JPH08321577A - 多層リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
多層リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH08321577A JPH08321577A JP7128239A JP12823995A JPH08321577A JP H08321577 A JPH08321577 A JP H08321577A JP 7128239 A JP7128239 A JP 7128239A JP 12823995 A JP12823995 A JP 12823995A JP H08321577 A JPH08321577 A JP H08321577A
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- metal plate
- resin
- adhesive
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームを多層化することによって、リ
ード変形がなく、放熱特性の良好な多層リードフレーム
を得る。 【構成】予め金属板２に絶縁層４を介して絶縁性接着剤
３を塗布する。この絶縁性接着剤３により、リードフレ
ーム１の片面にデバイスホール１４を塞ぐように金属板
２を貼り合わせる。貼り合わせ後、金属板２が貼り合わ
された領域の外側で、モールド成形金型間で挟まれるリ
ードフレーム部分のリード間に絶縁性の樹脂ダムバー５
を形成する。金属板２の裏面にはモールド樹脂との密着
性を向上させる粗面化処理またはポリイミド樹脂コーテ
ィングしておくことが好ましい。
ード変形がなく、放熱特性の良好な多層リードフレーム
を得る。 【構成】予め金属板２に絶縁層４を介して絶縁性接着剤
３を塗布する。この絶縁性接着剤３により、リードフレ
ーム１の片面にデバイスホール１４を塞ぐように金属板
２を貼り合わせる。貼り合わせ後、金属板２が貼り合わ
された領域の外側で、モールド成形金型間で挟まれるリ
ードフレーム部分のリード間に絶縁性の樹脂ダムバー５
を形成する。金属板２の裏面にはモールド樹脂との密着
性を向上させる粗面化処理またはポリイミド樹脂コーテ
ィングしておくことが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂ダムバーをもつ多層
リードフレームに関する。
リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】ロジック系素子の高集積化に伴い、これ
を搭載するリードフレームには多ピン化および高放熱化
が強く求められている。
を搭載するリードフレームには多ピン化および高放熱化
が強く求められている。
【０００３】多ピン化の際問題となるのは、リードフレ
ームの加工法とともに、アウタリードの狭ピッチに伴う
製造工程での問題があげられる。特にアウタリードを連
結している金属製ダムバーを切断する際の金型のメンテ
ナンスコストは、製造ラインの低コスト化を推進する上
で大きな問題となっている。
ームの加工法とともに、アウタリードの狭ピッチに伴う
製造工程での問題があげられる。特にアウタリードを連
結している金属製ダムバーを切断する際の金型のメンテ
ナンスコストは、製造ラインの低コスト化を推進する上
で大きな問題となっている。
【０００４】そこで、従来リードフレームのダムバー部
を樹脂で置き換える検討を行っている。樹脂は熱硬化性
樹脂が試みられている。この場合、樹脂の乾燥，キュア
などの工程でアウトガスが発生し、インナリードに施し
た銀めっき面に吸着して汚染する。また、樹脂が乾燥す
るとき樹脂とリードフレーム間に応力が発生し、インナ
リードのシフトやリードフレームの反りにつながる。
を樹脂で置き換える検討を行っている。樹脂は熱硬化性
樹脂が試みられている。この場合、樹脂の乾燥，キュア
などの工程でアウトガスが発生し、インナリードに施し
た銀めっき面に吸着して汚染する。また、樹脂が乾燥す
るとき樹脂とリードフレーム間に応力が発生し、インナ
リードのシフトやリードフレームの反りにつながる。
【０００５】一方、高放熱化の際問題となるのは、ゲー
トアレイでは汎用品でも１Ｗ、先端品に至っては１０Ｗ
を超えるものも製品化されているのに、通常のリードフ
レームを用いたプラスチックＱＦＰでは、最大１Ｗ程度
の放熱性しかなく、プラスチックパッケージを前提とし
た場合、充分な放熱が得られないことがあげられる。こ
のように多ピン化および高放熱化の点で、高集積化ロジ
ック系素子を搭載するリードフレームは、まだ実用化さ
れるに至っていない。
トアレイでは汎用品でも１Ｗ、先端品に至っては１０Ｗ
を超えるものも製品化されているのに、通常のリードフ
レームを用いたプラスチックＱＦＰでは、最大１Ｗ程度
の放熱性しかなく、プラスチックパッケージを前提とし
た場合、充分な放熱が得られないことがあげられる。こ
のように多ピン化および高放熱化の点で、高集積化ロジ
ック系素子を搭載するリードフレームは、まだ実用化さ
れるに至っていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
リードフレームでは、樹脂ダムバーを形成する際に、イ
ンナリードシフトおよびリードフレームの変形が避けら
れず、また通常のプラスチックＱＦＰでは十分な放熱特
性が得られないという問題があった。
リードフレームでは、樹脂ダムバーを形成する際に、イ
ンナリードシフトおよびリードフレームの変形が避けら
れず、また通常のプラスチックＱＦＰでは十分な放熱特
性が得られないという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、リードフレームを多層化
することによって、上述した従来技術の問題点を解消し
て、フレーム形状が良好で、リード変形がなく、放熱特
性も良好な多層リードフレームおよびその製造方法を提
供することにある。
することによって、上述した従来技術の問題点を解消し
て、フレーム形状が良好で、リード変形がなく、放熱特
性も良好な多層リードフレームおよびその製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の多層リードフレ
ームは、デバイスホールを有するリードフレームと、リ
ードフレームの片面にデバイスホールを塞ぐように絶縁
性接着剤を介して貼り合わされた金属板と、金属板が貼
り合わされる領域の外側で、成形金型間で挟まれるリー
ドフレーム部分のリード間に設けられた絶縁性の樹脂ダ
ムバーとを備えたものである。
ームは、デバイスホールを有するリードフレームと、リ
ードフレームの片面にデバイスホールを塞ぐように絶縁
性接着剤を介して貼り合わされた金属板と、金属板が貼
り合わされる領域の外側で、成形金型間で挟まれるリー
ドフレーム部分のリード間に設けられた絶縁性の樹脂ダ
ムバーとを備えたものである。
【０００９】また、本発明の多層リードフレームの製造
方法は、予め金属板に絶縁性接着剤を塗布し、この絶縁
性接着剤を介して、デバイスホールを有するリードフレ
ームの片面に上記デバイスホールを塞ぐように金属板を
貼り合わせ、貼り合わせ後、金属板が貼り合わされる領
域の外側で、モールド金型間で挟まれるリードフレーム
部分のリード間に絶縁性の樹脂ダムバーを形成したもの
である。
方法は、予め金属板に絶縁性接着剤を塗布し、この絶縁
性接着剤を介して、デバイスホールを有するリードフレ
ームの片面に上記デバイスホールを塞ぐように金属板を
貼り合わせ、貼り合わせ後、金属板が貼り合わされる領
域の外側で、モールド金型間で挟まれるリードフレーム
部分のリード間に絶縁性の樹脂ダムバーを形成したもの
である。
【００１０】絶縁性接着剤を介して金属板を貼り合わせ
るには、接着剤のみでも、さらに絶縁層を介在してもよ
い。この多層リードフレームに、更にダイボンディング
とワイヤボンディングとを行って樹脂モールドすると、
金属板がパッケージに内蔵された半導体装置が形成され
る。
るには、接着剤のみでも、さらに絶縁層を介在してもよ
い。この多層リードフレームに、更にダイボンディング
とワイヤボンディングとを行って樹脂モールドすると、
金属板がパッケージに内蔵された半導体装置が形成され
る。
【００１１】
【作用】リードフレームに接着剤を介して金属板を貼り
合わせると、リードが固定されるとともに、リードフレ
ーム全体の剛性が大きくなる。成形金型間で挟まれるリ
ードフレーム部分のリード間に、ダムバーとなる絶縁性
の樹脂を充填しても、金属板によりリードが固定されて
いるから、リードのシフトがない。また、樹脂とリード
フレーム間に発生する応力に対してフレーム全体の剛性
が上がっているから、反りのないリードフレームが得ら
れる。
合わせると、リードが固定されるとともに、リードフレ
ーム全体の剛性が大きくなる。成形金型間で挟まれるリ
ードフレーム部分のリード間に、ダムバーとなる絶縁性
の樹脂を充填しても、金属板によりリードが固定されて
いるから、リードのシフトがない。また、樹脂とリード
フレーム間に発生する応力に対してフレーム全体の剛性
が上がっているから、反りのないリードフレームが得ら
れる。
【００１２】また、ダムバーを樹脂で構成したから切断
が不要となる上、金属板上に直接素子を搭載する構造を
採用すれば金属板は放熱板として機能するから、多ピン
化、高放熱化を可能としたフレーム構造を実現すること
ができる。
が不要となる上、金属板上に直接素子を搭載する構造を
採用すれば金属板は放熱板として機能するから、多ピン
化、高放熱化を可能としたフレーム構造を実現すること
ができる。
【００１３】なお、リードフレームに金属板を貼り合わ
せる絶縁性接着剤、および絶縁性樹脂ダムバーは、ガラ
ス転移温度が１８０℃以上のポリイミド系熱可塑性接着
剤とすることが好ましい。ガラス転移温度を１８０℃以
上としたのは、この温度よりも低い温度だとモールド時
に、あるいは半田リフロー時に樹脂ダムバーが流動して
機能しなくなるためである。また、フレーム反りおよび
リードシフトの発生あるいは銅系材では表面酸化等の問
題があるので、ガラス転移温度の上限は４００℃よりも
低い温度であることが好ましい。また、接着剤にポリイ
ミド系熱可塑性接着剤を使うのは、これが熱硬化性接着
剤に比して、高い清浄度をもち高温強度が高いからであ
る。
せる絶縁性接着剤、および絶縁性樹脂ダムバーは、ガラ
ス転移温度が１８０℃以上のポリイミド系熱可塑性接着
剤とすることが好ましい。ガラス転移温度を１８０℃以
上としたのは、この温度よりも低い温度だとモールド時
に、あるいは半田リフロー時に樹脂ダムバーが流動して
機能しなくなるためである。また、フレーム反りおよび
リードシフトの発生あるいは銅系材では表面酸化等の問
題があるので、ガラス転移温度の上限は４００℃よりも
低い温度であることが好ましい。また、接着剤にポリイ
ミド系熱可塑性接着剤を使うのは、これが熱硬化性接着
剤に比して、高い清浄度をもち高温強度が高いからであ
る。
【００１４】また、金属板を貼り合わせるには、接着剤
を塗布したフィルムを使って貼り合わせる。もっとも厚
みと接着方法に問題がなければ、接着剤のみを使って直
接貼り合わせるようにしてよい。さらに、金属板の裏面
にモールド樹脂との密着性を向上させる粗面化処理を行
うことが好ましい。この粗面化処理に代えて、樹脂との
接着性の良好なポリイミド樹脂コーティングを施しても
よい。
を塗布したフィルムを使って貼り合わせる。もっとも厚
みと接着方法に問題がなければ、接着剤のみを使って直
接貼り合わせるようにしてよい。さらに、金属板の裏面
にモールド樹脂との密着性を向上させる粗面化処理を行
うことが好ましい。この粗面化処理に代えて、樹脂との
接着性の良好なポリイミド樹脂コーティングを施しても
よい。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
実施例による多層リードフレームの断面構造図である。
多層リードフレームは、リードフレーム１と、このリー
ドフレーム１の片面に絶縁性接着剤３を介して貼り合わ
された金属板２と、リードフレーム１の所定位置に形成
された絶縁性の樹脂ダムバー５とから主に構成される。
実施例による多層リードフレームの断面構造図である。
多層リードフレームは、リードフレーム１と、このリー
ドフレーム１の片面に絶縁性接着剤３を介して貼り合わ
された金属板２と、リードフレーム１の所定位置に形成
された絶縁性の樹脂ダムバー５とから主に構成される。
【００１６】リードフレーム１は、中央に半導体素子を
配置するためのデバイスホール１４が形成され、そのデ
バイスホールを囲むようにインナリードとアウタリード
とからなる多数本のリードを有する。リードフレーム１
は銅系、または４２Ｎｉ−Ｆｅ系が最も一般的である。
厚みは多ピン化の目的では０．２５mm程度以下のもので
あればよく、本実施例では０．１５mmとした。
配置するためのデバイスホール１４が形成され、そのデ
バイスホールを囲むようにインナリードとアウタリード
とからなる多数本のリードを有する。リードフレーム１
は銅系、または４２Ｎｉ−Ｆｅ系が最も一般的である。
厚みは多ピン化の目的では０．２５mm程度以下のもので
あればよく、本実施例では０．１５mmとした。
【００１７】リードフレーム１のデバイスホール１４を
塞ぐように貼り付けられる金属板２は、特に狭ピッチで
シフトしやすいインナリードを固定し、かつリードフレ
ーム全体の剛性を大きくする。また、この金属板の上に
直接半導体素子を搭載することにより金属板としての機
能を最大限に利用できる。金属板２は、リードフレーム
１との間の熱膨張差によるリードフレーム１の反りをな
くす点から、リードフレーム１と同じ銅系（２．０重量
％Ｓｎ−０．２重量％Ｎｉ−Ｃｕ合金、無酸素銅）、ま
たは４２Ｎｉ−Ｆｅ系材料とすることが好ましい。金属
板は１層の積層でも２層以上の積層でもよい。
塞ぐように貼り付けられる金属板２は、特に狭ピッチで
シフトしやすいインナリードを固定し、かつリードフレ
ーム全体の剛性を大きくする。また、この金属板の上に
直接半導体素子を搭載することにより金属板としての機
能を最大限に利用できる。金属板２は、リードフレーム
１との間の熱膨張差によるリードフレーム１の反りをな
くす点から、リードフレーム１と同じ銅系（２．０重量
％Ｓｎ−０．２重量％Ｎｉ−Ｃｕ合金、無酸素銅）、ま
たは４２Ｎｉ−Ｆｅ系材料とすることが好ましい。金属
板は１層の積層でも２層以上の積層でもよい。
【００１８】金属板サイズは、８mm×２８mmパッケージ
の場合を考えると、リード固定およびフレーム剛性のア
ップの点からは、パッケージと同形で、リードフレーム
の厚さと同じ０．２５mm程度以下のものであればよいと
考えられる。ここでは、０．１５mm厚とした。ただし、
より放熱性の高いパッケージが望まれる場合には、厚さ
はパッケージのほぼ半分の厚さ１．５mm程度、すなわち
モールド樹脂の厚さと同程度ぐらいとすることが望まし
い。
の場合を考えると、リード固定およびフレーム剛性のア
ップの点からは、パッケージと同形で、リードフレーム
の厚さと同じ０．２５mm程度以下のものであればよいと
考えられる。ここでは、０．１５mm厚とした。ただし、
より放熱性の高いパッケージが望まれる場合には、厚さ
はパッケージのほぼ半分の厚さ１．５mm程度、すなわち
モールド樹脂の厚さと同程度ぐらいとすることが望まし
い。
【００１９】この金属板２とリードフレーム１とを貼り
合わせる絶縁性接着剤３には種々のものが考えられる
が、高い清浄度をもち、高温強度が高く、ガラス転移温
度ｔｇ＝２５０℃のポリイミド系熱可塑性接着剤が有効
である。これにより、ワイヤボンディング性、耐半田リ
フロー性は大幅に向上する。接着剤３の厚みは、０．０
０５から０．０２０mm程度が良好である。接着剤として
は日立化成（株）製のポリアミドイミドからなる接着剤
ＨＭ−１（商品名）を用いた。接着剤３と金属板５との
間には、リードフレーム１と金属板２との電気絶縁を確
保するため０．００５から０．０２０mm程度の絶縁層４
を設けてある。絶縁層４としてはポリイミドフィルムが
好ましい。ここでは、接着剤厚を０．０２mm、絶縁層厚
を０．００５mmとした。なお、この絶縁層４は接着剤３
の厚みと接着方法の向上によっては省略することができ
る。
合わせる絶縁性接着剤３には種々のものが考えられる
が、高い清浄度をもち、高温強度が高く、ガラス転移温
度ｔｇ＝２５０℃のポリイミド系熱可塑性接着剤が有効
である。これにより、ワイヤボンディング性、耐半田リ
フロー性は大幅に向上する。接着剤３の厚みは、０．０
０５から０．０２０mm程度が良好である。接着剤として
は日立化成（株）製のポリアミドイミドからなる接着剤
ＨＭ−１（商品名）を用いた。接着剤３と金属板５との
間には、リードフレーム１と金属板２との電気絶縁を確
保するため０．００５から０．０２０mm程度の絶縁層４
を設けてある。絶縁層４としてはポリイミドフィルムが
好ましい。ここでは、接着剤厚を０．０２mm、絶縁層厚
を０．００５mmとした。なお、この絶縁層４は接着剤３
の厚みと接着方法の向上によっては省略することができ
る。
【００２０】リードフレーム１のアウタリード間に絶縁
性の樹脂ダムバー５が充填されている。充填位置は、金
属板２を貼り合わせた後に充填するために、金属板２が
貼り合わされる領域の外側とする。また、モールド成形
金型間で挟まれるリードフレーム部分のリード間とす
る。リード間に充填されて樹脂ダムバー５となる有機材
料には種々考えられるが、これもパッケージの信頼性を
より高く保証できる熱可塑性接着剤が望ましい。ここで
は、先のリードフレーム１と金属板２とを貼り合わせた
接着剤３と、同一の接着剤を選定した。
性の樹脂ダムバー５が充填されている。充填位置は、金
属板２を貼り合わせた後に充填するために、金属板２が
貼り合わされる領域の外側とする。また、モールド成形
金型間で挟まれるリードフレーム部分のリード間とす
る。リード間に充填されて樹脂ダムバー５となる有機材
料には種々考えられるが、これもパッケージの信頼性を
より高く保証できる熱可塑性接着剤が望ましい。ここで
は、先のリードフレーム１と金属板２とを貼り合わせた
接着剤３と、同一の接着剤を選定した。
【００２１】このようにしてリードフレーム１に金属板
２を貼り付け、樹脂ダムバー５を形成した多層リードフ
レームを構成する。この構成を取ることによって、良好
なフレーム形状を持ち、ダム切断の必要のない、理想的
な多ピンフレームの提供が可能となる。また、これに加
え、放熱性の良好なフレームを提供できる。
２を貼り付け、樹脂ダムバー５を形成した多層リードフ
レームを構成する。この構成を取ることによって、良好
なフレーム形状を持ち、ダム切断の必要のない、理想的
な多ピンフレームの提供が可能となる。また、これに加
え、放熱性の良好なフレームを提供できる。
【００２２】次に、上述した多層リードフレームの製造
方法の実施例を説明する。
方法の実施例を説明する。
【００２３】まず、金属板２の一方の面には予め内側に
絶縁層４を、外側に接着剤３を塗布しておく。この金属
板２を、リードフレーム１のデバイスホール１４を塞ぐ
ように接着剤３によってリードフレーム１に貼り合わせ
る。
絶縁層４を、外側に接着剤３を塗布しておく。この金属
板２を、リードフレーム１のデバイスホール１４を塞ぐ
ように接着剤３によってリードフレーム１に貼り合わせ
る。
【００２４】つぎに、リードフレーム１の所定位置に絶
縁性の樹脂ダムバー５を形成する。所定位置とは、リー
ドフレーム１に貼り付ける金属板２の外周部端面２ａに
対応するアウトラインよりも外側のアウタリード間であ
り、モールド樹脂を充填する上下の成形金型間で挟む位
置である。充填方法はワニス状にした絶縁性樹脂をディ
スペンサ方式で塗布した後、乾燥整形する方法によっ
た。この方法は工業的に行える。
縁性の樹脂ダムバー５を形成する。所定位置とは、リー
ドフレーム１に貼り付ける金属板２の外周部端面２ａに
対応するアウトラインよりも外側のアウタリード間であ
り、モールド樹脂を充填する上下の成形金型間で挟む位
置である。充填方法はワニス状にした絶縁性樹脂をディ
スペンサ方式で塗布した後、乾燥整形する方法によっ
た。この方法は工業的に行える。
【００２５】このようにして金属板２を貼り合わせてリ
ードを固定するとともに、リードフレーム１の剛性を向
上させた後に、熱可塑性樹脂ダムバーを形成するので、
この樹脂ダムバー形成時に発生するリードシフトおよび
リードフレーム変形を大幅に低減することが出来る。ま
た、ダムバーを絶縁性樹脂で構成するので、ダムバー切
断工程が省略でき、切断加工費および金型代が不要とな
り大幅なコスト低減が得られる。
ードを固定するとともに、リードフレーム１の剛性を向
上させた後に、熱可塑性樹脂ダムバーを形成するので、
この樹脂ダムバー形成時に発生するリードシフトおよび
リードフレーム変形を大幅に低減することが出来る。ま
た、ダムバーを絶縁性樹脂で構成するので、ダムバー切
断工程が省略でき、切断加工費および金型代が不要とな
り大幅なコスト低減が得られる。
【００２６】図２に、この多層リードフレームを用いた
半導体装置の製造方法を説明する。図１の多層リードフ
レーム作成後、デバイスホール１４に面する金属板２に
半導体素子８をペースト材７を介して接着し、半導体素
子８とリードフレーム１とを金線などのボンディング線
１３で接続する。
半導体装置の製造方法を説明する。図１の多層リードフ
レーム作成後、デバイスホール１４に面する金属板２に
半導体素子８をペースト材７を介して接着し、半導体素
子８とリードフレーム１とを金線などのボンディング線
１３で接続する。
【００２７】半導体素子８側を覆うモールド上型９と、
金属板２側を覆うモールド下型１１とを用意する。モー
ルド上型９とモールド下型１１とは、それらの周端口部
９ａ、１１ａが樹脂ダムバー５の一部分でリードフレー
ム１を上下からクランプできる大きさに形成される。モ
ールド上型９および下型１１とは、共にモールド樹脂６
の厚みとモールド樹脂端面６ａの位置を規定する。
金属板２側を覆うモールド下型１１とを用意する。モー
ルド上型９とモールド下型１１とは、それらの周端口部
９ａ、１１ａが樹脂ダムバー５の一部分でリードフレー
ム１を上下からクランプできる大きさに形成される。モ
ールド上型９および下型１１とは、共にモールド樹脂６
の厚みとモールド樹脂端面６ａの位置を規定する。
【００２８】モールド上型９とモールド下型１１とでリ
ードフレーム１の樹脂ダムバー５部を挟み、金型内にモ
ールド樹脂６を圧入してリードフレーム両面を封止す
る。このとき、上下のクランプ部のリード間に樹脂ダム
バー５が位置しているので、モールド樹脂漏れを有効に
防止することができ、内蔵型の多層リードフレームを構
成することができる。
ードフレーム１の樹脂ダムバー５部を挟み、金型内にモ
ールド樹脂６を圧入してリードフレーム両面を封止す
る。このとき、上下のクランプ部のリード間に樹脂ダム
バー５が位置しているので、モールド樹脂漏れを有効に
防止することができ、内蔵型の多層リードフレームを構
成することができる。
【００２９】図３に本発明の多層リードフレームの変形
例を示す。これは、予め金属板２の裏面にモールド樹脂
との密着性を向上させる粗面化処理層１２を施したもの
である。粗面化処理は、交流粗化処理、電解粗化処理、
黒色酸化粗化処理によって行うことができる。
例を示す。これは、予め金属板２の裏面にモールド樹脂
との密着性を向上させる粗面化処理層１２を施したもの
である。粗面化処理は、交流粗化処理、電解粗化処理、
黒色酸化粗化処理によって行うことができる。
【００３０】電解粗化処理による粗面化処理は、銅およ
び酸化銅からなる微細粒子を銅板表面に電着付与する方
法である。黒色粗化酸化処理による粗面化処理は、銅板
表面を酸化処理することによって、Ｃｕ2 Ｏ、ＣｕＯの
混合物を銅板表面に析出させ粗面化するものである。交
流粗化処理は、塩酸や硝酸などの電解液中に銅板を入
れ、銅板と電極の間に交流を通じ、エッチングと析出を
交互に行なう方法である。なお、粗面化処理層に代えて
ポリイミド樹脂層を施してもよい。
び酸化銅からなる微細粒子を銅板表面に電着付与する方
法である。黒色粗化酸化処理による粗面化処理は、銅板
表面を酸化処理することによって、Ｃｕ2 Ｏ、ＣｕＯの
混合物を銅板表面に析出させ粗面化するものである。交
流粗化処理は、塩酸や硝酸などの電解液中に銅板を入
れ、銅板と電極の間に交流を通じ、エッチングと析出を
交互に行なう方法である。なお、粗面化処理層に代えて
ポリイミド樹脂層を施してもよい。
【００３１】これによって、封止構造は、表面にあって
は、モールド樹脂と密着性のよい接着剤３面を樹脂密着
面に配しており、裏面にあっては同じくモールド樹脂と
密着性のよい粗面化処理層またはポリイミド樹脂層６を
樹脂密着面に配しているので、剥がれ等のないパッケー
ジとしての信頼性をさらに向上することが出来る。
は、モールド樹脂と密着性のよい接着剤３面を樹脂密着
面に配しており、裏面にあっては同じくモールド樹脂と
密着性のよい粗面化処理層またはポリイミド樹脂層６を
樹脂密着面に配しているので、剥がれ等のないパッケー
ジとしての信頼性をさらに向上することが出来る。
【００３２】このように多ピン化および高放熱化の問題
を解消できたので、高集積化ロジック系素子搭載のリー
ドフレームを実用化することができる。
を解消できたので、高集積化ロジック系素子搭載のリー
ドフレームを実用化することができる。
【００３３】
(1) 本発明の多層リードフレームは、リードフレームに
金属板を貼り合わせてあるので、リードフレームの剛性
が高まりフレーム形状を良好にすることができる。金属
板に直接素子を搭載することにより良好な放熱特性が得
られる。
金属板を貼り合わせてあるので、リードフレームの剛性
が高まりフレーム形状を良好にすることができる。金属
板に直接素子を搭載することにより良好な放熱特性が得
られる。
【００３４】(2) 本発明の多層リードフレームの製造方
法は、絶縁樹脂ダムバーを形成する前に、リードフレー
ムに金属板を貼り合わせてリードを固定するようにした
ので、リード間に絶縁性樹脂ダムバーを形成しても、リ
ードが変形することがない。
法は、絶縁樹脂ダムバーを形成する前に、リードフレー
ムに金属板を貼り合わせてリードを固定するようにした
ので、リード間に絶縁性樹脂ダムバーを形成しても、リ
ードが変形することがない。
【図１】本発明の多層リードフレームの実施例を説明す
るための樹脂ダムバー付多層リードフレームの断面図で
ある。
るための樹脂ダムバー付多層リードフレームの断面図で
ある。
【図２】本発明の多層リードフレームを用いて樹脂ダム
バー付半導体装置を製造する方法の実施例を説明するた
めの樹脂モールド時の断面図である。
バー付半導体装置を製造する方法の実施例を説明するた
めの樹脂モールド時の断面図である。
【図３】本実施例の変形例を示した樹脂ダムバー付多層
リードフレームの断面図である。
リードフレームの断面図である。
１ リードフレーム ２ 金属板 ３ 接着剤 ４ 絶縁層 ５ 樹脂ダムバー １４ デバイスホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 秋野 久則 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 高萩 茂治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】デバイスホールを有するリードフレーム
と、該リードフレームの片面に上記デバイスホールを塞
ぐように絶縁性接着剤を介して貼り合わされた金属板
と、上記金属板が貼り合わされる領域の外側で、成形金
型間で挟まれるリードフレーム部分のリード間に設けら
れた絶縁性の樹脂ダムバーとを備えたことを特徴とする
多層リードフレーム。 - 【請求項２】上記絶縁性接着剤を、ガラス転移温度が１
８０℃以上のポリイミド系熱可塑性接着剤としたことを
特徴とする請求項１に記載の多層リードフレーム。 - 【請求項３】上記絶縁性樹脂ダムバーを、ガラス転移温
度が１８０℃以上のポリイミド系熱可塑性接着剤とした
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層リード
フレーム。 - 【請求項４】上記金属板を、上記リードフレームと同じ
銅系、または４２Ｎｉ−Ｆｅ系材料としたことを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載の多層リードフ
レーム。 - 【請求項５】上記リードフレームとの貼り合わせ面と反
対側の金属板裏面にモールド樹脂との密着性を向上させ
る粗面化処理層またはポリイミド樹脂層を有することを
特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層リ
ードフレーム。 - 【請求項６】予め金属板に絶縁性接着剤を塗布し、この
絶縁性接着剤を介して、デバイスホールを有するリード
フレームの片面に上記デバイスホールを塞ぐように上記
金属板を貼り合わせ、貼合わせ後、上記金属板が貼り合
わされる領域の外側で、成形金型間で挟まれるリードフ
レーム部分のリード間に絶縁性の樹脂ダムバーを形成し
たことを特徴とする多層リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128239A JPH08321577A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128239A JPH08321577A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321577A true JPH08321577A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14979941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128239A Pending JPH08321577A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013105849A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP7128239A patent/JPH08321577A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013105849A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011002 |