JPH08316567A - 半導体レーザ装置およびその製法 - Google Patents

半導体レーザ装置およびその製法

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JPH08316567A
JPH08316567A JP7120042A JP12004295A JPH08316567A JP H08316567 A JPH08316567 A JP H08316567A JP 7120042 A JP7120042 A JP 7120042A JP 12004295 A JP12004295 A JP 12004295A JP H08316567 A JPH08316567 A JP H08316567A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ素子の発光面から凸レンズなど
の光学素子までの光学的距離を一定にすることができ、
かつ、LDチップをステムとキャップにより気密にシー
ルすることができるLD装置およびその製法を提供す
る。 【構成】 ステム上に半導体レーザ素子がマウントさ
れ、前記ステムの面と直角方向に前記半導体レーザ素子
からの光を放射する半導体レーザであって、前記ステム
が第1のステム1と第2のステム2とからなり、第1の
ステムに前記半導体レーザ素子3がマウントされ、第2
のステムに前記半導体レーザ素子からの光を前記ステム
の面と直角方向に反射させる反射面Rが設けられ、前記
第1のステムと第2のステムとが相互に固着されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はステム上に半導体レーザ
素子がマウントされ、その周囲を透過窓を有するキャッ
プで覆われた半導体レーザ装置およびその製法に関す
る。さらに詳しくは、半導体レーザ素子の発光面から凸
レンズなどの光学素子までの光学的距離を一定にするこ
とができる半導体レーザ装置およびその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ピックアップや光通信などに用いられ
る半導体レーザ(以下、LDという)装置は、たとえば
図4(a)、(b)にキャップを除去した状態の平面説
明図およびそのA−A線断面説明図がそれぞれ示される
ように、ステム21のマウント部21aに、サブマウン
ト22bにチップ22aが固着され、LDチップ22a
とサブマウント22b間でワイヤボンディングされたL
D素子22をメタル半田23などにより固着し、各リー
ド25、26とLD素子22間をワイヤボンディング
し、その表面全体をレーザ光28の透過窓27aを有す
るキャップ27で被覆し、外気による信頼性の低下を防
止するように構成されている。なお、リード24にはL
Dチップ22aの一方の電極がサブマウント22bを介
してボンディングされている。
【0003】この種のLD装置はステム面Sを基準とし
て光ピックアップやレーザ通信システムなどに取りつけ
られる。このLD装置の前面には凸レンズなどの図示し
ない光学素子が設けられ、その焦点位置に光ディスクの
表面や、光ファイバの中心が位置するように、図示しな
い光学素子やLD装置の取付面が設定されている。そこ
で、LDチップ22aの発光面Lと図示しない光学素子
とのあいだの距離が異なると焦点位置が変わり、光ディ
スクの表面や光ファイバの中心部に集光しなくなる。そ
のため、LD装置としての基準面SとLDチップの発光
面Lとの距離Zが非常に重要な寸法となり、一般的にセ
ットメーカ側の調整代である±80μm以下の公差内に
納めなければならない。しかもこの公差内に入っていて
もさらにそのバラツキが小さい程好ましい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、この種
のLD装置を製造するばあい、ステムの表面である基準
面SとLDチップ22aの発光面Lとの距離Zが非常に
正確な寸法になるように組立てられることが要求されて
いる。しかし、ステム21のマウント部21aとLD素
子22との固着はインジウムなどのメタル半田23によ
り固着されるため、約200℃程度の高温状態でマウン
トされる。そのため、熱膨張差などの影響により正確な
寸法を出しにくい。しかもLD素子22をダイボンディ
ングする際LD素子22をコレットで保持して所定の位
置にセッティングするため、カメラなどによりLDチッ
プ22aの発光面Lを観察することもできず、寸法を測
定しながら位置合わせをすることもできない。さらにメ
タル半田23の硬化時にLD素子22が動き易く、正確
なZ寸法の位置出しをすることができず、±60μm程
度以下のばらつきに抑えることができないという問題が
ある。
【0005】一方、たとえば特開平6−302912号
公報には図5に示されるように、ステム21に設けられ
た貫通孔21bにLD素子22がマウントされた金属製
ヒートシンク28を挿入して固着する構造が開示されて
いる。この構成によれば、あらかじめLD素子22が固
着された金属製ヒートシンク28をステム21と固定す
ればよいため、LD素子22の周囲にコレットなどはな
く発光面とステムの基準面Sを測定しながら両者を固着
することが可能である。しかし縦方向の寸法調整は困難
であるとともに、この固着を溶接などで行うと貫通孔2
1bと金属製ヒートシンク28との隙間を完全に埋める
ことができず気密シールをすることができない。また、
ロウ材などの接着剤で固定しようとすると加熱しなけれ
ばならず、寸法を測定しながら固定することができな
い。その結果気密シールがえられて基準面から発光面ま
での光学的距離を一定にすることができるLD装置がえ
られないという問題がある。
【0006】本発明はこのような問題を解決し、半導体
レーザ素子の発光面から凸レンズなどの光学素子までの
光学的距離を一定にすることができ、かつ、LDチップ
をステムとキャップにより気密にシールすることができ
るLD装置およびその製法を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のLD装置は、ス
テム上に半導体レーザ素子がマウントされ、前記ステム
の面と直角方向に前記半導体レーザ素子からの光を放射
する半導体レーザ装置であって、前記ステムが第1のス
テムと第2のステムとからなり、第1のステムに前記半
導体レーザ素子がマウントされ、第2のステムに前記半
導体レーザ素子からの光を前記ステムの面と直角方向に
反射させる反射面が設けられ、前記第1のステムと第2
のステムとが相互に固着されている。
【0008】前記第1のステムおよび第2のステムの一
方のステムに貫通孔が設けられ、他方のステムが該貫通
孔に挿入され、該他方のステムの底面に設けられた鍔部
により前記第1のステムおよび第2のステムが固着され
ていることが、一方のステムの鍔部と他方のステムの底
部とは密着しているため、レーザ溶接や抵抗溶接などに
より気密シールをうることができる。
【0009】前記第1のステムと第2のステムとのあい
だに、該第1のステムに設けられた前記半導体レーザ素
子の発光面と該第2のステムに設けられた前記反射面と
の距離を調整することができる間隙が設けられているこ
とが、LD素子が設けられた第1のステムを横方向に移
動することにより、ステムの基準面とLDチップの発光
面との間の光学的距離を寸法出しすることができるため
好ましい。
【0010】本発明のLD装置の製法は、(a)第1の
ステムに半導体レーザ素子のダイボンディングおよびワ
イヤボンディングをし、(b)前記半導体レーザ素子か
ら放射されるレーザ光をステムの面と直角方向に反射さ
せる反射面を有する第2のステムを該反射面と前記半導
体レーザ素子の発光面とが対向するように前記第1のス
テムと並置し、(c)前記発光面と前記反射面との距離
が一定になるように第1のステムと第2のステムとの間
隔を調整してから該両ステムを相互に固着することを特
徴とする。
【0011】前記発光面の位置をカメラで認識し、前記
発光面と前記反射面とのあいだの距離を一定に調整する
ことにより、または前記半導体レーザ素子を発光させ、
前記反射面で反射するレーザ光のビーム径および/また
はビーム形状をカメラで認識しながら前記発光面と前記
反射面とのあいだの距離を一定に調整することにより、
ステムの基準面とLDチップの発光面とのあいだの光学
的距離を一定にすることができ、セットに組み込んだと
き対象物に精度よく焦点を合わせることができる。
【0012】
【作用】本発明のLD装置は、LDチップを固着する第
1のステムとLDチップから放射されるレーザ光をステ
ム面と直角方向に反射する反射面が設けられた第2のス
テムとに分割された2つのステムが固着されることによ
り形成されている。そのため、LDチップをマウントす
るばあい、ステム面と平行方向にレーザ光を放射する向
きにマウントすることができるとともに、ステムの基準
面とLDチップの発光面との距離である縦方向のZ寸法
をLDチップがマウントされた第1のステムを横方向に
調整することにより前述の縦方向のZ寸法と等価な光学
的距離として正確に調整することができる。
【0013】本発明のLD装置の製法によれば、LDチ
ップの発光面とステムの基準面とのあいだの距離を第2
のステムの前記反射面と第1のステムのLDチップの発
光面とのあいだの距離を調整することにより、光学的距
離として規定される距離と等しくなるように正確に位置
合わせをすることができる。そのため、横方向の寸法調
整をすることにより、縦方向の必要とされるZ寸法を容
易に正確にうることができる。
【0014】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明のLD装
置およびその製法について説明する。
【0015】図1は本発明のLD装置の一実施例を示す
説明図で、(a)はキャップを取り除いた状態の平面説
明図、(b)および(c)はそれぞれ図1(a)のB−
B線およびC−C線の断面説明図、(d)は底面説明
図、図2は第1のステムと第2のステムとの溶接をする
際の説明図、図3は第1のステムと第2のステムの溶接
の他の実施例の説明図である。
【0016】図1(a)〜(d)において、1は冷間圧
延鋼板(SPCC)などからなる第1のステムで、一体
に形成されたリード6およびガラスなどの絶縁材料9で
気密シールされたリード7、8を有するとともに、その
底部には鍔部1aを有している。第1のステム1の上面
にはLD素子3がボンディングされ、リード7、8とワ
イヤ10により接続されている。LD素子3はシリコン
基板などからなるサブマウント3b上にLDチップ3a
がボンディングされ、LDチップ3aとサブマウントと
のあいだはワイヤ3cにより接続されている。
【0017】2は第1のステム1と同じ材料で形成され
た第2のステムで、LDチップ3aの発光面Lから照射
されるレーザビームをステムの基準面Sと直角方向に反
射させる傾斜面2aが形成されるとともに、その傾斜面
2aに反射板4が設けられ、反射面Rが形成されてい
る。第1のステム1は第2のステム2に設けられた貫通
孔2bに挿入され、第1のステム1の底面に設けられた
鍔部1aが第2のステム2の底面に突き当てられること
により、第1のステム1と第2のステム2の上面は一定
の関係に保たれている。第1のステム1を挿入するため
設けられられた第2のステムの貫通孔2bは第1のステ
ム1の外周より大きく形成され、水平方向(ステムの基
準面と平行方向)の位置調整をすることができるように
され、位置調整後第1のステム1の鍔部1aの外周W
を、たとえばYAG溶接により溶接することにより固着
されている。この鍔部1aと第2のステム2との溶接部
は密着した状態のところで溶接されているため、周囲全
周を溶接することにより気密シールをすることができ
る。このステムの上面側には反射面Rで反射されたレー
ザ光を透過させる透過窓5aを有するキャップ5が抵抗
溶接で気密シールされ、LDチップ3aが完全に外気か
ら遮断され保護されている。
【0018】本発明のLD装置は、ステムが第1のステ
ム1と第2のステム2とに分割され、第1のステム1に
LD素子3がほぼステムの基準面Sと平行方向に光を照
射するように設けられ、第2のステム2に設けられた反
射面Rにより基準面Sと直角方向に反射される構造と
し、第1のステム1と第2のステム2とのあいだにLD
素子3の発光面Lと反射面Rとの距離を調整することが
できる調整代が設けられ、調整後に第1のステム1と第
2のステム2とが固着されていることに特徴がある。す
なわち、第1のステム1の横方向の位置調整をすること
により、LD素子3の発光面LとLD装置の前方に配設
される図示されていない凸レンズなどとの距離を一定と
するため要求される基準面Sと発光面Lとの光学的距離
を一定にしている。そのため、カメラなどでLD素子3
の発光面Lの位置を観察しながら位置調整をし、位置調
整がされた状態で第1のステム1と第2のステム2とを
固着することができる。なお、LD素子3から放射する
レーザ光の方向は基準面Sと平行方向でなくても、要は
反射面Rによる反射後に基準面Sと直角方向に放射され
ればよい。
【0019】つぎに、本発明のLD装置の製法について
説明する。
【0020】まず、サブマウント3bにLDチップ3a
を固着しワイヤボンディングしたLD素子3を第1のス
テム1上にインジウムなどのメタル半田によりマウント
し、各リード7、8とワイヤボンディングをする。
【0021】つぎに、図2(a)に示されるように、反
射板4が傾斜面2aに設けられた第2のステム2の貫通
孔2bにLD素子3がマウントされた第1のステム1を
挿入し、調整コレット11により第1のステム1をくわ
えた状態で第1のステム1の底面の鍔部1aを第2のス
テム2の底面に突きあてる。
【0022】つぎに、あらかじめ第2のステム2の反射
面Rの特定場所を基準位置とした座標系を有するカメラ
12によりLD素子3の発光面Lを観測しながら調整コ
レット11を図2のZ調整の方向に移動させ反射面Rの
特定場所と発光面Lとの距離が一定になるように位置調
整をする。正確な位置調整がえられた状態で調整コレッ
ト11を固定し、鍔部1aの外周を、たとえばYAGレ
ーザ光Yにより溶接固着する。そののち調整コレット1
1を除去し、全周にYAG溶接を施すことにより、第1
のステム1と第2のステム2とが気密シールされる。Y
AG溶接された溶接部の状態は、図2(c)の斜線部に
示されるように、第1のステム1および第2のステム2
の両方に喰い込む形で溶接されるため、全周にこの溶接
を行うことにより気密シールがえられる。すなわち、鍔
部1aを第2のステム2に突き当てて溶接するため、寸
法調整のための空隙部とは関係ない密着部で溶接をする
ことができるため気密シールをうることができる。
【0023】発光面Lと反射面Rの特定位置との寸法調
整を前述の例では発光面Lの位置をカメラで認識しなが
ら行ったが、LD素子3側から反射面Rに照射されて反
射することにより形成されるビームのスポット径を観測
することによっても位置調整をすることができる。すな
わち、LDチップ3aから照射されるレーザビームは遠
くなるにつれて広がって大きくなったり、変形するた
め、ビーム径が一定の大きさや形状になるように調整す
ることにより、発光面Lと反射面Rとのあいだの一定の
距離がえられる。
【0024】図3は第1のステム1と第2のステム2と
の固着方法の他の実施例を示す説明図である。この例で
はYAGレーザ溶接ではなく、抵抗溶接を用いた例であ
る。そのため、電流を一部に集中させるため、第1のス
テムの鍔部1aの第2のステム2の底面との接触側に溶
接用リブ1bが設けられ、前述と同様に位置調整がされ
たのち、図3(a)に示されるように、上部電極13a
と下部電極13bとで挟みつけて電流を流すことにより
加熱されて周囲全周が同時に一度で溶着される。なお、
図3(b)は第1のステム1の鍔部に設けられた溶接用
リブ1bの拡大説明図である。他の製造工程は、図1の
説明と同様であり、位置調整の方法なども同様に行え
る。
【0025】
【発明の効果】本発明の装置およびその製法によればス
テム準面とのあいだで位置調整をしにくいLD素子の位
置を該LD素子が設けられた第1のステムを横方向に移
動させて調整しているため、非常に位置合わせ作業が容
易であるとともに正確に位置合わせをすることができ
る。そのため、セットメーカ側での位置調整がほとんど
不要となり、さらに正確な組立が短時間で行える。その
結果、高性能の電子機器が安価にえられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のLD装置の一実施例の説明図である。
【図2】図1のLD装置の溶接工程の説明図である。
【図3】第1のステムと第2のステムを固着する他の例
の説明図である。
【図4】従来のLD装置の一例の説明図である。
【図5】従来のLD装置の他の例の説明図である。
【符号の説明】
1 第1のステム 1a 鍔部 2 第2のステム 3 LD素子 3a LDチップ 4 反射板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ステム上に半導体レーザ素子がマウント
    され、前記ステムの面と直角方向に前記半導体レーザ素
    子からの光を放射する半導体レーザ装置であって、前記
    ステムが第1のステムと第2のステムとからなり、第1
    のステムに前記半導体レーザ素子がマウントされ、第2
    のステムに前記半導体レーザ素子からの光を前記ステム
    の面と直角方向に反射させる反射面が設けられ、前記第
    1のステムと第2のステムとが相互に固着されてなる半
    導体レーザ装置。
  2. 【請求項2】 前記第1のステムおよび第2のステムの
    一方のステムに貫通孔が設けられ、他方のステムが該貫
    通孔に挿入され該他方のステムの底面に設けられた鍔部
    により前記第1のステムおよび第2のステムが固着され
    てなる請求項1記載の半導体レーザ装置。
  3. 【請求項3】 前記第1のステムと第2のステムとのあ
    いだに、該第1のステムに設けられた前記半導体レーザ
    素子の発光面と該第2のステムに設けられた前記反射面
    との距離を調整することができる間隙が設けられてなる
    請求項1または2記載の半導体レーザ装置。
  4. 【請求項4】 (a)第1のステムに半導体レーザ素子
    のダイボンディングおよびワイヤボンディングをし、
    (b)前記半導体レーザ素子から放射されるレーザ光を
    ステムの面と直角方向に反射させる反射面を有する第2
    のステムを該反射面と前記半導体レーザ素子の発光面と
    が対向するように前記第1のステムと並置し、(c)前
    記発光面と前記反射面との距離が一定になるように第1
    のステムと第2のステムとの間隔を調整してから該両ス
    テムを相互に固着する半導体レーザ装置の製法。
  5. 【請求項5】 前記発光面の位置をカメラで認識し、前
    記発光面と前記反射面とのあいだの距離を一定に調整す
    る請求項4記載の半導体レーザ装置の製法。
  6. 【請求項6】 前記半導体レーザ素子を発光させ、前記
    反射面で反射するレーザ光のビーム径および/またはビ
    ーム形状をカメラで認識しながら前記発光面と前記反射
    面とのあいだの距離を一定に調整する請求項4記載の半
    導体レーザ装置の製法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009038195A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
CN102130275A (zh) * 2010-12-09 2011-07-20 潍坊广生新能源有限公司 大功率发光二极管封装结构及封装方法

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