JPH0832207A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPH0832207A JPH0832207A JP16216794A JP16216794A JPH0832207A JP H0832207 A JPH0832207 A JP H0832207A JP 16216794 A JP16216794 A JP 16216794A JP 16216794 A JP16216794 A JP 16216794A JP H0832207 A JPH0832207 A JP H0832207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plating
- thickness
- load
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Abstract
(57)【要約】
【目的】上層Ａｕ電極の下地となるＮｉ−Ｐ電極の厚み
を薄くすることによって、積層電極の導電性したがって
無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向上させ、不良率の低減および高性
能化を図り、そして熱処理後の特性の安定化および信頼
性の向上を図った回路基板を提供する。 【構成】樹脂基板１にＣｕ電極（２）／２μｍ以下のＮ
ｉ−Ｐ電極（３）／Ａｕ電極（４）が積層されている回
路基板。
を薄くすることによって、積層電極の導電性したがって
無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向上させ、不良率の低減および高性
能化を図り、そして熱処理後の特性の安定化および信頼
性の向上を図った回路基板を提供する。 【構成】樹脂基板１にＣｕ電極（２）／２μｍ以下のＮ
ｉ−Ｐ電極（３）／Ａｕ電極（４）が積層されている回
路基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ａｕ電極の下地となる
Ｎｉ−Ｐ電極の膜厚を薄くして、Ｑを向上させた回路基
板に関する。
Ｎｉ−Ｐ電極の膜厚を薄くして、Ｑを向上させた回路基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の回路基板は、樹脂基板上の銅電極
に、Ｎｉ−Ｐ電極メッキおよびＡｕメッキが施されてい
る。Ａｕメッキを施すのは、銅電極の腐食防止と半田付
け性の向上のためであり、また、Ｎｉ−Ｐ電極メッキは
Ａｕメッキの下地として３〜５μｍ施されている。
に、Ｎｉ−Ｐ電極メッキおよびＡｕメッキが施されてい
る。Ａｕメッキを施すのは、銅電極の腐食防止と半田付
け性の向上のためであり、また、Ｎｉ−Ｐ電極メッキは
Ａｕメッキの下地として３〜５μｍ施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路基板においては、Ｎｉ−Ｐ電極メッキが３〜５μｍ
と厚く、そしてこのＮｉ−Ｐ電極メッキはリフローなど
の熱処理によって、当初の非磁性から磁性の性質を有す
るようになって透磁率μが増加して、スキンデプス（Sk
in Depth）が浅くなり、表皮抵抗が増して、Ｑｏが悪化
していた。その結果、従来の回路基板は、これで、例え
ば、フィルタを構成した場合、挿入損失特性が悪化する
等の不良が生じていた。
回路基板においては、Ｎｉ−Ｐ電極メッキが３〜５μｍ
と厚く、そしてこのＮｉ−Ｐ電極メッキはリフローなど
の熱処理によって、当初の非磁性から磁性の性質を有す
るようになって透磁率μが増加して、スキンデプス（Sk
in Depth）が浅くなり、表皮抵抗が増して、Ｑｏが悪化
していた。その結果、従来の回路基板は、これで、例え
ば、フィルタを構成した場合、挿入損失特性が悪化する
等の不良が生じていた。
【０００４】したがって、本発明は、上層Ａｕ電極の下
地となるＮｉ−Ｐ電極の厚みを薄くすることによって、
積層電極の表皮抵抗を小さくして無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向
上させ、不良率の低減および高性能化を図り、そして熱
処理後の特性の安定化および信頼性の向上を図った回路
基板を提供することを目的とする。
地となるＮｉ−Ｐ電極の厚みを薄くすることによって、
積層電極の表皮抵抗を小さくして無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向
上させ、不良率の低減および高性能化を図り、そして熱
処理後の特性の安定化および信頼性の向上を図った回路
基板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する解
決手段は、基板にＣｕ電極／２μｍ以下の（Ｎｉ−Ｐ）
電極／Ａｕ電極が積層されている回路基板である。
決手段は、基板にＣｕ電極／２μｍ以下の（Ｎｉ−Ｐ）
電極／Ａｕ電極が積層されている回路基板である。
【０００６】
【作用】本発明は、Ｎｉ−Ｐ電極の厚みを薄くすること
によって、積層電極の導電性したがってＱｏが向上し、
不良率の低減および高性能化が実現する。また、熱処理
後の特性の安定化および信頼性の向上も実現することが
できる。
によって、積層電極の導電性したがってＱｏが向上し、
不良率の低減および高性能化が実現する。また、熱処理
後の特性の安定化および信頼性の向上も実現することが
できる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例を示すもので、
１は樹脂基板、２は樹脂基板１上に形成されたＣｕ電
極、３はＣｕ電極２上にメッキされたＮｉ−Ｐ電極、４
はＮｉ−Ｐ電極３上に同じくメッキされたＡｕ電極であ
る。これらの積層電極２〜３は、幅Ｗが０．３ｍｍ、長
さＬが５ｍｍである。Ｃｕ電極２の厚みは２５〜３０μ
ｍ、Ａｕ電極４の厚みは０．０３μｍ、そして、Ｎｉ−
Ｐ電極３の厚みを０μｍ（Ｎｉ−Ｐ電極なし）、１．７
５μｍ、３．５μｍと３点の試料を製作してＱｏを９０
０ＭＨｚで測定した。その結果を図２に示す。図２にお
いて、実線は熱処理前、点線は熱処理後である。なお、
熱処理は２３０℃で３分間である。
して説明する。図１は本発明の一実施例を示すもので、
１は樹脂基板、２は樹脂基板１上に形成されたＣｕ電
極、３はＣｕ電極２上にメッキされたＮｉ−Ｐ電極、４
はＮｉ−Ｐ電極３上に同じくメッキされたＡｕ電極であ
る。これらの積層電極２〜３は、幅Ｗが０．３ｍｍ、長
さＬが５ｍｍである。Ｃｕ電極２の厚みは２５〜３０μ
ｍ、Ａｕ電極４の厚みは０．０３μｍ、そして、Ｎｉ−
Ｐ電極３の厚みを０μｍ（Ｎｉ−Ｐ電極なし）、１．７
５μｍ、３．５μｍと３点の試料を製作してＱｏを９０
０ＭＨｚで測定した。その結果を図２に示す。図２にお
いて、実線は熱処理前、点線は熱処理後である。なお、
熱処理は２３０℃で３分間である。
【０００８】この図２より、Ｎｉ−Ｐ電極メッキの厚み
が厚くなると、Ｑｏが劣化していくことが理解される。
また、熱処理後は特にＱｏが劣化することが理解され
る。
が厚くなると、Ｑｏが劣化していくことが理解される。
また、熱処理後は特にＱｏが劣化することが理解され
る。
【０００９】このような実施例における実験結果よりし
て、本発明は、Ｎｉ−Ｐ電極メッキの厚みを２μｍ以下
に設定して、Ｑｏの劣化しない良好な範囲を選択するも
のである。
て、本発明は、Ｎｉ−Ｐ電極メッキの厚みを２μｍ以下
に設定して、Ｑｏの劣化しない良好な範囲を選択するも
のである。
【００１０】なお、本発明に係る回路基板は、高周波回
路におけるインダクタ電極、コンデンサ電極、配線など
の回路素子電極として使用される。
路におけるインダクタ電極、コンデンサ電極、配線など
の回路素子電極として使用される。
【００１１】また、この回路基板は、当初から樹脂基板
に、Ｃｕ電極、Ｎｉ−Ｐ電極、Ａｕ電極が全面に張られ
ているものでもよいし、また、銅張り樹脂基板に、回路
形成後、メッキ等の手段により、Ｎｉ−Ｐ電極、Ａｕ電
極を設けたものでもよい。
に、Ｃｕ電極、Ｎｉ−Ｐ電極、Ａｕ電極が全面に張られ
ているものでもよいし、また、銅張り樹脂基板に、回路
形成後、メッキ等の手段により、Ｎｉ−Ｐ電極、Ａｕ電
極を設けたものでもよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、Ｎｉ−Ｐ電極の厚みを薄くす
ることによって、積層電極の導電性したがってＱｏを向
上させ、不良率の低減および高性能化を図り、そして熱
処理後の特性の安定化および信頼性の向上を図ることが
できる。
ることによって、積層電極の導電性したがってＱｏを向
上させ、不良率の低減および高性能化を図り、そして熱
処理後の特性の安定化および信頼性の向上を図ることが
できる。
【図１】 本発明の一実施例の斜視図
【図２】 本実施例においてＮｉ−Ｐ電極膜厚に対する
無負荷Ｑ特性図
無負荷Ｑ特性図
１ 樹脂基板 ２ Ｃｕ電極 ３ Ｎｉ−Ｐ電極 ４ Ａｕ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 基板にＣｕ電極／２μｍ以下の（Ｎｉ−
Ｐ）電極／Ａｕ電極が積層されている回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16216794A JPH0832207A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16216794A JPH0832207A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832207A true JPH0832207A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15749302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16216794A Pending JPH0832207A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018097017A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 古河電気工業株式会社 | 伝送路 |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16216794A patent/JPH0832207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018097017A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 古河電気工業株式会社 | 伝送路 |
| US11575190B2 (en) | 2016-11-25 | 2023-02-07 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Transmission path for transmitting high-frequency signals greater than 14ghz, where the transmission path includes a nickel-phosphorous layer with phosphorous concentrations between 0 mass% to 8 mass% |
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