JPH08339872A - 電気コンタクトに制御インピーダンスを付与する装置 - Google Patents
電気コンタクトに制御インピーダンスを付与する装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】制御インピーダンスをソケット内の所定の
接触素子に直接付与し、電気相互接続システムの「ひず
み」性を低減するための装置。本発明の実施形態例にお
いて、ソケットの所定のコンタクトは抵抗、インダクタ
ンス、キャパシタンス又はこれらを組み合わせて組み込
む。実施形態の別例において、少なくとも１つの能動素
子も所定のコンタクトに組み込まれる。このように、所
定のコンタクトはコンタクト自体に組み込まれた回路に
より規定され、対応信号を所定の方法で「処理」する。
実行される機能の例には、増幅、アナログ・デジタル変
換、デジタル・アナログ変換、所定の論理機能がある
が、これらに限定されるものではなく、マイクロプロセ
ッサ機能を含め、能動素子及び／又は受動素子を組み合
わせて実行される他の如何なる機能も有する。
接触素子に直接付与し、電気相互接続システムの「ひず
み」性を低減するための装置。本発明の実施形態例にお
いて、ソケットの所定のコンタクトは抵抗、インダクタ
ンス、キャパシタンス又はこれらを組み合わせて組み込
む。実施形態の別例において、少なくとも１つの能動素
子も所定のコンタクトに組み込まれる。このように、所
定のコンタクトはコンタクト自体に組み込まれた回路に
より規定され、対応信号を所定の方法で「処理」する。
実行される機能の例には、増幅、アナログ・デジタル変
換、デジタル・アナログ変換、所定の論理機能がある
が、これらに限定されるものではなく、マイクロプロセ
ッサ機能を含め、能動素子及び／又は受動素子を組み合
わせて実行される他の如何なる機能も有する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気相互接続システ
ムに関し、より詳細には同システムにおいて信号を調整
する高性能電気相互接続システムに関するものである。 【０００２】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】２つの
導体間にて電気接触を遂行するには過剰なほどの用途が
存在する。このような用途の例には、ケーブルコネク
タ，ＰＣボードコネクタ、ソケットコネクタ，ＤＩＰキ
ャリア等がある。例示的な用途において、相互接続シス
テムは第１のプリント回路板上の幾つかの端子と、第２
のプリント回路板上の対応する幾つかの端子と間の相互
接続を遂行する。このような装置は２つの回路板間に電
気インターフェースを付与するのに用いられる。別の例
示的な用途において、相互接続システムは集積回路装置
のリードと、プリント回路板上の伝導パッド、即ち端子
との間における相互接続を遂行する。そして、回路板は
テスタ装置又は他の制御手段に接続される。このような
装置は集積回路装置の性能を評価するのに用いられる。 【０００３】電気的かつ機械的考慮を含め、電気相互接
続システムの構造に対して広く考慮が払われる。一般的
な相互接続システムでは、自己インダクタンス、抵抗、
キャパシタンス、インピーダンス整合特性等の電気性能
に対して特別な注意を払わねばならない。寿命要件、修
理性又は交換性、動作温度要件等、機械的にも考慮しな
ければならない。最後に、電気相互接続システムの特定
の用途では幾つかの独特なパラメータが生成されるが、
これも考慮せねばならない。例えば、集積回路装置のリ
ードとプリント回路板の端子との間を電気的に接続する
相互接続システムにおいて、端子の共平面性、機械的制
作公差並びに相互接続システムに対するデバイス端子の
デバイスの配置及び方向付け等の種々のパラメータを考
慮せねばならない。 【０００４】相互接続システムの主たる目的は、２端子
間において非ひずみ性の電気相互接続を維持することに
ある。この目的を果たすべく、相互接続システムは、リ
ードのインダクタンス及び抵抗、リードからリードまで
のキャパシタンス、リードから接地までのキャパシタン
ス、電気的減結合システム、及び信号路のインピーダン
ス整合特性を制御するように、注意して設計されねばな
らない。これら全ての特性は、ある程度、電気相互接続
システムのひずみ性の一因になる。 【０００５】相互接続システムの寄生効果を最小限に抑
えるように、種々の方法が考案されてきた。一般的な方
法は電気相互接続システムの電気機械的コンタクトに隣
接して信号調整回路を設けることである。信号調整回路
は通常、端末部品のような別個の素子であって、回路の
インピーダンスを調整し、制御するのに用いられる。必
要な信号調整部品及び電気機械的コンタクトは物理的に
分離しているため、理想的な相互接続システムを得るこ
とは困難であって、よって、相互接続システムの正確
さ、精度及び再生性能を低下させてしまう。 【０００６】従来技術の１つの構造が１９７５年４月２
９日にロックハート、ジュニア（Lockhart, Jr.）に付
与された米国特許第４，２６０，７６２号に開示されて
いる。ロックハートはデュアル・インライン・集積回路
パッケージとプリント回路基板とを接続するためのテス
トソケットを提案している。ソケットの本体にコンデン
サが設けられ、ソケット材料はコンデンサに誘電体を付
与する。コンデンサのコンタクトはソケットコネクタに
接触し、次に、ソケットコネクタは集積回路パッケージ
に接触する。即ち、ロックハートは、前記のようにコン
デンサが「ロードボード」上ではなく、ソケット本体に
設けられるテストソケットを提案している。 【０００７】テストソケットを有する第１の回路板を同
軸プローブカード（probe card）に接続し、最後にはＩ
Ｃテスタに接続するという考察が、１９９１年２月２６
日にポープ（Pope）に付与された米国特許第４，９９
６，４８７号に開示されている。第１の回路板は第１の
回路板に接続された集積回路テストソケットを有し、集
積回路テストソケットからメッキされた透孔を辿り、更
には閉塞通路（blind vias）を辿っている。そして、同
軸プローブカードはＩＣテスタと集積回路テストソケッ
トとの間にて電気的に伝達するように閉塞通路に係合す
る。 【０００８】１９８７年９月２２日にタレンド（Talen
d）に付与された米国特許第４，６９５，１１５号にテ
レフォンジャック（telephone jack）におけるノイズを
低減するための方法が開示されている。タレンドは電話
におけるモジュラジャック（modular jack）を提案し、
分離したバイパスコンデンサはノイズを濾過するように
ジャックのリードに接続される。タレンドはモジュラジ
ャックエレメントにおいて接地平面に延びるモノリシッ
ク状表面取付けコンデンサを用いることを考察してい
る。 【０００９】１９８９年８月１日にクリング（Kling）
に付与された米国特許第４，８５３，６５９号に、コネ
クタにおけるノイズを低減するパイ−ネットワーク（pi
-network）の使用方法が開示されている。クリングは一
対の分路コンデンサ及びこれらの間に連続する誘電部材
を含む平面パイ−ネットワーク・フィルタを用いること
を提案している。クリングはパイ−ネットワークフィル
タをケーブルコネクタ等とともに用いることを考察して
いる。 【００１０】１９９１年１月８日にマジディ−アハイ
（Majidi-Ahy）らに付与された米国特許第４，９８３，
９１０号に、５０GHzを上回る周波数を有する信号を注
入する際に使用されるミリメートル波プローブが開示さ
れている。マジディ−アハイらにおいて、入力インピー
ダンス整合部分は低域通過フィルタからのエネルギーを
一対の整合された逆平行ビームリード・ダイオードに接
続する。これらダイオードは出力インピーダンス整合ネ
ットワークによりダイオード中を通過する奇数高調波を
発生させる。 【００１１】最後に、１９９３年１２月２８日にクルッ
ク（Crook）らに付与された米国特許第５，２７４，３
３６号に、アナログ信号及びデジタル信号の双方を非接
触的に得るために用いることが可能な容量性負荷プロー
ブが開示されている。クルックらにおいて、このプロー
ブはシールド・プローブチップ、プローブチップに機械
的に連結されたプローブ本体、及びプローブ本体内に配
置された増幅器回路からなる。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、相互接続シス
テムの接触素子内に直接信号に対して電気的に作用する
ための手段を設けることにより、従来技術の問題点を解
決する。本発明は如何なる種類の電気相互接続システム
にも適用可能であると考えられ、ケーブルコネクタ，Ｐ
Ｃボードコネクタ、テストソケットコネクタ，ＤＩＰキ
ャリア等があるが、これらに限定されるものではない。 【００１３】実施形態例において、電気相互接続システ
ムは複数のコンタクトを備え、各コンタクトの第１の部
分は対応する第１の端末と電気的に伝達させられる。各
コンタクトの第２の部分は対応する第２の端末と電気的
に伝達する。相互接続システムの性能を向上させるべ
く、本発明はコンタクトのうちの所定のコンタクト内に
直接信号に対して電気的に作用するための手段を提供す
る。接触素子内に直接、制御されたインピーダンスを付
与することにより多くの効果が得られる。例えば、集積
回路の試験的適用において、制御インピーダンスの最大
効果は、制御インピーダンスを集積回路のリードに極力
接近するように位置づけて得られる。即ち、制御インピ
ーダンスの配置が集積回路のリードに接近するほど、制
御インピーダンスが相互接続システムのひずみ性を低減
する効果が大きくなる。本実施形態において、制御イン
ピーダンスは隣接するロードボード等に配置されるので
はなく、対応するテストソケット内におけるコンタクト
に直接接続される。 【００１４】本発明の一態様において、ソケットの所定
のコンタクトは抵抗、インダクタンス、キャパシタンス
及び／又は表面弾性波フィルタを内装している。更に、
ソケットの所定のコンタクトは上記素子を組み合わせて
有し、よって、回路を形成する。この付加的インピーダ
ンスは対応する信号線における反射又は他のノイズ機構
を低減するため、インピーダンス整合を目的として用い
られる。更に、付加インピーダンスは静電結合又は誘電
結合を信号ピン又は電源ピンに付与するのに用いられ
る。即ち、制御インピーダンスは対応する信号に電気的
に作用する。 【００１５】本発明の別の態様において、ソケットのコ
ンタクトの所定のコンタクトはロードボード上の多くの
信号トレーサに接触する。即ち、各コンタクトは特定の
半導体素子のリードに対応する特定の信号トレーサを含
め、ロードボード上の多くの独立した信号と電気的に伝
達する。 【００１６】本発明の別の態様において、ソケットの所
定のコンタクトは少なくとも１つの能動素子を組み込
む。例えば、コンタクトはトランジスタ、ダイオード等
を組み込む。更に、コンタクトはトランジスタ、ダイオ
ード、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、表面弾性波フ
ィルタ、ゲート等を組み合わせて有し、回路を形成す
る。この態様において、コンタクトのインピーダンスは
コンタクト自体の論理レベル又は他の制御手段により、
前段落にて説明したように、別の独立信号により選択的
に制御される。 【００１７】ソケットの特定のコンタクトに能動素子を
設けることには多くの用途があると認識される。例え
ば、僅か１つのトランジスタを組み込んだコンタクト
は、半導体素子、テスタ又は他のエレメントが対応する
信号トレーサを駆動しているか否かを制御するのに用い
られる。即ち、テスタ又は他の手段が半導体素子の対応
出力を過度に駆動することなく、対応信号トレーサを駆
動するように、１つのトランジスタはオフにされ、よっ
て、そのインピーダンスを実質的に増大させる。同様
に、１つのトランジスタはオンにされ、よって、そのイ
ンピーダンスを低レベルに低下させ、半導体素子が信号
トレーサをテスタ又は他のエレメントに駆動し戻すこと
を許容する。これは双方向の入力／出力ピンを有する半
導体素子の場合に特に有用である。これは本発明の１つ
の用途に過ぎず、他に多くの用途が考えられると認識さ
れる。 【００１８】上記のように、ソケットの所定のコンタク
トに多くの能動素子が組み込まれ、回路を形成する。イ
ンダクタ、コンデンサ及び抵抗器も組み込まれ、結合さ
れる。この構成において、所定のコンタクトはコンタク
ト自体に組み込まれた回路により規定され、所定の方法
で対応する信号を「処理」する。例えば、コンタクトに
幾つかのトランジスタが組み込まれ、これらトランジス
タは増幅器機能を付与するように配置される。即ち、半
導体素子、テスタ装置又は他の手段により付与される信
号はソケットのコンタクトにより増幅される。他の機能
の例にはアナログ・デジタル変換器、デジタル・アナロ
グ変換器、所定の論理機能があるが、これらに限定され
るものではなく、マイクロプロセッサ機能を含め、能動
素子及び／又は受動素子を組み合わせて遂行される他の
如何なる機能でもよい。 【００１９】本発明の別の態様において、インピーダン
スはコネクタ内における２つの部品間に生成される。例
えば、並行かつ隣接する２つのコンタクトが絶縁材によ
り絶縁され、この間にキャパシタンスを生成する。コン
タクトの１つは半導体素子上の電源リードに接続され、
これに隣接するコンタクトは接地に直接接続される。こ
の構成により電源と接地との間にキャパシタンスが付与
され、よって、半導体素子の電源におけるノイズを低減
する。所望とあれば、この態様は信号線間又は信号線と
電源／接地との間を絶縁するのにも用いられる。即ち、
接地に接続されたコンタクトは２つの信号コンタクト間
に配置され、この間におけるクロストークの量を低減す
る。コンタクトは所定のコンタクトにおけるインダクタ
ンスの量を制御するように形成される。これは単なる例
示的な態様であって、コネクタの少なくとも２つの部品
間にインピーダンスを付与する態様が考えられることを
認識されたい。 【００２０】別の態様において、制御インピーダンスは
複数のコンタクトのうちの所定のコンタクト上に設けら
れ、又は同コンタクト中に組み込まれる。最も単純な態
様において、コンタクト自体により付与される抵抗はそ
の材料又は形状を変えて変更される。より複雑な態様に
おいて、限定するものではないと思われるが、所定のコ
ンタクト上に制御インピーダンスを生成するように金属
基板（MS）が用いられる。例えば、２つ以上の金属プレ
ートが、インピーダンス制御された（即ち、伝送線、ス
トリップライン及び／又はマイクロストリップ）電気機
械的コンタクトを形成するように、機械的に結合される
とともに互いに電気的に分離される。１つの金属プレー
トは信号平面として機能し、これに隣接する金属プレー
トは電気接地基準として機能する。電気絶縁は幾つかの
手段により可能であり、ポリイミド、エポキシ樹脂、ウ
レタン等を有する熱設定を行う誘電コーティングを施
し、ポリエチレン等を有する熱可塑性コーティングを施
し、又は陽極酸化若しくは熱成長により自然酸化物を成
長させることによっても可能である。これら種々の方法
は絶縁材の誘電率及び平面分離等の幾つかの可調整パラ
メータを介し、インピーダンスの制御を許容する。機械
的結合は幾つかの手段によってなされ、１つ以上のエラ
ストマ部材による、若しくはその間における懸架があ
り、及び／又はハウジング内におけるスロットのような
所定の機械的構成物内にて個々の平面若しくは複数組の
複合平面に参照を付す懸架がある。 【００２１】本発明の別の態様において、限定するもの
とは思われないが、所定のコンタクト上に制御インピー
ダンスを生成するように、セラミック製基板（CS）が用
いられる。例えば、インピーダンス制御された電気機械
的コンタクトを生成するように、セラミック基板上にパ
ターン化された金属が形成される。例示的態様におい
て、従来の薄膜多層技術により３端子型コンデンサが設
けられ、第１の２つの端子は信号Ｉ／Ｏに対応し、第３
の端子は接地基準に対応する。同一のインピーダンス制
御の３端末型コンデンサが改変された多層薄膜法により
製造可能であって、伝導相が不活性／キャリア基板上に
蒸着されるとともに、化学陽極酸化、プラズマ酸化及び
／又は酸化物熱成長を用いて選択的に酸化するようにパ
ターン化され、誘電体内に伝導性金属パターンを形成す
ることも考えられる。最後に、この処理はＮ回繰り返さ
れ、３端末型コンデンサの多層能動コンタクト構造を形
成することが考えられる。 【００２２】最後の２つの態様は主に３端子コンデンサ
型デバイスを例示するものであるが、抵抗、インダクタ
ンス、キャパシタンス、及び／又はこれらを組み合わせ
たものを所定のコンタクトに設けるように、他の従来処
理を用いることができると考えられる。トランジスタ、
ダイオード等及び／又はこれらを組み合わせて有する他
の能動素子を所定のコンタクトに設けるように、従来の
処理又は他の処理を用いることが更に考えられる。最後
に、マイクロプロセッサ機能等の所定の機能を付与する
回路構成において幾つかの能動素子及び／又は受動素子
を所定のコンタクトに設けるように、従来の処理又は他
の処理を用いることが考えられる。上記の態様におい
て、電気作用手段はコンタクト自体と一体化されてい
る。 【００２３】最後に、上記のコンタクトを含むコネクタ
装置は、各コンタクトが別のコンタクトと交換可能であ
るように設計される。これにより、インダクタを有する
コンタクトは抵抗器を有する別のコンタクトと交換可能
になる。容易に把握できるように、これによりコネクタ
装置は組み立てられ、使用中であっても形成可能であ
る。即ち、コネクタ装置は特定の用途のために特注さ
れ、更には新たな使用法を取り込むように変更される。 【００２４】 【発明の実施の形態】図１はパッケージ半導体素子及び
インターフェース・ボード２６に接続された能動コンタ
クトの概略側面図である。本発明の実施形態例では、制
御されたインピーダンスをテストソケットにおける所定
の接触素子に直接付与し、電気相互接続システムの「ひ
ずみ」性を低減している。本発明はテストソケットに限
定されるものではなく、ケーブルコネクタ、ＰＣボード
コネクタ、テストソケットコネクタ、ＤＩＰキャリア等
にも適用することが更に考えられている。 【００２５】半導体素子のソケットは複数のコンタクト
を備え、各コンタクトの第１の部分は半導体素子の対応
するリードと電気的に伝達するようにされる。各コンタ
クトの別の部分はロードボード・ターミナル又はその等
価物と電気的に伝達し、続いて他のテスト手段のテスタ
と電気的に伝達する。即ち、各コンタクトはロードボー
ド・ターミナルと半導体素子上の対応リードとを機械的
かつ電気的に接続する。ソケットの性能を向上させるべ
く、本発明は所定のコンタクト内に制御インピーダンス
を付与することにより電気的に信号に作用する。電気作
用手段は対応コンタクトと一体化されている。相互接続
システムに付加される制御インピーダンスの最大効果を
得るべく、制御インピーダンスを半導体素子のリードに
極力近接させることが肝要である。即ち、制御インピー
ダンスが半導体素子のリードに接近するほど、制御イン
ピーダンスが相互接続システムのひずみ性を低減する効
果が大きくなる。本発明において、制御インピーダンス
はソケット内におけるコンタクトに直接接続されてい
る。 【００２６】図１に示す実施形態例において、能動コン
タクト１０はインターフェース１８を介してパッケージ
半導体１２のリード１４に接続されている。更に、能動
コンタクト１０はインターフェース２０を介してロード
ボード・ターミナル１６に接続されている。能動コンタ
クト１０はインターフェース２４を介し、少なくとも他
の１つのロードボード・ターミナル２２にも接続されて
いる。能動コンタクト１０はパッケージ半導体のリード
１４とロードボード・ターミナル１６及び２２とを機械
的かつ電気的に接続している。 【００２７】本発明の実施形態の例によると、ソケット
の所定のコンタクト１０は抵抗、インダクタンス、キャ
パシタンス、表面弾性波フィルタを有し、又はこれらが
組み合わされて組み込まれている。抵抗、インダクタン
ス、キャパシタンス、表面弾性波フィルタが組み合わさ
れると、回路を形成する。対応する信号線上における反
射又は他のノイズ機構を低減すべく、この付加的インピ
ーダンスはインピーダンスの整合を目的として用いられ
る。更に、付加的インピーダンスは信号ピン又は電源ピ
ンを静電結合し、又は誘導結合するのに使用される。 【００２８】テストソケットの能動コンタクト１０の所
定のコンタクトは、ロードボード上の複数の信号トレー
サに接触すると考えられる。即ち、各コンタクト１０
は、特定の半導体素子のリード１４に対応する特定の信
号トレーサを含め、ロードボード上の複数の信号トレー
サと電気的に伝達し、かつ機械的に係合する。例えば、
図１に示す実施形態において、能動コンタクト１０は第
１のロードボード・ターミナル１６及び第２のロードボ
ード・ターミナル２２に接続されている。能動コンタク
ト１０は同様にして複数のロードボード・ターミナルに
接続されると考えられる。 【００２９】ソケットの所定のコンタクト１０は、コン
タクト上又はコンタクト中に組み込まれた少なくとも１
つの能動素子を有すると更に考えられる。例えば、能動
コンタクト１０はトランジスタ、ダイオード等を有し、
又はこれらを組み合わせて組み込み、回路を形成してい
る。抵抗、キャパシタンス、インダクタンス、トランジ
スタ、ダイオード、表面弾性波フィルタ、ゲート等を組
み合わせてコンタクトに組み込み、回路を形成すること
が更に考えられる。この態様において、コンタクトのイ
ンピーダンスはコンタクト自体の論理水準又は他の制御
手段により、前段落において説明しているように別の独
立信号により選択的に制御される。この態様において、
能動コンタクトは図１に示すように３つのポート１８，
２０，２４を有している。 【００３０】図２は能動コンタクト１０Ａの実施形態例
の概略側面図であり、能動コンタクト１０Ａはパッケー
ジ半導体素子のリード１４とロードボード・ターミナル
１６との間を延びる相互接続部２８にキャパシタンスを
付与する。この例示的態様において、コンデンサ３０は
パッケージ半導体素子のリード１４とロードボード・タ
ーミナル１６との間における相互接続部２８に接続され
た第１のリードを有している。コンデンサ３０はインタ
ーフェース２４を介してロードボード・ターミナル２２
に接続された第２のリードを有している。この態様にお
いて、ロードボード・ターミナル２２は接地され、相互
接続部２８と接地との間にキャパシタンスを付与する。
図２は単に例示的なものであって能動コンタクト１０Ａ
はインダクタ、抵抗器、ダイオード、表面弾性波フィル
タを備え、或いはインピーダンス及び／又は制御を付与
する素子であれば他の如何なる素子も含むと考えられ
る。能動コンタクト１０Ａは上記の素子を如何様にも組
み合わせて回路を形成することが更に考えられる。 【００３１】図３〜図４は能動コンタクト１０に配置さ
れた能動素子を有する実施形態を例示する。図３は能動
コンタクトの実施形態例の概略側面図であって、能動コ
ンタクト１０Ｃはパッケージ半導体素子のリード１４と
ロードボード・ターミナル１６との間にダイオード手段
３６を付与している。この態様により半導体素子１２は
電流をロードボード・ターミナル１６に供給するが、電
流がロードボード・ターミナル１６から半導体素子１２
に流れることは許容しない。同様に、図４は能動コンタ
クトの実施形態例の概略側面図であって、能動コンタク
ト１０Ｄはパッケージ半導体素子のリード１４とロード
ボード・ターミナル１６との間にスイッチ手段を付与し
ている。実施形態例において、このスイッチ手段はゲー
ト、ソース及びドレーンを有するトランジスタ４０を備
えている。トランジスタ４０のドレーンはインターフェ
ース１８を介して半導体素子のリード１４に接続され、
トランジスタ４０のソースはインターフェース２０を介
してロードボード・ターミナル１６に接続され、トラン
ジスタ４０のゲートはインターフェース２４を介してロ
ードボード・ターミナル２２に接続されている。この態
様において、ロードボード・ターミナル２２はロードボ
ード・ターミナル１６と半導体素子のリード１４との間
におけるインピーダンスを制御する。更に、能動コンタ
クト１０Ｄは３つのポート１８，２０，２４を有してい
る。 【００３２】能動素子をソケットの所定のコンタクト１
０に設けることには多くの用途があると認識されてい
る。例えば、図４に示すように、１つのトランジスタを
組み込んだコンタクトは、半導体素子又はテスタが対応
するロードボード・ターミナルを駆動しているか否かを
制御するのに使用される。即ち、１つのトランジスタ４
０はロードボード・ターミナル２２に適正な電圧を加え
てオフにされ、半導体素子のリード１４からロードボー
ド・ターミナル１６への通路のインピーダンスを実質的
に増大させ、テスタが半導体素子１２の出力を過度に駆
動することなく対応するロードボード・ターミナル１６
を駆動するようにしている。同様に、１つのトランジス
タ４０はロードボード・ターミナル２２に適正な電圧を
加えてオンにされ、半導体素子のリード１４からロード
ボード・ターミナル１６への通路のインピーダンスを低
減し、半導体素子１２がロードボード・ターミナル１６
をテスタに対して駆動し戻すようにし、また、この逆も
あり得る。これは双方向性入力／出力ピンを有する半導
体素子の場合に特に有用である。これは本発明の１つの
用途にすぎず、数多くの用途が考えられると認識されて
いる。 【００３３】上記のように、複数の能動素子がソケット
の所定のコンタクト１０に組み込まれ、回路を形成する
ことが更に考えられる。インダクタ、コンデンサ、抵抗
器及び／又は表面弾性波フィルタも組み込まれ、結合さ
れる。この態様において、所定のコンタクトは能動コン
タクト１０自体に組み込まれた回路に規定され、対応す
る信号を所定の方法で「処理」する。例えば、幾つかの
トランジスタが能動コンタクト１０に組み込まれ、これ
らトランジスタは増幅器の機能を付与するように配置さ
れる。即ち、半導体素子４０又はテスタ装置（図示せ
ず）により供給される信号は、ソケットの能動コンタク
ト１０により増幅される。他の機能の例には、アナログ
・デジタル変換、デジタル・アナログ変換、所定の論理
機能があるが、これらに限定されるものではなく、マイ
クロプロセッサ機能を含め、能動素子及び／又は受動素
子を組み合わせて遂行される機能であれば如何なる機能
でもよい。 【００３４】図５は能動コンタクトの実施形態例の平面
図であって、これら能動コンタクトは薄い絶縁材により
区分され、その間にインピーダンスを付与している。図
６は図５に示す実施形態の斜視図である。実施形態例に
おいて、複数の「Ｓ」形コンタクトが設けられ、各
「Ｓ」形コンタクトは半導体素子１３８の対応するリー
ドに係合している。各「Ｓ」形コンタクトの第１のフッ
ク部分１４１は第１のエラストマエレメント１４２に係
合している。各「Ｓ」形コンタクトの第２のフック部分
１４３は第２のエレメント１４４に係合している。第２
のエレメント１４４は固形材料又はエラストマ材から構
成されている。半導体素子１３８のリード１３７は対応
「Ｓ」形コンタクト１３５に係合しているため、エラス
トマエレメント１４２は変形し、「Ｓ」形コンタクト１
３５は対応する半導体素子のリード１３７から偏向され
る。これは対応する半導体素子１３８上の非プレーナ型
デバイスリードを補償するのに有用である。 【００３５】図５及び図６について説明すると、ソケッ
ト内における２つの構成要素の間にインピーダンスが生
成される。例えば、並行かつ隣接するコンタクト１３４
及び１３５が絶縁材１３６により絶縁され、この間にキ
ャパシタンスを生成している。コンタクトの１つ１３５
は対応する半導体素子１３８における電源ピン１３７に
係合され、これに隣接するコンタクト１３４は接地ピン
１３９に係合されている。この形態により電源と接地と
の間にキャパシタンスが付与され、半導体素子１３８の
電源におけるノイズを低減している。 【００３６】本実施形態は所望とあれば信号線間又は信
号線と電源／接地との間を絶縁するのにも用いられる。
即ち、コンタクト１３７は接地に接続され、２つの信号
コンタクト１３４と１４０との間に配置されて、この間
のクロストーク量を減少させる。このコンタクトは所定
のコンタクトにおけるインダクタンスの量を制御するよ
うに形成されている。一実施形態において、第１のコン
タクト１３５、絶縁材１３６及び第２のコンタクト１３
４はサンドイッチ状にされて、これらの間にインピーダ
ンスを生成している。これを実施するには従来の積層処
理を用いる。別の実施形態において、第１のコンタクト
１３５及び／又は第２のコンタクト１３４は表面上に酸
化物被膜を有している。酸化物被膜は標準酸化処理を用
いてコンタクトの外面上に成長させられる。この態様に
おいて、第１のコンタクト１３５は電気絶縁を維持しな
がら第２のコンタクト１３４に直接接触させられてい
る。 【００３７】上記の実施形態は単に例示するものであっ
て、ソケットの少なくとも２つの構成部品の間にインピ
ーダンスを付与する他の実施形態が考えられると認識さ
れる。 【００３８】図７はパッケージ半導体素子及びインター
フェースボードを有する本発明の実施形態例の部分斜視
図である。上記のように、制御されたインピーダンスは
複数のコンタクトのうちの所定のコンタクト上に設けら
れ、又は同コンタクト中に組み込まれている。最も単純
な態様では、コンタクトが付与する抵抗は材料又は材料
の形状を変えて変更される。より複雑な態様では、限定
するものではないと思われるが、複数のコンタクトのう
ちの所定のコンタクト上に制御インピーダンスを生成す
るのに金属基板（MS）が使用される。例えば、インピー
ダンス制御された（即ち、ストリップライン）電気機械
的コンタクトを形成するように、２つ以上の金属平面が
機械的に結合されるとともに互いに電気的に分離され
る。１つの金属平面は信号平面として機能し、これに隣
接する金属平面は電気接地基準として機能する。電気絶
縁は幾つかの手段により行うことが可能であり、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、ウレタン等を有する熱設定を行う
誘電コーティングを施し、ポリエチレン等を有する熱可
塑性コーティングを施し、又は陽極酸化若しくは熱成長
により自然酸化物を成長させることによっても可能であ
る。これら種々の方法は絶縁材の誘電率の可調整パラメ
ータ及び平面分離を介し、インピーダンスの制御を許容
する。機械的結合は幾つかの手段によってなされ、１つ
以上のエラストマ部材による、若しくはその間における
懸架があり、及び／又はハウジング内におけるスロット
のような所定の機械的構成物内にて個々の平面若しくは
複数組の複合平面に参照を付す懸架がある。 【００３９】本質的に、この能動コンタクトの実施形態
には如何なる金属を用いてもよい。アルミニウムは容易
に陽極酸化可能であるために好ましい材料であって、良
質かつ好特性の誘電体薄膜を生成する。使用される他の
金属には銅及び銅合金、鋼鉄及びNi-Fe合金、NiCr合
金、遷移金属及び合金、並びに２種以上の金属からなる
合金があるが、これらに限定されるものではない。これ
らの非従来的コンタクトの中には、コンタクトの体抵抗
を調節し、かつ制御するように、メッキされた形態又は
メッキされない形態のいずれかにおいて有用なものがあ
る。 【００４０】図７について説明すると、少なくとも１つ
のリード１１４を有するパッケージ半導体素子１１２
は、少なくとも１本のリード１１４が能動コンタクト１
３０に対して電気機械的に接触するように、ハウジング
１１６に受承されている。半導体素子１１２はリードチ
ャネル１１８又は他の位置付け手段により適正位置に配
置されている。 【００４１】能動コンタクト１３０はデバイスエレメン
ト１２０及びプレート１２６を備えている。デバイスエ
レメント１２０及びプレート１２６は上記のように金属
材料から構成されている。半導体素子１１２の少なくと
も１つのリード１１４は、デバイスエレメント１２０の
第１の部分に対して電気機械的に接触している。同様
に、デバイスエレメント１２０の第２の部分はロードボ
ード１２２上の信号Ｉ／Ｏパッド１２８に対して電気機
械的に接触し、従って、半導体素子１１２からロードボ
ード１２２への信号路を形成している。信号Ｉ／Ｏパッ
ド１２８はテスタ又は別のエレメントに接続されてい
る。 【００４２】デバイスエレメント１２０は、デバイスエ
レメント１２０及びプレート１２６からなる２つの伝導
面が互いに並行するとともに、誘電体材料１２４の厚さ
にほぼ等しい距離により分離されるように、誘電体材料
１２４を介してプレート１２６に固着されている。プレ
ート１２６はロードボード１２２上の接地パッド１３２
に対して電気機械的に接続され、この構成によりマイク
ロストリップ型インピーダンス制御型能動コンタクトの
ような伝送線構造を形成するようにしている。接地パッ
ド１３２は固定電圧、即ちテスタに接続されていると認
識される。テスタに接続されると、接地パッド１３２に
おける電圧は変動し、対応する信号路に時間変化のイン
ピーダンス識別特性を付与する。 【００４３】上記のような金属基板を用いた別の実施形
態において、デバイスエレメント１３０及び／又はプレ
ート１２６の表面上に正確な厚さの金属酸化物が成長さ
せられている。自然に成長させられた金属酸化物はデバ
イスエレメント１３０とプレート１２６との間における
誘電体として機能する。自然に成長させられた金属酸化
物は無機酸化物の誘電コーティングを含むと考えられ
る。 【００４４】自然に成長させられた金属酸化物の構成を
用いる別の実施形態が図８に示されている。能動コンタ
クトは概略的に符号１５０にて示され、第１の接触素子
１５２及び第２の接触素子１５４を備えている。接触面
１５８Ａ，１５８Ｂ又は１５８Ｃ上に金属酸化物が存在
しないように、接触素子１５２及び／又は１５４上に金
属酸化物が選択的に成長させられる。金属酸化物は接触
素子１５２及び／又は１５４の外面全体上に成長させら
れ、そして、接触面１５８Ａ，１５８Ｂ及び１５８Ｃか
ら選択的に除去されることも考えられる。接触面１５８
Ａは半導体素子のリード（図示せず）に対して電気機械
的に接触している。同様に、接触点１５９Ｂはロードボ
ード上の信号Ｉ／Ｏパッド（図示せず）に対して電気機
械的に接触している。最後に、接触面１５８Ｃはロード
ボード上の接地パッド（図示せず）に対して電気機械的
に接触している。 【００４５】この構成において、第１の接触素子１５２
は第２の接触素子１５４に接触するように配置されると
同時に、両者間にて電気的絶縁を維持している。接触素
子１５２及び１５４の形状、同接触素子上に成長させら
れる酸化物の厚さ、互いの面積、平面の分離距離及び他
のパラメータ等、電気的かつ機械的なインターフェース
の特性を調節し、かつ制御可能にする種々の金属平面形
状が考えられる。 【００４６】最後に、ウインドウ１６０又は複合ウイン
ドウが接触素子１５２及び１５４の設計に組み込まれる
ことが考えられる。ウインドウ１６０は能動コンタクト
１５０を支持する機械的なエラストマ部材に対するコン
ジットとして用いられている。エラストマ部材（図示せ
ず）は接触面１５８Ａを上向きに付勢するのに用いら
れ、半導体のリードが接触面に係合させられると、エラ
ストマ部材は変形し、よって能動コンタクト１５０が半
導体素子のリードから偏向することを許容する。これは
対応する半導体素子における非プレーナ型リードを補償
するのに役立つ。 【００４７】上記の金属基板の概念を用いる別の実施形
態の例が図９に示されている。この態様において、周知
の正確な厚さの熱設定、即ち熱可塑性の誘電体１２４
は、所望の電気機械的特性を遂行すべく、２つ以上の金
属平面１２０及び１２６の間に貼り合わされている。２
つ以上の金属平面は２つ以上の絶縁回路を備えていると
考えられる。即ち、２つ以上の金属平面の各々は回路機
能を備えている。誘電体１２４はポリイミド、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド又
は妥当な材料であれば他の如何なる材料からでも構成さ
れ得ると更に考えられる。誘電体１２４のエッチバック
が製造工程に組み込まれ、接触面１５８Ｄ，１５８Ｅ及
び１５８Ｆにおけるオーミック接触を促している。 【００４８】本発明の別の実施形態において、複数のコ
ンタクトのうちの所定のコンタクト上に制御インピーダ
ンスを生成するように、セラミック製基板が用いられて
いる。例えば、インピーダンス制御された電気機械的コ
ンタクトを生成するように、セラミック基板上にパター
ン化された金属が形成される。実施形態例において、従
来の薄膜多層技術により３端子型コンデンサが備わり、
第１の２つの端子は信号Ｉ／Ｏに対応し、第３の端子は
接地基準に接触している。同一のインピーダンス制御の
３端末型コンデンサが改変された多層薄膜法により製造
可能であって、伝導相が不活性／キャリア基板上に蒸着
されるとともに、化学陽極酸化、プラズマ酸化及び／又
は酸化物熱成長を用いて選択的に酸化するようにパター
ン化され、誘電体内に伝導性金属パターンを形成するこ
とも考えられる。最後に、この処理はＮ回繰り返され、
３端末型コンデンサの多層能動コンタクト構造を形成す
ることが考えられる。 【００４９】最後の２つの実施形態は主に３端子コンデ
ンサ型デバイスを例示するものであるが、抵抗、インダ
クタンス、キャパシタンス、表面弾性波フィルタ及び／
又はこれらを組み合わせたものを所定のコンタクトに設
けるように、他の従来処理を用いることができると考え
られる。トランジスタ、ダイオード等及び／又はこれら
を組み合わせて有する他の能動素子を所定のコンタクト
に設けるように、従来の処理又は他の方法を用いること
が更に考えられる。最後に、マイクロプロセッサ機能等
の所定の機能を付与する回路を設けるように複数の能動
素子及び／又は受動素子を所定のコンタクトに設けるよ
うに、従来の処理又は他の方法を用いることが考えられ
る。即ち、実施形態の代替例において、上記の多層のう
ちの所定の多層は各々絶縁回路を備えている。 【００５０】図１０に示すように、実施形態例におい
て、第１の接触面１５８Ｇ及び第２の接触面１５８Ｈを
有するセラミック製基板２０２が設けられている。金属
薄膜がセラミック基板上に直接蒸着されている。次に、
この金属薄膜はエッチング又は他のサブトラクティブ法
を介してパターン化され、第１の伝導面２０４及び第２
の伝導面２０６を形成する。金属薄膜は第１の接触面１
５８Ｇ及び第２の接触面１５８Ｈを覆い、伝導面を付与
する。実施形態例において、第１の伝導面２０４と第２
の伝導面２０６との間に電気接続がされないように、第
１の伝導面２０４と第２の伝導面２０６との間に間隙が
設けられている。分離した、かつ／又はモノリシック状
に形成された能動部品の第１の電気端末２１０は第１の
伝導面２０４と電気的に伝達し、分離した、かつ／又は
モノリシック状に形成された能動部品２０８の第２の電
気端末２１２は第２の伝導面２０６と電気的に伝達する
ように、分離した、かつ／又はモノリシック状に形成さ
れた能動部品が固定されている。分離した、かつ／又は
モノリシック状に形成された能動部品は、抵抗器、コン
デンサ、インダクタ、ダイオード又はこれらの如何なる
組合せでもよいと考えられる。更に、セラミック基板の
形状及び金属薄膜のパターンは、トランジスタ又は他の
多端末デバイスが用いられるようにされると考えられ
る。最後に、幾つかの抵抗器、コンデンサ、インダク
タ、ダイオード、トランジスタ等を用いて回路を形成す
ることが考えられる。 【００５１】実施形態例において、低伝導性金属、又は
更にSiCを含む伝導性インク及びセラミックを用いて、
接触抵抗を最小にするように金のような付加的メッキを
し、又はメッキをせずに、所望の抵抗値を導いている。
しかし、付加的メッキを用いることが考えられる。能動
コンタクト２００のオーミック接触面１５８Ｇ及び１５
８Ｈは、それぞれ半導体リード及びロードボード端末に
対して電気機械的に接触している。第１の伝導面２０４
は電気信号を半導体リードから分離した、又は集積され
た部品２０８の第１の電気端末２１０に伝達する。この
信号は分離した、又は集積された部品２０８の第２の電
気端末２１２に現れ、第２の伝導面２０６によりオーミ
ック接触面１５８Ｈに伝達され、最後にはロードボード
の信号Ｉ／Ｏパッド（図示せず）に伝達される。図１０
に示す実施形態において、分離した、かつ／又はモノリ
シック状に形成された能動部品２０８を物理的に配置す
るように、セラミックサブトラクト（subtract）に凹部
が形成されている。 【００５２】図１１について説明すると、セラミック基
板を用いる実施形態の別例は３端末コンデンサ型能動コ
ンタクトを備えている。この実施形態では、コンタクト
は多層モノリシック状減結合コンデンサを備えている。
互い違いの信号平面２５８及び接地平面２６６はパター
ン化された金属から形成されるとともに、層間セラミッ
ク誘電体（図示せず）により分離されている。これを行
うには、図１１に示すような多層能動コンタクト構造を
形成するように、多層薄膜法をＮ回繰り返す。 【００５３】信号平面２５８のネットワークは、通路２
５６により第１の端末２５４に接続され、通路２６８に
より第２の端末２６０に接続されている。第１の端末２
５４は半導体素子のリードに係合されている。第２の端
末２６０はロードボード（図示せず）上の信号Ｉ／Ｏパ
ッド１２８に接触している。接地ネットワーク２６６は
通路２６４により接地基準オーミックコンタクト２６２
に電気的に接続されている。接地基準オーミックコンタ
クト２６２はロードボード（図示せず）上の接地基準パ
ッド１３２に接続されている。この態様では対応する信
号に対して膨大な制御を行うが、それは信号平面及び接
地平面が互い違いに構成されて比較的大きい平面領域が
生成されているためである。 【００５４】本発明の実施形態を上記のように説明し、
当業者であれば本明細書中に見出される示唆は添付した
請求の範囲内にて更に他の態様にも適用することが可能
であると容易に理解されよう。
ムに関し、より詳細には同システムにおいて信号を調整
する高性能電気相互接続システムに関するものである。 【０００２】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】２つの
導体間にて電気接触を遂行するには過剰なほどの用途が
存在する。このような用途の例には、ケーブルコネク
タ，ＰＣボードコネクタ、ソケットコネクタ，ＤＩＰキ
ャリア等がある。例示的な用途において、相互接続シス
テムは第１のプリント回路板上の幾つかの端子と、第２
のプリント回路板上の対応する幾つかの端子と間の相互
接続を遂行する。このような装置は２つの回路板間に電
気インターフェースを付与するのに用いられる。別の例
示的な用途において、相互接続システムは集積回路装置
のリードと、プリント回路板上の伝導パッド、即ち端子
との間における相互接続を遂行する。そして、回路板は
テスタ装置又は他の制御手段に接続される。このような
装置は集積回路装置の性能を評価するのに用いられる。 【０００３】電気的かつ機械的考慮を含め、電気相互接
続システムの構造に対して広く考慮が払われる。一般的
な相互接続システムでは、自己インダクタンス、抵抗、
キャパシタンス、インピーダンス整合特性等の電気性能
に対して特別な注意を払わねばならない。寿命要件、修
理性又は交換性、動作温度要件等、機械的にも考慮しな
ければならない。最後に、電気相互接続システムの特定
の用途では幾つかの独特なパラメータが生成されるが、
これも考慮せねばならない。例えば、集積回路装置のリ
ードとプリント回路板の端子との間を電気的に接続する
相互接続システムにおいて、端子の共平面性、機械的制
作公差並びに相互接続システムに対するデバイス端子の
デバイスの配置及び方向付け等の種々のパラメータを考
慮せねばならない。 【０００４】相互接続システムの主たる目的は、２端子
間において非ひずみ性の電気相互接続を維持することに
ある。この目的を果たすべく、相互接続システムは、リ
ードのインダクタンス及び抵抗、リードからリードまで
のキャパシタンス、リードから接地までのキャパシタン
ス、電気的減結合システム、及び信号路のインピーダン
ス整合特性を制御するように、注意して設計されねばな
らない。これら全ての特性は、ある程度、電気相互接続
システムのひずみ性の一因になる。 【０００５】相互接続システムの寄生効果を最小限に抑
えるように、種々の方法が考案されてきた。一般的な方
法は電気相互接続システムの電気機械的コンタクトに隣
接して信号調整回路を設けることである。信号調整回路
は通常、端末部品のような別個の素子であって、回路の
インピーダンスを調整し、制御するのに用いられる。必
要な信号調整部品及び電気機械的コンタクトは物理的に
分離しているため、理想的な相互接続システムを得るこ
とは困難であって、よって、相互接続システムの正確
さ、精度及び再生性能を低下させてしまう。 【０００６】従来技術の１つの構造が１９７５年４月２
９日にロックハート、ジュニア（Lockhart, Jr.）に付
与された米国特許第４，２６０，７６２号に開示されて
いる。ロックハートはデュアル・インライン・集積回路
パッケージとプリント回路基板とを接続するためのテス
トソケットを提案している。ソケットの本体にコンデン
サが設けられ、ソケット材料はコンデンサに誘電体を付
与する。コンデンサのコンタクトはソケットコネクタに
接触し、次に、ソケットコネクタは集積回路パッケージ
に接触する。即ち、ロックハートは、前記のようにコン
デンサが「ロードボード」上ではなく、ソケット本体に
設けられるテストソケットを提案している。 【０００７】テストソケットを有する第１の回路板を同
軸プローブカード（probe card）に接続し、最後にはＩ
Ｃテスタに接続するという考察が、１９９１年２月２６
日にポープ（Pope）に付与された米国特許第４，９９
６，４８７号に開示されている。第１の回路板は第１の
回路板に接続された集積回路テストソケットを有し、集
積回路テストソケットからメッキされた透孔を辿り、更
には閉塞通路（blind vias）を辿っている。そして、同
軸プローブカードはＩＣテスタと集積回路テストソケッ
トとの間にて電気的に伝達するように閉塞通路に係合す
る。 【０００８】１９８７年９月２２日にタレンド（Talen
d）に付与された米国特許第４，６９５，１１５号にテ
レフォンジャック（telephone jack）におけるノイズを
低減するための方法が開示されている。タレンドは電話
におけるモジュラジャック（modular jack）を提案し、
分離したバイパスコンデンサはノイズを濾過するように
ジャックのリードに接続される。タレンドはモジュラジ
ャックエレメントにおいて接地平面に延びるモノリシッ
ク状表面取付けコンデンサを用いることを考察してい
る。 【０００９】１９８９年８月１日にクリング（Kling）
に付与された米国特許第４，８５３，６５９号に、コネ
クタにおけるノイズを低減するパイ−ネットワーク（pi
-network）の使用方法が開示されている。クリングは一
対の分路コンデンサ及びこれらの間に連続する誘電部材
を含む平面パイ−ネットワーク・フィルタを用いること
を提案している。クリングはパイ−ネットワークフィル
タをケーブルコネクタ等とともに用いることを考察して
いる。 【００１０】１９９１年１月８日にマジディ−アハイ
（Majidi-Ahy）らに付与された米国特許第４，９８３，
９１０号に、５０GHzを上回る周波数を有する信号を注
入する際に使用されるミリメートル波プローブが開示さ
れている。マジディ−アハイらにおいて、入力インピー
ダンス整合部分は低域通過フィルタからのエネルギーを
一対の整合された逆平行ビームリード・ダイオードに接
続する。これらダイオードは出力インピーダンス整合ネ
ットワークによりダイオード中を通過する奇数高調波を
発生させる。 【００１１】最後に、１９９３年１２月２８日にクルッ
ク（Crook）らに付与された米国特許第５，２７４，３
３６号に、アナログ信号及びデジタル信号の双方を非接
触的に得るために用いることが可能な容量性負荷プロー
ブが開示されている。クルックらにおいて、このプロー
ブはシールド・プローブチップ、プローブチップに機械
的に連結されたプローブ本体、及びプローブ本体内に配
置された増幅器回路からなる。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、相互接続シス
テムの接触素子内に直接信号に対して電気的に作用する
ための手段を設けることにより、従来技術の問題点を解
決する。本発明は如何なる種類の電気相互接続システム
にも適用可能であると考えられ、ケーブルコネクタ，Ｐ
Ｃボードコネクタ、テストソケットコネクタ，ＤＩＰキ
ャリア等があるが、これらに限定されるものではない。 【００１３】実施形態例において、電気相互接続システ
ムは複数のコンタクトを備え、各コンタクトの第１の部
分は対応する第１の端末と電気的に伝達させられる。各
コンタクトの第２の部分は対応する第２の端末と電気的
に伝達する。相互接続システムの性能を向上させるべ
く、本発明はコンタクトのうちの所定のコンタクト内に
直接信号に対して電気的に作用するための手段を提供す
る。接触素子内に直接、制御されたインピーダンスを付
与することにより多くの効果が得られる。例えば、集積
回路の試験的適用において、制御インピーダンスの最大
効果は、制御インピーダンスを集積回路のリードに極力
接近するように位置づけて得られる。即ち、制御インピ
ーダンスの配置が集積回路のリードに接近するほど、制
御インピーダンスが相互接続システムのひずみ性を低減
する効果が大きくなる。本実施形態において、制御イン
ピーダンスは隣接するロードボード等に配置されるので
はなく、対応するテストソケット内におけるコンタクト
に直接接続される。 【００１４】本発明の一態様において、ソケットの所定
のコンタクトは抵抗、インダクタンス、キャパシタンス
及び／又は表面弾性波フィルタを内装している。更に、
ソケットの所定のコンタクトは上記素子を組み合わせて
有し、よって、回路を形成する。この付加的インピーダ
ンスは対応する信号線における反射又は他のノイズ機構
を低減するため、インピーダンス整合を目的として用い
られる。更に、付加インピーダンスは静電結合又は誘電
結合を信号ピン又は電源ピンに付与するのに用いられ
る。即ち、制御インピーダンスは対応する信号に電気的
に作用する。 【００１５】本発明の別の態様において、ソケットのコ
ンタクトの所定のコンタクトはロードボード上の多くの
信号トレーサに接触する。即ち、各コンタクトは特定の
半導体素子のリードに対応する特定の信号トレーサを含
め、ロードボード上の多くの独立した信号と電気的に伝
達する。 【００１６】本発明の別の態様において、ソケットの所
定のコンタクトは少なくとも１つの能動素子を組み込
む。例えば、コンタクトはトランジスタ、ダイオード等
を組み込む。更に、コンタクトはトランジスタ、ダイオ
ード、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、表面弾性波フ
ィルタ、ゲート等を組み合わせて有し、回路を形成す
る。この態様において、コンタクトのインピーダンスは
コンタクト自体の論理レベル又は他の制御手段により、
前段落にて説明したように、別の独立信号により選択的
に制御される。 【００１７】ソケットの特定のコンタクトに能動素子を
設けることには多くの用途があると認識される。例え
ば、僅か１つのトランジスタを組み込んだコンタクト
は、半導体素子、テスタ又は他のエレメントが対応する
信号トレーサを駆動しているか否かを制御するのに用い
られる。即ち、テスタ又は他の手段が半導体素子の対応
出力を過度に駆動することなく、対応信号トレーサを駆
動するように、１つのトランジスタはオフにされ、よっ
て、そのインピーダンスを実質的に増大させる。同様
に、１つのトランジスタはオンにされ、よって、そのイ
ンピーダンスを低レベルに低下させ、半導体素子が信号
トレーサをテスタ又は他のエレメントに駆動し戻すこと
を許容する。これは双方向の入力／出力ピンを有する半
導体素子の場合に特に有用である。これは本発明の１つ
の用途に過ぎず、他に多くの用途が考えられると認識さ
れる。 【００１８】上記のように、ソケットの所定のコンタク
トに多くの能動素子が組み込まれ、回路を形成する。イ
ンダクタ、コンデンサ及び抵抗器も組み込まれ、結合さ
れる。この構成において、所定のコンタクトはコンタク
ト自体に組み込まれた回路により規定され、所定の方法
で対応する信号を「処理」する。例えば、コンタクトに
幾つかのトランジスタが組み込まれ、これらトランジス
タは増幅器機能を付与するように配置される。即ち、半
導体素子、テスタ装置又は他の手段により付与される信
号はソケットのコンタクトにより増幅される。他の機能
の例にはアナログ・デジタル変換器、デジタル・アナロ
グ変換器、所定の論理機能があるが、これらに限定され
るものではなく、マイクロプロセッサ機能を含め、能動
素子及び／又は受動素子を組み合わせて遂行される他の
如何なる機能でもよい。 【００１９】本発明の別の態様において、インピーダン
スはコネクタ内における２つの部品間に生成される。例
えば、並行かつ隣接する２つのコンタクトが絶縁材によ
り絶縁され、この間にキャパシタンスを生成する。コン
タクトの１つは半導体素子上の電源リードに接続され、
これに隣接するコンタクトは接地に直接接続される。こ
の構成により電源と接地との間にキャパシタンスが付与
され、よって、半導体素子の電源におけるノイズを低減
する。所望とあれば、この態様は信号線間又は信号線と
電源／接地との間を絶縁するのにも用いられる。即ち、
接地に接続されたコンタクトは２つの信号コンタクト間
に配置され、この間におけるクロストークの量を低減す
る。コンタクトは所定のコンタクトにおけるインダクタ
ンスの量を制御するように形成される。これは単なる例
示的な態様であって、コネクタの少なくとも２つの部品
間にインピーダンスを付与する態様が考えられることを
認識されたい。 【００２０】別の態様において、制御インピーダンスは
複数のコンタクトのうちの所定のコンタクト上に設けら
れ、又は同コンタクト中に組み込まれる。最も単純な態
様において、コンタクト自体により付与される抵抗はそ
の材料又は形状を変えて変更される。より複雑な態様に
おいて、限定するものではないと思われるが、所定のコ
ンタクト上に制御インピーダンスを生成するように金属
基板（MS）が用いられる。例えば、２つ以上の金属プレ
ートが、インピーダンス制御された（即ち、伝送線、ス
トリップライン及び／又はマイクロストリップ）電気機
械的コンタクトを形成するように、機械的に結合される
とともに互いに電気的に分離される。１つの金属プレー
トは信号平面として機能し、これに隣接する金属プレー
トは電気接地基準として機能する。電気絶縁は幾つかの
手段により可能であり、ポリイミド、エポキシ樹脂、ウ
レタン等を有する熱設定を行う誘電コーティングを施
し、ポリエチレン等を有する熱可塑性コーティングを施
し、又は陽極酸化若しくは熱成長により自然酸化物を成
長させることによっても可能である。これら種々の方法
は絶縁材の誘電率及び平面分離等の幾つかの可調整パラ
メータを介し、インピーダンスの制御を許容する。機械
的結合は幾つかの手段によってなされ、１つ以上のエラ
ストマ部材による、若しくはその間における懸架があ
り、及び／又はハウジング内におけるスロットのような
所定の機械的構成物内にて個々の平面若しくは複数組の
複合平面に参照を付す懸架がある。 【００２１】本発明の別の態様において、限定するもの
とは思われないが、所定のコンタクト上に制御インピー
ダンスを生成するように、セラミック製基板（CS）が用
いられる。例えば、インピーダンス制御された電気機械
的コンタクトを生成するように、セラミック基板上にパ
ターン化された金属が形成される。例示的態様におい
て、従来の薄膜多層技術により３端子型コンデンサが設
けられ、第１の２つの端子は信号Ｉ／Ｏに対応し、第３
の端子は接地基準に対応する。同一のインピーダンス制
御の３端末型コンデンサが改変された多層薄膜法により
製造可能であって、伝導相が不活性／キャリア基板上に
蒸着されるとともに、化学陽極酸化、プラズマ酸化及び
／又は酸化物熱成長を用いて選択的に酸化するようにパ
ターン化され、誘電体内に伝導性金属パターンを形成す
ることも考えられる。最後に、この処理はＮ回繰り返さ
れ、３端末型コンデンサの多層能動コンタクト構造を形
成することが考えられる。 【００２２】最後の２つの態様は主に３端子コンデンサ
型デバイスを例示するものであるが、抵抗、インダクタ
ンス、キャパシタンス、及び／又はこれらを組み合わせ
たものを所定のコンタクトに設けるように、他の従来処
理を用いることができると考えられる。トランジスタ、
ダイオード等及び／又はこれらを組み合わせて有する他
の能動素子を所定のコンタクトに設けるように、従来の
処理又は他の処理を用いることが更に考えられる。最後
に、マイクロプロセッサ機能等の所定の機能を付与する
回路構成において幾つかの能動素子及び／又は受動素子
を所定のコンタクトに設けるように、従来の処理又は他
の処理を用いることが考えられる。上記の態様におい
て、電気作用手段はコンタクト自体と一体化されてい
る。 【００２３】最後に、上記のコンタクトを含むコネクタ
装置は、各コンタクトが別のコンタクトと交換可能であ
るように設計される。これにより、インダクタを有する
コンタクトは抵抗器を有する別のコンタクトと交換可能
になる。容易に把握できるように、これによりコネクタ
装置は組み立てられ、使用中であっても形成可能であ
る。即ち、コネクタ装置は特定の用途のために特注さ
れ、更には新たな使用法を取り込むように変更される。 【００２４】 【発明の実施の形態】図１はパッケージ半導体素子及び
インターフェース・ボード２６に接続された能動コンタ
クトの概略側面図である。本発明の実施形態例では、制
御されたインピーダンスをテストソケットにおける所定
の接触素子に直接付与し、電気相互接続システムの「ひ
ずみ」性を低減している。本発明はテストソケットに限
定されるものではなく、ケーブルコネクタ、ＰＣボード
コネクタ、テストソケットコネクタ、ＤＩＰキャリア等
にも適用することが更に考えられている。 【００２５】半導体素子のソケットは複数のコンタクト
を備え、各コンタクトの第１の部分は半導体素子の対応
するリードと電気的に伝達するようにされる。各コンタ
クトの別の部分はロードボード・ターミナル又はその等
価物と電気的に伝達し、続いて他のテスト手段のテスタ
と電気的に伝達する。即ち、各コンタクトはロードボー
ド・ターミナルと半導体素子上の対応リードとを機械的
かつ電気的に接続する。ソケットの性能を向上させるべ
く、本発明は所定のコンタクト内に制御インピーダンス
を付与することにより電気的に信号に作用する。電気作
用手段は対応コンタクトと一体化されている。相互接続
システムに付加される制御インピーダンスの最大効果を
得るべく、制御インピーダンスを半導体素子のリードに
極力近接させることが肝要である。即ち、制御インピー
ダンスが半導体素子のリードに接近するほど、制御イン
ピーダンスが相互接続システムのひずみ性を低減する効
果が大きくなる。本発明において、制御インピーダンス
はソケット内におけるコンタクトに直接接続されてい
る。 【００２６】図１に示す実施形態例において、能動コン
タクト１０はインターフェース１８を介してパッケージ
半導体１２のリード１４に接続されている。更に、能動
コンタクト１０はインターフェース２０を介してロード
ボード・ターミナル１６に接続されている。能動コンタ
クト１０はインターフェース２４を介し、少なくとも他
の１つのロードボード・ターミナル２２にも接続されて
いる。能動コンタクト１０はパッケージ半導体のリード
１４とロードボード・ターミナル１６及び２２とを機械
的かつ電気的に接続している。 【００２７】本発明の実施形態の例によると、ソケット
の所定のコンタクト１０は抵抗、インダクタンス、キャ
パシタンス、表面弾性波フィルタを有し、又はこれらが
組み合わされて組み込まれている。抵抗、インダクタン
ス、キャパシタンス、表面弾性波フィルタが組み合わさ
れると、回路を形成する。対応する信号線上における反
射又は他のノイズ機構を低減すべく、この付加的インピ
ーダンスはインピーダンスの整合を目的として用いられ
る。更に、付加的インピーダンスは信号ピン又は電源ピ
ンを静電結合し、又は誘導結合するのに使用される。 【００２８】テストソケットの能動コンタクト１０の所
定のコンタクトは、ロードボード上の複数の信号トレー
サに接触すると考えられる。即ち、各コンタクト１０
は、特定の半導体素子のリード１４に対応する特定の信
号トレーサを含め、ロードボード上の複数の信号トレー
サと電気的に伝達し、かつ機械的に係合する。例えば、
図１に示す実施形態において、能動コンタクト１０は第
１のロードボード・ターミナル１６及び第２のロードボ
ード・ターミナル２２に接続されている。能動コンタク
ト１０は同様にして複数のロードボード・ターミナルに
接続されると考えられる。 【００２９】ソケットの所定のコンタクト１０は、コン
タクト上又はコンタクト中に組み込まれた少なくとも１
つの能動素子を有すると更に考えられる。例えば、能動
コンタクト１０はトランジスタ、ダイオード等を有し、
又はこれらを組み合わせて組み込み、回路を形成してい
る。抵抗、キャパシタンス、インダクタンス、トランジ
スタ、ダイオード、表面弾性波フィルタ、ゲート等を組
み合わせてコンタクトに組み込み、回路を形成すること
が更に考えられる。この態様において、コンタクトのイ
ンピーダンスはコンタクト自体の論理水準又は他の制御
手段により、前段落において説明しているように別の独
立信号により選択的に制御される。この態様において、
能動コンタクトは図１に示すように３つのポート１８，
２０，２４を有している。 【００３０】図２は能動コンタクト１０Ａの実施形態例
の概略側面図であり、能動コンタクト１０Ａはパッケー
ジ半導体素子のリード１４とロードボード・ターミナル
１６との間を延びる相互接続部２８にキャパシタンスを
付与する。この例示的態様において、コンデンサ３０は
パッケージ半導体素子のリード１４とロードボード・タ
ーミナル１６との間における相互接続部２８に接続され
た第１のリードを有している。コンデンサ３０はインタ
ーフェース２４を介してロードボード・ターミナル２２
に接続された第２のリードを有している。この態様にお
いて、ロードボード・ターミナル２２は接地され、相互
接続部２８と接地との間にキャパシタンスを付与する。
図２は単に例示的なものであって能動コンタクト１０Ａ
はインダクタ、抵抗器、ダイオード、表面弾性波フィル
タを備え、或いはインピーダンス及び／又は制御を付与
する素子であれば他の如何なる素子も含むと考えられ
る。能動コンタクト１０Ａは上記の素子を如何様にも組
み合わせて回路を形成することが更に考えられる。 【００３１】図３〜図４は能動コンタクト１０に配置さ
れた能動素子を有する実施形態を例示する。図３は能動
コンタクトの実施形態例の概略側面図であって、能動コ
ンタクト１０Ｃはパッケージ半導体素子のリード１４と
ロードボード・ターミナル１６との間にダイオード手段
３６を付与している。この態様により半導体素子１２は
電流をロードボード・ターミナル１６に供給するが、電
流がロードボード・ターミナル１６から半導体素子１２
に流れることは許容しない。同様に、図４は能動コンタ
クトの実施形態例の概略側面図であって、能動コンタク
ト１０Ｄはパッケージ半導体素子のリード１４とロード
ボード・ターミナル１６との間にスイッチ手段を付与し
ている。実施形態例において、このスイッチ手段はゲー
ト、ソース及びドレーンを有するトランジスタ４０を備
えている。トランジスタ４０のドレーンはインターフェ
ース１８を介して半導体素子のリード１４に接続され、
トランジスタ４０のソースはインターフェース２０を介
してロードボード・ターミナル１６に接続され、トラン
ジスタ４０のゲートはインターフェース２４を介してロ
ードボード・ターミナル２２に接続されている。この態
様において、ロードボード・ターミナル２２はロードボ
ード・ターミナル１６と半導体素子のリード１４との間
におけるインピーダンスを制御する。更に、能動コンタ
クト１０Ｄは３つのポート１８，２０，２４を有してい
る。 【００３２】能動素子をソケットの所定のコンタクト１
０に設けることには多くの用途があると認識されてい
る。例えば、図４に示すように、１つのトランジスタを
組み込んだコンタクトは、半導体素子又はテスタが対応
するロードボード・ターミナルを駆動しているか否かを
制御するのに使用される。即ち、１つのトランジスタ４
０はロードボード・ターミナル２２に適正な電圧を加え
てオフにされ、半導体素子のリード１４からロードボー
ド・ターミナル１６への通路のインピーダンスを実質的
に増大させ、テスタが半導体素子１２の出力を過度に駆
動することなく対応するロードボード・ターミナル１６
を駆動するようにしている。同様に、１つのトランジス
タ４０はロードボード・ターミナル２２に適正な電圧を
加えてオンにされ、半導体素子のリード１４からロード
ボード・ターミナル１６への通路のインピーダンスを低
減し、半導体素子１２がロードボード・ターミナル１６
をテスタに対して駆動し戻すようにし、また、この逆も
あり得る。これは双方向性入力／出力ピンを有する半導
体素子の場合に特に有用である。これは本発明の１つの
用途にすぎず、数多くの用途が考えられると認識されて
いる。 【００３３】上記のように、複数の能動素子がソケット
の所定のコンタクト１０に組み込まれ、回路を形成する
ことが更に考えられる。インダクタ、コンデンサ、抵抗
器及び／又は表面弾性波フィルタも組み込まれ、結合さ
れる。この態様において、所定のコンタクトは能動コン
タクト１０自体に組み込まれた回路に規定され、対応す
る信号を所定の方法で「処理」する。例えば、幾つかの
トランジスタが能動コンタクト１０に組み込まれ、これ
らトランジスタは増幅器の機能を付与するように配置さ
れる。即ち、半導体素子４０又はテスタ装置（図示せ
ず）により供給される信号は、ソケットの能動コンタク
ト１０により増幅される。他の機能の例には、アナログ
・デジタル変換、デジタル・アナログ変換、所定の論理
機能があるが、これらに限定されるものではなく、マイ
クロプロセッサ機能を含め、能動素子及び／又は受動素
子を組み合わせて遂行される機能であれば如何なる機能
でもよい。 【００３４】図５は能動コンタクトの実施形態例の平面
図であって、これら能動コンタクトは薄い絶縁材により
区分され、その間にインピーダンスを付与している。図
６は図５に示す実施形態の斜視図である。実施形態例に
おいて、複数の「Ｓ」形コンタクトが設けられ、各
「Ｓ」形コンタクトは半導体素子１３８の対応するリー
ドに係合している。各「Ｓ」形コンタクトの第１のフッ
ク部分１４１は第１のエラストマエレメント１４２に係
合している。各「Ｓ」形コンタクトの第２のフック部分
１４３は第２のエレメント１４４に係合している。第２
のエレメント１４４は固形材料又はエラストマ材から構
成されている。半導体素子１３８のリード１３７は対応
「Ｓ」形コンタクト１３５に係合しているため、エラス
トマエレメント１４２は変形し、「Ｓ」形コンタクト１
３５は対応する半導体素子のリード１３７から偏向され
る。これは対応する半導体素子１３８上の非プレーナ型
デバイスリードを補償するのに有用である。 【００３５】図５及び図６について説明すると、ソケッ
ト内における２つの構成要素の間にインピーダンスが生
成される。例えば、並行かつ隣接するコンタクト１３４
及び１３５が絶縁材１３６により絶縁され、この間にキ
ャパシタンスを生成している。コンタクトの１つ１３５
は対応する半導体素子１３８における電源ピン１３７に
係合され、これに隣接するコンタクト１３４は接地ピン
１３９に係合されている。この形態により電源と接地と
の間にキャパシタンスが付与され、半導体素子１３８の
電源におけるノイズを低減している。 【００３６】本実施形態は所望とあれば信号線間又は信
号線と電源／接地との間を絶縁するのにも用いられる。
即ち、コンタクト１３７は接地に接続され、２つの信号
コンタクト１３４と１４０との間に配置されて、この間
のクロストーク量を減少させる。このコンタクトは所定
のコンタクトにおけるインダクタンスの量を制御するよ
うに形成されている。一実施形態において、第１のコン
タクト１３５、絶縁材１３６及び第２のコンタクト１３
４はサンドイッチ状にされて、これらの間にインピーダ
ンスを生成している。これを実施するには従来の積層処
理を用いる。別の実施形態において、第１のコンタクト
１３５及び／又は第２のコンタクト１３４は表面上に酸
化物被膜を有している。酸化物被膜は標準酸化処理を用
いてコンタクトの外面上に成長させられる。この態様に
おいて、第１のコンタクト１３５は電気絶縁を維持しな
がら第２のコンタクト１３４に直接接触させられてい
る。 【００３７】上記の実施形態は単に例示するものであっ
て、ソケットの少なくとも２つの構成部品の間にインピ
ーダンスを付与する他の実施形態が考えられると認識さ
れる。 【００３８】図７はパッケージ半導体素子及びインター
フェースボードを有する本発明の実施形態例の部分斜視
図である。上記のように、制御されたインピーダンスは
複数のコンタクトのうちの所定のコンタクト上に設けら
れ、又は同コンタクト中に組み込まれている。最も単純
な態様では、コンタクトが付与する抵抗は材料又は材料
の形状を変えて変更される。より複雑な態様では、限定
するものではないと思われるが、複数のコンタクトのう
ちの所定のコンタクト上に制御インピーダンスを生成す
るのに金属基板（MS）が使用される。例えば、インピー
ダンス制御された（即ち、ストリップライン）電気機械
的コンタクトを形成するように、２つ以上の金属平面が
機械的に結合されるとともに互いに電気的に分離され
る。１つの金属平面は信号平面として機能し、これに隣
接する金属平面は電気接地基準として機能する。電気絶
縁は幾つかの手段により行うことが可能であり、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、ウレタン等を有する熱設定を行う
誘電コーティングを施し、ポリエチレン等を有する熱可
塑性コーティングを施し、又は陽極酸化若しくは熱成長
により自然酸化物を成長させることによっても可能であ
る。これら種々の方法は絶縁材の誘電率の可調整パラメ
ータ及び平面分離を介し、インピーダンスの制御を許容
する。機械的結合は幾つかの手段によってなされ、１つ
以上のエラストマ部材による、若しくはその間における
懸架があり、及び／又はハウジング内におけるスロット
のような所定の機械的構成物内にて個々の平面若しくは
複数組の複合平面に参照を付す懸架がある。 【００３９】本質的に、この能動コンタクトの実施形態
には如何なる金属を用いてもよい。アルミニウムは容易
に陽極酸化可能であるために好ましい材料であって、良
質かつ好特性の誘電体薄膜を生成する。使用される他の
金属には銅及び銅合金、鋼鉄及びNi-Fe合金、NiCr合
金、遷移金属及び合金、並びに２種以上の金属からなる
合金があるが、これらに限定されるものではない。これ
らの非従来的コンタクトの中には、コンタクトの体抵抗
を調節し、かつ制御するように、メッキされた形態又は
メッキされない形態のいずれかにおいて有用なものがあ
る。 【００４０】図７について説明すると、少なくとも１つ
のリード１１４を有するパッケージ半導体素子１１２
は、少なくとも１本のリード１１４が能動コンタクト１
３０に対して電気機械的に接触するように、ハウジング
１１６に受承されている。半導体素子１１２はリードチ
ャネル１１８又は他の位置付け手段により適正位置に配
置されている。 【００４１】能動コンタクト１３０はデバイスエレメン
ト１２０及びプレート１２６を備えている。デバイスエ
レメント１２０及びプレート１２６は上記のように金属
材料から構成されている。半導体素子１１２の少なくと
も１つのリード１１４は、デバイスエレメント１２０の
第１の部分に対して電気機械的に接触している。同様
に、デバイスエレメント１２０の第２の部分はロードボ
ード１２２上の信号Ｉ／Ｏパッド１２８に対して電気機
械的に接触し、従って、半導体素子１１２からロードボ
ード１２２への信号路を形成している。信号Ｉ／Ｏパッ
ド１２８はテスタ又は別のエレメントに接続されてい
る。 【００４２】デバイスエレメント１２０は、デバイスエ
レメント１２０及びプレート１２６からなる２つの伝導
面が互いに並行するとともに、誘電体材料１２４の厚さ
にほぼ等しい距離により分離されるように、誘電体材料
１２４を介してプレート１２６に固着されている。プレ
ート１２６はロードボード１２２上の接地パッド１３２
に対して電気機械的に接続され、この構成によりマイク
ロストリップ型インピーダンス制御型能動コンタクトの
ような伝送線構造を形成するようにしている。接地パッ
ド１３２は固定電圧、即ちテスタに接続されていると認
識される。テスタに接続されると、接地パッド１３２に
おける電圧は変動し、対応する信号路に時間変化のイン
ピーダンス識別特性を付与する。 【００４３】上記のような金属基板を用いた別の実施形
態において、デバイスエレメント１３０及び／又はプレ
ート１２６の表面上に正確な厚さの金属酸化物が成長さ
せられている。自然に成長させられた金属酸化物はデバ
イスエレメント１３０とプレート１２６との間における
誘電体として機能する。自然に成長させられた金属酸化
物は無機酸化物の誘電コーティングを含むと考えられ
る。 【００４４】自然に成長させられた金属酸化物の構成を
用いる別の実施形態が図８に示されている。能動コンタ
クトは概略的に符号１５０にて示され、第１の接触素子
１５２及び第２の接触素子１５４を備えている。接触面
１５８Ａ，１５８Ｂ又は１５８Ｃ上に金属酸化物が存在
しないように、接触素子１５２及び／又は１５４上に金
属酸化物が選択的に成長させられる。金属酸化物は接触
素子１５２及び／又は１５４の外面全体上に成長させら
れ、そして、接触面１５８Ａ，１５８Ｂ及び１５８Ｃか
ら選択的に除去されることも考えられる。接触面１５８
Ａは半導体素子のリード（図示せず）に対して電気機械
的に接触している。同様に、接触点１５９Ｂはロードボ
ード上の信号Ｉ／Ｏパッド（図示せず）に対して電気機
械的に接触している。最後に、接触面１５８Ｃはロード
ボード上の接地パッド（図示せず）に対して電気機械的
に接触している。 【００４５】この構成において、第１の接触素子１５２
は第２の接触素子１５４に接触するように配置されると
同時に、両者間にて電気的絶縁を維持している。接触素
子１５２及び１５４の形状、同接触素子上に成長させら
れる酸化物の厚さ、互いの面積、平面の分離距離及び他
のパラメータ等、電気的かつ機械的なインターフェース
の特性を調節し、かつ制御可能にする種々の金属平面形
状が考えられる。 【００４６】最後に、ウインドウ１６０又は複合ウイン
ドウが接触素子１５２及び１５４の設計に組み込まれる
ことが考えられる。ウインドウ１６０は能動コンタクト
１５０を支持する機械的なエラストマ部材に対するコン
ジットとして用いられている。エラストマ部材（図示せ
ず）は接触面１５８Ａを上向きに付勢するのに用いら
れ、半導体のリードが接触面に係合させられると、エラ
ストマ部材は変形し、よって能動コンタクト１５０が半
導体素子のリードから偏向することを許容する。これは
対応する半導体素子における非プレーナ型リードを補償
するのに役立つ。 【００４７】上記の金属基板の概念を用いる別の実施形
態の例が図９に示されている。この態様において、周知
の正確な厚さの熱設定、即ち熱可塑性の誘電体１２４
は、所望の電気機械的特性を遂行すべく、２つ以上の金
属平面１２０及び１２６の間に貼り合わされている。２
つ以上の金属平面は２つ以上の絶縁回路を備えていると
考えられる。即ち、２つ以上の金属平面の各々は回路機
能を備えている。誘電体１２４はポリイミド、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド又
は妥当な材料であれば他の如何なる材料からでも構成さ
れ得ると更に考えられる。誘電体１２４のエッチバック
が製造工程に組み込まれ、接触面１５８Ｄ，１５８Ｅ及
び１５８Ｆにおけるオーミック接触を促している。 【００４８】本発明の別の実施形態において、複数のコ
ンタクトのうちの所定のコンタクト上に制御インピーダ
ンスを生成するように、セラミック製基板が用いられて
いる。例えば、インピーダンス制御された電気機械的コ
ンタクトを生成するように、セラミック基板上にパター
ン化された金属が形成される。実施形態例において、従
来の薄膜多層技術により３端子型コンデンサが備わり、
第１の２つの端子は信号Ｉ／Ｏに対応し、第３の端子は
接地基準に接触している。同一のインピーダンス制御の
３端末型コンデンサが改変された多層薄膜法により製造
可能であって、伝導相が不活性／キャリア基板上に蒸着
されるとともに、化学陽極酸化、プラズマ酸化及び／又
は酸化物熱成長を用いて選択的に酸化するようにパター
ン化され、誘電体内に伝導性金属パターンを形成するこ
とも考えられる。最後に、この処理はＮ回繰り返され、
３端末型コンデンサの多層能動コンタクト構造を形成す
ることが考えられる。 【００４９】最後の２つの実施形態は主に３端子コンデ
ンサ型デバイスを例示するものであるが、抵抗、インダ
クタンス、キャパシタンス、表面弾性波フィルタ及び／
又はこれらを組み合わせたものを所定のコンタクトに設
けるように、他の従来処理を用いることができると考え
られる。トランジスタ、ダイオード等及び／又はこれら
を組み合わせて有する他の能動素子を所定のコンタクト
に設けるように、従来の処理又は他の方法を用いること
が更に考えられる。最後に、マイクロプロセッサ機能等
の所定の機能を付与する回路を設けるように複数の能動
素子及び／又は受動素子を所定のコンタクトに設けるよ
うに、従来の処理又は他の方法を用いることが考えられ
る。即ち、実施形態の代替例において、上記の多層のう
ちの所定の多層は各々絶縁回路を備えている。 【００５０】図１０に示すように、実施形態例におい
て、第１の接触面１５８Ｇ及び第２の接触面１５８Ｈを
有するセラミック製基板２０２が設けられている。金属
薄膜がセラミック基板上に直接蒸着されている。次に、
この金属薄膜はエッチング又は他のサブトラクティブ法
を介してパターン化され、第１の伝導面２０４及び第２
の伝導面２０６を形成する。金属薄膜は第１の接触面１
５８Ｇ及び第２の接触面１５８Ｈを覆い、伝導面を付与
する。実施形態例において、第１の伝導面２０４と第２
の伝導面２０６との間に電気接続がされないように、第
１の伝導面２０４と第２の伝導面２０６との間に間隙が
設けられている。分離した、かつ／又はモノリシック状
に形成された能動部品の第１の電気端末２１０は第１の
伝導面２０４と電気的に伝達し、分離した、かつ／又は
モノリシック状に形成された能動部品２０８の第２の電
気端末２１２は第２の伝導面２０６と電気的に伝達する
ように、分離した、かつ／又はモノリシック状に形成さ
れた能動部品が固定されている。分離した、かつ／又は
モノリシック状に形成された能動部品は、抵抗器、コン
デンサ、インダクタ、ダイオード又はこれらの如何なる
組合せでもよいと考えられる。更に、セラミック基板の
形状及び金属薄膜のパターンは、トランジスタ又は他の
多端末デバイスが用いられるようにされると考えられ
る。最後に、幾つかの抵抗器、コンデンサ、インダク
タ、ダイオード、トランジスタ等を用いて回路を形成す
ることが考えられる。 【００５１】実施形態例において、低伝導性金属、又は
更にSiCを含む伝導性インク及びセラミックを用いて、
接触抵抗を最小にするように金のような付加的メッキを
し、又はメッキをせずに、所望の抵抗値を導いている。
しかし、付加的メッキを用いることが考えられる。能動
コンタクト２００のオーミック接触面１５８Ｇ及び１５
８Ｈは、それぞれ半導体リード及びロードボード端末に
対して電気機械的に接触している。第１の伝導面２０４
は電気信号を半導体リードから分離した、又は集積され
た部品２０８の第１の電気端末２１０に伝達する。この
信号は分離した、又は集積された部品２０８の第２の電
気端末２１２に現れ、第２の伝導面２０６によりオーミ
ック接触面１５８Ｈに伝達され、最後にはロードボード
の信号Ｉ／Ｏパッド（図示せず）に伝達される。図１０
に示す実施形態において、分離した、かつ／又はモノリ
シック状に形成された能動部品２０８を物理的に配置す
るように、セラミックサブトラクト（subtract）に凹部
が形成されている。 【００５２】図１１について説明すると、セラミック基
板を用いる実施形態の別例は３端末コンデンサ型能動コ
ンタクトを備えている。この実施形態では、コンタクト
は多層モノリシック状減結合コンデンサを備えている。
互い違いの信号平面２５８及び接地平面２６６はパター
ン化された金属から形成されるとともに、層間セラミッ
ク誘電体（図示せず）により分離されている。これを行
うには、図１１に示すような多層能動コンタクト構造を
形成するように、多層薄膜法をＮ回繰り返す。 【００５３】信号平面２５８のネットワークは、通路２
５６により第１の端末２５４に接続され、通路２６８に
より第２の端末２６０に接続されている。第１の端末２
５４は半導体素子のリードに係合されている。第２の端
末２６０はロードボード（図示せず）上の信号Ｉ／Ｏパ
ッド１２８に接触している。接地ネットワーク２６６は
通路２６４により接地基準オーミックコンタクト２６２
に電気的に接続されている。接地基準オーミックコンタ
クト２６２はロードボード（図示せず）上の接地基準パ
ッド１３２に接続されている。この態様では対応する信
号に対して膨大な制御を行うが、それは信号平面及び接
地平面が互い違いに構成されて比較的大きい平面領域が
生成されているためである。 【００５４】本発明の実施形態を上記のように説明し、
当業者であれば本明細書中に見出される示唆は添付した
請求の範囲内にて更に他の態様にも適用することが可能
であると容易に理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 パッケージ半導体素子及びインターフェース
ボードに接続された能動コンタクトの概略側面図。 【図２】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子のリ
ードと接地平面との間にキャパシタンスを付与する能動
コンタクトの実施形態例の概略側面図。 【図３】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子とイ
ンターフェースボード上の端末との間における接続部に
ダイオード手段を付与する能動コンタクトの実施形態例
の概略側面図。 【図４】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子とイ
ンターフェースボード上の端末との間における接続部に
スイッチ手段を付与する能動コンタクトの実施形態例の
概略側面図。 【図５】 能動コンタクトが非伝導性薄層により区分さ
れ、この間にインピーダンスを付与する能動コンタクト
の実施形態例の平面図。 【図６】 図５に示す実施形態の斜視図。 【図７】 パッケージ半導体素子及びインターフェース
ボードを有する本発明の実施形態例の部分斜視図。 【図８】 金属基板コンタクト上に自然に成長した酸化
物を有し、この間に制御インピーダンスを生成する本発
明の別の実施形態の斜視図。 【図９】 金属基板コンタクトを有する金属誘電体のサ
ンドイッチ状実施形態の斜視図。 【図１０】 セラミック基板コンタクトを有する２端末
の実施形態の斜視図。 【図１１】 セラミック基板コンタクトを有する３端末
の実施形態の斜視図。
ボードに接続された能動コンタクトの概略側面図。 【図２】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子のリ
ードと接地平面との間にキャパシタンスを付与する能動
コンタクトの実施形態例の概略側面図。 【図３】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子とイ
ンターフェースボード上の端末との間における接続部に
ダイオード手段を付与する能動コンタクトの実施形態例
の概略側面図。 【図４】 能動コンタクトがパッケージ半導体素子とイ
ンターフェースボード上の端末との間における接続部に
スイッチ手段を付与する能動コンタクトの実施形態例の
概略側面図。 【図５】 能動コンタクトが非伝導性薄層により区分さ
れ、この間にインピーダンスを付与する能動コンタクト
の実施形態例の平面図。 【図６】 図５に示す実施形態の斜視図。 【図７】 パッケージ半導体素子及びインターフェース
ボードを有する本発明の実施形態例の部分斜視図。 【図８】 金属基板コンタクト上に自然に成長した酸化
物を有し、この間に制御インピーダンスを生成する本発
明の別の実施形態の斜視図。 【図９】 金属基板コンタクトを有する金属誘電体のサ
ンドイッチ状実施形態の斜視図。 【図１０】 セラミック基板コンタクトを有する２端末
の実施形態の斜視図。 【図１１】 セラミック基板コンタクトを有する３端末
の実施形態の斜視図。
フロントページの続き
(72)発明者 エリック ヴィー． クライン
アメリカ合衆国 55082 ミネソタ州 ス
ティルウォーター フォース ストリート
サウス 716
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の端子と第２の端子との間で信号を
伝送するための電気コネクタ装置において、その改良
は、 （ａ）前記第１の端子を第２の端子に対して電気機械的
に接続するための剛性コンタクトを備え、同コンタクト
は第１の端子と第２の端子との間で信号が伝送される
際、信号に対して電気的に作用するための手段を提供
し、同電気的に作用する手段はコンタクトに集積されて
いる。 【請求項２】 前記電気的に作用する手段は抵抗器、コ
ンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、表
面弾性波フィルタ又はゲートからなる群から選択される
素子を含む請求項１に記載の装置。 【請求項３】 前記電気的に作用する手段は回路を含む
請求項１に記載の装置。 【請求項４】 前記回路は電気的機能を遂行する請求項
３に記載の装置。 【請求項５】 前記コンタクトは複数の端子に対して電
気機械的に接続された請求項４に記載の装置。 【請求項６】 前記機能はスイッチ手段を含む請求項５
に記載の装置。 【請求項７】 前記機能は増幅手段を含む請求項５に記
載の装置。 【請求項８】 前記機能は変換手段を含む請求項５に記
載の装置。 【請求項９】 前記機能はマイクロプロセッサ手段を含
む請求項５に記載の装置。 【請求項１０】 第１の端子と第２の端子との間で信号
を伝送するための電気コネクタ装置において、その改良
は、 （ａ）前記第１の端子を第２の端子に対して電気機械的
に接続するための剛性コンタクトと、 （ｂ）前記コンタクトに接続され、第１の端子と第２の
端子との間で信号が伝送される際、信号に対して電気的
に作用するための電気的に作用する手段と、 （ｃ）前記コンタクトが第１の端子によって係合される
際、これに応じてコンタクトの移動を許容するようにコ
ンタクトに係合するための付勢手段とを備える。 【請求項１１】 前記付勢手段はエラストマエレメント
を含む請求項１０に記載に装置。 【請求項１２】 前記電気的に作用する手段は制御され
たインピーダンスを含む請求項１１に記載の装置。 【請求項１３】前記制御インピーダンスは抵抗器、コン
デンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、表面
弾性波フィルタ又はゲートからなる群から選択される素
子を含む請求項１２に記載の装置。 【請求項１４】 前記制御インピーダンスは回路を含む
請求項１２に記載の装置。 【請求項１５】 前記回路は電気的機能を遂行する請求
項１４に記載の装置。 【請求項１６】 前記コンタクトは複数の端子に対して
電気機械的に接続された請求項１５に記載の装置。 【請求項１７】 前記機能はスイッチ手段を含む請求項
１６に記載の装置。 【請求項１８】 前記機能は増幅手段を含む請求項１６
に記載の装置。 【請求項１９】 前記機能は変換手段を含む請求項１６
に記載の装置。 【請求項２０】 前記機能はマイクロプロセッサ手段を
含む請求項１６に記載の装置。 【請求項２１】 複数の第１の端子と対応する複数の第
２の端子との間で複数の信号を伝送するためのコネクタ
装置は、 （ａ）前記複数の第１の端子を対応する複数の第２の端
子に対して電気機械的に接続するための複数の剛性コン
タクトであって、同複数のコンタクトのうちの所定のコ
ンタクトは、 ｉ．対応する第１の端子と対応する第２の端子との間で
複数の信号のうちの対応する信号が伝送される際、複数
の信号のうちの対応する信号に対して電気的に作用する
ための電気的に作用する手段を備えていることと、 （ｂ）前記複数のコンタクトの各々が複数の第１の端子
のうちの対応する端子によって係合される際、これに応
じて対応するコンタクトの移動を許容するように複数の
コンタクトに係合するための付勢手段とを備える。 【請求項２２】 前記電気的に作用する手段は制御され
たインピーダンスを含む請求項２１に記載のコネクタ装
置。 【請求項２３】 前記複数のコンタクトの各々は複数の
第２の端子に対して電気機械的に接続する請求項２２に
記載のコネクタ装置。 【請求項２４】 請求項２２に記載のコネクタ装置にお
いて、前記制御インピーダンスは、 （ａ）外面を有するセラミック製基板と、 （ｂ）前記外面の第１の部分に蒸着されるとともに、複
数の第１の端子のうちの対応する端子に接続された第１
の伝導面と、 （ｃ）前記外面の第２の部分に蒸着され、前記第１の伝
導面と電気的な伝達を行わないとともに、複数の第２の
端子のうちの対応する端子に接続された第２の伝導面
と、 （ｄ）第１の端子及び第２の端子を有する構成部品であ
って、同第１の端子は前記第１の伝導面に接続され、同
第２の端子は前記第２の伝導面に接続され、よって、信
号は第１の伝導面、構成部品の第１の端子、構成部品の
第２の端子及び第２の伝導面の間を通過する構成部品と
を備える。 【請求項２５】 前記構成部品は分離した構成部品を含
む請求項２４に記載のコネクタ装置。 【請求項２６】 前記構成部品はモノリシック状に形成
された構成部品を含む請求項２５に記載のコネクタ装
置。 【請求項２７】 前記セラミック製基板は前記構成部品
の物理的配置を行うように内部に凹部を有する請求項２
６に記載のコネクタ装置。 【請求項２８】 前記制御インピーダンスは複数のコン
タクトの第１のコンタクト及び複数のコンタクトの第２
のコンタクトにより付与され、同第１のコンタクト及び
第２のコンタクトは絶縁材により電気的に分離された請
求項２２に記載のコネクタ装置。 【請求項２９】 複数の第１の端子と対応する複数の第
２の端子との間で複数の信号を伝送するためのコネクタ
装置は、 （ａ）前記複数の第１の端子を対応する複数の第２の端
子に対して電気機械的に接続するための複数の剛性コン
タクトであって、同複数のコンタクトのうちの所定のコ
ンタクトは、 ｉ．対応する第１の端子と対応する第２の端子との間で
複数の信号のうちの対応する信号が伝送される際、複数
の信号のうちの対応する信号に対して電気的に作用する
ための電気的に作用する手段を含むことと、 （ｂ） 前記複数の剛性コンタクトに接続されるととも
に、前記コネクタ装置が組み立てられた後、複数のコン
タクトのうちの第１の組の所定のコンタクトが複数のコ
ンタクトのうちの第２の組の所定のコンタクトと交換可
能であるようにするための交換手段とを備える。 【請求項３０】 第１の端子と第２の端子との間で信号
を伝送するためのコネクタ装置は、 （ａ）前記第１の端子を第２の端子に対して電気機械的
に接続するためのコンタクトを備え、同コンタクトは少
なくとも３つのポートを有し、少なくとも３つのポート
のうちの第１のポートは第１の端子に対して電気的に接
続され、少なくとも３つのポートのうちの第２のポート
は第２の端子に対して電気的に接続され、同コンタクト
は第１の端子と第２の端子との間で信号が伝送される
際、信号に対して電気的に作用するための電気的に作用
する手段を提供する。 【請求項３１】 前記電気的に作用する手段は伝送線構
造を含む請求項３０に記載のコネクタ装置。 【請求項３２】 請求項３１に記載のコネクタ装置にお
いて、前記伝送線構造は、 （ａ）少なくとも２枚の金属プレートを備え、同少なく
とも２枚の金属プレートは絶縁材により電気的に分離さ
れ、少なくとも２枚の金属プレートの各々はコンタクト
の少なくとも３つのポートのうちの所定のポートに対し
て電気的に接続される。 【請求項３３】 前記絶縁材は熱設定型の誘電コーティ
ングを含む請求項３２に記載のコネクタ装置。 【請求項３４】 前記絶縁材は熱可塑性の誘電コーティ
ングを含む請求項３２に記載のコネクタ装置。 【請求項３５】 前記絶縁材は自然に成長した無機酸化
物の誘電コーティングを含む請求項３２に記載のコネク
タ装置。 【請求項３６】 前記電気的に作用する手段は３端子型
のコンデンサデバイスを含む請求項３０に記載のコネク
タ装置。 【請求項３７】 請求項３６に記載のコネクタ装置にお
いて、前記３端子型のコンデンサデバイスは、 （ａ）少なくとも２つの絶縁回路を備え、同少なくとも
２つの絶縁回路は絶縁材により電気的に分離され、少な
くとも２つの絶縁回路の各々はコンタクトの少なくとも
３つのポートのうちの所定のポートに対して電気的に接
続される。 【請求項３８】 前記少なくとも２つの絶縁回路は多層
薄膜法を用いてセラミック基板上に形成された請求項３
７に記載のコネクタ装置。 【請求項３９】 複数の第１の端子と複数の第２の端子
との間で複数の信号を伝送するためのコネクタ装置は、 （ａ）前記第１の端子を第２の端子に対して電気機械的
に接続するための複数のコンタクトを備え、同複数のコ
ンタクトのうちの所定のコンタクトは少なくとも３つの
ポートを有し、対応するコンタクトの少なくとも３つの
ポートの第１のポートは複数の第１の端子のうちの対応
する端子に対して電気的に接続され、対応するコンタク
トの少なくとも３つのポートの第２のポートは複数の第
２の端子の対応する端子に対して電気的に接続され、 （ｂ）対応する第１の端子と対応する第２の端子との間
で信号が伝送される際、対応する信号に対して電気的に
作用するためのコンタクトのうちの所定の各コンタクト
に接続された電気的に作用する手段を備え、同電気的に
作用する手段は対応するコンタクトの少なくとも３つの
ポートのうちの所定のポートに対して電気的に接続され
る。 【請求項４０】 デバイスのリードを同リードから一定
の距離にて間隔を置かれた端子に対して電気的に接続す
るための装置は、 （ａ）ハウジングを備え、同ハウジングは内部に形成さ
れた少なくとも１つのコンタクト受承スロットを有する
とともに、同少なくとも１つのコンタクト受承スロット
により交差された面を有し、同少なくとも１つのコンタ
クト受承スロットは対応するリードと間隙を置かれた端
子との間に延びる軸に対してほぼ平行に延び、 （ｂ）前記少なくとも１つのコンタクト受承スロット内
に受承されるコンタクトを有し、同コンタクトはリード
に係合可能で、更には間隙を置かれた端子に係合可能で
あり、第１の端子と第２の端子との間で信号が伝送され
る際、信号に対して電気的に作用するための手段を提供
し、同電気的に作用する手段はコンタクトに集積され
る。 【請求項４１】 前記電気的に作用する手段は抵抗器、
コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、
表面弾性波フィルタ又はゲートからなる群から選択され
る素子を含む請求項４０に記載の装置。 【請求項４２】 前記電気的に作用する手段は回路を含
む請求項４０に記載の装置。 【請求項４３】 前記回路は電気的機能を遂行する請求
項４２に記載の装置。 【請求項４４】 前記コンタクトは複数の端子に対して
電気機械的に接続された請求項４３に記載の装置。 【請求項４５】 前記機能はスイッチ手段を含む請求項
４４に記載の装置。 【請求項４５】 前記機能は増幅手段を含む請求項４４
に記載の装置。 【請求項４７】 前記機能は変換手段を含む請求項４４
に記載の装置。 【請求項４８】 前記機能はマイクロプロセッサ手段を
含む請求項４４に記載の装置。 【請求項４９】 前記少なくとも１つのコンタクト受承
スロットの各々は複数のリードを受承する請求項４０に
記載の装置。 【請求項５０】 デバイスのリードを同リードから一定
の距離にて間隔を置かれた端子に対して電気的に接続す
るための装置は、 （ａ）ハウジングを備え、同ハウジングは内部に形成さ
れた少なくとも１つのコンタクト受承スロットを有する
とともに、同少なくとも１つのコンタクト受承スロット
により交差された面を有し、同少なくとも１つのコンタ
クト受承スロットは対応するリードと間隙を置かれた端
子との間に延びる軸に対してほぼ平行に延び、 （ｂ）前記少なくとも１つのコンタクト受承スロット内
に受承されるコンタクトを備え、同コンタクトはリード
に係合可能で、更には間隙を置かれた端子に係合可能で
あり、 （ｃ）前記コンタクトが第１の端子に係合する際、これ
に応じてコンタクトの移動を許容するようにコンタクト
に係合するための付勢手段を備え、 （ｄ）前記コンタクトに接続され、第１の端子と第２の
端子との間で信号が伝送される際、信号に対して電気的
に作用するための電気的に作用する手段を含む。
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| US5766036A (en) * | 1996-10-11 | 1998-06-16 | Molex Incorporated | Impedance matched cable assembly having latching subassembly |
| ATE296448T1 (de) * | 1998-10-10 | 2005-06-15 | Un-Young Chung | Prüfsockel |
| US6208225B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-03-27 | Formfactor, Inc. | Filter structures for integrated circuit interfaces |
| US6366466B1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Multi-layer printed circuit board with signal traces of varying width |
| US6535006B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-03-18 | Intel Corporation | Test socket and system |
| US6876213B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-04-05 | Johnstech International Corporation | Compliant actuator for IC test fixtures |
| US6992496B2 (en) | 2002-03-05 | 2006-01-31 | Rika Electronics International, Inc. | Apparatus for interfacing electronic packages and test equipment |
| US6714034B2 (en) * | 2002-04-11 | 2004-03-30 | Andy Chen | Integrated circuit testing apparatus having stable ground reference |
| US6791317B1 (en) | 2002-12-02 | 2004-09-14 | Cisco Technology, Inc. | Load board for testing of RF chips |
| US7513779B2 (en) * | 2003-06-04 | 2009-04-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connector having a bypass capacitor and method for reducing the impedance and length of a return-signal path |
| US7147514B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-12-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connector providing capacitive coupling |
| US7074049B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-07-11 | Johnstech International Corporation | Kelvin contact module for a microcircuit test system |
| US6998859B1 (en) | 2004-08-25 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Test probe with side arm |
| US7176703B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-02-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Test probe with thermally activated grip and release |
| WO2006053030A2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Molex Incorporated | Power terminal for lga socket |
| TW200743268A (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Electrical connector |
| US8354854B2 (en) * | 2007-01-02 | 2013-01-15 | Johnstech International Corporation | Microcircuit testing interface having kelvin and signal contacts within a single slot |
| US7808341B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-10-05 | Kyocera America, Inc. | Broadband RF connector interconnect for multilayer electronic packages |
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| US8277255B2 (en) * | 2010-12-10 | 2012-10-02 | Tyco Electronics Corporation | Interconnect member for an electronic module with embedded components |
| CN102769438A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-11-07 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 滤波电路 |
| US10794933B1 (en) * | 2013-03-15 | 2020-10-06 | Johnstech International Corporation | Integrated circuit contact test apparatus with and method of construction |
| KR101441015B1 (ko) * | 2013-09-03 | 2014-09-17 | 양희성 | 웨이퍼 칩 검사용 프로브 카드 |
| US10686269B2 (en) | 2017-09-25 | 2020-06-16 | Johnstech International Corporation | High isolation contactor with test pin and housing for integrated circuit testing |
| US10348015B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-07-09 | Te Connectivity Corporation | Socket connector for an electronic package |
| DE102018207371A1 (de) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Md Elektronik Gmbh | Elektrischer Steckverbinder für ein mehradriges elektrisches Kabel |
| DE102018117815A1 (de) | 2018-07-24 | 2020-01-30 | Amad - Mennekes Holding Gmbh & Co. Kg | Überwachung des Kontaktbereiches in einer Steckvorrichtung |
| CN113161792B (zh) * | 2020-01-07 | 2022-06-21 | 东莞立讯技术有限公司 | 电连接器 |
| DE102019128930A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Infineon Technologies Ag | Schaltung mit Transformator und entsprechendes Verfahren |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3111641A (en) * | 1961-02-03 | 1963-11-19 | Jerzy J Wilentchik | Plug and jack resistor |
| US3393396A (en) * | 1966-05-12 | 1968-07-16 | Army Usa | Electrical connector |
| US3670205A (en) * | 1970-03-25 | 1972-06-13 | Gen Electric | Method and structure for supporting electric components in a matrix |
| US3778752A (en) * | 1971-11-26 | 1973-12-11 | Gen Motors Corp | Connector contact including an isolation resistor |
| US3880493A (en) * | 1973-12-28 | 1975-04-29 | Burroughs Corp | Capacitor socket for a dual-in-line package |
| GB1544651A (en) * | 1976-10-29 | 1979-04-25 | Secr Defence | Edge connectors |
| US4161692A (en) * | 1977-07-18 | 1979-07-17 | Cerprobe Corporation | Probe device for integrated circuit wafers |
| US4250482A (en) * | 1979-01-02 | 1981-02-10 | Allen-Bradley Company | Packaged electronic component and method of preparing the same |
| US4520429A (en) * | 1983-12-19 | 1985-05-28 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | Dual-path circuit board connector with internal switching |
| US4695115A (en) * | 1986-08-29 | 1987-09-22 | Corcom, Inc. | Telephone connector with bypass capacitor |
| US4772225A (en) * | 1987-11-19 | 1988-09-20 | Amp Inc | Electrical terminal having means for mounting electrical circuit components in series thereon and connector for same |
| US4853659A (en) * | 1988-03-17 | 1989-08-01 | Amp Incorporated | Planar pi-network filter assembly having capacitors formed on opposing surfaces of an inductive member |
| US4983910A (en) * | 1988-05-20 | 1991-01-08 | Stanford University | Millimeter-wave active probe |
| US4846732A (en) * | 1988-08-05 | 1989-07-11 | Emp Connectors, Inc. | Transient suppression connector with filtering capability |
| US4871316A (en) * | 1988-10-17 | 1989-10-03 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Printed wire connector |
| US5224021A (en) * | 1989-10-20 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface-mount network device |
| US5096426A (en) * | 1989-12-19 | 1992-03-17 | Rogers Corporation | Connector arrangement system and interconnect element |
| US4996478A (en) * | 1990-01-05 | 1991-02-26 | Tektronix, Inc. | Apparatus for connecting an IC device to a test system |
| EP0487984B1 (en) * | 1990-11-27 | 1995-06-14 | THOMAS & BETTS CORPORATION | Filtered plug connector |
| US5061192A (en) * | 1990-12-17 | 1991-10-29 | International Business Machines Corporation | High density connector |
| US5207584A (en) * | 1991-01-09 | 1993-05-04 | Johnson David A | Electrical interconnect contact system |
| US5388996A (en) * | 1991-01-09 | 1995-02-14 | Johnson; David A. | Electrical interconnect contact system |
| US5069629A (en) * | 1991-01-09 | 1991-12-03 | Johnson David A | Electrical interconnect contact system |
| US5274336A (en) * | 1992-01-14 | 1993-12-28 | Hewlett-Packard Company | Capacitively-coupled test probe |
| US5447442A (en) * | 1992-01-27 | 1995-09-05 | Everettt Charles Technologies, Inc. | Compliant electrical connectors |
| US5248262A (en) * | 1992-06-19 | 1993-09-28 | International Business Machines Corporation | High density connector |
| JPH0676894A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | コネクタ |
| US5246389A (en) * | 1993-02-23 | 1993-09-21 | Amphenol Corporation | High density, filtered electrical connector |
| US5286224A (en) * | 1993-05-10 | 1994-02-15 | Itt Corporation | Interchangeable contact connector |
| US5336094A (en) * | 1993-06-30 | 1994-08-09 | Johnstech International Corporation | Apparatus for interconnecting electrical contacts |
| DE69632159T2 (de) * | 1995-02-07 | 2004-09-02 | Johnstech International Corp., Minneapolis | Gerät zur Steuerung der Impedanz von elektrischen Kontakten |
| FR2743170B1 (fr) * | 1995-12-28 | 1998-02-06 | Framatome Connectors Int | Connecteur actif pour carte a puce |
| US7513779B2 (en) * | 2003-06-04 | 2009-04-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connector having a bypass capacitor and method for reducing the impedance and length of a return-signal path |
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