JPH0831830A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- JPH0831830A JPH0831830A JP6158622A JP15862294A JPH0831830A JP H0831830 A JPH0831830 A JP H0831830A JP 6158622 A JP6158622 A JP 6158622A JP 15862294 A JP15862294 A JP 15862294A JP H0831830 A JPH0831830 A JP H0831830A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクの貫通孔に半田ペーストを充填し、基
板上に型抜きすることによって、コストが低く、破断事
故のおそれのない半田バンプ形成方法を提供する。 【構成】 基板１０上に、予めパッド１２をマスク２４
の貫通孔２４ａの配列と対応するように配列して設け、
マスク２４を、基板１０と平行になるように、上方に少
し離してセットし、半田ペースト３４を充填する。次
に、型抜きすることにより半田ペーストを予備半田バン
プ３４ａとしてパッド１２上に配列させる。その後、予
備半田バンプをリフローさせて半田バンプ４４を形成す
る。
板上に型抜きすることによって、コストが低く、破断事
故のおそれのない半田バンプ形成方法を提供する。 【構成】 基板１０上に、予めパッド１２をマスク２４
の貫通孔２４ａの配列と対応するように配列して設け、
マスク２４を、基板１０と平行になるように、上方に少
し離してセットし、半田ペースト３４を充填する。次
に、型抜きすることにより半田ペーストを予備半田バン
プ３４ａとしてパッド１２上に配列させる。その後、予
備半田バンプをリフローさせて半田バンプ４４を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ボールグリッドアレ
イにおける、半田バンプ形成方法に関する。
イにおける、半田バンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、取り扱う情報量の増大、高速化等
にともない、ＬＳＩ等の電子部品の信号入出力端子数は
増大する傾向にある。しかし一方、電子機器の小型化の
要請が高まり、電子部品もさらなる小型化が求められて
いる。このため、電子部品の実装密度は高くなる一方、
電子部品の端子間ピッチはますます狭ピッチ化する傾向
にある。ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
は、このような電子部品の多端子化、端子の狭ピッチ化
に伴って注目されるようになった技術である。
にともない、ＬＳＩ等の電子部品の信号入出力端子数は
増大する傾向にある。しかし一方、電子機器の小型化の
要請が高まり、電子部品もさらなる小型化が求められて
いる。このため、電子部品の実装密度は高くなる一方、
電子部品の端子間ピッチはますます狭ピッチ化する傾向
にある。ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
は、このような電子部品の多端子化、端子の狭ピッチ化
に伴って注目されるようになった技術である。
【０００３】ＢＧＡのための半田バンプを形成する方法
として、一般的にはボール半田を基板に搭載する方法
と、半田ペーストを基板に印刷（塗布）する方法とが知
られている。以下、図面を用いて、これらの方法を説明
する。
として、一般的にはボール半田を基板に搭載する方法
と、半田ペーストを基板に印刷（塗布）する方法とが知
られている。以下、図面を用いて、これらの方法を説明
する。
【０００４】図３および図４は、従来の、半田バンプを
形成する方法を説明するための製造工程断面図である。
半導体チップを搭載して封止したＢＧＡ基板の裏面に半
田バンプを形成するのであるが、図はＢＧＡ基板の裏面
に半田バンプを形成する方法のみを表す。よって、ＢＧ
Ａ基板の表面となるその他の部分は省略してある。ま
た、断面を示すハッチング等は一部分を除き省略する。
形成する方法を説明するための製造工程断面図である。
半導体チップを搭載して封止したＢＧＡ基板の裏面に半
田バンプを形成するのであるが、図はＢＧＡ基板の裏面
に半田バンプを形成する方法のみを表す。よって、ＢＧ
Ａ基板の表面となるその他の部分は省略してある。ま
た、断面を示すハッチング等は一部分を除き省略する。
【０００５】図３は、ボール半田を基板に搭載して半田
バンプを形成する方法である。
バンプを形成する方法である。
【０００６】まず、基板１０上に予めパッド１２を配列
して設け、そのパッド１２上にフラックス１４を塗布し
ておく（図３の（Ａ））。
して設け、そのパッド１２上にフラックス１４を塗布し
ておく（図３の（Ａ））。
【０００７】次に、マスク２０を、基板１０と平行にな
るように、上方に少し離してセットする。この時、同時
に、マスクの貫通孔２０ａの配列とパッド１２の配列と
を対応させるようにする（図３の（Ｂ））。
るように、上方に少し離してセットする。この時、同時
に、マスクの貫通孔２０ａの配列とパッド１２の配列と
を対応させるようにする（図３の（Ｂ））。
【０００８】次に、ボール半田３０を、マスク２０の貫
通孔２０ａに嵌め入れ、パッド１２に接着する（図３の
（Ｃ））。
通孔２０ａに嵌め入れ、パッド１２に接着する（図３の
（Ｃ））。
【０００９】その後、マスク２０を外してリフローさせ
ることで半田バンプ４０が形成される（図３の
（Ｄ））。
ることで半田バンプ４０が形成される（図３の
（Ｄ））。
【００１０】図４は、半田ペーストを基板に印刷して半
田バンプを形成する方法である。
田バンプを形成する方法である。
【００１１】まず、基板１０上に予めパッド１２を配列
させておく（図４の（Ａ））。
させておく（図４の（Ａ））。
【００１２】次に、マスク２２を、基板１０と平行にな
るように、上方にわずかに離してセットする。この時、
同時に、マスクの貫通孔２２ａの配列とパッド１２の配
列とを対応させるようにする（図４の（Ｂ））。
るように、上方にわずかに離してセットする。この時、
同時に、マスクの貫通孔２２ａの配列とパッド１２の配
列とを対応させるようにする（図４の（Ｂ））。
【００１３】次に、スキージ５０により、半田ペースト
３２を基板に印刷する。スキージ５０を、角度を持たせ
て水平方向に動かすと、圧力により半田ペースト３２は
貫通孔２２ａに充填され、この半田ペースト３２が基板
１０のパッド１２上に載置される。（図４の（Ｃ））。
３２を基板に印刷する。スキージ５０を、角度を持たせ
て水平方向に動かすと、圧力により半田ペースト３２は
貫通孔２２ａに充填され、この半田ペースト３２が基板
１０のパッド１２上に載置される。（図４の（Ｃ））。
【００１４】その後、マスク２２を外してリフローさせ
ることで半田バンプ４２が形成される（図４の
（Ｄ））。
ることで半田バンプ４２が形成される（図４の
（Ｄ））。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の２つのバンプ形成方法には、以下のような問題
点があった。図３で説明したような、個別のボール半田
を基板上に搭載する方法によれば、ばらつきが少なく安
定した大きさの半田バンプを得ることができる。反面、
個別のボール半田が必要であるため、半田ペーストを基
板上に印刷する方法に比べてコスト高となる。
た従来の２つのバンプ形成方法には、以下のような問題
点があった。図３で説明したような、個別のボール半田
を基板上に搭載する方法によれば、ばらつきが少なく安
定した大きさの半田バンプを得ることができる。反面、
個別のボール半田が必要であるため、半田ペーストを基
板上に印刷する方法に比べてコスト高となる。
【００１６】一方、半田ペーストを基板上に印刷する方
法では、複数の接続箇所の半田バンプを一度に形成でき
るのでコストは安くてすむ。しかしボール半田を用いる
方法に比べて、ばらつきが少なく安定した大きさのバン
プを得ることが困難であり、また体積の大きなバンプを
得ることも困難である。印刷マスクの厚さや貫通孔の直
径を大きくしても、ある程度以上の大きさの半田バンプ
を得ることは望めない。なぜなら、マスクの厚さを大き
くすると、充填した半田ペーストがパッド上に完全に抜
けずに貫通孔に残留するようになるからであり、また、
厚みに合わせて貫通孔の直径を大きくするにしても、Ｂ
ＧＡなどのように狭ピッチでバンプを形成する必要のあ
るものは、大きさに限界が生じてしまうからである。
法では、複数の接続箇所の半田バンプを一度に形成でき
るのでコストは安くてすむ。しかしボール半田を用いる
方法に比べて、ばらつきが少なく安定した大きさのバン
プを得ることが困難であり、また体積の大きなバンプを
得ることも困難である。印刷マスクの厚さや貫通孔の直
径を大きくしても、ある程度以上の大きさの半田バンプ
を得ることは望めない。なぜなら、マスクの厚さを大き
くすると、充填した半田ペーストがパッド上に完全に抜
けずに貫通孔に残留するようになるからであり、また、
厚みに合わせて貫通孔の直径を大きくするにしても、Ｂ
ＧＡなどのように狭ピッチでバンプを形成する必要のあ
るものは、大きさに限界が生じてしまうからである。
【００１７】たとえば、貫通孔の直径が０．７２ｍｍで
厚さが０．４ｍｍであるマスクを使用して印刷しても、
マザーボードに接続する前の高さが０．３８ｍｍのバン
プを形成するのが限界である。これは直径が０．４ｍｍ
のボール半田をリフローして形成した半田バンプと同じ
体積のものである。
厚さが０．４ｍｍであるマスクを使用して印刷しても、
マザーボードに接続する前の高さが０．３８ｍｍのバン
プを形成するのが限界である。これは直径が０．４ｍｍ
のボール半田をリフローして形成した半田バンプと同じ
体積のものである。
【００１８】一般に、ＢＧＡ基板は、数十〜数百の端子
を有し、これらが半田バンプによってマザーボードと接
続されている。半田バンプには力学的な応力が作用して
いるが、この応力によって生ずる剪断歪が大きくなると
バンプが破断することが知られている。
を有し、これらが半田バンプによってマザーボードと接
続されている。半田バンプには力学的な応力が作用して
いるが、この応力によって生ずる剪断歪が大きくなると
バンプが破断することが知られている。
【００１９】多数の半田バンプの一つでも破断してしま
うと、マザーボードとＢＧＡ基板との接続全体が破断と
なってしまうため、一般にＢＧＡ基板とマザーボードと
の接続寿命は、多数の半田バンプの中、最も破断しやす
いと思われる半田バンプの寿命と同義に論ぜられる。こ
こで最も破断しやすい半田バンプとは、最も応力のかか
る半田バンプであると考えられ、すなわちＢＧＡ基板の
力学的中心よりの距離が最も大きいバンプであるといえ
る。そこで、このバンプに作用する剪断歪をγMAX とす
ると、ＢＧＡ基板とマザーボードとの接続寿命Ｎｆは、
剪断歪、材料定数および構造寸法と次のような関係にあ
ることが広く知られている。
うと、マザーボードとＢＧＡ基板との接続全体が破断と
なってしまうため、一般にＢＧＡ基板とマザーボードと
の接続寿命は、多数の半田バンプの中、最も破断しやす
いと思われる半田バンプの寿命と同義に論ぜられる。こ
こで最も破断しやすい半田バンプとは、最も応力のかか
る半田バンプであると考えられ、すなわちＢＧＡ基板の
力学的中心よりの距離が最も大きいバンプであるといえ
る。そこで、このバンプに作用する剪断歪をγMAX とす
ると、ＢＧＡ基板とマザーボードとの接続寿命Ｎｆは、
剪断歪、材料定数および構造寸法と次のような関係にあ
ることが広く知られている。
【００２０】Ｎｆ＝Ａ／γMAX 2 γMAX ＝Δα・Ｌ・ΔＴ／Ｈ ここで、Ａは半田材料によって決まる定数、γMAX は剪
断歪、ΔαはＢＧＡ基板とマザーボード間の熱膨張係数
差、ＬはＢＧＡ基板の力学的中心と、この力学的中心か
ら最も離れた位置の半田バンプとの間の距離、ΔＴは各
回の熱サイクルの温度差、Ｈは半田バンプの高さであ
る。
断歪、ΔαはＢＧＡ基板とマザーボード間の熱膨張係数
差、ＬはＢＧＡ基板の力学的中心と、この力学的中心か
ら最も離れた位置の半田バンプとの間の距離、ΔＴは各
回の熱サイクルの温度差、Ｈは半田バンプの高さであ
る。
【００２１】よって半田バンプの高さが低いと、ＢＧＡ
基板とマザーボードとの間に発生する剪断歪が大きくな
り、バンプが破断して、その結果接続寿命が短くなるも
のである。
基板とマザーボードとの間に発生する剪断歪が大きくな
り、バンプが破断して、その結果接続寿命が短くなるも
のである。
【００２２】したがって従来から、コストが安く、しか
も、同時に剪断歪により破断しにくい大きさの半田バン
プを形成する方法が望まれていた。
も、同時に剪断歪により破断しにくい大きさの半田バン
プを形成する方法が望まれていた。
【００２３】
【課題を解決するための手段】このため、この発明によ
れば、ＢＧＡの半田バンプを形成するに当たり、マスク
に配列された複数の貫通孔に、形状が維持できる程度の
粘性を有する半田ペーストを充填し、この充填された半
田ペーストを、予備半田バンプとして型抜きすることに
よって貫通孔に対応した位置に設けてあるパッド上にそ
れぞれ配列させ、この予備半田バンプをリフローさせて
半田バンプに変えることを工程上の特徴とする。
れば、ＢＧＡの半田バンプを形成するに当たり、マスク
に配列された複数の貫通孔に、形状が維持できる程度の
粘性を有する半田ペーストを充填し、この充填された半
田ペーストを、予備半田バンプとして型抜きすることに
よって貫通孔に対応した位置に設けてあるパッド上にそ
れぞれ配列させ、この予備半田バンプをリフローさせて
半田バンプに変えることを工程上の特徴とする。
【００２４】ここで、予備半田バンプとは、型抜き後に
パッド上に載置された柱状の半田ペーストのことであ
る。
パッド上に載置された柱状の半田ペーストのことであ
る。
【００２５】なお、この発明の実施に当たり、前述の貫
通孔の各々の孔が占める柱状空間の容積を、所望の半田
バンプの体積を半田ペースト中の半田成分の体積比で割
った値とすることが望ましい。
通孔の各々の孔が占める柱状空間の容積を、所望の半田
バンプの体積を半田ペースト中の半田成分の体積比で割
った値とすることが望ましい。
【００２６】また、前述の型抜きに打ち抜き治具を用い
るのが好ましい。
るのが好ましい。
【００２７】
【作用】上述したこの発明の半田バンプの形成方法によ
れば、マスクに配列された複数の貫通孔に、形状が維持
できる程度の粘性を有する半田ペーストを充填している
ため、形崩れすることなく貫通孔と同じ形状の予備半田
バンプに型抜きすることができる。
れば、マスクに配列された複数の貫通孔に、形状が維持
できる程度の粘性を有する半田ペーストを充填している
ため、形崩れすることなく貫通孔と同じ形状の予備半田
バンプに型抜きすることができる。
【００２８】また、半田ペーストを充填し型抜きするこ
とにより、印刷する方法と同様に、ＢＧＡ基板とマザー
ボードとの接続箇所数分の半田バンプを一度に形成でき
る。
とにより、印刷する方法と同様に、ＢＧＡ基板とマザー
ボードとの接続箇所数分の半田バンプを一度に形成でき
る。
【００２９】ここでいう、半田ペースト中には半田成分
以外にフラックス、増粘剤、潤滑剤等が含まれている。
これら半田成分以外の成分は、リフロー後に半田バンプ
や基板上に付着して残るが、最終的には洗浄される。す
なわち、最終的に形成される半田バンプの体積は半田ペ
ーストの体積に比べて減少する。このことより、貫通孔
の容積を、所望の半田バンプの体積を半田ペースト中の
半田成分の体積比で割った値とすると、リフロー後に所
望の体積の半田バンプを得ることができる。
以外にフラックス、増粘剤、潤滑剤等が含まれている。
これら半田成分以外の成分は、リフロー後に半田バンプ
や基板上に付着して残るが、最終的には洗浄される。す
なわち、最終的に形成される半田バンプの体積は半田ペ
ーストの体積に比べて減少する。このことより、貫通孔
の容積を、所望の半田バンプの体積を半田ペースト中の
半田成分の体積比で割った値とすると、リフロー後に所
望の体積の半田バンプを得ることができる。
【００３０】また、型抜きを行うときに、マスクの貫通
孔に対応した形状の、打ち抜き治具を使用すると、型抜
きを容易にするだけでなく、一度にパッド上に打ち抜く
ことができるため、作業の簡略化につながる。
孔に対応した形状の、打ち抜き治具を使用すると、型抜
きを容易にするだけでなく、一度にパッド上に打ち抜く
ことができるため、作業の簡略化につながる。
【００３１】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。なお、各図は、発明が理解できる程度に
概略的に示してあるにすぎない。また、以下の説明にお
いて、特定の材料および条件等を用いるが、これらは好
適例の一つにすぎず、したがって、この発明では何らこ
れに限定されるものではない。さらに、図３および図４
に示した構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付
して示し、また、断面を示すハッチング等は一部分を除
き省略する。
つき説明する。なお、各図は、発明が理解できる程度に
概略的に示してあるにすぎない。また、以下の説明にお
いて、特定の材料および条件等を用いるが、これらは好
適例の一つにすぎず、したがって、この発明では何らこ
れに限定されるものではない。さらに、図３および図４
に示した構成成分と同一の構成成分には同一の符号を付
して示し、また、断面を示すハッチング等は一部分を除
き省略する。
【００３２】図１および図２はこの発明の実施例におけ
る半田バンプの製造工程の断面図を示している。
る半田バンプの製造工程の断面図を示している。
【００３３】まず、複数の貫通孔２４ａが配列形成され
たマスク２４に、形状が維持できる程度の粘性を有する
半田ペースト３４を充填する。
たマスク２４に、形状が維持できる程度の粘性を有する
半田ペースト３４を充填する。
【００３４】そのため、この実施例では、まず、マスク
２４の下に当て具２６を装着する（図１の（Ａ））。マ
スク２４の厚さは１．９ｍｍで貫通孔２４ａの直径は
０．６ｍｍであるものとする。
２４の下に当て具２６を装着する（図１の（Ａ））。マ
スク２４の厚さは１．９ｍｍで貫通孔２４ａの直径は
０．６ｍｍであるものとする。
【００３５】次に、貫通孔２４ａ中に半田ペースト３４
を充填する（図１の（Ｂ））。このとき使用する半田ペ
ースト３４は、後に型抜きをするときに形崩れしない程
度の粘性を有するものが望ましい。また、当て具２６を
使用するのは、半田ペースト３４が、充填時に貫通孔２
４ａから漏れ出さないようにするためである。
を充填する（図１の（Ｂ））。このとき使用する半田ペ
ースト３４は、後に型抜きをするときに形崩れしない程
度の粘性を有するものが望ましい。また、当て具２６を
使用するのは、半田ペースト３４が、充填時に貫通孔２
４ａから漏れ出さないようにするためである。
【００３６】次に、貫通孔２４ａに充填された半田ペー
スト３４を型抜きすることによって、基板１０上のパッ
ド１２上に予備半田バンプ３４ａを載置させる。
スト３４を型抜きすることによって、基板１０上のパッ
ド１２上に予備半田バンプ３４ａを載置させる。
【００３７】このため、この実施例では、まず、基板１
０上に予めパッド１２を配列して設けておく（図１の
（Ｃ））。このパッド１２の形状に、上述のマスク２４
の貫通孔２４ａが対応させてある。貫通孔２４ａの形状
を、必ずしもパッド１２と同一にする必要はないが、バ
ンプの形成が可能な範囲であるものとし、パッド１２の
それぞれのピッチと、貫通孔２４ａのそれぞれのピッチ
とは等しいものとする。
０上に予めパッド１２を配列して設けておく（図１の
（Ｃ））。このパッド１２の形状に、上述のマスク２４
の貫通孔２４ａが対応させてある。貫通孔２４ａの形状
を、必ずしもパッド１２と同一にする必要はないが、バ
ンプの形成が可能な範囲であるものとし、パッド１２の
それぞれのピッチと、貫通孔２４ａのそれぞれのピッチ
とは等しいものとする。
【００３８】次に、マスク２４において、充填した半田
ペースト３４の余分な部分をスキージで除去する（図示
せず）。その後、マスク２４を当て具２６から取り外
し、基板１０と平行になるように、上方に少し離してセ
ットする。このとき、同時に、マスクの貫通孔２４ａの
配列とパッド１２の配列とを対応させるようにする（図
１の（Ｄ））。
ペースト３４の余分な部分をスキージで除去する（図示
せず）。その後、マスク２４を当て具２６から取り外
し、基板１０と平行になるように、上方に少し離してセ
ットする。このとき、同時に、マスクの貫通孔２４ａの
配列とパッド１２の配列とを対応させるようにする（図
１の（Ｄ））。
【００３９】その後、打ち抜き治具２８を用いて半田ペ
ースト３４をマスク２４から押し出す。このため、打ち
抜き治具２８には、マスク２４に形成された貫通孔２４
ａと対応する位置に突出部２８ａが形成されている（図
２の（Ａ））。
ースト３４をマスク２４から押し出す。このため、打ち
抜き治具２８には、マスク２４に形成された貫通孔２４
ａと対応する位置に突出部２８ａが形成されている（図
２の（Ａ））。
【００４０】まず、打ち抜き治具２８をマスク２４の上
方に設置する。このとき、打ち抜き治具２８に形成され
た突出部２８ａと貫通孔２４ａとの位置を合わせる必要
があることはもちろんである。
方に設置する。このとき、打ち抜き治具２８に形成され
た突出部２８ａと貫通孔２４ａとの位置を合わせる必要
があることはもちろんである。
【００４１】この打ち抜き治具２８の突出部分２８ａの
形状は、マスク２４の貫通孔２４ａと必ずしも同形状に
は限定しないが、打ち抜いて型抜きをすることが可能な
程度の大きさを有するものとし、突出部分２８ａのそれ
ぞれのピッチと、貫通孔２４ａのそれぞれのピッチとは
等しいものとする。
形状は、マスク２４の貫通孔２４ａと必ずしも同形状に
は限定しないが、打ち抜いて型抜きをすることが可能な
程度の大きさを有するものとし、突出部分２８ａのそれ
ぞれのピッチと、貫通孔２４ａのそれぞれのピッチとは
等しいものとする。
【００４２】次に、打ち抜き治具２８を垂直に降ろし、
貫通孔２４ａを打ち抜いて半田ペースト３４をパッド１
２上に一度に型抜きする。このときの型抜きされた柱状
の半田ペーストを、予備半田バンプ３４ａとする（図２
の（Ｂ））。
貫通孔２４ａを打ち抜いて半田ペースト３４をパッド１
２上に一度に型抜きする。このときの型抜きされた柱状
の半田ペーストを、予備半田バンプ３４ａとする（図２
の（Ｂ））。
【００４３】その後、マスク２４と打ち抜き治具２８を
取り外し、予備半田バンプ３４ａをリフローさせること
により（図示せず）、半田バンプ４４が形成される（図
２の（Ｃ））。このとき形成された半田バンプ４４の体
積は約０．２６８ｍｍ3 になり、これはリフロー前の予
備半田バンプ３４ａの体積の１／２であると同時に、直
径０．８ｍｍのボール半田の体積とほぼ同じである。
取り外し、予備半田バンプ３４ａをリフローさせること
により（図示せず）、半田バンプ４４が形成される（図
２の（Ｃ））。このとき形成された半田バンプ４４の体
積は約０．２６８ｍｍ3 になり、これはリフロー前の予
備半田バンプ３４ａの体積の１／２であると同時に、直
径０．８ｍｍのボール半田の体積とほぼ同じである。
【００４４】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の半田バンプ形成方法によれば、ＢＧＡの半田バ
ンプを形成するに当たり、マスクに配列された複数の貫
通孔に、形状が維持できる程度の粘性を有する半田ペー
ストを充填するので、形崩れすることなく、貫通孔と同
じ形状の予備半田バンプに型抜きすることができる。
の発明の半田バンプ形成方法によれば、ＢＧＡの半田バ
ンプを形成するに当たり、マスクに配列された複数の貫
通孔に、形状が維持できる程度の粘性を有する半田ペー
ストを充填するので、形崩れすることなく、貫通孔と同
じ形状の予備半田バンプに型抜きすることができる。
【００４５】また、貫通孔の各々に充填された半田ペー
ストを、貫通孔と対応した位置に設けてあるパッド上に
型抜きすることによって、ＢＧＡ基板とマザーボードの
接続箇所数分の半田バンプが一度に形成され、コストの
低減ができる。
ストを、貫通孔と対応した位置に設けてあるパッド上に
型抜きすることによって、ＢＧＡ基板とマザーボードの
接続箇所数分の半田バンプが一度に形成され、コストの
低減ができる。
【００４６】同時に、リフロー後の半田バンプの体積が
予備半田バンプ（半田ペースト）の体積に比べて減少す
ることを利用して、予めマスクの貫通孔の容積を、形成
したい半田バンプの体積を半田ペースト中の半田成分の
体積比で割った値に設定しておく。そうすれば、基板の
応力がチップに伝わっても、破断するおそれのない程度
の大きさを持つ半田バンプを形成することができる。
予備半田バンプ（半田ペースト）の体積に比べて減少す
ることを利用して、予めマスクの貫通孔の容積を、形成
したい半田バンプの体積を半田ペースト中の半田成分の
体積比で割った値に設定しておく。そうすれば、基板の
応力がチップに伝わっても、破断するおそれのない程度
の大きさを持つ半田バンプを形成することができる。
【００４７】また、型抜きするときに、打ち抜き治具を
用いることによって、作業を容易にし、簡略化させるこ
とができる。
用いることによって、作業を容易にし、簡略化させるこ
とができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の実施例の説明に
供する製造工程図である。
供する製造工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１に続く、この発明の実
施例の説明に供する製造工程図である。
施例の説明に供する製造工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の、ボール半田を基板
に搭載して半田バンプを形成する方法を説明するための
製造工程図である。
に搭載して半田バンプを形成する方法を説明するための
製造工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の、半田ペーストを基
板に印刷して半田バンプを形成する方法を説明するため
の製造工程図である。
板に印刷して半田バンプを形成する方法を説明するため
の製造工程図である。
１０：基板 １２：パッド １４：フラックス ２０：マスク ２０ａ：貫通孔 ２２：マスク ２２ａ：貫通孔 ２４：マスク ２４ａ：貫通孔 ２６：当て具 ２８：打ち抜き治具 ２８ａ：突出部分 ３０：ボール半田 ３２、３４：半田ペースト ３４ａ：予備半田バンプ ４０、４２、４４：半田バンプ ５０：スキージ
Claims (3)
- 【請求項１】 ボールグリッドアレイの半田バンプを形
成するに当たり、 マスクに配列された複数の貫通孔に、形状が維持できる
程度の粘性を有する半田ペーストを充填し、 前記充填された半田ペーストを、予備半田バンプとして
型抜きすることによって前記貫通孔に対応した位置に設
けてあるパッド上にそれぞれ配列させ、 前記予備半田バンプをリフローさせて該予備半田バンプ
から半田バンプに変えることを特徴とする半田バンプ形
成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半田バンプ形成方法に
おいて、前記貫通孔の各々の孔が占める柱状空間の容積
を、前記半田バンプの体積を前記半田ペースト中の半田
成分の体積比で割った値とすることを特徴とする半田バ
ンプ形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半田バンプ形成方法に
おいて、前記型抜きに打ち抜き治具を用いることを特徴
とする半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6158622A JPH0831830A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6158622A JPH0831830A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831830A true JPH0831830A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15675739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6158622A Withdrawn JPH0831830A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831830A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326552A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Ueno Seiki Kk | 半田載置方法及び半田載置装置 |
| EP0846520A1 (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Solder bump forming method, solder bump forming apparatus, head unit for use therein and soldering method using the head unit |
| US6196444B1 (en) * | 1996-07-17 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP6158622A patent/JPH0831830A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326552A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Ueno Seiki Kk | 半田載置方法及び半田載置装置 |
| US6196444B1 (en) * | 1996-07-17 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates |
| EP0846520A1 (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Solder bump forming method, solder bump forming apparatus, head unit for use therein and soldering method using the head unit |
| US6053398A (en) * | 1996-12-06 | 2000-04-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Solder bump forming method, solder bump forming apparatus, head unit for use therein and soldering method using the head unit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |