JPH08328235A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
パターンが形成されており、透過光のサイドローブが発
生する位置に対応する箇所の少なくとも一部に遮光膜3
が形成されている。 【効果】 不要パターンの転写を防止し、且つ、ハーフ
トーンマスク本来の光コントラストを維持することを可
能にする。
Description
ーフトーンマスクの構造及びその製造方法に関するもの
である。
のレジストパターンの解像度、焦点深度を向上させる手
法として、フォトマスク上の隣接する開口部の一方に透
過光の位相を180°反転させる透明膜(以下、「シフ
タ」とする。)を配置すれば良いことが知られている。
この技術において、問題点の一つであるシフタデータの
作成を不要とする技術として、従来パターンを形成する
ための遮光部に半透明膜(以下、「ハーフトーン膜」と
する。)を用い、開口部の光に対して、ハーフトーン膜
からの若干の漏れ光(一般的に6〜10%)を180°
位相反転することにより、位相シフト効果を得るフォト
マスク(以下、「ハーフトーンマスク」)が特開平4−
136854号公報に開示されている。
SiO2(SOG等)の二層構造であり、クロムの膜厚
を薄くすることにより透過率を、また、SiO2の膜厚
及び屈折率を調整すること(膜厚d=λ/(2n−
2)、n:屈折率、λ:露光光の波長)により、位相差
を制御していた。
に熱吸収がないため、従来のクロムパターンの欠陥修正
と同様のレーザーザッピングがSiO2パターンの欠陥
修正に適用できないという位相シフト法本来の問題点が
残っていた。この問題を解決する手段として、シフタの
代替材料が検討され、例えば、特開平4−335523
号公報に示されている、MoSi等を酸窒化した膜を採
用することにより、従来のレーザーザッピングが欠陥修
正工程に適用可能となった。また、MoSi等を酸窒化
した膜は反応性スパッタ条件によって酸素や窒素の含有
率の制御ができるため、単層膜で透過率及び位相差を同
時に満足することを可能とした。
トーンマスクは遮光部が若干の透過率を有する半透明膜
で、このハーフトーンマスクを用いて、例えばウエハ上
にパターンを転写する場合、ウエハ上で1次回折光と半
透明膜からの漏れ光が同位相で振幅合成される位置にお
いてサイドローブが発生する。このサイドローブ強度
は、図9に示すように、ハーフトーン膜の透過率(図中
においてTで示す。)に依存し、透過率が大きくなると
サイドローブ強度も大きくなるという相関関係にある。
尚、図9では、波長が365nmの光を用い、NA=
0.42、コヒーレンスδ=0.3の条件下で、透過率
Tを0%、4%、8%、16%、36%と上げて行く場
合を示している。サイドローブ強度がレジスト感度に到
達すると、不要なパターンが転写される。例えば、図6
に示す孤立コンタクトホールパターンの場合、コンタク
トホール13の周囲に同心円状のリングパターン14が
転写される。ハーフトーン膜の透過率設定は光コントラ
ストの観点では、レジスト感度を考慮して遮光部のレジ
スト膜厚を確保することを絶対条件として、高いほど望
ましい。
写防止に制約され、不要パターンが発生しない透過率に
設定せざるを得ない状況にある。また、パターンレイア
ウトによっては、複数のサイドローブが重畳し(図6
(a)、7(a))、孤立パターンと比較し、サイドロ
ーブ強度が更に大きくなる(図6(c)、図7
(c))。このため、不要パターンの転写を防ぐために
は、上記孤立パターンの場合と比較して更にハーフトー
ン膜の透過率を低下させる必要がある。
ンタクトホールを1つ配置した場合の、マスクパターン
とサイドローブ位置との関係を示す図であり、同(b)
は、同(a)のマスクパターンを用いた場合の転写パタ
ーンを示し、同(c)は、同(a)のマスクパターンを
用いた場合のウエハー上の光強度分布を示す。また、図
7(a)は、従来技術における、コンタクトホールを2
つ配置した場合の、マスクパターンとサイドローブ位置
との関係を示す図であり、同(b)は、同(a)のマス
クパターンを用いた場合の転写パターンを示し、同
(c)は、同(a)のマスクパターンを用い、コンタク
トホールを5行1列で配置し、光強度を検出した場合の
ウエハー上の光強度分布を示す。更に、図8(a)は、
従来技術における、コンタクトホールを4つ配置した場
合の、マスクパターンとサイドローブ位置との関係を示
す図であり、同(b)は、同(a)のマスクパターンを
用いた場合の転写パターンを示し、同(c)は、同
(a)のマスクパターンを用い、コンタクトホールを5
行5列で配置し、光強度を検出した場合のウエハー上の
光強度分布を示す。図6乃至図8において、11はマス
ク上のコンタクトホールパターン、12はサイドローブ
位置、13はウエハ上のコンタクトホールパターン、1
4はウエハ上に転写された不要なパターン、15はコン
タクトホールパターンの光強度、16はサイドローブの
光強度を示す。
防止を図る手法として、マスクバイアスがある。これ
は、例えば、コンタクトホールパターンの場合、マスク
バイアスを大きくすると転写時の最適露光量が小さくな
るため、サイドローブ強度は低下する。この手法によれ
ば、不要パターンの転写を確実に防止できるが、同時に
光コントラストも低下する。
アス制御による不要パターンの転写防止は、ハーフトー
ンマスク本来の性能(高い光コントラスト)を犠牲にし
て成り立つものであり、根本的解決策にはなっていな
い。
ンマスクの特性であるウエハ上の焦点深度を向上させる
手段を提供することを目的とするものである。
フォトマスクは、透明基板上に、半透明膜によってパタ
ーンが形成されているフォトマスクにおいて、透過光の
1次回折光が転写される位置に対応する箇所の少なくと
も一部に遮光膜が形成されていることを特徴とするもの
である。
クの製造方法は、透明基板上に半透明膜、遮光膜及びレ
ジスト膜を順次形成する工程と、上記透明基板上に上記
半透明膜のみが存在する第1のエリア上の上記レジスト
膜を、上記遮光膜及び上記半透明膜が存在する第2のエ
リアよりも薄くする工程と、第1のエリア内に半透明膜
のパターンを形成するために上記レジスト膜をパターニ
ングし、該レジスト膜のパターンをマスクに遮光膜及び
半透明膜を除去する工程と、第1のレジスト膜の膜厚差
を利用し、第1のエリア上のレジスト膜のみを完全に除
去し、第2のエリア上のレジスト膜をマスクとして遮光
膜を除去する工程とを有することを特徴とする、請求項
1記載のフォトマスクの製造方法である。
強度を低減することができ、その結果として、不要パタ
ーンの転写防止を図ることができる。また、遮光パター
ンの配置及びサイズを適正化し、サイドローブ強度を調
節することにより、光コントラストの劣化を最小限に押
えることができる。
細に説明する。
製造工程を示す図であり、図2(a)は図8における点
A及び点Bを遮光するフォトマスクのレイアウトパター
ン、同(b)は同(a)におけるX−X断面図であり、
同(c)は同(a)のフォトマスクを用いた場合のフォ
トマスクを通過した光の振幅分布を示す図であり、図3
(a)は図8における点Aを遮光するフォトマスクのレ
イアウトパターン、同(b)は同(a)におけるY−Y
断面図であり、同(c)は同(a)のフォトマスクを用
いた場合のフォトマスクを通過した光の振幅分布を示す
図であり、図4(a)は従来のハーフトーンマスクの断
面図であり、同(b)は同(a)のマスクを用いた場合
の転写パターン、同(c)は同(a)のマスクを用いた
場合のウエハ上の光強度分布図であり、図5(a)は本
発明のハーフトーンマスクの断面図であり、同(b)は
同(a)のマスクを用いた場合の転写パターン、同
(c)は同(a)のマスクを用いた場合のウエハ上の光
強度分布図である。図1乃至図5において、1は透明基
板、2はハーフトーン膜、3は遮光膜、4、5はレジス
ト、6は層間絶縁膜、7はゲート電極、8はソース/ド
レイン領域、9は半導体基板、11はマスク上のコンタ
クトホールパターン、12はサイドローブ位置、13は
ウエハ上のコンタクトホールパターン、14はウエハ上
に転写された不要なパターン、15はコンタクトホール
パターンの光強度、16はサイドローブの光強度を示
す。
ついて説明する。
依存している。つまり、サイドローブが同位相で振幅合
成する位置関係(パターンピッチ)にあり、且つ、重畳
する数が多いほど干渉後のサイドローブ強度は大きくな
り、不要パターンが発生する。
ズとパターン間のピッチ、露光条件(露光光の波長、コ
ヒーレンスファクタδ、NA(開口率)、マスクの開口
サイズ等)から算出することができ、更に、半透明膜の
透過率も加え、ウエハ上のサイドローブの光強度の大き
さを求め、この光強度とレジスト感度とから、遮光パタ
ーンの配置場所を決定すればよい。
タクトホールではサイドローブによる不要パターンが発
生しない値に設定した場合、図8に示す、マスクパター
ンレイアウトではパターンピッチを大きくしていくと、
不要パターンの発生位置がA点からB点へ移り、サイド
ローブ同士が干渉し得ない距離となった時点で不要パタ
ーンが消滅する。A点に不要パターンが発生している
際、周囲4個のコンタクトホールパターンのサイドロー
ブが重畳していることは明らかであり、サイドローブ強
度は最大値にある。A点のサイドローブ強度最大値は、
重畳個数の差により、B点のサイドローブ強度最大値を
上回るが、B点が最大値を取るとき、A点のサイドロー
ブ間の距離が大きいため、その強度はB点の最大値を下
回る。このため、上述のように、不要パターンの転写位
置がパターンピッチに依存し、移動することとなる。
イドローブ位置はマスクパターンレイアウトにより限定
されるため、クロム等で遮光することにより、このサイ
ドローブ位置をレチクル上の特定部分のみ透過率をゼロ
にすれば(図5に示す)、ハーフトーン膜透過によりサ
イドローブ強度に寄与する部分が削除されるため、サイ
ドローブ強度は減少し、不要パターンは発生しない。サ
イドローブ位置をクロム等で遮光すること自体は光コン
トラストを低下する傾向にあるが、サイドローブ強度は
レジスト感度以下になれば良いので、遮光クロムパター
ンの配置、サイズ等の条件を最適化することにより、ハ
ーフトーンマスク本来の性能を維持し、且つ、不要パタ
ーンの発生防止を図ることができる。
幅W1が制御パラメータとなり、線幅W1が大きくなると
位相シフト効果が減少し、小さくなると増大する。この
際、サイドローブ強度は極小値にする必要はなく、レジ
スト感度以下であれは、位相シフト効果が大きく残るよ
うに設定することが望ましい。図3に、サイドローブ強
度が最も大きくなる位置のみを遮光した例を示す。図8
のB点に相当する位置は遮光パターンを配置していない
が、B点のサイドローブ強度最大値がA点のそれの約1
/2以下であるためA点の遮光パターンサイズW2を最
適化することにより、A点よりサイドローブ強度低下率
は下回るものの、同時にB点の強度低下をも図ることが
できる。
し、B点のみマスクバイアスを用いて対応するという方
法も考えられる。マスクバイアス法は、光コントラスト
の劣化を招くが、サイドローブ強度低減対象をA点の約
1/2であるB点のみに絞った場合、光コントラスト劣
化は最小限に抑えることができる。
フォトマスクの製造工程を説明する。
ーン膜)2を形成した上にクロム等の薄膜で遮光性(ク
ロムの場合、100nmで光学濃度が約3.0である。
したがって、クロムの厚さは約100nm必要とな
る。)及び、導電性(数十Ω)を有する材料を用いてス
パッタ等により遮光膜3を成膜し、続いて、レジスト4
を約5000Å程度塗布する(図1(a))。
ON、CrON等の酸窒膜のほか、所定の透過率を有す
る膜であれば使用可能であり、また、膜厚は位相シフト
効果を得る厚さとする。例えば、MoSiONでは、i
線ステッパ使用で、165nmの厚さが必要となる。ま
た、必要な透過率は例えば、i線で6〜8%程度であれ
ばよい。更に、遮光膜3としては、薄膜で光学濃度が約
3.0程度のものであれば使用可能である。但し、ハー
フトーン膜にCrON膜を用いた場合、エッチングの際
の選択比を十分に得られないため、遮光膜としてCr膜
は用いられない等、ハーフトーン膜と遮光膜との組み合
わせは適宜選択する必要はある。
パのブラインドなしの部分)は、パターニング後に遮光
膜3(/ハーフトーン膜2/透明基板1)が残る完全遮
光エリア(図1(a)におけるA領域)、所望のパター
ンがハーフトーン膜2のみで形成されているパターン形
成エリア(図1(a)におけるB領域)、遮光膜3及び
ハーフトーン膜2が除去された透光エリア(図1(a)
におけるC領域)から成る。
は未露光部、パターン形成エリアは露光現像後の残膜厚
が完全遮光エリアにおける残膜厚の約1/2となるよう
に露光量を調整する(図1(a))。通常、完全にレジ
ストを除去し得る必要露光量の1/3程度である。一般
に、EBレジストはフォトレジストと比較し、γ値(露
光量に対する、レジスト残膜の変化率)が小さいため、
この制御は技術的に十分可能である。また、透光エリア
はパターン形成エリアの露光の際、同条件で連続的に露
光し、更にレジストパターンニングに不足する露光量を
追加露光する。例えば、最初の露光で1.0μC/cm
2の露光量で露光し、1.8μC/cm2の露光量で追加
露光した。以上の露光及び現像工程により、レジスト4
は、図1(b)に示す断面形状となる。この際、レジス
トの厚い所で約4200Å程度、薄い所で約2100Å
程度である。
う。遮光膜3にクロムを用い、エッチャントには、硝酸
第二セリウムアンモニウムを使用した場合、下地との選
択性は十分であり、下地(ハーフトーン膜)の劣化は全
く生じない。ハーフトーン膜2の膜減りが生じた場合、
次のハーフトーン膜2のエッチングの際のエッチングの
均一性が得られず、透明基板1へのダメージが入り、好
ましくない。
グを行う(図1(c))。この際、レジスト4と同時に
下層の遮光膜3がマスクとなるため、ドライエッチング
ガスにCF4とO2とを用いた場合、ハーフトーン膜2と
マスキング材料との選択比が、マスクにレジスト4のみ
を用いた場合に比べて飛躍的に向上する。
行い、レジスト膜4の薄い領域のみを、完全にレジスト
除去する(図1(d))。次に、再度遮光膜3のウエッ
トエッチングを行う(図1(e))。尚、遮光膜3を除
去する際、下地ハーフトーン膜に膜減りが生じると位相
シフト効果が得られないので、遮光膜3のエッチングは
高い選択性が必要なので、ウエットエッチングを用い
た。
ターンの焦点深度(DOF)向上効果を得るために必要
なハーフトーンパターン本来の機能を維持し、且つ、デ
バイス製造上フォトマスクに必要となる遮光エリアを任
意の位置に、高い位置精度で設定できる図5に示すハー
フトーンマスクを安定して製造することができる。
された、フォトマスクを用いて、図1(f)に示すよう
に、コンタクトホールを形成するためのレジストパター
ンを形成することができる。尚、図1(f)には、本発
明に係るフォトマスクを用いてコンタクトホールを形成
する工程の断面図を示めす。
ターンとハーフトーン膜のパターンとを別々のレジスト
パターンを用いて形成することも考えられるが、この場
合、2回のレジストパターン形成工程が必要で、工程数
が増えるだけでなく、2回のレジストパターン形成時の
位置合わせが困難であり、位置合わせを行うためには、
1回目のレジストパターン形成時にアライメントマーク
も形成しておき、このアライメントマークに基づいて、
2回目のレジストパターンを形成することとなる。
発明のようなEBの2回連続露光時の位置合わせ精度
(±0.005μm)の方が高い。本発明は、EB露光
の特徴を利用し、簡単で制御性のよりフォトマスクの製
造方法を提供するものである。また、1つのフォトマス
クに複数のチップパターンが存在しても同様に複数のチ
ップの外側の周辺に遮光膜を存在させれば良い。
用いることにより、サイドローブ強度低減に効果のある
遮光パターンをレチクル上の任意の位置に精度よく配置
することができる。この遮光パターンを最適化したハー
フトーンマスクは不要パターンの転写を防止し、且つ、
ハーフトーンマスク本来の光コントラストを維持するこ
とが可能である。パターンレイアウトに依存し、転写さ
れる不要パターンを防止することによりパターン配置が
複雑なデバイスパターンに対応することが可能となり、
ハーフトーンマスクを利用するリソグラフィ工程の量産
性を向上させることができる。
である。
フォトマスクのレイアウトパターン、同(b)は同
(a)におけるX−X断面図であり、同(c)は同
(a)のフォトマスクを用いた場合のフォトマスクを通
過した光の振幅分布を示す図である。
スクのレイアウトパターンを示す図、同(b)は同
(a)におけるY−Y断面図であり、同(c)は同
(a)のフォトマスクを用いた場合のフォトマスクを通
過した光の振幅分布を示す図である。
あり、同(b)は同(a)のマスクを用いた場合の転写
パターンを示す図、同(c)は同(a)のマスクを用い
た場合のウエハ上の光強度分布図である。
であり、同(b)は同(a)のマスクを用いた場合の転
写パターンを示す図、同(c)は同(a)のマスクを用
いた場合のウエハ上の光強度分布図である。
ルを1つ配置した場合の、マスクパターンとサイドロー
ブ位置との関係を示す図であり、同(b)は、同(a)
のマスクパターンを用いた場合の転写パターンを示す図
であり、同(c)は、同(a)のマスクパターンを用い
た場合のウエハー上の光強度分布図である。
ルを2つ配置した場合の、マスクパターンとサイドロー
ブ位置との関係を示す図であり、同(b)は、同(a)
のマスクパターンを用いた場合の転写パターンを示す図
であり、同(c)は、同(a)のマスクパターンを用い
た場合のウエハー上の光強度分布図である。
ルを4つ配置した場合の、マスクパターンとサイドロー
ブ位置との関係を示す図であり、同(b)は、同(a)
のマスクパターンを用いた場合の転写パターンを示す図
であり、同(c)は、同(a)のマスクパターンを用い
た場合のウエハー上の光強度分布図である。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 透明基板上に、半透明膜によってパター
ンが形成されているフォトマスクにおいて、 透過光の1次回折光が転写される位置に対応する箇所の
少なくとも一部に遮光膜が形成されていることを特徴と
するフォトマスク。 - 【請求項2】 透明基板上に半透明膜、遮光膜及びレジ
スト膜を順次形成する工程と、 上記透明基板上に上記半透明膜のみが存在する第1のエ
リア上の上記レジスト膜を、上記遮光膜及び上記半透明
膜が存在する第2のエリアよりも薄くする工程と、 第1のエリア内に半透明膜のパターンを形成するために
上記レジスト膜をパターニングし、該レジスト膜のパタ
ーンをマスクに遮光膜及び半透明膜を除去する工程と、 第1のレジスト膜の膜厚差を利用し、第1のエリア上の
レジスト膜のみを完全に除去し、第2のエリア上のレジ
スト膜をマスクとして遮光膜を除去する工程とを有する
ことを特徴とする、請求項1記載のフォトマスクの製造
方法。
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JP3177404B2 JP3177404B2 (ja) | 2001-06-18 |
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