JPH08323491A - レーザ溶接用レーザヘッド - Google Patents
レーザ溶接用レーザヘッドInfo
- Publication number
- JPH08323491A JPH08323491A JP7133173A JP13317395A JPH08323491A JP H08323491 A JPH08323491 A JP H08323491A JP 7133173 A JP7133173 A JP 7133173A JP 13317395 A JP13317395 A JP 13317395A JP H08323491 A JPH08323491 A JP H08323491A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ溶接用レーザヘッドのレーザ光軸上か
ら、ガス流によらずにプルームを除去すること。 【構成】 磁場発生手段９として、例えばレーザ誘導路
５の先端にて同レーザ誘導路５を挟むように２つの磁石
９Ａ，９ＢをそれぞれのＳ極とＮ極を向き合せて配置
し、磁石９Ａ，９Ｂにより発生するレーザ光軸８と垂直
な磁場Ｂにより、母材３から発生する高速イオンの軌道
をレーザ光軸８から外して、プルームをレーザ光軸８上
に形成しないようにする。
ら、ガス流によらずにプルームを除去すること。 【構成】 磁場発生手段９として、例えばレーザ誘導路
５の先端にて同レーザ誘導路５を挟むように２つの磁石
９Ａ，９ＢをそれぞれのＳ極とＮ極を向き合せて配置
し、磁石９Ａ，９Ｂにより発生するレーザ光軸８と垂直
な磁場Ｂにより、母材３から発生する高速イオンの軌道
をレーザ光軸８から外して、プルームをレーザ光軸８上
に形成しないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光、特に高出力
のレーザ光による溶接技術に適用して有用なレーザヘッ
ドに関する。
のレーザ光による溶接技術に適用して有用なレーザヘッ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ溶接用レーザヘッドは高出力のレ
ーザ光を溶接の母材に照射するために用いられており、
従来は図３に示す構造であった。即ち、図３において、
レーザ発振器（図示省略）からのレーザ光１を誘導鏡２
で集光鏡４に導き、更に集光鏡４からレーザ誘導路５を
介して母材３の表面で焦点を結ばせることにより、母材
３を溶融しながら溶接していた。また、レーザ誘導路５
の出射口の外側のガス噴射口１１から、ガス誘導路１２
で導いたガス１３を溶接部に強く吹き付けることによ
り、レーザ光が母材３を溶融することで発生するプルー
ムを吹き飛ばすようにしていた。
ーザ光を溶接の母材に照射するために用いられており、
従来は図３に示す構造であった。即ち、図３において、
レーザ発振器（図示省略）からのレーザ光１を誘導鏡２
で集光鏡４に導き、更に集光鏡４からレーザ誘導路５を
介して母材３の表面で焦点を結ばせることにより、母材
３を溶融しながら溶接していた。また、レーザ誘導路５
の出射口の外側のガス噴射口１１から、ガス誘導路１２
で導いたガス１３を溶接部に強く吹き付けることによ
り、レーザ光が母材３を溶融することで発生するプルー
ムを吹き飛ばすようにしていた。
【０００３】即ち、上述のようなレーザ溶接では、図４
に示すように、レーザ光１により母材３が溶けてできた
溶接池１４から高速なイオン１５が発生し、このイオン
１５が雰囲気ガス及び金属蒸気を電離することにより、
内部に高密度なプラズマを含んだプルーム１６をレーザ
光軸上に形成する。このプルーム１６は、ＫＷ級以上の
高出力レーザ溶接ではレーザ光１を逆制動放射過程によ
り吸収してしまい、厚い母材の溶接を妨げる。
に示すように、レーザ光１により母材３が溶けてできた
溶接池１４から高速なイオン１５が発生し、このイオン
１５が雰囲気ガス及び金属蒸気を電離することにより、
内部に高密度なプラズマを含んだプルーム１６をレーザ
光軸上に形成する。このプルーム１６は、ＫＷ級以上の
高出力レーザ溶接ではレーザ光１を逆制動放射過程によ
り吸収してしまい、厚い母材の溶接を妨げる。
【０００４】そこでプルーム１６をレーザ光軸上から除
去するために、図３に示したように、レーザ誘導路５の
出射口の外側にガス噴射口１１を設け、ガス誘導路１２
からガス１３を導入して溶接部に強く吹き付けることに
より吹き飛ばして除去していた。
去するために、図３に示したように、レーザ誘導路５の
出射口の外側にガス噴射口１１を設け、ガス誘導路１２
からガス１３を導入して溶接部に強く吹き付けることに
より吹き飛ばして除去していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来の技
術では、プルーム１６を吹き飛ばすガス１３が溶接池１
４に外乱を与え、溶接池１４に波を立たせたり、溶接池
１４そのものも吹き飛ばしてしまう可能性がある。その
ため、ガス１３の流量を上げることができず、プルーム
１６を十分に除去することかできなかった。
術では、プルーム１６を吹き飛ばすガス１３が溶接池１
４に外乱を与え、溶接池１４に波を立たせたり、溶接池
１４そのものも吹き飛ばしてしまう可能性がある。その
ため、ガス１３の流量を上げることができず、プルーム
１６を十分に除去することかできなかった。
【０００６】そこで本発明の課題は、ガス流の代りに電
磁気的にプルームをレーザ光軸上から除去することがで
きるレーザ溶接用レーザヘッドを提供することである。
磁気的にプルームをレーザ光軸上から除去することがで
きるレーザ溶接用レーザヘッドを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明に係るレーザ溶接用レーザヘッドは、レーザ光を母材
表面に集光する集光手段と、レーザ光を母材近くまで誘
導するレーザ誘導路を有するレーザ溶接用レーザヘッド
において、レーザ照射位置でレーザの光軸と直交する磁
場を発生する磁場発生手段を有することを特徴とするも
のであり、あるいは、更にレーザ光で溶かされた部分が
酸化することを防ぐガスを噴射するガス噴射口を有する
ことを特徴とし、あるいは、レーザ光の集光角をθ、母
材から発生するイオンの質量をｍ、同イオンの電荷量を
ｑ、レーザ光が母材を溶融することにより生じるプルー
ムの平均自由行程をλとするとき、前記磁場の強さが２
θｍｖ0 ／（ｑλ）より大きいことを特徴とする。
明に係るレーザ溶接用レーザヘッドは、レーザ光を母材
表面に集光する集光手段と、レーザ光を母材近くまで誘
導するレーザ誘導路を有するレーザ溶接用レーザヘッド
において、レーザ照射位置でレーザの光軸と直交する磁
場を発生する磁場発生手段を有することを特徴とするも
のであり、あるいは、更にレーザ光で溶かされた部分が
酸化することを防ぐガスを噴射するガス噴射口を有する
ことを特徴とし、あるいは、レーザ光の集光角をθ、母
材から発生するイオンの質量をｍ、同イオンの電荷量を
ｑ、レーザ光が母材を溶融することにより生じるプルー
ムの平均自由行程をλとするとき、前記磁場の強さが２
θｍｖ0 ／（ｑλ）より大きいことを特徴とする。
【０００８】
【作用】図２に示すように、母材３に高出力のレーザ光
１を垂直に照射すると、母材３から高速なイオン１５が
速度ｖ0 で発生し、高速イオン１５の大部分は母材３に
対し垂直な方向に飛び出す。そこで、同図２に示すよう
にレーザ光１の光軸と垂直（母材３と平行）に磁場Ｂを
印加すると、高速イオン１５は半径ｒL の円軌道を描い
て飛行し、レーザ光軸から外れてゆく。ここで、半径ｒ
L はラーマ半径であり、ｍを高速イオン１５の質量、ｑ
を同イオン１５の電荷量とすると、磁場Ｂ及び速度ｖ0
から次式（１）により与えられる。
１を垂直に照射すると、母材３から高速なイオン１５が
速度ｖ0 で発生し、高速イオン１５の大部分は母材３に
対し垂直な方向に飛び出す。そこで、同図２に示すよう
にレーザ光１の光軸と垂直（母材３と平行）に磁場Ｂを
印加すると、高速イオン１５は半径ｒL の円軌道を描い
て飛行し、レーザ光軸から外れてゆく。ここで、半径ｒ
L はラーマ半径であり、ｍを高速イオン１５の質量、ｑ
を同イオン１５の電荷量とすると、磁場Ｂ及び速度ｖ0
から次式（１）により与えられる。
【０００９】
【数１】 ｒL ＝ｍｖ0 ／（ｑＢ） …式（１）
【００１０】このように磁場Ｂを印加することによりイ
オン１５の軌道がレーザ光軸から外れるため、図２に示
すようにプルーム１６Ａもレーザ光軸上から外れて形成
されることになり、レーザ光１を吸収しなくなる。
オン１５の軌道がレーザ光軸から外れるため、図２に示
すようにプルーム１６Ａもレーザ光軸上から外れて形成
されることになり、レーザ光１を吸収しなくなる。
【００１１】ここで、プルーム１６Ａがレーザ光１を吸
収しないようにするためには、レーザ光１の存在する領
域ではイオン１５が雰囲気ガスや金属蒸気を電離しなけ
れば良く、これは磁場Ｂの強さの設定により達成するこ
とができる。具体的には、λをプルーム１６Ａ中の平均
自由行程、θをレーザ光１の集光角とすると、ラーマ半
径ｒL との間で次式（２）が成立すれば良い。
収しないようにするためには、レーザ光１の存在する領
域ではイオン１５が雰囲気ガスや金属蒸気を電離しなけ
れば良く、これは磁場Ｂの強さの設定により達成するこ
とができる。具体的には、λをプルーム１６Ａ中の平均
自由行程、θをレーザ光１の集光角とすると、ラーマ半
径ｒL との間で次式（２）が成立すれば良い。
【００１２】即ち、半径ｒL の円軌道を描くイオン１５
がレーザ光１を通過する際その道のりが最も長くなるの
は、図２に示すＯ点（集光点近傍）から半直線ＯＣ（レ
ーザ光境界線）に接してイオン１５が放出された場合で
ある。そこでイオンの円軌道と半直線ＯＣ′（他方のレ
ーザ光境界線）が交わる点をＢとし、イオンの円軌道の
中心をＡとすると、ΔＯＡＢは線分ＯＢを底辺とする二
等辺三角形となる。ここで、半直線ＯＣとＯＣ′のなす
角は集光角θであり、線分ＡＯと半直線ＯＣのなす角は
イオン１５の軌道が同半直線ＯＣに接することから直角
（π／２）である。従って、円弧ＯＢの中心角（線分Ａ
ＯとＡＢのなす角）は２θとなり、円弧ＯＢの長さはｒ
L ・２θで与えられる。プルーム１６Ａがレーザ光１を
吸収しなくなるには、この円弧ＯＢの長さがプルーム中
の平均自由行程λよりも小さければ良いので、λ＞ｒL
・２θより次式（２）が得られる。
がレーザ光１を通過する際その道のりが最も長くなるの
は、図２に示すＯ点（集光点近傍）から半直線ＯＣ（レ
ーザ光境界線）に接してイオン１５が放出された場合で
ある。そこでイオンの円軌道と半直線ＯＣ′（他方のレ
ーザ光境界線）が交わる点をＢとし、イオンの円軌道の
中心をＡとすると、ΔＯＡＢは線分ＯＢを底辺とする二
等辺三角形となる。ここで、半直線ＯＣとＯＣ′のなす
角は集光角θであり、線分ＡＯと半直線ＯＣのなす角は
イオン１５の軌道が同半直線ＯＣに接することから直角
（π／２）である。従って、円弧ＯＢの中心角（線分Ａ
ＯとＡＢのなす角）は２θとなり、円弧ＯＢの長さはｒ
L ・２θで与えられる。プルーム１６Ａがレーザ光１を
吸収しなくなるには、この円弧ＯＢの長さがプルーム中
の平均自由行程λよりも小さければ良いので、λ＞ｒL
・２θより次式（２）が得られる。
【００１３】
【数２】 ｒL ＜λ／（２θ） …式（２）
【００１４】従って、式（１）と式（２）から、次式
（３）を満たす磁場Ｂを印加すれば、プルーム１６Ａは
レーザ光１を吸収しなくなる。
（３）を満たす磁場Ｂを印加すれば、プルーム１６Ａは
レーザ光１を吸収しなくなる。
【００１５】
【数３】 Ｂ＞２θｍｖ0 ／（ｑλ） …式（３）
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明をその実施例と
ともに説明する。図１は本発明の一実施例に係るレーザ
溶接用レーザヘッドの断面構造を示し、同レーザヘッド
は、図示省略のレーザ発振器から出射された高出力のレ
ーザ光１を、誘導鏡２により導かれて入力して母材３の
表面に垂直に集光する集光鏡４と、集光鏡４からのレー
ザ光を母材３近くまで誘導するレーザ誘導路５と、レー
ザ光で溶かされた部分が酸化されることを防止するため
のガス６を噴射するガス噴射口７と、レーザ照射位置で
レーザ光軸８と直交する磁場Ｂを発生する磁場発生手段
９を有している。
ともに説明する。図１は本発明の一実施例に係るレーザ
溶接用レーザヘッドの断面構造を示し、同レーザヘッド
は、図示省略のレーザ発振器から出射された高出力のレ
ーザ光１を、誘導鏡２により導かれて入力して母材３の
表面に垂直に集光する集光鏡４と、集光鏡４からのレー
ザ光を母材３近くまで誘導するレーザ誘導路５と、レー
ザ光で溶かされた部分が酸化されることを防止するため
のガス６を噴射するガス噴射口７と、レーザ照射位置で
レーザ光軸８と直交する磁場Ｂを発生する磁場発生手段
９を有している。
【００１７】ここで、ガス噴射口７はレーザ誘導路５の
出射口の外側にあるが、これは従来のようなプルームを
吹き飛ばすために強いガス流を噴射するものではなく、
レーザ光により溶けた部分が酸化するのを防止するため
に用いられており、レーザ誘導路５側面のガス誘導路１
０からガス６を導入して溶接部に充満させる。つまり、
溶接池を波立たせたり、吹き飛ばすような大きなガス流
量は不要である。また、母材３が酸化され難い物質であ
る場合は、ガス噴射口７は存在しなくても良く、あるい
は存在していても使用する必要がない。
出射口の外側にあるが、これは従来のようなプルームを
吹き飛ばすために強いガス流を噴射するものではなく、
レーザ光により溶けた部分が酸化するのを防止するため
に用いられており、レーザ誘導路５側面のガス誘導路１
０からガス６を導入して溶接部に充満させる。つまり、
溶接池を波立たせたり、吹き飛ばすような大きなガス流
量は不要である。また、母材３が酸化され難い物質であ
る場合は、ガス噴射口７は存在しなくても良く、あるい
は存在していても使用する必要がない。
【００１８】磁場発生手段９としては２つの磁石９Ａ，
９Ｂを対にして用いており、磁石９Ａ，９Ｂそれぞれの
Ｓ極とＮ極を間を開けて向き合せ、レーザ誘導路５の先
端にて同レーザ誘導路５を挟むように設置してある。９
Ｃは磁石９Ａ，９Ｂの保持と磁路を兼ねたフレームであ
る。これらの磁石９Ａ，９Ｂにより発生する磁場Ｂの強
さは、次式（４）が成立するように設定してある。
９Ｂを対にして用いており、磁石９Ａ，９Ｂそれぞれの
Ｓ極とＮ極を間を開けて向き合せ、レーザ誘導路５の先
端にて同レーザ誘導路５を挟むように設置してある。９
Ｃは磁石９Ａ，９Ｂの保持と磁路を兼ねたフレームであ
る。これらの磁石９Ａ，９Ｂにより発生する磁場Ｂの強
さは、次式（４）が成立するように設定してある。
【数４】 Ｂ＞２θｍｖ0 ／（ｑλ） …式（４）
【００１９】但し、θはレーザ光の集光角、ｍは母材３
から発生する高速イオンの質量、ｖ 0 は同イオンの速
度、ｑは同イオンの電荷量、λはプルームの平均自由行
程である（図２参照）。
から発生する高速イオンの質量、ｖ 0 は同イオンの速
度、ｑは同イオンの電荷量、λはプルームの平均自由行
程である（図２参照）。
【００２０】このようにレーザ誘導路５の先端に磁石９
Ａ，９Ｂがあることにより、レーザ光１が母材３を溶融
することによって生じるプルームは、磁石９Ａ，９Ｂが
配置されていない方向へ成長の向きを変えてレーザ光軸
８から外れ、レーザ光１を逆制動放射過程で吸収するこ
とがなくなる。
Ａ，９Ｂがあることにより、レーザ光１が母材３を溶融
することによって生じるプルームは、磁石９Ａ，９Ｂが
配置されていない方向へ成長の向きを変えてレーザ光軸
８から外れ、レーザ光１を逆制動放射過程で吸収するこ
とがなくなる。
【００２１】磁石９Ａ，９Ｂとしては永久磁石でも、電
磁コイルでも、超伝導コイルでも良い。また、集光鏡４
の代りに集光レンズを用いても良い。
磁コイルでも、超伝導コイルでも良い。また、集光鏡４
の代りに集光レンズを用いても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればレ
ーザ光が母材を溶融することによって生じるプルーム
を、ガス流の代りに電磁気的にレーザ光軸上から除去す
ることができる。その結果、レーザ光を母材に効率良く
照射することができるようになると共に、従来よりも光
出力のレーザ光をレーザヘッドに入力できるようになる
ので、より厚い母材の溶接が可能になった。
ーザ光が母材を溶融することによって生じるプルーム
を、ガス流の代りに電磁気的にレーザ光軸上から除去す
ることができる。その結果、レーザ光を母材に効率良く
照射することができるようになると共に、従来よりも光
出力のレーザ光をレーザヘッドに入力できるようになる
ので、より厚い母材の溶接が可能になった。
【図１】本発明の一実施例に係るレーザ溶接用レーザヘ
ッドの構造を示す断面図。
ッドの構造を示す断面図。
【図２】磁場によるプルームの移動を示す図。
【図３】従来のレーザ溶接用レーザヘッドの構造を示す
断面図。
断面図。
【図４】プルームの発生状態を示す図。
１ レーザ光 ２ 誘導鏡 ３ 母材 ４ 集光鏡 ５ レーザ誘導路 ６ ガス ７ ガス噴射口 ８ レーザ光軸 ９ 磁場発生手段 ９Ａ，９Ｂ 磁石 ９Ｃ フレーム １０ ガス誘導口 １５ 高速イオン １６Ａ プルーム Ｂ 磁場 ｒL ラーマ半径 θ 集光角
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光を母材表面に集光する集光手段
と、レーザ光を母材近くまで誘導するレーザ誘導路を有
するレーザ溶接用レーザヘッドにおいて、レーザ照射位
置でレーザの光軸と直交する磁場を発生する磁場発生手
段を有することを特徴とするレーザ溶接用レーザヘッ
ド。 - 【請求項２】 レーザ光で溶かされた部分が酸化するこ
とを防ぐガスを噴射するガス噴射口を有することを特徴
とする請求項１記載のレーザ溶接用レーザヘッド。 - 【請求項３】 レーザ光の集光角をθ、母材から発生す
るイオンの質量をｍ、同イオンの電荷量をｑ、レーザ光
が母材を溶融することにより生じるプルームの平均自由
行程をλとするとき、前記磁場の強さが２θｍｖ0 ／
（ｑλ）より大きいことを特徴とする請求項１または２
記載のレーザ溶接用レーザヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133173A JPH08323491A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | レーザ溶接用レーザヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133173A JPH08323491A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | レーザ溶接用レーザヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08323491A true JPH08323491A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15098389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7133173A Withdrawn JPH08323491A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | レーザ溶接用レーザヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08323491A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009056499A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Toyota Boshoku Corp | レーザ溶接装置及びレーザ溶接方法 |
| CN106670664A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-05-17 | 华中科技大学 | 一种辅助激光电弧复合焊接的磁场强度调节装置 |
| EP4019181A1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | Raylase GmbH | Magnetic trap structure for a laser module |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7133173A patent/JPH08323491A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009056499A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Toyota Boshoku Corp | レーザ溶接装置及びレーザ溶接方法 |
| CN106670664A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-05-17 | 华中科技大学 | 一种辅助激光电弧复合焊接的磁场强度调节装置 |
| CN106670664B (zh) * | 2017-02-08 | 2018-10-30 | 华中科技大学 | 一种辅助激光电弧复合焊接的磁场强度调节装置 |
| EP4019181A1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | Raylase GmbH | Magnetic trap structure for a laser module |
| WO2022136492A1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | Raylase Gmbh | Magnetic trap structure for a laser module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |