第一の半導体層上に
第一の半導体層よりもバンドギャップが小さい第二の半
導体層と、該第二の半導体層上に第二の半導体層よりも
バンドギャップが小さい第三の半導体層と、該第三の半
導体層上に第三の半導体層よりもバンドギャップが大き
い第四の半導体層と、該第四の半導体層上に第四の半導
体層よりもバンドギャップが大きい第五の半導体層とで
構成され、前記第三の半導体層のキャリア濃度は第一、
第二、第四及び第五の半導体層のキャリア濃度よりも低
く、かつ信号光に対して受光感度を有し、前記第二ある
いは第四の半導体層と第三の半導体層の境界界面近傍、
または第二あるいは第四の半導体層内にｐｎ接合を有
し、端面から光を入射するための手段を備えたことを特
徴とする端面入射型の半導体受光素子。
【請求項２】請求項１記載の半導体受光素子において、
前記第二及び第四の半導体層が、順次バンドギャップが
変化する複数の半導体層で構成されることを特徴とする
端面入射型の半導体受光素子。
【請求項３】請求項１又は請求項２記載の半導体受光素
子において、前記第二の半導体層と第三の半導体層およ
び第四の半導体層の合計層厚が６μｍ以上であることを
特徴とする端面入射型の半導体受光素子。
【請求項４】請求項１、請求項２又は請求項３記載の半
導体受光素子において、前記第三の半導体層の層厚が２
μｍ以下、または逆バイアス電圧５Ｖ、特に３Ｖ以下で
前記第三の半導体層が空乏化することを特徴とする端面
入射型の半導体受光素子。
【請求項５】端面から光を入射する手段として光導波路
構造を有し、その光導波路を構成するメサ構造の少なく
とも一部の幅が１０μｍ以上であることを特徴とする請
求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載の端面入
射型の半導体受光素子。
【請求項６】素子表面同一面上に、バイアス電圧印加ま
たは応答信号出力のための手段を有することを特徴とす
る請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項
５記載の端面入射型の半導体受光素子。
【請求項７】前記第一の半導体層から第五の半導体層ま
での層がＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ_zＰ_1-z（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）系の半導体層で構成され
ることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請
求項４、請求項５又は請求項６記載の端面入射型の半導
体受光素子。
【請求項８】第二及び第四の半導体層がＩｎ_1-xＧａ_xＡ
ｓ_zＰ_1-z（０≦ｘ≦０．２８、０≦ｚ≦０．６１）で、
第三の半導体層がＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ_zＰ_1-z（０．２８≦
ｘ≦０．４７、０．６１≦ｚ≦１）で構成されること特
徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請
求項５又は請求項６記載の端面入射型の半導体受光素
子。
【請求項９】第二及び第四の半導体層がＩｎ_1-x-yＧａ_x
Ａｌ_yＡｓ（０≦ｘ≦０．３４、０．１３≦ｙ≦０．４
８）で、第三の半導体層がＩｎ_1-x-yＧａ_xＡｌ_yＡｓ
（０．３４≦ｘ≦０．０．４７、０≦ｙ≦０．１３）で
構成されること特徴とする請求項１、請求項２、請求項
３、請求項４、請求項５又は請求項６記載の端面入射型
の半導体受光素子。
【請求項１０】請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８又は請求
項９記載の端面入射型の半導体受光素子と光ファイバと
を同一基板上に集積化することを特徴とする半導体受光
装置。
【請求項１１】請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８又は請求
項９記載の端面入射型の半導体受光素子と半導体レー
ザ、光導波路等の光デバイスを同一基板上に集積化する
ことを特徴とする半導体受光装置。