JPH09284007A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH09284007A JPH09284007A JP9680796A JP9680796A JPH09284007A JP H09284007 A JPH09284007 A JP H09284007A JP 9680796 A JP9680796 A JP 9680796A JP 9680796 A JP9680796 A JP 9680796A JP H09284007 A JPH09284007 A JP H09284007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film thickness
- electrode
- nickel layer
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー半田付け時の熱でフィルタ特性が悪
化しない誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板上に入力電極２ａ、
出力電極２ｂ、インダクタ電極２ｃ及びアース電極２ｄ
を銅層・ニッケル層・金層の三層構造で形成したプリン
ト基板２上に誘電体共振器３、容量基板４を配置すると
ともに、インダクタ電極２ｃのニッケル層を２μｍ以下
（但し、０μｍは含まない。）にする。
化しない誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板上に入力電極２ａ、
出力電極２ｂ、インダクタ電極２ｃ及びアース電極２ｄ
を銅層・ニッケル層・金層の三層構造で形成したプリン
ト基板２上に誘電体共振器３、容量基板４を配置すると
ともに、インダクタ電極２ｃのニッケル層を２μｍ以下
（但し、０μｍは含まない。）にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅層で形成された
回路パターン上にニッケルメッキ層及び金メッキ層が形
成されたプリント基板上に誘電体共振器を載置した誘電
体フィルタに関するものである。
回路パターン上にニッケルメッキ層及び金メッキ層が形
成されたプリント基板上に誘電体共振器を載置した誘電
体フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板上に誘電体共振器及
びリアクタンス素子を載置した誘電体フィルタとして図
１に示すものがあった。
びリアクタンス素子を載置した誘電体フィルタとして図
１に示すものがあった。
【０００３】図１に示すように誘電体フィルタ１は、プ
リント基板２に３つの誘電体共振器３及び容量基板４が
配置されることによって構成されている。
リント基板２に３つの誘電体共振器３及び容量基板４が
配置されることによって構成されている。
【０００４】プリント基板２は、ガラスエポキシ等の材
料からなる基板に、入力電極２ａ及び出力電極２ｂと、
アース電極２ｅと、インダクタ電極２ｃとをパターン形
成している。入力電極２ａ、出力電極２ｂは側面の一部
を介して基板の表面から裏面に連続して形成されてい
る。アース電極２ｅは、側面の一部を介して基板の表面
から裏面に連続して形成されており、入力電極２ａ及び
出力電極２ｂとそれぞれの周囲を除いて基板の裏面のほ
ぼ全面を覆っている。インダクタ電極２ｃは一端が入力
電極２ａに接続されており、他端がスルーホール２ｄを
介して裏面のアース電極２ｅに接続されている。このよ
うなインダクタ電極２ｃはトラップ回路の反共振リアク
タンスとして作用する。
料からなる基板に、入力電極２ａ及び出力電極２ｂと、
アース電極２ｅと、インダクタ電極２ｃとをパターン形
成している。入力電極２ａ、出力電極２ｂは側面の一部
を介して基板の表面から裏面に連続して形成されてい
る。アース電極２ｅは、側面の一部を介して基板の表面
から裏面に連続して形成されており、入力電極２ａ及び
出力電極２ｂとそれぞれの周囲を除いて基板の裏面のほ
ぼ全面を覆っている。インダクタ電極２ｃは一端が入力
電極２ａに接続されており、他端がスルーホール２ｄを
介して裏面のアース電極２ｅに接続されている。このよ
うなインダクタ電極２ｃはトラップ回路の反共振リアク
タンスとして作用する。
【０００５】また、プリント基板２上の入力電極２ａ、
出力電極２ｂ、インダクタ電極２ｃ及びアース電極２ｄ
はすべて銅層で形成された回路パターン上にニッケルメ
ッキ、及び金メッキが無電解メッキにより施されてい
る。
出力電極２ｂ、インダクタ電極２ｃ及びアース電極２ｄ
はすべて銅層で形成された回路パターン上にニッケルメ
ッキ、及び金メッキが無電解メッキにより施されてい
る。
【０００６】このような金メッキは、プリント基板に載
置される誘電体共振器やコンデンサ・コイル等のリアク
タンス素子の電極とプリント基板の回路パターンとの半
田付け性を向上させ、かつ回路パターンを構成する銅層
の腐食を防止するために施されるものである。
置される誘電体共振器やコンデンサ・コイル等のリアク
タンス素子の電極とプリント基板の回路パターンとの半
田付け性を向上させ、かつ回路パターンを構成する銅層
の腐食を防止するために施されるものである。
【０００７】回路パターンの銅層と金メッキ層との間に
施されたニッケルメッキは、銅と金との接合するための
ものである。通常、銅と金とでは接合性が悪く銅層に金
メッキを施しても剥離しやすかったため、銅とも金とも
接合性の良いニッケルメッキ層を接合層として用いてい
た。そのため、ニッケルメッキは厚ければ厚い程接合性
が高まることから、銅層３０μｍに対してニッケルメッ
キは通常３〜４μｍもしくはそれ以上に設定されてい
る。
施されたニッケルメッキは、銅と金との接合するための
ものである。通常、銅と金とでは接合性が悪く銅層に金
メッキを施しても剥離しやすかったため、銅とも金とも
接合性の良いニッケルメッキ層を接合層として用いてい
た。そのため、ニッケルメッキは厚ければ厚い程接合性
が高まることから、銅層３０μｍに対してニッケルメッ
キは通常３〜４μｍもしくはそれ以上に設定されてい
る。
【０００８】誘電体共振器３、３、３は、誘電体ブロッ
クの対向する端面間に貫通孔を設け、誘電体ブロックの
一方の端面及び相対向する端面間に存在する四側面と貫
通孔内を導体によって被覆された構造となっている。こ
の誘電体共振器の貫通孔には金属端子５、５、５が挿入
されて内導体から導通を引き出している。
クの対向する端面間に貫通孔を設け、誘電体ブロックの
一方の端面及び相対向する端面間に存在する四側面と貫
通孔内を導体によって被覆された構造となっている。こ
の誘電体共振器の貫通孔には金属端子５、５、５が挿入
されて内導体から導通を引き出している。
【０００９】容量基板４は高誘電率材料から形成された
基板の両面に電極がパターン形成されており、表面の電
極には誘電体共振器３、３、３の内導体から導通を引き
出す金属端子５、５、５がそれぞれに対応して接続され
ている。図示しない裏面の電極は入力電極２ａと出力電
極２ｂにそれぞれ接続されている。
基板の両面に電極がパターン形成されており、表面の電
極には誘電体共振器３、３、３の内導体から導通を引き
出す金属端子５、５、５がそれぞれに対応して接続され
ている。図示しない裏面の電極は入力電極２ａと出力電
極２ｂにそれぞれ接続されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の誘電体フィルタをリフロー半田付けにより
プリント基板に誘電体共振器やリアクタンス素子を接続
固定した場合、誘電体フィルタのフィルタ特性が製品ご
とにばらつきが生じ、所望のフィルタ特性が得られてい
ない誘電体フィルタがあった。
ような構成の誘電体フィルタをリフロー半田付けにより
プリント基板に誘電体共振器やリアクタンス素子を接続
固定した場合、誘電体フィルタのフィルタ特性が製品ご
とにばらつきが生じ、所望のフィルタ特性が得られてい
ない誘電体フィルタがあった。
【００１１】これは、リフローで半田付けする際の熱が
プリント基板上の電極の組成が変化することによって電
気伝導率が落ち、結果的に電極のＱ0 が悪化することに
よる。
プリント基板上の電極の組成が変化することによって電
気伝導率が落ち、結果的に電極のＱ0 が悪化することに
よる。
【００１２】さらに、プリント基板２上に形成されたイ
ンダクタ電極２ｃ部分での電気伝導率が落ちることによ
ってインダクタ電極が反共振リアクタンスとして正常に
機能しない場合には、最もフィルタ特性に影響を与える
こととなっていた。
ンダクタ電極２ｃ部分での電気伝導率が落ちることによ
ってインダクタ電極が反共振リアクタンスとして正常に
機能しない場合には、最もフィルタ特性に影響を与える
こととなっていた。
【００１３】また、誘電体フィルタを組み立てる際のリ
フロー半田付けだけでなく、完成品としての誘電体フィ
ルタをユーザーでの回路基板に実装する際のリフロー半
田付けでも、熱でフィルタ特性が変化することがあっ
た。
フロー半田付けだけでなく、完成品としての誘電体フィ
ルタをユーザーでの回路基板に実装する際のリフロー半
田付けでも、熱でフィルタ特性が変化することがあっ
た。
【００１４】本発明は、これらの点を鑑みてなされたも
ので、リフロー半田付け時の熱でフィルタ特性が悪化し
ない誘電体フィルタを提供することを目的とする。
ので、リフロー半田付け時の熱でフィルタ特性が悪化し
ない誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】そこで、本願発明では、
プリント基板と該プリント基板上に載置される誘電体共
振器及びリアクタンス素子とを備える誘電体フィルタに
おいて、前記プリント基板上にはインダクタ電極が形成
され、該インダクタ電極は銅層の上にニッケル層及び金
層を有し、かつニッケル層の膜厚を２μｍ以下（但し０
μｍは含まない）にしている。
プリント基板と該プリント基板上に載置される誘電体共
振器及びリアクタンス素子とを備える誘電体フィルタに
おいて、前記プリント基板上にはインダクタ電極が形成
され、該インダクタ電極は銅層の上にニッケル層及び金
層を有し、かつニッケル層の膜厚を２μｍ以下（但し０
μｍは含まない）にしている。
【００１６】これにより、リフロー半田付け時の熱でプ
リント基板の電極が組成変化を起こして電気伝導率が低
下するのを抑制することができる。
リント基板の電極が組成変化を起こして電気伝導率が低
下するのを抑制することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る誘電体フィル
タを例に挙げて説明する。全体的な構成は、従来の誘電
体フィルタと同様であるため、図１を用いて説明する。
タを例に挙げて説明する。全体的な構成は、従来の誘電
体フィルタと同様であるため、図１を用いて説明する。
【００１８】
【実施例】図１において、本実施の形態ではプリント基
板２上に形成された電極のうちインダクタ電極を構成す
る銅層の膜厚を３０μｍ、ニッケルメッキ層の膜厚を２
μｍ金メッキ層の膜厚を０．０３μｍとしている。
板２上に形成された電極のうちインダクタ電極を構成す
る銅層の膜厚を３０μｍ、ニッケルメッキ層の膜厚を２
μｍ金メッキ層の膜厚を０．０３μｍとしている。
【００１９】以下の表は、比較例１（銅層３０μｍの
み）、比較例２〔従来技術〕（銅層３０μｍ・ニッケル
メッキ層３μｍ・金メッキ層０．０３μｍ）、実施例
（銅層３０μｍ・ニッケルメッキ層２μｍ・金メッキ層
０．０３μｍ）、の３種の試料をリフロー半田付け時と
同じ２５０℃で１分間加熱した後、インダクタ電極のＱ
0の低下を比較したものである。この時、試料としては
縦６ｍｍ×横６ｍｍ×厚さ０．３ｍｍのガラスエポキシ
基板上に電極を形成したものを使用して測定している。
み）、比較例２〔従来技術〕（銅層３０μｍ・ニッケル
メッキ層３μｍ・金メッキ層０．０３μｍ）、実施例
（銅層３０μｍ・ニッケルメッキ層２μｍ・金メッキ層
０．０３μｍ）、の３種の試料をリフロー半田付け時と
同じ２５０℃で１分間加熱した後、インダクタ電極のＱ
0の低下を比較したものである。この時、試料としては
縦６ｍｍ×横６ｍｍ×厚さ０．３ｍｍのガラスエポキシ
基板上に電極を形成したものを使用して測定している。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に示すように、ニッケルメッキ層の膜
厚が電極全体のＱ0 の低下に大きく影響を与えているこ
とが分かる。この時、ニッケルメッキ層の膜厚が２μｍ
である本実施例ではＱ0 の低下が１割程度であるのに対
し、ニッケルメッキ層の膜厚が３μｍである従来例では
４割程度ものＱ0 の低下が生じており、これがフィルタ
特性を大きく劣化させる。なお、本実施例でもＱ0 の低
下が生じているが、１割程度であれば、フィルタ特性に
与える影響は少なく、誘電体フィルタとして使用可能な
範囲のものである。
厚が電極全体のＱ0 の低下に大きく影響を与えているこ
とが分かる。この時、ニッケルメッキ層の膜厚が２μｍ
である本実施例ではＱ0 の低下が１割程度であるのに対
し、ニッケルメッキ層の膜厚が３μｍである従来例では
４割程度ものＱ0 の低下が生じており、これがフィルタ
特性を大きく劣化させる。なお、本実施例でもＱ0 の低
下が生じているが、１割程度であれば、フィルタ特性に
与える影響は少なく、誘電体フィルタとして使用可能な
範囲のものである。
【００２２】したがって、本実施例によれば、ニッケル
メッキ層を２μｍ以下にしたので、インダクタ電極にお
けるＱ0 の低下を１割以下に抑えることができる。これ
によって、例えば、９００ＭＨｚ帯の第１図に示すよう
な誘電体フィルタでは、リフロー半田付け後の挿入損失
が、従来例が３．２５ｄＢであったのに対し、本実施例
では３．０７ｄＢと従来例に比べて６％程度改善され
た。
メッキ層を２μｍ以下にしたので、インダクタ電極にお
けるＱ0 の低下を１割以下に抑えることができる。これ
によって、例えば、９００ＭＨｚ帯の第１図に示すよう
な誘電体フィルタでは、リフロー半田付け後の挿入損失
が、従来例が３．２５ｄＢであったのに対し、本実施例
では３．０７ｄＢと従来例に比べて６％程度改善され
た。
【００２３】なお、本願で規定するニッケルメッキ層の
膜厚の下限は、銅層上に金メッキ層が形成できる程度で
あればどのような値でも構わないが、０μｍでは金メッ
キが形成できないため範囲には含まない。
膜厚の下限は、銅層上に金メッキ層が形成できる程度で
あればどのような値でも構わないが、０μｍでは金メッ
キが形成できないため範囲には含まない。
【００２４】また、本願では、入力電極側にトラップ回
路用のインダクタ電極を形成したが、これに限るもので
はなくプリント基板上にインダクタ電極を形成した誘電
体フィルタであれば、どの様なものにでも適用できるこ
とはいうまでもない。
路用のインダクタ電極を形成したが、これに限るもので
はなくプリント基板上にインダクタ電極を形成した誘電
体フィルタであれば、どの様なものにでも適用できるこ
とはいうまでもない。
【００２５】さらに、本願では、トラップ回路を設けた
帯域通過フィルタを例にとって説明したがこれに限るも
のではなく、例えば、帯域通過フィルタを複数、もしく
は帯域阻止フィルタを組み合わせアンテナ共用器であっ
ても、一部に誘電体共振器を用いていれば本願でいうと
ころの誘電体フィルタに含まれる。
帯域通過フィルタを例にとって説明したがこれに限るも
のではなく、例えば、帯域通過フィルタを複数、もしく
は帯域阻止フィルタを組み合わせアンテナ共用器であっ
ても、一部に誘電体共振器を用いていれば本願でいうと
ころの誘電体フィルタに含まれる。
【００２６】また、本実施例ではメッキによってニッケ
ル層、金層を形成したがこれに限るものではなく、本実
施例と同等の膜厚を形成することができれば蒸着等の手
法を用いても良い。
ル層、金層を形成したがこれに限るものではなく、本実
施例と同等の膜厚を形成することができれば蒸着等の手
法を用いても良い。
【００２７】
【発明の効果】本願発明によれば、インダクタ電極にお
けるニッケル層の膜厚を２μｍ以下としたので、リフロ
ー半田付け後のニッケル１層の組成変化によるＱ0 の低
下を抑え、フィルタ特性の劣化を抑止することができ
る。
けるニッケル層の膜厚を２μｍ以下としたので、リフロ
ー半田付け後のニッケル１層の組成変化によるＱ0 の低
下を抑え、フィルタ特性の劣化を抑止することができ
る。
【図１】本発明及び従来の誘電体フィルタを説明するた
めの斜視図である。
めの斜視図である。
１ 誘電体フィルタ ２ プリント基板 ３ 誘電体共振器 ４ 容量基板 ５ 金属端子
Claims (1)
- 【請求項１】 プリント基板と該プリント基板上に載置
される誘電体共振器及びリアクタンス素子とを備える誘
電体フィルタにおいて、 前記プリント基板上にはインダクタ電極が形成され、該
インダクタ電極は銅層の上にニッケル層及び金層を有
し、かつニッケル層の膜厚を２μｍ以下（但し０μｍは
含まない）にしたことを特徴とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9680796A JPH09284007A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9680796A JPH09284007A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09284007A true JPH09284007A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14174886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9680796A Pending JPH09284007A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09284007A (ja) |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP9680796A patent/JPH09284007A/ja active Pending
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