JPH0832014A - Ｉｃパッケージの製造方法 - Google Patents
Ｉｃパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH0832014A JPH0832014A JP18894494A JP18894494A JPH0832014A JP H0832014 A JPH0832014 A JP H0832014A JP 18894494 A JP18894494 A JP 18894494A JP 18894494 A JP18894494 A JP 18894494A JP H0832014 A JPH0832014 A JP H0832014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- packaging
- space
- set space
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Molten Solder (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＣパッケージの製造において、ダイボンド工
程，ワイヤボンド工程，樹脂モールド等パッケージ工程
を実施するに際してリードフレームが表面酸化されるの
を防止する。 【構成】金型のセット空間若しくはこれに連通する空間
内にＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又
は二種以上の単体金属若しくは合金をゲッター材として
配置した状態で、セット空間内に酸化防止用の不活性な
ガスを吹き込んでセット空間をガスにてシールドしつつ
ダイボンド工程，ワイヤボンド工程，パッケージ工程を
行う。
程，ワイヤボンド工程，樹脂モールド等パッケージ工程
を実施するに際してリードフレームが表面酸化されるの
を防止する。 【構成】金型のセット空間若しくはこれに連通する空間
内にＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又
は二種以上の単体金属若しくは合金をゲッター材として
配置した状態で、セット空間内に酸化防止用の不活性な
ガスを吹き込んでセット空間をガスにてシールドしつつ
ダイボンド工程，ワイヤボンド工程，パッケージ工程を
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣパッケージの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣパッケージの製造工程においては、
一般にリードフレームのダイパット部にＩＣチップをボ
ンディングするダイボンド工程、リードフレームにおけ
るリード部及びＩＣチップ間をワイヤボンディングする
ワイヤボンド工程、樹脂をモールドするなどしてダイパ
ット部とＩＣチップをパッケージするパッケージ工程を
含んでいる。通常、これらダイボンド工程，ワイヤボン
ド工程，パッケージ工程は、金型のセット空間にリード
フレームをセットした状態で行う。
一般にリードフレームのダイパット部にＩＣチップをボ
ンディングするダイボンド工程、リードフレームにおけ
るリード部及びＩＣチップ間をワイヤボンディングする
ワイヤボンド工程、樹脂をモールドするなどしてダイパ
ット部とＩＣチップをパッケージするパッケージ工程を
含んでいる。通常、これらダイボンド工程，ワイヤボン
ド工程，パッケージ工程は、金型のセット空間にリード
フレームをセットした状態で行う。
【０００３】ところで、これらの工程においてはリード
フレームが４００℃付近まで加熱されるため、一般には
これら工程においてはリードフレームの酸化防止用のア
ルゴンガス，窒素ガス等の不活性なガスを金型のセット
空間に吹き込み、同セット空間をこれらガスにてシール
ドした状態で上記各工程を実施しているのが実情であ
る。
フレームが４００℃付近まで加熱されるため、一般には
これら工程においてはリードフレームの酸化防止用のア
ルゴンガス，窒素ガス等の不活性なガスを金型のセット
空間に吹き込み、同セット空間をこれらガスにてシール
ドした状態で上記各工程を実施しているのが実情であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
に不活性なガスを吹き込んでシールドを行っても完全に
は酸素を除去することはできず、このためＣｒ等の酸化
されやすい元素を含んだ合金から成るリードフレームの
場合、これら工程において表面にＣｒ等の酸化物を生成
してしまうのを避け得ない。
に不活性なガスを吹き込んでシールドを行っても完全に
は酸素を除去することはできず、このためＣｒ等の酸化
されやすい元素を含んだ合金から成るリードフレームの
場合、これら工程において表面にＣｒ等の酸化物を生成
してしまうのを避け得ない。
【０００５】而してリードフレームの表面に酸化物が生
成すると、樹脂等をモールドしたときにモールド材（パ
ッケージ材）との密着性が阻害され、またワイヤボンド
工程でのハンダ付け性が阻害されてしまう問題を生ず
る。
成すると、樹脂等をモールドしたときにモールド材（パ
ッケージ材）との密着性が阻害され、またワイヤボンド
工程でのハンダ付け性が阻害されてしまう問題を生ず
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願の発明はこのような
課題を解決するためになされたものである。而して本願
の発明は、リードフレームのダイパット部にチップをボ
ンディングするダイボンド工程、リードフレームのリー
ド部及びチップ間のワイヤボンド工程、該チップ及びダ
イパット部を樹脂等パッケージ材でパッケージするパッ
ケージ工程を、金型のセット空間に該リードフレームを
セットした状態で行うＩＣパッケージの製造方法におい
て、前記金型のセット空間若しくはこれに連通する空間
内にＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又
は二種以上の単体金属若しくは合金をゲッター材として
配置した状態で、該セット空間内に酸化防止用の不活性
なガスを吹き込んで該セット空間を該ガスにてシールド
しつつ前記ダイボンド工程，ワイヤボンド工程，パッケ
ージ工程を行うことを特徴とする（請求項１）。
課題を解決するためになされたものである。而して本願
の発明は、リードフレームのダイパット部にチップをボ
ンディングするダイボンド工程、リードフレームのリー
ド部及びチップ間のワイヤボンド工程、該チップ及びダ
イパット部を樹脂等パッケージ材でパッケージするパッ
ケージ工程を、金型のセット空間に該リードフレームを
セットした状態で行うＩＣパッケージの製造方法におい
て、前記金型のセット空間若しくはこれに連通する空間
内にＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又
は二種以上の単体金属若しくは合金をゲッター材として
配置した状態で、該セット空間内に酸化防止用の不活性
なガスを吹き込んで該セット空間を該ガスにてシールド
しつつ前記ダイボンド工程，ワイヤボンド工程，パッケ
ージ工程を行うことを特徴とする（請求項１）。
【０００７】本願の別の発明は、前記リードフレームが
Ｃｒ：５〜１０重量％含有するＦｅ−Ｃｒ系合金から成
るものであることを特徴とする（請求項２）。
Ｃｒ：５〜１０重量％含有するＦｅ−Ｃｒ系合金から成
るものであることを特徴とする（請求項２）。
【０００８】
【作用及び発明の効果】以上のように本発明は、金型の
セット空間若しくはこれに連通する空間にＴａ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又は二種以上の単体
金属若しくは合金をゲッター材として配置した状態で、
同セット空間にシールドガスを吹き込みつつダイボンド
工程，ワイヤボンド工程，パッケージ工程等の工程を実
施するもので、本発明においては酸化性の強いＴａ，Ｚ
ｒ等のゲッター材が酸素と反応してこれを吸収する作用
を成すため、セット空間から酸素を良好に除去すること
ができ、従って上記工程においてリードフレームの表面
に酸化物が生成するのを防止することができる。
セット空間若しくはこれに連通する空間にＴａ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種又は二種以上の単体
金属若しくは合金をゲッター材として配置した状態で、
同セット空間にシールドガスを吹き込みつつダイボンド
工程，ワイヤボンド工程，パッケージ工程等の工程を実
施するもので、本発明においては酸化性の強いＴａ，Ｚ
ｒ等のゲッター材が酸素と反応してこれを吸収する作用
を成すため、セット空間から酸素を良好に除去すること
ができ、従って上記工程においてリードフレームの表面
に酸化物が生成するのを防止することができる。
【０００９】これにより、酸化物生成によってリードフ
レームのハンダ付け性が阻害されたり、パッケージ材と
の密着性が阻害されたりするのを回避でき、良好にＩＣ
パッケージを製造できる。
レームのハンダ付け性が阻害されたり、パッケージ材と
の密着性が阻害されたりするのを回避でき、良好にＩＣ
パッケージを製造できる。
【００１０】或いは従来リードフレーム材として使用す
ることが難しかった、酸化物の生成し易い元素を含んだ
材料であっても、良好にリードフレーム材として用いる
ことが可能となる効果が得られる。
ることが難しかった、酸化物の生成し易い元素を含んだ
材料であっても、良好にリードフレーム材として用いる
ことが可能となる効果が得られる。
【００１１】本発明は、上記のように酸化し易い元素を
含む合金から成るリードフレーム、特にＣｒを５〜１０
重量％含有するＦｅ−Ｃｒ系合金から成るリードフレー
ムを用いたＩＣパッケージの製造に適用して特に効果が
大きい（請求項２）。
含む合金から成るリードフレーム、特にＣｒを５〜１０
重量％含有するＦｅ−Ｃｒ系合金から成るリードフレー
ムを用いたＩＣパッケージの製造に適用して特に効果が
大きい（請求項２）。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を以下に詳述する。セッ
ト空間としての金型のキャビティ内面全面にＴａをゲッ
ター材として張り付けた状態でＦｅ−７％Ｃｒから成る
リードフレームをセットし、そしてキャビティ内に窒素
ガスを吹き込んでシールドしつつ、リードフレームを約
４００℃で１分間加熱処理した。
ト空間としての金型のキャビティ内面全面にＴａをゲッ
ター材として張り付けた状態でＦｅ−７％Ｃｒから成る
リードフレームをセットし、そしてキャビティ内に窒素
ガスを吹き込んでシールドしつつ、リードフレームを約
４００℃で１分間加熱処理した。
【００１３】そしてその加熱処理したリードフレームの
表面の酸素をオージェにより分析した。結果がゲッター
材を使用しない場合との比較において図１に示してあ
る。但し同分析においてスパッタ速度は４ｎｍ／ｍｉｎ
である。尚、図２中縦軸はＯの相対強度を示している。
表面の酸素をオージェにより分析した。結果がゲッター
材を使用しない場合との比較において図１に示してあ
る。但し同分析においてスパッタ速度は４ｎｍ／ｍｉｎ
である。尚、図２中縦軸はＯの相対強度を示している。
【００１４】この結果に見られるように、ゲッター材を
使用しない場合には極表層のＯの濃度が、ゲッター材を
使用したものに比べて約１５％程度高くなっている。
使用しない場合には極表層のＯの濃度が、ゲッター材を
使用したものに比べて約１５％程度高くなっている。
【００１５】次にリードフレーム材としてＦｅ−７％Ｃ
ｒとＦｅ−４２％Ｎｉから成るものを用い、これらを上
記と同様の加熱処理を施し、次いでハンダの濡れ力測定
を行った。また比較のために上記ゲッター材を使用しな
い状態で同様の加熱処理を施したものについても同じ濡
れ力測定を行った。
ｒとＦｅ−４２％Ｎｉから成るものを用い、これらを上
記と同様の加熱処理を施し、次いでハンダの濡れ力測定
を行った。また比較のために上記ゲッター材を使用しな
い状態で同様の加熱処理を施したものについても同じ濡
れ力測定を行った。
【００１６】ここでハンダの濡れ力測定は、ハンダを溶
かしておいてその中にリードフレームを浸漬し、次にこ
れを引き上げたときの引上力を測定することにより行っ
た。その結果が図２に示してある。
かしておいてその中にリードフレームを浸漬し、次にこ
れを引き上げたときの引上力を測定することにより行っ
た。その結果が図２に示してある。
【００１７】図２の結果から、Ｆｅ−７％Ｃｒの場合、
ゲッター材を使用することによりＦｅ−４２％Ｎｉとほ
ぼ同等の濡れ力が得られることが分る。尚、Ｆｅ−４２
％Ｎｉでゲッター材の有無が殆ど影響していないのは、
Ｃｒ等の酸化しやすい元素を含んでいないからである。
ゲッター材を使用することによりＦｅ−４２％Ｎｉとほ
ぼ同等の濡れ力が得られることが分る。尚、Ｆｅ−４２
％Ｎｉでゲッター材の有無が殆ど影響していないのは、
Ｃｒ等の酸化しやすい元素を含んでいないからである。
【００１８】以上本発明の実施例を詳述したがこれはあ
くまで一例示である。例えば本発明はダイボンド工程，
ワイヤボンド工程，樹脂モールド等のパッケージ工程の
全てに適用するのが好ましいが、場合により何れかの工
程のみに適用しても良い。その他本発明はその主旨を逸
脱しない範囲において、種々変更を加えた態様で実施可
能である。
くまで一例示である。例えば本発明はダイボンド工程，
ワイヤボンド工程，樹脂モールド等のパッケージ工程の
全てに適用するのが好ましいが、場合により何れかの工
程のみに適用しても良い。その他本発明はその主旨を逸
脱しない範囲において、種々変更を加えた態様で実施可
能である。
【図１】本発明の一実施例の効果を確認するためのオー
ジェによるＯの分析結果を示す図である。
ジェによるＯの分析結果を示す図である。
【図２】同実施例の効果を確認するために行ったリード
フレームのハンダの濡れ力測定の結果を示す図である。
フレームのハンダの濡れ力測定の結果を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパット部にチップ
をボンディングするダイボンド工程、リードフレームの
リード部及びチップ間のワイヤボンド工程、該チップ及
びダイパット部を樹脂等パッケージ材でパッケージする
パッケージ工程を、金型のセット空間に該リードフレー
ムをセットした状態で行うＩＣパッケージの製造方法に
おいて前記金型のセット空間若しくはこれに連通する空
間内にＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉの何れか一種
又は二種以上の単体金属若しくは合金をゲッター材とし
て配置した状態で、該セット空間内に酸化防止用の不活
性なガスを吹き込んで該セット空間を該ガスにてシール
ドしつつ前記ダイボンド工程，ワイヤボンド工程，パッ
ケージ工程を行うことを特徴とするＩＣパッケージの製
造方法。 - 【請求項２】 前記リードフレームがＣｒ：５〜１０重
量％含有するＦｅ−Ｃｒ系合金から成るものであること
を特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18894494A JPH0832014A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｉｃパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18894494A JPH0832014A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｉｃパッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832014A true JPH0832014A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16232652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18894494A Pending JPH0832014A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｉｃパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404160B2 (en) | 1998-12-24 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Numerical control apparatus |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP18894494A patent/JPH0832014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404160B2 (en) | 1998-12-24 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Numerical control apparatus |
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