JPH08319158A - 強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ - Google Patents
強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリInfo
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- JPH08319158A JPH08319158A JP7121886A JP12188695A JPH08319158A JP H08319158 A JPH08319158 A JP H08319158A JP 7121886 A JP7121886 A JP 7121886A JP 12188695 A JP12188695 A JP 12188695A JP H08319158 A JPH08319158 A JP H08319158A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 疲労現象が起きにくい、特性の安定した寿命
の長い強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する。 【構成】 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、
ランタンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素が
ドープされて成る強誘電体材料。
の長い強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する。 【構成】 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、
ランタンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素が
ドープされて成る強誘電体材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体材料およびこ
れを用いた強誘電体メモリに係わる。
れを用いた強誘電体メモリに係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＦｅＲＡＭもしくはＦＲＡＭ（Fe
rroelectric Random Access Memory）と呼称される強誘
電体不揮発性メモリの研究、開発が盛んである。この強
誘電体不揮発性メモリはそのキャパシタ部を構成する誘
電体が強誘電体膜に置き換えられた構造を有するもので
ある。
rroelectric Random Access Memory）と呼称される強誘
電体不揮発性メモリの研究、開発が盛んである。この強
誘電体不揮発性メモリはそのキャパシタ部を構成する誘
電体が強誘電体膜に置き換えられた構造を有するもので
ある。
【０００３】この強誘電体不揮発メモリは、キャパシタ
内部の強誘電体膜に反転可能な外部電場を与え、これに
より自発分極（Ｐｓ）を誘起させ、外部電場を除いてゼ
ロとしたときの残留分極（Ｐｒ）の向きを”０””１”
の情報に対応させてメモリするものである。
内部の強誘電体膜に反転可能な外部電場を与え、これに
より自発分極（Ｐｓ）を誘起させ、外部電場を除いてゼ
ロとしたときの残留分極（Ｐｒ）の向きを”０””１”
の情報に対応させてメモリするものである。
【０００４】強誘電体メモリの強誘電体材料の１つとし
て、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物、いわゆる
ＰＺＴがある。
て、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物、いわゆる
ＰＺＴがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＺＴ
を強誘電体材料として用いた強誘電体メモリでは、外部
電場の反転を繰り返すことにより、次第に残留分極（Ｐ
ｒ）値の低下を招く、疲労現象がみられ、メモリの寿命
が短いという問題がある。
を強誘電体材料として用いた強誘電体メモリでは、外部
電場の反転を繰り返すことにより、次第に残留分極（Ｐ
ｒ）値の低下を招く、疲労現象がみられ、メモリの寿命
が短いという問題がある。
【０００６】この疲労の原因としては、鉛原子の抜け
や、酸素原子の抜け等が従来考えられていたが、原因の
特定は未だなされていない。
や、酸素原子の抜け等が従来考えられていたが、原因の
特定は未だなされていない。
【０００７】本発明は、上述した疲労を抑制し、特性の
安定した強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する
ものである。
安定した強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、鉛、チタンお
よびジルコニウムの酸化物に、ランタンを除く希土類元
素の１種あるいは複数の元素がドープされて成ることを
特徴とする強誘電体材料である。
よびジルコニウムの酸化物に、ランタンを除く希土類元
素の１種あるいは複数の元素がドープされて成ることを
特徴とする強誘電体材料である。
【０００９】また本発明は、キャパシタ部分の誘電体膜
が、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、ランタ
ンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素がドープ
されて成る強誘電体材料によって構成されたことを特徴
とする強誘電体メモリである。
が、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、ランタ
ンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素がドープ
されて成る強誘電体材料によって構成されたことを特徴
とする強誘電体メモリである。
【００１０】
【作用】すなわち、本発明においては、本発明者等によ
って、上述したＰＺＴ強誘電体の疲労の原因が、酸素原
子が抜けることで残った酸素イオンの回りにあった電子
がチタンイオンの３ｄ軌道に入るためであることを究明
したことに基づき、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸
化物（ＰＺＴ）からなる強誘電体材料において、ランタ
ンを除く希土類元素から１種あるいは複数の元素を選択
して酸化物（ＰＺＴ）にドープすることにより、後述の
ように酸素が抜ける時に残る電子がチタンイオンの軌道
に入ることを防止し、その結果チタンイオンの軌道に電
子が入ることによって起こるＰＺＴの疲労を抑制する。
って、上述したＰＺＴ強誘電体の疲労の原因が、酸素原
子が抜けることで残った酸素イオンの回りにあった電子
がチタンイオンの３ｄ軌道に入るためであることを究明
したことに基づき、鉛、チタンおよびジルコニウムの酸
化物（ＰＺＴ）からなる強誘電体材料において、ランタ
ンを除く希土類元素から１種あるいは複数の元素を選択
して酸化物（ＰＺＴ）にドープすることにより、後述の
ように酸素が抜ける時に残る電子がチタンイオンの軌道
に入ることを防止し、その結果チタンイオンの軌道に電
子が入ることによって起こるＰＺＴの疲労を抑制する。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例の説明に先立ち、本発明の概
要について説明する。
要について説明する。
【００１２】本発明による強誘電体材料は、ランタンを
除く希土類元素から１種あるいは複数の元素をＰＺＴに
ドープするものである。
除く希土類元素から１種あるいは複数の元素をＰＺＴに
ドープするものである。
【００１３】ＰＺＴの疲労の原因は、前述のように特定
されていなかったが、本発明者らは各軌道のエネルギー
バンドの計算により、疲労の原因が酸素原子が抜けるこ
とで残った酸素イオンの周囲にあった電子が、チタンイ
オンの３ｄ軌道に入るためであることを見い出した。
されていなかったが、本発明者らは各軌道のエネルギー
バンドの計算により、疲労の原因が酸素原子が抜けるこ
とで残った酸素イオンの周囲にあった電子が、チタンイ
オンの３ｄ軌道に入るためであることを見い出した。
【００１４】このエネルギーバンドの計算結果により、
ＰＺＴにおいて起きている様々な現象を説明することが
可能となった。
ＰＺＴにおいて起きている様々な現象を説明することが
可能となった。
【００１５】例えば、ＰＺＴにランタンをドープしたい
わゆるＰＬＺＴは、ＰＺＴに較べて疲労するまでの寿命
が長く、疲労特性が優れているが（K.Amanuma et al.,J
pn.J.Appl.Phys.,Vol.33,p5211(1994)参照）、これまで
はその理由は明らかでなかった。
わゆるＰＬＺＴは、ＰＺＴに較べて疲労するまでの寿命
が長く、疲労特性が優れているが（K.Amanuma et al.,J
pn.J.Appl.Phys.,Vol.33,p5211(1994)参照）、これまで
はその理由は明らかでなかった。
【００１６】これもエネルギーバンドの計算結果に基づ
いて考えると、説明が可能となる。図１Ａに、ＰＺＴ中
に存在するＰｂＴｉＯ3 のフェルミレベル付近でのエネ
ルギーバンドの概念図を示す。また図１Ｂに、ＰｂＴｉ
Ｏ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置換したもののフェルミレベル
付近でのエネルギーバンドの概念図を示す。図１Ａおよ
び図１Ｂにおいて、縦軸はエネルギーレベル、横軸は状
態密度を表している。
いて考えると、説明が可能となる。図１Ａに、ＰＺＴ中
に存在するＰｂＴｉＯ3 のフェルミレベル付近でのエネ
ルギーバンドの概念図を示す。また図１Ｂに、ＰｂＴｉ
Ｏ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置換したもののフェルミレベル
付近でのエネルギーバンドの概念図を示す。図１Ａおよ
び図１Ｂにおいて、縦軸はエネルギーレベル、横軸は状
態密度を表している。
【００１７】図１Ａにおいては、フェルミレベルＥF の
すぐ上にチタンの３ｄバンドが存在しているが、図１Ｂ
においては、フェルミレベルＥF とチタンの３ｄバンド
との間にランタンの４ｆバンドが存在している。従っ
て、図１Ｂに示したＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置
換したものでは、酸素原子が抜けるときに残った電子が
チタンの３ｄバンドに入らずに、ランタンの４ｆバンド
に入ることになる。
すぐ上にチタンの３ｄバンドが存在しているが、図１Ｂ
においては、フェルミレベルＥF とチタンの３ｄバンド
との間にランタンの４ｆバンドが存在している。従っ
て、図１Ｂに示したＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置
換したものでは、酸素原子が抜けるときに残った電子が
チタンの３ｄバンドに入らずに、ランタンの４ｆバンド
に入ることになる。
【００１８】疲労の現象は、図１Ａに示すようにフェル
ミレベルＥF のすぐ上にチタンの３ｄバンドが存在して
いるために、酸素原子が抜けるときに残った電子が、チ
タンの３ｄバンドに入ってしまうことが原因と考えられ
る。これに対し、図１Ｂの場合にはフェルミレベルＥF
の上にＬａの４ｆが存在していることによって疲労の現
象が起きにくくなると考えられる。
ミレベルＥF のすぐ上にチタンの３ｄバンドが存在して
いるために、酸素原子が抜けるときに残った電子が、チ
タンの３ｄバンドに入ってしまうことが原因と考えられ
る。これに対し、図１Ｂの場合にはフェルミレベルＥF
の上にＬａの４ｆが存在していることによって疲労の現
象が起きにくくなると考えられる。
【００１９】このように考えると、ランタンに限らず、
電子が入る余地のある４ｆ準位を有する原子であれば、
疲労を抑制することができることがわかる。従って、電
子が入る余地のある４ｆ準位を有している、希土類元素
であれば疲労を抑制する効果を有するものである。
電子が入る余地のある４ｆ準位を有する原子であれば、
疲労を抑制することができることがわかる。従って、電
子が入る余地のある４ｆ準位を有している、希土類元素
であれば疲労を抑制する効果を有するものである。
【００２０】続いて、本発明による強誘電体材料と強誘
電体メモリの実施例について説明する。この実施例は、
強誘電体メモリとして、図２に断面図を示すスタック型
構造の不揮発性メモリを形成する場合の例である。この
例においては、半導体基板１の局部酸化いわゆるＬＯＣ
ＯＳによって形成した素子分離絶縁層２によって分離さ
れた領域に、ソース領域５とドレイン領域６が形成さ
れ、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４が設けられた
ＭＩＳトランジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ）が形成され、これの上に、層間絶縁層７を介して、
下部電極８が形成され、これの上に強誘電体層９を挟ん
で、上部電極１０が形成されて成る。そして、図示の例
ではコンタクトホール１２を通じて、ドレイン領域６と
上部電極１０とに配線１３が接続された構造を有する。
電体メモリの実施例について説明する。この実施例は、
強誘電体メモリとして、図２に断面図を示すスタック型
構造の不揮発性メモリを形成する場合の例である。この
例においては、半導体基板１の局部酸化いわゆるＬＯＣ
ＯＳによって形成した素子分離絶縁層２によって分離さ
れた領域に、ソース領域５とドレイン領域６が形成さ
れ、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４が設けられた
ＭＩＳトランジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ）が形成され、これの上に、層間絶縁層７を介して、
下部電極８が形成され、これの上に強誘電体層９を挟ん
で、上部電極１０が形成されて成る。そして、図示の例
ではコンタクトホール１２を通じて、ドレイン領域６と
上部電極１０とに配線１３が接続された構造を有する。
【００２１】この構成において下部電極８と上部電極１
０との間に電位差により電界をかけることにより、強誘
電体層９に自発分極Ｐｓを発生させ、前述したように、
電界を除いた後の残留分極Ｐｒの向きによって”０””
１”の情報をメモリする。
０との間に電位差により電界をかけることにより、強誘
電体層９に自発分極Ｐｓを発生させ、前述したように、
電界を除いた後の残留分極Ｐｒの向きによって”０””
１”の情報をメモリする。
【００２２】この図２に示すスタック型構造の不揮発メ
モリの製法の工程図を図３Ａ〜図３Ｆに示す。図３Ａに
示すように、シリコンからなる半導体基板１上の素子形
成部内にＬＯＣＯＳにより、ＳｉＯ2 からなる素子分離
絶縁層２を形成する。
モリの製法の工程図を図３Ａ〜図３Ｆに示す。図３Ａに
示すように、シリコンからなる半導体基板１上の素子形
成部内にＬＯＣＯＳにより、ＳｉＯ2 からなる素子分離
絶縁層２を形成する。
【００２３】次に図３Ｂに示すように、素子形成部の半
導体基板１表面を熱酸化して、ＳｉＯ2 による、ゲート
絶縁膜３を形成する。この、ゲート絶縁膜３上に多結晶
シリコンを形成し、この多結晶シリコンをパターンエッ
チングして、ゲート電極４を形成する。さらにゲート電
極４をマスクとして、半導体基板１に不純物のイオン注
入によりソース領域５およびドレイン領域６を形成す
る。
導体基板１表面を熱酸化して、ＳｉＯ2 による、ゲート
絶縁膜３を形成する。この、ゲート絶縁膜３上に多結晶
シリコンを形成し、この多結晶シリコンをパターンエッ
チングして、ゲート電極４を形成する。さらにゲート電
極４をマスクとして、半導体基板１に不純物のイオン注
入によりソース領域５およびドレイン領域６を形成す
る。
【００２４】図３Ｃに示すように、表面を覆って全面的
にＳｉＯ2 等の層間絶縁層７を形成する。この層間絶縁
層７に全面的に白金等からなる金属層を形成し、パター
ンエッチングして下部電極８を形成する。
にＳｉＯ2 等の層間絶縁層７を形成する。この層間絶縁
層７に全面的に白金等からなる金属層を形成し、パター
ンエッチングして下部電極８を形成する。
【００２５】図３Ｄに示すように、同様に下部電極８上
に、希土類元素例えばＮｄをドープしたＰｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 からなる強誘電体および白金等の金属層を順次
全面的に積層形成し、これらをパターンエッチングし
て、それぞれ強誘電体層９および上部電極１０を形成す
る。
に、希土類元素例えばＮｄをドープしたＰｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 からなる強誘電体および白金等の金属層を順次
全面的に積層形成し、これらをパターンエッチングし
て、それぞれ強誘電体層９および上部電極１０を形成す
る。
【００２６】図３Ｅに示すように、全体を覆ってＳｉＯ
2 からなる層間絶縁層１１を積層形成させる。
2 からなる層間絶縁層１１を積層形成させる。
【００２７】図３Ｆに示すように、ドレイン領域６上の
層間絶縁層７と、上部電極１０の上の層間絶縁層１１に
それぞれコンタクトホール１２を穿設する。さらに蒸着
などによりＡｌによる配線１３を被着形成し、エッチン
グにより必要な部分のみ残す。
層間絶縁層７と、上部電極１０の上の層間絶縁層１１に
それぞれコンタクトホール１２を穿設する。さらに蒸着
などによりＡｌによる配線１３を被着形成し、エッチン
グにより必要な部分のみ残す。
【００２８】このようにして、図２に示した強誘電体メ
モリを形成することができる。
モリを形成することができる。
【００２９】また図４に本発明の強誘電体材料の作製に
用いるスパッタ装置の一例の概略構成図（上面図）を示
す。図４のスパッタ装置は、真空ポンプＰが結合されて
高密度に保持されるチェンバー２０内に、４つのイオン
源２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄおよび、これらのイ
オン源に対応した、例えばＰｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，およびド
ープ材料の希土類元素からなる、金属ターゲット２２
ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが配置される。また、雰囲
気としての酸素ガスの供給部Ｏと、酸素をプラズマ化さ
せるマイクロ波の印加部Ｍとを有する構成である。
用いるスパッタ装置の一例の概略構成図（上面図）を示
す。図４のスパッタ装置は、真空ポンプＰが結合されて
高密度に保持されるチェンバー２０内に、４つのイオン
源２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄおよび、これらのイ
オン源に対応した、例えばＰｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，およびド
ープ材料の希土類元素からなる、金属ターゲット２２
ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが配置される。また、雰囲
気としての酸素ガスの供給部Ｏと、酸素をプラズマ化さ
せるマイクロ波の印加部Ｍとを有する構成である。
【００３０】シリコンウエーハ２３がホルダー２４によ
り固定され、このシリコンウエーハ２３上にイオン源２
１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄから出射されたアルゴン
ビームＢが金属ターゲット２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２
２ｄに照射され、各金属がシリコンウエーハ２３上に飛
翔されて目的とする強誘電体膜が形成される。
り固定され、このシリコンウエーハ２３上にイオン源２
１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄから出射されたアルゴン
ビームＢが金属ターゲット２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２
２ｄに照射され、各金属がシリコンウエーハ２３上に飛
翔されて目的とする強誘電体膜が形成される。
【００３１】次に本発明による強誘電体材料の電子状態
について説明する。図５ＡにＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+のサ
イトを、Ｌａ3+に置換した場合のフェルミレベルＥF 付
近の状態密度を示し、図５Ｂに同じくＰｂＴｉＯ3 のＰ
ｂ2+のサイトをＮｄ3+に置換した場合のフェルミレベル
ＥF 付近の状態密度を示す。
について説明する。図５ＡにＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+のサ
イトを、Ｌａ3+に置換した場合のフェルミレベルＥF 付
近の状態密度を示し、図５Ｂに同じくＰｂＴｉＯ3 のＰ
ｂ2+のサイトをＮｄ3+に置換した場合のフェルミレベル
ＥF 付近の状態密度を示す。
【００３２】図５Ａの場合には、フェルミレベルＥF の
すぐ上にＬａの４ｆ準位が存在し、図５Ｂの場合には、
Ｎｄの４ｆ準位上をフェルミレベルＥF が横切ってい
る。
すぐ上にＬａの４ｆ準位が存在し、図５Ｂの場合には、
Ｎｄの４ｆ準位上をフェルミレベルＥF が横切ってい
る。
【００３３】Ｐｂ2+サイトをこのように希土類に置換し
た場合、フェルミレベルＥF は、４ｆ準位上あるいは４
ｆ準位のすぐ上に存在する。そのため酸素イオンが酸素
原子として抜け出た場合でも、残った電子はチタンの３
ｄ準位には存在せず、希土類の４ｆ準位に存在すること
になる。
た場合、フェルミレベルＥF は、４ｆ準位上あるいは４
ｆ準位のすぐ上に存在する。そのため酸素イオンが酸素
原子として抜け出た場合でも、残った電子はチタンの３
ｄ準位には存在せず、希土類の４ｆ準位に存在すること
になる。
【００３４】ＰＺＴの疲労の現象は、前述のように酸素
原子の抜けにより残った電子がチタンの３ｄバンドに入
るために起きるから、ランタンと同様に他の希土類も疲
労を抑制するのに有効である。
原子の抜けにより残った電子がチタンの３ｄバンドに入
るために起きるから、ランタンと同様に他の希土類も疲
労を抑制するのに有効である。
【００３５】ここで希土類元素の種類は、４ｆ準位に電
子が充分入るだけの余裕を持たせるために、出来るだけ
原子番号の小さい希土類をドープすることが好ましい。
子が充分入るだけの余裕を持たせるために、出来るだけ
原子番号の小さい希土類をドープすることが好ましい。
【００３６】本発明の強誘電体材料および強誘電体メモ
リは、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
リは、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
【００３７】
【発明の効果】上述の本発明による強誘電体材料および
強誘電体メモリによれば、ランタンを除く希土類元素を
ＰＺＴにドープすることにより、酸素原子が抜ける際に
残る電子がチタンの３ｄバンドに入らずに希土類の４ｆ
バンドに入るため、チタンの３ｄバンドに電子が入るこ
とによりＰＺＴが疲労する現象を抑制することができ
る。
強誘電体メモリによれば、ランタンを除く希土類元素を
ＰＺＴにドープすることにより、酸素原子が抜ける際に
残る電子がチタンの３ｄバンドに入らずに希土類の４ｆ
バンドに入るため、チタンの３ｄバンドに電子が入るこ
とによりＰＺＴが疲労する現象を抑制することができ
る。
【００３８】疲労を抑制することにより、安定して長寿
命の強誘電体材料を得ることができ、この強誘電体材料
をキャパシター部分の誘電体膜に用いることにより、動
作やデバイス特性の安定した強誘電体メモリを得ること
ができる。
命の強誘電体材料を得ることができ、この強誘電体材料
をキャパシター部分の誘電体膜に用いることにより、動
作やデバイス特性の安定した強誘電体メモリを得ること
ができる。
【００３９】また、動作やデバイス特性の安定した強誘
電体メモリをコンピュータの記憶装置等に用いれば、電
源を切った後に電源を供給しなくても長時間の記憶が可
能となるようになり、これを利用して例えばコンピュー
タ内蔵の携帯用電子機器において記憶内容の保持が可能
となる。
電体メモリをコンピュータの記憶装置等に用いれば、電
源を切った後に電源を供給しなくても長時間の記憶が可
能となるようになり、これを利用して例えばコンピュー
タ内蔵の携帯用電子機器において記憶内容の保持が可能
となる。
【図１】Ａ ＰＺＴ中に存在するＰｂＴｉＯ3 のフェル
ミレベル付近でのエネルギーバンドの概念図である。 Ｂ ＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置換したもののフ
ェルミレベル付近でのエネルギーバンドの概念図であ
る。
ミレベル付近でのエネルギーバンドの概念図である。 Ｂ ＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+をＬａ3+に置換したもののフ
ェルミレベル付近でのエネルギーバンドの概念図であ
る。
【図２】スタック型構造の不揮発メモリの断面図であ
る。
る。
【図３】Ａ〜Ｆ 図２に示した不揮発メモリの製造工程
図である。
図である。
【図４】本発明の強誘電体材料の作製に用いるスパッタ
装置の一例の概略図である。
装置の一例の概略図である。
【図５】Ａ ＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+のサイトをＬａ3+に
置換した場合のフェルミレベルＥ F 付近の状態密度であ
る。 Ｂ ＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+のサイトをＮｄ3+に置換した
場合のフェルミレベルＥ F 付近の状態密度である。
置換した場合のフェルミレベルＥ F 付近の状態密度であ
る。 Ｂ ＰｂＴｉＯ3 のＰｂ2+のサイトをＮｄ3+に置換した
場合のフェルミレベルＥ F 付近の状態密度である。
１ 半導体基板 ２ 素子分離絶縁層 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ５ ソース領域 ６ ドレイン領域 ７、１１ 層間絶縁層 ８ 下部電極 ９ 強誘電体膜 １０ 上部電極 １２ コンタクトホール １３ 配線 ２０ チェンバー ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ イオン源 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ 金属ターゲット ２３ シリコンウエーハ ２４ ホルダ
Claims (2)
- 【請求項１】 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物
に、 ランタンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素が
ドープされて成ることを特徴とする強誘電体材料。 - 【請求項２】 キャパシタ部分の誘電体膜が、 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、 ランタンを除く希土類元素の１種あるいは複数の元素が
ドープされて成る強誘電体材料によって構成されたこと
を特徴とする強誘電体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121886A JPH08319158A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121886A JPH08319158A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319158A true JPH08319158A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14822352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121886A Pending JPH08319158A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08319158A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121647A (en) * | 1996-06-26 | 2000-09-19 | Tdk Corporation | Film structure, electronic device, recording medium, and process of preparing ferroelectric thin films |
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1995
- 1995-05-19 JP JP7121886A patent/JPH08319158A/ja active Pending
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