JPH08321017A

JPH08321017A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08321017A
Application number: JP15084895A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Aramaki; 聡荒巻; Kazuhiro Saito; 和宏斎藤
Original assignee: Japan Energy Corp
Current assignee: Eneos Corp
Priority date: 1995-05-25
Filing date: 1995-05-25
Publication date: 1996-12-03

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ホール素子に均一に磁束でき、再生出力やＳ
／Ｎの比を高め、巻線数を増やして書き込み効率を向上
させることのできる薄膜磁気ヘッドを提供する。【構成】薄膜磁気ヘッド１は、磁気記録媒体面に対し
て垂直で且つトラック方向に平行に配置された中央部に
巻線窓用穴３０を有する非磁性基板２と、この非磁性基
板２の片面にトラック幅とされる厚さにて積層された磁
性体薄膜４と、磁性体薄膜４の記録媒体と対向する位置
に形成された磁気感知ギャップ１０と、磁気感知ギャッ
プ１０より離間した側に配置された薄膜ホール素子２０
とを有する。ホール素子２０は、磁気感知ギャップ１０
の一方側に位置する磁性体薄膜４Ａ₁ と、磁気感知ギャ
ップ１０の他方側に位置する磁性体薄膜４Ｅとの間に挟
持されて磁気回路を形成し、この磁気回路を通る磁束は
ホール素子２０の薄膜面を垂直に通過する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般には薄膜磁気ヘッ
ドに関し、特に、磁気記録媒体に高密度で記録された高
周波信号の記録再生（読み取り）に対応できるホール素
子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】高周波用で且つ高いＳ／Ｎ比が要求され
る高密度記録用ヘッドとして、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ
合金磁性薄膜（センダスト）などの高飽和磁束密度の磁
性体薄膜を用いた薄膜積層型磁気ヘッドが知られてお
り、例えばビデオヘッド、コンピュータ用ヘッドなどと
して好適に使用されている。

【０００３】斯る薄膜磁気ヘッドは、非磁性体基板及び
その上に形成される磁性体薄膜がトラック方向に延びて
おり、巻線コイル用の穴部分及びギャップ部分の寸法形
状の設計自由度が大きく、従って、コイルの巻き数を多
くして書き込み効率を上げることができるという利点を
有している。又、この種の磁気ヘッドは、高密度記録化
によりトラック幅が狭くなっても、磁性体薄膜の膜厚制
御により対応が容易であるといった特長をも有してい
る。

【０００４】しかしながら、上記の薄膜磁気ヘッドと巻
線コイルとの組合せでは、将来的に見ると、高記録密度
化による出力低下や周波数特性の点から問題があり、読
み取りには書き込み用のコイルを用いることも可能では
あるが、その再生能力に関しては限界がある。

【０００５】従って、最近、特に、高密度記録対応磁気
ヘッドとして、磁気抵抗（ＭＲ）効果やホール効果を利
用した磁気ヘッドが注目を浴びている。

【０００６】ＭＲ効果を利用した磁気ヘッドは、書き込
み用に誘導コイル、読み取り用にＭＲ（磁気抵抗）素子
を使った薄膜磁気ヘッドであり、その一例が図４及び図
５に示される。

【０００７】本例で、薄膜磁気ヘッド１００は、磁気記
録媒体面及びトラック方向の両方に対して垂直に配置さ
れた磁性基板上１０１に書き込み用コイル１０２Ａと読
み取り用ＭＲ素子１０３が形成され、その上に磁性体薄
膜コア１０４が形成される。ＭＲ素子１０３と磁性体薄
膜コア１０４との間に磁気回路が構成される。ＭＲ素子
１０３は、フロントギャップ１０５に配置されており、
磁気記録媒体からの信号を読み取る。書き込み用コイル
１０２Ａは、磁性体薄膜コア１０４の外部のコイル１０
２Ｂと接続されており、電流を流すことで磁気回路中に
磁束を発生させ、フロントギャップ１０５から磁気記録
媒体への書き込みを行なう。

【０００８】しかしながら、このような構成の薄膜磁気
ヘッド１００は、磁性基板１０１と磁性体薄膜コア１０
４に囲まれた空間が非常に狭く、書き込み用コイル１０
２Ａの巻き数が制限され、磁気記録媒体への書き込み効
率が低いという問題を有している。

【０００９】又、本発明者らの研究実験の結果による
と、上述からも理解されるように、ＭＲ素子１０３は、
磁化容易軸が薄膜面内にあり、そのために磁束が面内を
有効に通るように素子薄膜面を、磁束と平行となるよう
に配置することが必要であり、従って、ＭＲ素子１０３
は、磁気感知ギャップ、即ち、磁気ヘッドの磁気記録媒
体と対向したフロントギャップ１０５に挟む形の構造と
なり、磁気記録媒体との摩擦によって或いは組立時に発
生する静電気によって破損したり、更には、ＭＲ素子１
０３がフロント側の露出部分から腐食し易い等の問題が
あり、好ましくないことが分かった。

【００１０】一方、ホール素子は、磁束が素子薄膜面に
対して垂直の場合に最大のホール出力を与えるので、磁
気ヘッドの、所謂リアギャップに挟む構造とすることが
でき、上述したＭＲ素子を組合せた場合のような問題は
発生しないことが分かった。そこで、本発明者らは、ホ
ール素子を用いた、特に高周波信号の再生に有効な薄膜
磁気ヘッドを更に改良することとした。

【００１１】図６に従来のホール素子を用いた薄膜磁気
ヘッド１Ａの一例を示す。本例によると、薄膜磁気ヘッ
ド１Ａは、例えば一つのセラミックス基板２ａ上にＦｅ
−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性体薄膜４を堆積し、更にこの磁性
体薄膜４を他のセラミックス基板２ｂで挟持することに
より形成された薄膜積層構造体から作製される一対の磁
気コア半体、即ち、例えばＩコア６とＣコア８とを有
し、このＩコア６とＣコア８とは、その突合せ面がギャ
ップ部、即ち、磁気記録媒体に対向した一方のフロント
ギャップ（磁気感知ギャップ）１０及び他方のリアギャ
ップ１８を介して一体に接合される。このとき、一般
に、フロントギャップ１０においては、磁束を集中させ
るために、ギャップ部に隣接して機械加工により面取り
部、即ち、アペックス部１４を形成し、更に接合強度を
増大させるために、この部分にアペックスガラス１６が
充填される。更に、コンピュータ用やビデオ用などの用
途に応じた加工が施される。

【００１２】ホール素子２０は、フロントギャップ１０
に配置することもできるが、一般には、図示するように
リアギャップ１８に配置される。

【００１３】本例にて、この薄膜磁気ヘッド１Ａは、図
６にて右側のＣコア８の部分に巻線２００を施して、記
録、再生兼用の磁気ヘッドとされる。即ち、コイル２０
０に電流を流すことで磁性体薄膜コア４中に磁束を発生
させ、フロントギャップ１０から磁気記録媒体への書き
込みを行なうことができる。

【００１４】尤も、実際の巻線２００は磁気ヘッド１Ａ
をスライダーに取付けた状態で施すが、図６では簡単の
ためスライダー部分は省略されており、又、ホール素子
２０に関しても、絶縁膜、電極などは省略されている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記構成のホール素子
２０を使用した磁気ヘッドを研究する過程において、本
発明らは、ホール素子２０をリアギャップ１８或いはフ
ロントギャップ１０のいずれに配置した場合において
も、ホール素子２０をギャップ部に挟む構成では、２つ
のコア６、８をガラス溶着してギャップを形成しなけれ
ばならず、寸法、組立工程等からホール素子２０の設計
に制約を受ける上に、更に、ギャップ形成を行う際、ホ
ール素子２０に高温高圧がかかり、特性が劣化すること
があり、生産性や精度の点で好ましくないことが分かっ
た。

【００１６】更に、このような構成の薄膜磁気ヘッド１
Ａでは、磁気ヘッドのトラック幅、即ち、磁性体薄膜４
の厚さ（ｔ）は６μｍ程度とされるのに対して、ホール
素子２０の大きさは、その膜面積が少なくとも１００μ
ｍ×１００μｍ程度必要とされ、磁性体薄膜４の厚さ
（ｔ）に比して極めて大きい。そのために、磁束がホー
ル素子２０の一部分を不均一に通過し、再生出力やＳ／
Ｎ比が低いという問題があることが分かった。

【００１７】この問題を解決するために、ホール素子２
０の膜面の大きさを磁性体薄膜厚さ（ｔ）に対応する程
度にまで小さくすることも考えられるが、この方法で
は、再生出力が更に低下したり、電流密度が大きくな
り、発熱したり、電極の設計が困難となり、そのため
に、ホール素子２０を小さくするのも自ずと限界があ
る。

【００１８】従って、本発明の目的は、磁気記録媒体に
対向したフロントギャップ（磁気感知ギャップ）を構成
する部分とホール素子を形成した部分とをそれぞれ独立
した構造とし、ホール素子の形状等に関する設計が制約
を受けず、しかもホール素子に均一に磁束をかけること
ができ、しかも磁気記録媒体に高密度で記録された高周
波信号の記録再生に対応でき、再生出力やＳ／Ｎの比を
高め、更には、巻線数を増やして書き込み効率を向上さ
せることのできる薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。

【００１９】本発明の他の目的は、ガラス溶着工程を必
要とせず、従って、ホール素子をコアの接合部に挟まな
くして、コア接合時のガラス溶着での高温高圧によるホ
ール素子の性能劣化を防止でき、生産性良く且つ精度良
く、磁気記録媒体に高密度で記録された高周波信号の記
録再生に対応でき、再生出力やＳ／Ｎの比を高め、更に
は、巻線数を増やして書き込み効率を向上させることの
できる薄膜磁気ヘッドを製造する方法を提供することで
ある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
ホール素子を備えた薄膜磁気ヘッドによって達成され
る。要約すれば、本発明は、磁気記録媒体面に対して垂
直で且つトラック方向に平行に配置された中央部に巻線
窓用穴を有する非磁性基板と、この非磁性基板の片面に
トラック幅とされる厚さにて積層された磁性体薄膜と、
前記磁性体薄膜の記録媒体と対向する位置に形成された
磁気感知ギャップと、前記磁気感知ギャップより離間し
た側に配置された薄膜ホール素子と、を備え、前記ホー
ル素子は、前記磁気感知ギャップの一方側に位置する磁
性体薄膜と、前記磁気感知ギャップの他方側に位置する
磁性体薄膜との間に挟持されて磁気回路を形成し、この
磁気回路を通る磁束は前記ホール素子の薄膜面を垂直に
通過するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドで
ある。

【００２１】本発明の好ましい態様によれば、前記巻線
窓用穴を利用して書き込み用コイルが巻線される。又、
前記磁性体薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、アモルファ
ス磁性体又は窒化鉄磁性体とされ、前記ホール素子は、
ＧａＡｓ或はＩｎＳｂなどの半導体、又はＧｄＦｅ或は
ＣｄＣｏなどの磁性体とされる。

【００２２】本発明の上記薄膜磁気ヘッドは、（ａ）上
片、下片、左側片、右側片からなる矩形状とされ、その
概略中央部に穴が形成された非磁性基板を準備する工
程、（ｂ）前記非磁性基板の左側片の片面全部と上片の
大略中央位置までの片面に磁性体薄膜を積層する工程、
（ｃ）前記磁性体薄膜及び非磁性基板の残り面を被覆す
る態様で絶縁膜を成膜する工程、（ｄ）前記上片に成膜
された磁性体薄膜の右側端部に所定の大きさにてホール
素子を成膜する工程、（ｅ）前記上片の磁性体薄膜上
に、前記ホール素子に接続されたホールバイアス電流端
子及びホール出力電圧端子のための電極を形成する工
程、（ｆ）前記非磁性基板の成膜面全面を被覆して絶縁
膜を成膜する工程、（ｇ）前記工程（ｆ）にて成膜され
た絶縁膜の上で、且つ、前記ホール素子の上及び前記非
磁性基板の上片の右側残部、更には右側片及び下片の残
部の片面に磁性体薄膜を積層し、磁性体薄膜の磁気記録
媒体に面した部分を、フォトリソとエッチングを組合せ
たパターンーニングにより所定ギャップ長及びギャップ
深さに離間させて磁気感知ギャップを形成する工程、を
有することを特徴とする製造方法にて好適に製造され
る。

【００２３】

【実施例】以下、本発明のホール素子を備えた薄膜磁気
ヘッドを図面に即して更に詳しく説明する。

【００２４】図１は、本発明のホール素子を備えた薄膜
磁気ヘッドの一実施例に係る構成を概略示す。

【００２５】本実施例にて、薄膜磁気ヘッド１は、概略
中央部に巻線窓を提供する穴３０が形成された一体の非
磁性基板２を有する。本実施例にて、非磁性基板２は、
セラミックス基板とされ、上片２Ａ、下片２Ｂ、左側片
２Ｃ、右側片２Ｄからなる矩形状とされるが、その形状
はこれに限定されるものではない。

【００２６】非磁性基板２の片面に、本実施例では、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性体薄膜４（４Ａ₁ 、４Ａ₂ 、４
Ｂ、４Ｃ、４Ｄ）が堆積される。磁性体薄膜４は、本実
施例では、左側片２Ｃ上に成膜された部分４Ｃと、下片
２Ｂ上に成膜された部分４Ｂとの隣接部分において離間
し、フロントギャップ（磁気感知ギャップ）１０が形成
される。又、上片２Ａ上に成膜された磁性体薄膜４Ａ₁
には、磁束検出素子として薄膜ホール素子２０が配置さ
れる。

【００２７】即ち、上片２Ａに成膜された磁性体薄膜４
は、磁性体薄膜４Ａ₁ と磁性体薄膜４Ａ₂ とからなり、
両磁性体薄膜４Ａ₁ と４Ａ₂ とは断続しており、一方の
磁性体薄膜、即ち、本実施例では左側の磁性体薄膜４Ａ
₁ の上に絶縁膜３１を介して薄膜ホール素子２０が積層
され、更にその上に絶縁膜３２を介して磁性体薄膜４Ｅ
が堆積される。この磁性体薄膜４Ｅは、上片２Ａの右側
の磁性体薄膜４Ａ₂ に一体に連結される。

【００２８】本発明の磁気ヘッド１にてホール素子２０
には、図２に例示するように、ホールバイアス電流端子
及びホール出力電圧端子のための電極２０１が形成され
るが、図１には図面を簡単とするために省略されてい
る。

【００２９】ホール素子２０としては、当業者には周知
の、例えばＧａＡｓ、ＩｎＳｂなどの半導体、又はＧｄ
Ｆｅ、ＣｄＣｏなどの磁性体などを好適に使用すること
ができ、その寸法は任意に設定し得るが、通常厚さ１μ
ｍ、膜面積は少なくとも１００μｍ×１００μｍ程度必
要とされる。絶縁膜３１、３２などとしては、例えばＳ
ｉＯ₂ 或はＳｉＮ_x などが好適に使用される。

【００３０】上記構成の磁気ヘッド１は、図１には図示
していないが、更に、磁性体薄膜４及びホール素子２０
などを覆って、前記非磁性基板２と同様の第２のセラミ
ックス基板を配置し、この第２のセラミックス基板と上
記セラミックス基板２とにてこれら磁性体薄膜４及びホ
ール素子２０などを挟持することも可能である。

【００３１】上記構成の薄膜磁気ヘッド１は、図１に示
すように、巻線窓３０を利用して例えば右側片２Ｄに相
当する部分に巻線２００を施せば、記録、再生兼用の磁
気ヘッドとして使用し得る。

【００３２】上記説明にて理解されるように、上記構成
の本発明の薄膜磁気ヘッド１によれば、前記フロントギ
ャップ１０が磁気記録媒体面に対して垂直に且つトラッ
ク方向に平行となるように配置され、一方、読み取り用
ホール素子２０は磁性体薄膜４Ａ₁ と磁性体薄膜４Ｅと
にて両面より挟持されている。従って、フロントギャッ
プ１０の一方側に位置した磁性体薄膜４Ｃ、４Ａ₁ と、
他方側に位置した磁性体薄膜４Ｂ、４Ｄ、４Ａ₂ 、４Ｅ
と、更に、ホール素子２０とにて閉じた磁気回路が形成
される。そのために、本発明の磁気ヘッド１によれば、
フロントギャップ１０にて受信された磁気記録媒体の磁
化信号（磁束）は、薄膜ホール素子２０の両面に積層さ
れた磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｅにより、ホール素子薄膜面
に対して垂直に且つ均一に通過することとなる。

【００３３】又、本発明によれば、ホール素子２０は両
磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｅの間にあって磁気回路を形成す
れば良く、ホール素子２０の形状は任意に設計すること
ができ、設計上の制約を受けることがない。又、読み取
り用のホール素子２０には均一に磁束がかかることとな
り、高記録密度化に対応可能である。更に又、本発明で
は、非磁性基板２はトラック方向に延びて配置されるの
で、巻線用の穴、即ち、巻線窓３０は大きくすることが
でき、従って、この巻線窓３０を利用して巻線される書
き込み用コイル２００は、従来の薄膜型に比べて巻き数
を多くすることが可能である。従って、従来型の薄膜ヘ
ッドに比べると書き込み効率が向上する。

【００３４】次に、上記構成の本発明の磁気ヘッド１の
製造方法の一実施例を図３をも参照して説明する。

【００３５】概略中央部に穴３０が形成された矩形の非
磁性基板２を準備する。本実施例にて、非磁性基板２
は、厚さＴが２００μｍのＣｏＯ−ＮｉＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃
系セラミックス基板とされ、又、図１をも参照して、横
Ｌ₁ が８５０μｍ、縦Ｌ₂ が５１０μｍであり、各片の
幅Ｗは２００μｍであった。

【００３６】この非磁性基板２の左側片２Ｃの片面全部
と上片２Ａの大略中央位置までの片面にＦｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｃをスパッターにて成膜す
る（図３（１））。磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｃの膜厚は５
〜１０μｍとされ、本実施例では６μｍであった。次い
で、この磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｃ及び非磁性基板２の残
り面を被覆する態様で、絶縁膜３１がＣＶＤ法により成
膜する（図３（２））。本実施例で絶縁膜３１としては
ＳｉＮ_x を使用し、膜厚は０．５μｍであった。

【００３７】次に、図３（３）に示すように、上片２Ａ
に成膜された磁性体薄膜４Ａ₁ の右側端部に所定の大き
さにて、本実施例では、１００μｍ×１００μｍの大き
さにてホール素子２０を蒸着する。本実施例では、ホー
ル素子２０としてはＩｎＳｂを使用し、膜厚は１．４μ
ｍであった。更に、上片２Ａの磁性体薄膜４Ａ₁ 上に
は、例えば図２に示すようなパターンにて、ホールバイ
アス電流端子及びホール出力電圧端子のための電極２０
１が蒸着される（図３（４））。端子電極２０１のため
の材料としては、Ｔ_i 、Ａｌ或はＡｕなどが好適に使用
される。

【００３８】その後、非磁性基板の成膜面全面を被覆し
て絶縁膜３２がＣＶＤ法により成膜される（図３
（５））。本実施例で絶縁膜３２としてはＳｉＮ_x を使
用し、膜厚は０．５μｍであった。

【００３９】次に、上記絶縁膜３２の上で、且つ、ホー
ル素子２０の上及び非磁性基板の上片２Ａの右側残部、
更には右側片２Ｄ及び下片２Ｂの残部の片面にＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金磁性体薄膜４Ａ₂ 、４Ｃ、４Ｂをスパッタ
ーにて成膜する（図２（６））。磁性体薄膜４Ａ₂ 、４
Ｃ、４Ｂの膜厚は、上記磁性体薄膜４Ａ₁ 、４Ｃの膜厚
と同様に５〜１０μｍとされ、本実施例では６μｍであ
った。

【００４０】このとき、磁性体薄膜４Ａ₂ の磁気記録媒
体に面した部分を、フォトリソとエッチングを組合せた
パターンーニングにより所定ギャップ長Ｇ_L 及びギャッ
プ深さＧ_D に離間させることによりフロントギャップ
（磁気感知ギャップ）１０が形成される。本実施例に
て、フロントギャップ（磁気感知ギャップ）のギャップ
長Ｇ_L は０．３μｍ、ギャップ深さＧ_D は１μｍであっ
た。

【００４１】上記説明にて理解されるように、上記構成
の本発明の磁気ヘッド１によれば、薄膜ヘッドをギャッ
プ溶着することなく製造することができ、ホール素子２
０の部分における、ガラス溶着に伴う高温高圧による性
能劣化が避けられる。

【００４２】従って、本発明によれば、磁気ヘッドの生
産性及び精度が従来の薄膜型磁気ヘッドに比べると一段
と向上する。

【００４３】上記実施例では、本発明の磁気ヘッド１Ａ
の磁性体薄膜４は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性体薄膜
（センダスト）に関連して説明したが、アモルファス磁
性体或いは窒化鉄磁性体なども同様に使用することがで
きる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドは、磁気記録媒体面に対して垂直で且つトラ
ック方向に平行に配置された中央部に巻線窓用穴を有す
る非磁性基板と、この非磁性基板の片面にトラック幅と
される厚さにて積層された磁性体薄膜と、前記磁性体薄
膜の記録媒体と対向する側に形成された磁気感知ギャッ
プと、前記磁気感知ギャップより離間した側に配置され
た薄膜ホール素子と、を備え、前記ホール素子は、前記
磁気感知ギャップの片側に位置する磁性体薄膜と、前記
磁気感知ギャップの他側に位置する磁性体薄膜との間に
挟持されて磁気回路を形成し、この磁気回路を通る磁束
は前記ホール素子の薄膜面を垂直に通過するように構成
されるので、磁気記録媒体に対向したフロントギャップ
（磁気感知ギャップ）を構成する部分とホール素子を形
成した部分とをそれぞれ独立した構造とし、ホール素子
の形状等に関する設計が制約を受けず、又、ホール素子
に均一に磁束をかけることができ、しかも磁気記録媒体
に高密度で記録された高周波信号の記録再生にも対応で
き、再生出力やＳ／Ｎの比を高め、更には、非磁性基板
がトラック方向に延びており、そのために巻線窓を大き
くすることができ、従って、巻線数を増やして書き込み
効率を向上させることができる。

【００４５】又、本発明の製造方法によれば、ガラス溶
着工程を必要とせず、従って、ホール素子をコアの接合
部に挟まなくして、コア接合時のガラス溶着での高温高
圧によるホール素子の性能劣化を防止でき、上記本発明
の薄膜磁気ヘッドを生産性良く且つ精度良く製造し得
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例の概略
斜視図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおけるホールバ
イアス電流端子及びホール出力電圧端子のための電極の
一実施例を示す正面図である。

【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明
するための工程図である。

【図４】ＭＲ素子を有する従来の薄膜磁気ヘッドの斜視
図である。

【図５】図４の薄膜磁気ヘッドの断面図である。

【図６】ホール素子をリアギャップに挟んだ従来の薄膜
磁気ヘッドの斜視図である。

【符号の説明】

２セラミックス基板４磁性体薄膜１０フロントギャップ（磁気
感知ギャップ）２０薄膜ホール素子３１、３２絶縁膜２００書き込み用コイル２０１電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体面に対して垂直で且つトラ
ック方向に平行に配置された中央部に巻線窓用穴を有す
る非磁性基板と、この非磁性基板の片面にトラック幅と
される厚さにて積層された磁性体薄膜と、前記磁性体薄
膜の記録媒体と対向する位置に形成された磁気感知ギャ
ップと、前記磁気感知ギャップより離間して配置された
薄膜ホール素子と、を備え、前記ホール素子は、前記磁
気感知ギャップの一方側に位置する磁性体薄膜と、前記
磁気感知ギャップの他方側に位置する磁性体薄膜との間
に挟持されて磁気回路を形成し、この磁気回路を通る磁
束は前記ホール素子の薄膜面を垂直に通過するようにし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記巻線窓用穴を利用して書き込み用コ
イルが巻線された請求項１の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記磁性体薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、アモルファス磁性体又は窒化鉄磁性体とされ、前記
ホール素子は、ＧａＡｓ或はＩｎＳｂなどの半導体、又
はＧｄＦｅ或はＣｄＣｏなどの磁性体とされる請求項１
又は２の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】（ａ）上片、下片、左側片、右側片から
なる矩形状とされ、その概略中央部に穴が形成された非
磁性基板を準備する工程、（ｂ）前記非磁性基板の左側
片の片面全部と上片の大略中央位置までの片面に磁性体
薄膜を積層する工程、（ｃ）前記磁性体薄膜及び非磁性
基板の残り面を被覆する態様で絶縁膜を成膜する工程、
（ｄ）前記上片に成膜された磁性体薄膜の右側端部に所
定の大きさにてホール素子を成膜する工程、（ｅ）前記
上片の磁性体薄膜上に、前記ホール素子に接続されたホ
ールバイアス電流端子及びホール出力電圧端子のための
電極を形成する工程、（ｆ）前記非磁性基板の成膜面全
面を被覆して絶縁膜を成膜する工程、（ｇ）前記工程
（ｆ）にて成膜された絶縁膜の上で、且つ、前記ホール
素子の上及び前記非磁性基板の上片の右側残部、更には
右側片及び下片の残部の片面に磁性体薄膜を積層し、磁
性体薄膜の磁気記録媒体に面した部分を、フォトリソと
エッチングを組合せたパターンーニングにより所定ギャ
ップ長及びギャップ深さに離間させて磁気感知ギャップ
を形成する工程、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項５】前記磁性体薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、アモルファス磁性体又は窒化鉄磁性体とされ、前記
ホール素子は、ＧａＡｓ或はＩｎＳｂなどの半導体、又
はＧｄＦｅ或はＣｄＣｏなどの磁性体とされる請求項４
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。