JPH08335654A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08335654A JPH08335654A JP14196795A JP14196795A JPH08335654A JP H08335654 A JPH08335654 A JP H08335654A JP 14196795 A JP14196795 A JP 14196795A JP 14196795 A JP14196795 A JP 14196795A JP H08335654 A JPH08335654 A JP H08335654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- chip
- heat sink
- thermal resistance
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＡＢ方式の特長を生かしつつ、実装コストを
低減し、かつ冷却効率を上げる。 【構成】ＩＣチップが発生した熱を放出させるヒートシ
ンク１を有し、このヒートシンク１が銅箔３上に直接接
着できる様なパターンでテープ６のベース部６ａを形成
する。テープ６には所定のパターンでリード５が銅箔部
に形成されている。ＩＣチップ７はテープ６の銅箔部分
３に接着され、ワイヤボンディングによってリード５と
の接続を行う。ヒートシンク１は、ＩＣチップ７と銅箔
３をはさむ形で接着される。ＩＣチップ７とボンディン
グワイヤ８は、封止樹脂９で樹脂封止される。
低減し、かつ冷却効率を上げる。 【構成】ＩＣチップが発生した熱を放出させるヒートシ
ンク１を有し、このヒートシンク１が銅箔３上に直接接
着できる様なパターンでテープ６のベース部６ａを形成
する。テープ６には所定のパターンでリード５が銅箔部
に形成されている。ＩＣチップ７はテープ６の銅箔部分
３に接着され、ワイヤボンディングによってリード５と
の接続を行う。ヒートシンク１は、ＩＣチップ７と銅箔
３をはさむ形で接着される。ＩＣチップ７とボンディン
グワイヤ８は、封止樹脂９で樹脂封止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢテープを用い
て、半導体チップを実装するＴＡＢ実装構造を有する半
導体装置に関し、特にヒートシンクを用いて冷却する冷
却構造と半導体チップとＴＡＢテープとの電気的接続を
行うＴＡＢ実装構造を有する半導体装置に関する。
て、半導体チップを実装するＴＡＢ実装構造を有する半
導体装置に関し、特にヒートシンクを用いて冷却する冷
却構造と半導体チップとＴＡＢテープとの電気的接続を
行うＴＡＢ実装構造を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来パッケージのインナーリードとＩＣ
チップとの電気的に接続し、樹脂封止する技術の一例が
特開平１−１８３８３７号公報に示されている。この公
報には、第６図にも図示されるようにインナーリード部
とアウターリード部とを有するリードがポリイミド製Ｔ
ＡＢテープを材料としたフレキシブル基板６に所定のパ
ターンで設けられている。このフレキシブル基板上にマ
ウントされた半導体チップ（ＩＣチップ）とインナーリ
ード部とがボンディングワイヤによりワイヤボンディン
グされ、アウターリード部以外は封止樹脂によってトラ
ンスファーモールドされる技術が示されている。
チップとの電気的に接続し、樹脂封止する技術の一例が
特開平１−１８３８３７号公報に示されている。この公
報には、第６図にも図示されるようにインナーリード部
とアウターリード部とを有するリードがポリイミド製Ｔ
ＡＢテープを材料としたフレキシブル基板６に所定のパ
ターンで設けられている。このフレキシブル基板上にマ
ウントされた半導体チップ（ＩＣチップ）とインナーリ
ード部とがボンディングワイヤによりワイヤボンディン
グされ、アウターリード部以外は封止樹脂によってトラ
ンスファーモールドされる技術が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この公報記載の従来の
半導体装置では、ヒートシンク等の冷却手段を備えてい
ない。このため、ＩＣチップの発熱時、その熱を外部へ
放出できない。この結果、ＩＣチップが高温になりＩＣ
チップの正常動作は期待できなくなる。また、ＩＣチッ
プとモールド部との間に熱伝導率の低いポリイミドフィ
ルム基板が介在するため、これらの間の熱抵抗が大きく
なる。従って、もしモールド部の上部にヒートシンクを
取り付けても十分な冷却効果は生まれない。
半導体装置では、ヒートシンク等の冷却手段を備えてい
ない。このため、ＩＣチップの発熱時、その熱を外部へ
放出できない。この結果、ＩＣチップが高温になりＩＣ
チップの正常動作は期待できなくなる。また、ＩＣチッ
プとモールド部との間に熱伝導率の低いポリイミドフィ
ルム基板が介在するため、これらの間の熱抵抗が大きく
なる。従って、もしモールド部の上部にヒートシンクを
取り付けても十分な冷却効果は生まれない。
【０００４】本発明の目的は、冷却効率を向上するよう
にしたＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
にしたＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００５】本発明の他の目的は、半導体チップの集積
層を向上させても十分機能しうる温度に冷却できるよう
にしたＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
層を向上させても十分機能しうる温度に冷却できるよう
にしたＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００６】本発明の他の目的は、バンプを形成する必
要のないＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供する
ことにある。
要のないＴＡＢ実装構造を有する半導体装置を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の他の目的は、小型化および軽量化
を実現するようにした半導体装置を提供することにあ
る。
を実現するようにした半導体装置を提供することにあ
る。
【０００８】本発明の他の目的は、高集積化を実現する
ようにした半導体装置を提供することにある。
ようにした半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置は、銅箔部と、この銅箔部の表面に接着剤で接着され
たヒートシンクと、前記銅箔部の裏面に接着剤で接着さ
れた半導体チップとを含む。
置は、銅箔部と、この銅箔部の表面に接着剤で接着され
たヒートシンクと、前記銅箔部の裏面に接着剤で接着さ
れた半導体チップとを含む。
【００１０】本発明の第２の半導体装置は、前記第１の
半導体装置であって前記銅箔部と同じ平面上の外側にリ
ードの少なくとも一部が配置されたことを特徴とする。
半導体装置であって前記銅箔部と同じ平面上の外側にリ
ードの少なくとも一部が配置されたことを特徴とする。
【００１１】本発明の第３の半導体装置は、前記第２の
半導体装置であって前記銅箔部と前記リードとをテープ
ベースで接続することを特徴とする。
半導体装置であって前記銅箔部と前記リードとをテープ
ベースで接続することを特徴とする。
【００１２】本発明の第４の半導体装置は、前記第１の
半導体装置における前記半導体チップが集積回路チップ
であることを特徴とする。
半導体装置における前記半導体チップが集積回路チップ
であることを特徴とする。
【００１３】本発明の第５の半導体装置は、前記第２の
半導体装置であって前記銅箔部と隣接していない前記リ
ードの端部を電気的に接続するとともに前記銅箔部、前
記ヒートシンクおよび前記半導体チップの組合せを搭載
するプリント板とを含む。
半導体装置であって前記銅箔部と隣接していない前記リ
ードの端部を電気的に接続するとともに前記銅箔部、前
記ヒートシンクおよび前記半導体チップの組合せを搭載
するプリント板とを含む。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】図１および図２を参照すると、本発明の第
１の実施例は表面に接着剤２でヒートシンク１を接着
し、裏面に接着剤４でＩＣチップ７を接着する銅箔３接
着部分と、この銅箔３接着部分の周辺の表面にパターン
化されたテープベース６ａを有する、望ましくは約１ｍ
ｍの厚さを有するテープ６と；このテープ６の表面のテ
ープベース６ａに対応する裏面の位置に、ワイヤボンデ
ィングを行いやすくするためのメッキ１０と；このメッ
キ１０を介してＩＣチップ７とリード５とを電気的に接
着するボンディングワイヤ８と；接着剤４、ＩＣチップ
７、ボンディングワイヤ８およびメッキ１０を封止する
封止樹脂１０を含む。なお、テープベース６ａはポリイ
ミド等を材料とする。
１の実施例は表面に接着剤２でヒートシンク１を接着
し、裏面に接着剤４でＩＣチップ７を接着する銅箔３接
着部分と、この銅箔３接着部分の周辺の表面にパターン
化されたテープベース６ａを有する、望ましくは約１ｍ
ｍの厚さを有するテープ６と；このテープ６の表面のテ
ープベース６ａに対応する裏面の位置に、ワイヤボンデ
ィングを行いやすくするためのメッキ１０と；このメッ
キ１０を介してＩＣチップ７とリード５とを電気的に接
着するボンディングワイヤ８と；接着剤４、ＩＣチップ
７、ボンディングワイヤ８およびメッキ１０を封止する
封止樹脂１０を含む。なお、テープベース６ａはポリイ
ミド等を材料とする。
【００１６】次に本発明の第１の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００１７】図１および図２を参照すると、ポリイミド
等を材料とするベース６ａに銅箔３を接着された厚さ１
ミリ（ｍｍ）のテープの銅箔３部分がフォトエッチング
技術で所定のパターンにエッチングされる。
等を材料とするベース６ａに銅箔３を接着された厚さ１
ミリ（ｍｍ）のテープの銅箔３部分がフォトエッチング
技術で所定のパターンにエッチングされる。
【００１８】このエッチングにより所定のピッチおよび
幅のリード５が形成される。次に、所定のパターンでエ
ッチングされた銅箔３の上に接着剤４を用いてＩＣチッ
プ７が搭載される。
幅のリード５が形成される。次に、所定のパターンでエ
ッチングされた銅箔３の上に接着剤４を用いてＩＣチッ
プ７が搭載される。
【００１９】銅箔３に対して反対側のヒートシンク１を
接着するエリアはポリイミドのベース部分６ａはなく、
ヒートシンク１が銅箔３に接着できるよう形成する。
接着するエリアはポリイミドのベース部分６ａはなく、
ヒートシンク１が銅箔３に接着できるよう形成する。
【００２０】リード５の内側の銅箔３に近い先端にはメ
ッキ１０が施される。これはワイヤボンディングを行い
やすくする。
ッキ１０が施される。これはワイヤボンディングを行い
やすくする。
【００２１】これらの工程での処理が終了したあと、通
常のワイヤボンディング技術によりＩＣチップ７とリー
ド５のメッキ１０部分とがワイヤボンディングされる。
常のワイヤボンディング技術によりＩＣチップ７とリー
ド５のメッキ１０部分とがワイヤボンディングされる。
【００２２】次に、封止樹脂９によりＩＣチップ７とボ
ンディングワイヤ８部分とが封止される。
ンディングワイヤ８部分とが封止される。
【００２３】さらに、銅箔３に対しＩＣチップ７の反対
側にヒートシンク１が接着剤２により接着される。これ
らの工程の処理によりテープ・オートメイテッド・ボン
ディング（ＴＡＢ）実装構造が形成される。
側にヒートシンク１が接着剤２により接着される。これ
らの工程の処理によりテープ・オートメイテッド・ボン
ディング（ＴＡＢ）実装構造が形成される。
【００２４】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００２５】図３を参照すると、図１および図２に示さ
れた本発明の第１の実施例のうちリード５の外側に付け
られたテープベース６ａが除かれた第１の実施例の変形
例を１つの要素として本発明の第２の実施例が構成され
ている。
れた本発明の第１の実施例のうちリード５の外側に付け
られたテープベース６ａが除かれた第１の実施例の変形
例を１つの要素として本発明の第２の実施例が構成され
ている。
【００２６】本発明の第２の実施例は、上述の第１の実
施例の変形例の封止樹脂９部がプリント板１１に直接接
着され、該変形例の下方に折り曲げられたリード５の該
端部がプリント板１１上のパッド１２に位置合わせされ
接着されている。
施例の変形例の封止樹脂９部がプリント板１１に直接接
着され、該変形例の下方に折り曲げられたリード５の該
端部がプリント板１１上のパッド１２に位置合わせされ
接着されている。
【００２７】次に本発明の第２の実施例の組立てについ
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】図２を参照すると本発明の第１の実施例の
リード５の外端部に接着されたテープベース６ａが除去
される。
リード５の外端部に接着されたテープベース６ａが除去
される。
【００２９】次にリード５がテープベース６ａの外周辺
部から下方に折り曲げられる。
部から下方に折り曲げられる。
【００３０】図１のＢ−Ｂ′断面を示す図３を参照する
と、上述の工程で形成された本発明の第１の実施例の変
形例のリード５の外端部がプリント板１１上のパッド１
２に位置合わせされる。
と、上述の工程で形成された本発明の第１の実施例の変
形例のリード５の外端部がプリント板１１上のパッド１
２に位置合わせされる。
【００３１】この位置合わせ後、リード５の外端部がプ
リント板１１のパッド１２にはんだ付けされる。これと
ともに必要に応じて封止樹脂９がプリント板１１に接着
される。
リント板１１のパッド１２にはんだ付けされる。これと
ともに必要に応じて封止樹脂９がプリント板１１に接着
される。
【００３２】本発明の第１の実施例、その変形例および
第２の実施例においてヒートシンク１とＩＣチップ７と
の間に接着剤４および熱伝導率が大きく薄い形状の銅箔
３のみが介在しているという特徴がある。すなわち、上
述の実施例および変形例は熱抵抗が小さい構造であると
いう共通点がある。
第２の実施例においてヒートシンク１とＩＣチップ７と
の間に接着剤４および熱伝導率が大きく薄い形状の銅箔
３のみが介在しているという特徴がある。すなわち、上
述の実施例および変形例は熱抵抗が小さい構造であると
いう共通点がある。
【００３３】これら実施例の熱抵抗が特開平１−１８３
８３７号公報の図６に示された例における熱抵抗と比較
して、どれだけ小さくなるかについて以下詳細に説明す
る。
８３７号公報の図６に示された例における熱抵抗と比較
して、どれだけ小さくなるかについて以下詳細に説明す
る。
【００３４】まず、熱抵抗の式は
【００３５】
【００３６】で表される。
【００３７】Ｒ（Ｋ／Ｗ）は、熱抵抗を示し、λ（Ｗ／
（ｍ・ｋ））は、熱伝導率を示す。
（ｍ・ｋ））は、熱伝導率を示す。
【００３８】Ａ（ｍ2 ）は、チップ等の面積を示し、Ｌ
（ｍ）は、厚みを示す。
（ｍ）は、厚みを示す。
【００３９】各物質の熱抵抗を以下示す。
【００４０】ポリイミドは、熱伝導導入が、０．１２
（Ｗ／（ｍ・ｋ））であり、面積Ａを０．０１５×０．
０１５＝２５５．０×１０-6（ｍ2 ）とする。
（Ｗ／（ｍ・ｋ））であり、面積Ａを０．０１５×０．
０１５＝２５５．０×１０-6（ｍ2 ）とする。
【００４１】さらに、厚みＬを０．１２５（ｍｍ）＝
０．１２５×１０-3（ｍ）とすると、ポリイミドの熱抵
抗Ｒは、
０．１２５×１０-3（ｍ）とすると、ポリイミドの熱抵
抗Ｒは、
【００４２】
【００４３】の式により４．０８５（Ｋ／Ｗ）となる。
【００４４】接着剤は、熱伝導導入が１．５６（Ｗ／
（ｍ・ｋ））であり、面積Ａをポリイミドと同じく０．
０１５×０．０１５＝２５５．０×１０-6（ｍ2 ）とす
る。
（ｍ・ｋ））であり、面積Ａをポリイミドと同じく０．
０１５×０．０１５＝２５５．０×１０-6（ｍ2 ）とす
る。
【００４５】厚みＬを３０（μｍ）＝３×１０-6（ｍ）
とすると、接着剤の熱抵抗Ｒは、
とすると、接着剤の熱抵抗Ｒは、
【００４６】
【００４７】となる。
【００４８】銅箔は、熱伝導導入が３７０．０（Ｗ／
（ｍ・ｋ））であり、面積Ａをポリイミドや接着剤と同
じく０．０１５×０．０１５＝２２５×１０-6（ｍ）と
する。
（ｍ・ｋ））であり、面積Ａをポリイミドや接着剤と同
じく０．０１５×０．０１５＝２２５×１０-6（ｍ）と
する。
【００４９】厚みＬを３５（μｍ）＝３．５×１０
-6（ｍ）とすると、銅箔の熱抵抗Ｒは、
-6（ｍ）とすると、銅箔の熱抵抗Ｒは、
【００５０】
【００５１】となる。
【００５２】特開平１−１８３８３７号公報の第６図に
おいて、モールド樹脂の上面にヒートシンクを取り付け
た場合を想定する。
おいて、モールド樹脂の上面にヒートシンクを取り付け
た場合を想定する。
【００５３】第６図におけるＩＣチップ１２からヒート
シンクまでの熱抵抗は、接着剤の熱抵抗＋チップマウン
ト部（銅箔）の熱抵抗＋ポリイミド基板の熱抵抗＋接着
剤の熱抵抗＋モールド樹脂の熱抵抗で求められる。
シンクまでの熱抵抗は、接着剤の熱抵抗＋チップマウン
ト部（銅箔）の熱抵抗＋ポリイミド基板の熱抵抗＋接着
剤の熱抵抗＋モールド樹脂の熱抵抗で求められる。
【００５４】上述で説明されていないモールド樹脂の熱
抵抗は以下のようにして求められる。
抵抗は以下のようにして求められる。
【００５５】モールド樹脂の熱伝導導入は、０．３６
（ｋｃａｌ／ｍ・ｈ・℃）＝０．４１９（Ｗ／（ｍ・
ｋ））であり、面積Ａを０．０１５×０．０１５＝２５
５．０×１０-8（ｍ2 ）とする。
（ｋｃａｌ／ｍ・ｈ・℃）＝０．４１９（Ｗ／（ｍ・
ｋ））であり、面積Ａを０．０１５×０．０１５＝２５
５．０×１０-8（ｍ2 ）とする。
【００５６】厚みＬを１（ｍｍ）＝１×１０-3（ｍ）と
すると、モールド樹脂の熱抵抗Ｒは、
すると、モールド樹脂の熱抵抗Ｒは、
【００５７】
【００５８】となる。
【００５９】ＩＣチップからヒートシンクまでの熱抵抗
＝接着剤の熱抵抗＋チップマウント部（銅箔）の熱抵抗
＋ポリイミド基板の熱抵抗＋接着剤の熱抵抗＋モールド
樹脂の熱抵抗＝７．５×１０-3＋３．７１×１０-5＋
４．０８５＋７．５×１０-3＋９．３６≒１３．４６
（Ｋ／Ｗ）である。
＝接着剤の熱抵抗＋チップマウント部（銅箔）の熱抵抗
＋ポリイミド基板の熱抵抗＋接着剤の熱抵抗＋モールド
樹脂の熱抵抗＝７．５×１０-3＋３．７１×１０-5＋
４．０８５＋７．５×１０-3＋９．３６≒１３．４６
（Ｋ／Ｗ）である。
【００６０】これに対し本発明の各実施例や変形例にお
けるＩＣチップ７からヒートシンクまでの熱抵抗は以下
のようにして求められる。
けるＩＣチップ７からヒートシンクまでの熱抵抗は以下
のようにして求められる。
【００６１】ＩＣチップからヒートシンクまでの熱抵抗
＝接着剤の熱抵抗＋チップマウント部（銅箔）の熱抵抗
＋接着剤の熱抵抗＝７．５×１０-3＋３．７１×１０-5
＋７．５×１０-3≒０．０１５（Ｋ／Ｗ）この結果、本
発明の各実施例や変形例におけるＩＣチップ７からヒー
トシンクまでの熱抵抗は、上述の特開平１−１８３８３
７号公報の第６図におけるモールド樹脂の上面にヒート
シンクを取り付けた場合のＩＣチップからヒートシンク
までの熱抵抗に比べて ０．０１５／１３．４６≒０．００１１ すなわち、１／１０００程度熱抵抗が小さい。
＝接着剤の熱抵抗＋チップマウント部（銅箔）の熱抵抗
＋接着剤の熱抵抗＝７．５×１０-3＋３．７１×１０-5
＋７．５×１０-3≒０．０１５（Ｋ／Ｗ）この結果、本
発明の各実施例や変形例におけるＩＣチップ７からヒー
トシンクまでの熱抵抗は、上述の特開平１−１８３８３
７号公報の第６図におけるモールド樹脂の上面にヒート
シンクを取り付けた場合のＩＣチップからヒートシンク
までの熱抵抗に比べて ０．０１５／１３．４６≒０．００１１ すなわち、１／１０００程度熱抵抗が小さい。
【００６２】
【発明の効果】本発明は、ヒートシンクとＩＣチップと
の間に熱伝導率が大きくてしかも薄い銅箔のみが介在し
ているため、熱抵抗が小さいという特徴がある。このた
め本発明は、ヒートシンクによる効率的な冷却ができる
という効果がある。
の間に熱伝導率が大きくてしかも薄い銅箔のみが介在し
ているため、熱抵抗が小さいという特徴がある。このた
め本発明は、ヒートシンクによる効率的な冷却ができる
という効果がある。
【００６３】本発明は、小型化または軽量化を実現でき
るという効果がある。
るという効果がある。
【００６４】本発明は、効率的な冷却ができるため、さ
らなる集積化を実現できるという効果がある。
らなる集積化を実現できるという効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】図１に示される実施例のＡ−Ａ′断面を示す図
である。
である。
【図３】図１に示される実施例のＢ−Ｂ′断面に相当す
る変形例を示す図である。
る変形例を示す図である。
１ ヒートシンク ２ 接着剤 ３ 銅箔 ４ 接着剤 ５ リード ６ テープ ６ａ テープベース ７ ＩＣチップ ８ ボンディングワイヤ ９ 封止樹脂 １０ メッキ １１ プリント板 １２ パッド
Claims (3)
- 【請求項１】 銅箔部と、 この銅箔部の表面に接着剤で接着されたヒートシンク
と、 前記銅箔部の裏面に接着剤で接着された半導体チップと
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記銅箔部と同じ平面上の外側にリード
の少なくとも一部が配置されたことを特徴とする請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記銅箔部と隣接していない前記リード
の端部を電気的に接続するとともに前記銅箔部、前記ヒ
ートシンクおよび前記半導体チップの組合せを搭載する
プリント板とを含むことを特徴とする請求項２記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7141967A JP2968704B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7141967A JP2968704B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335654A true JPH08335654A (ja) | 1996-12-17 |
| JP2968704B2 JP2968704B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=15304299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7141967A Expired - Fee Related JP2968704B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968704B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017379A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Toray Industries, Inc. | Bande adhesive destinee a etre utilisee pour un substrat de connexion de semi-conducteurs et feuille stratifiee revetue de cuivre utilisant ladite bande |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247858A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Nec Corp | 半導体集積回路部品 |
-
1995
- 1995-06-08 JP JP7141967A patent/JP2968704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JP2968704B2 (ja) | 1999-11-02 |
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