JPH08316483A - 半導体の作製方法 - Google Patents
半導体の作製方法Info
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- JPH08316483A JPH08316483A JP7145349A JP14534995A JPH08316483A JP H08316483 A JPH08316483 A JP H08316483A JP 7145349 A JP7145349 A JP 7145349A JP 14534995 A JP14534995 A JP 14534995A JP H08316483 A JPH08316483 A JP H08316483A
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Abstract
って結晶化させる際に、ガラス基板が耐えるような温度
での工程ですむような工程を提供する。 【構成】 ガラス基板上に気相法で形成された非晶質珪
素膜に対して、プラズマが生成しない雰囲気中において
マイクロ波の照射を行う。表皮効果により、マイクロ波
は非晶質珪素膜の表面に選択的に吸収されるので、ガラ
ス基板を加熱せずに非晶質珪素膜を選択的に加熱し、結
晶性珪素膜に変成することができる。
Description
ス基板等の絶縁表面を有する基板上に形成される薄膜半
導体の作製方法に関する。
して、薄膜トランジスタが注目されている。特に液晶電
気光学装置に薄膜トランジスタを搭載する構成が注目さ
れている。これは液晶電気光学装置を構成するガラス基
板上に薄膜半導体を成膜し、この薄膜半導体を用いて薄
膜トランジスタを構成するものである。この場合、薄膜
トランジスタは、液晶電気光学装置の各画素電極に配置
され、画素電極に出入りする電荷を制御するスイッチン
グ素子としての機能を有する。このような構成は、アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置と呼ばれ、非常に高
品質な画像を表示することができる。
としては、非晶質珪素薄膜が主に利用されている。しか
し、非晶質珪素薄膜を利用したものでは、必要とする特
性が得られないのが現状である。
珪素膜を結晶化させ、結晶性珪素膜とすることが有用で
ある。結晶性珪素膜を得る方法としては、非晶質珪素膜
をプラズマCVD法や減圧熱CVD法で形成した後、加
熱処理を加える方法が知られている。
気光学装置に薄膜トランジスタを利用する場合、経済性
の観点から基板としてガラス基板を利用する必要がある
という問題がある。
には、600℃以上の温度で数十時間以上の加熱処理を
行わねばならない。一方でガラス基板は、600℃以上
の加熱を数十時間以上加えると反り返ったり変形してし
まう。このことは、ガラス基板が大面積化した場合に特
に顕著になる。液晶電気光学装置は、数μmの間隔を有
して張り合わせられたガラス基板間に液晶を挟んで保持
する構成が必要とされるので、ガラス基板の変形は、表
示ムラ等の原因となり好ましくない。
石英基板や高い温度の加熱処理に耐える特殊なガラス基
板を利用すればよい。しかし、石英基板や高温に耐える
特殊ばガラス基板は高価であり、生産コストの点から利
用することは困難である。
素膜を結晶化させる技術が知られている。レーザー光の
照射を利用した場合は、局部的に非常に結晶性の良好な
結晶性珪素膜を得ることができる半面、膜全体において
レーザー光の照射の効果の均一性がえられにくい。また
得られた結晶性珪素膜においても工程毎にバラツキが多
い(換言すれば再現性が低い)という問題がある。
明においては、良好な結晶性を有した結晶性珪素膜を得
る方法を提供することを課題とする。特に基板としてガ
ラス基板を利用した場合に結晶性の良好な結晶性珪素膜
を得ることを課題とする。
の一つは、絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形
成する工程と、前記非晶質珪素膜に対してマイクロ波を
照射することにより前記非晶質珪素膜の表面を選択的に
加熱し結晶性珪素膜に変成する工程と、を有することを
特徴とする。
としては、代表的にはガラス基板を挙げることができ
る。本明細書で開示する発明は、加熱に弱いガラス基板
を利用した場合に有用なものとなる。またガラス基板の
他には、石英基板や絶縁膜が形成された半導体基板を利
用することができる。
または減圧熱CVD法で成膜されたものを用いることが
できる。特に減圧熱CVD法で成膜された珪素膜は、膜
中の水素量が少なく、結晶化を行わすことが容易な膜と
なるので都合がよい。
波数のものを用いることが適当である。非晶質珪素膜に
マイクロ波を照射することにより、非晶質珪素膜を結晶
性珪素膜に変成できるのは、マイクロ波が珪素と水素と
の結合(Si−H結合)に吸収され、その結果非晶質珪
素膜が加熱されるからである。またガラス基板を用いた
場合、マイクロ波は表皮効果によって、非晶質珪素膜の
表面に吸収されるので、ガラス基板を直接加熱すること
がないという特徴を有する。これは、加熱に弱いガラス
基板を用いる場合に有用なこととなる。
膜に対して、非晶質珪素膜の表面側からマイクロ波を照
射し加熱した場合、結晶成長が膜の表面から進行するの
で、一様な結晶成長を行わすことができる。
地膜の酸化珪素膜902を成膜し、さらに非晶質珪素膜
903をプラズマCVD法や減圧熱CVD法で成膜し、
さらにヒータによる加熱によって非晶質珪素膜903を
結晶化させる状態を示した概略図である。
板901側から熱電導があること、下地膜の酸化珪素膜
902と非晶質珪素膜903との界面に結晶化に際して
の核となる欠陥や応力が存在していること、等の原因に
より、結晶成長は矢印904で示されるように、基板側
から進行する。この際、結晶成長の核となる部分は不均
一に存在しているので、結晶成長も不均一なものとなっ
てしまう。
1上に下地膜の酸化珪素膜902を成膜し、さらに非晶
質珪素膜903をプラズマCVD法や減圧熱CVD法で
成膜し、さらに906で示されるマイクロ波の照射によ
って非晶質珪素膜903を結晶化させる状態を示した概
略図である。
膜903の表面に選択的に吸収されるので、加熱は非晶
質珪素膜903の表面から選択的に行われることにな
る。そして、結晶成長も905で示されるように非晶質
珪素膜の表面から進行することになる。この結晶化の工
程は、図9に示す場合と異なり、下地や基板との界面の
影響を受けることがないので、均一な結晶成長とするこ
とができる。
上に非晶質珪素膜を形成する工程と、高真空雰囲気中に
おいて、前記非晶質珪素膜に対してマイクロ波を照射し
結晶性珪素膜に変成する工程と、を有することを特徴と
する。
る限り高い真空度に保つ状態のことをいう。この状態
は、使用する排気ポンプの性能やメンテナンス状態、さ
らには使用する真空チャンバーによって異なるものであ
る。しかし、可能限り高い真空度にすることが重要とな
る。
クロ波の照射によって、プラズマが発生しないようにす
るためである。プラズマが発生すると、プラズマ中のイ
オンや活性種によって膜がエッチングされ、また膜中に
欠陥が形成されてしまうので、良質な結晶性珪素膜を得
るためには都合が悪い。
上に非晶質珪素膜を形成する工程と、プラズマを生成さ
せない雰囲気中において、前記非晶質珪素膜に対してマ
イクロ波を照射し結晶性珪素膜に変成する工程と、を有
することを特徴とする。
でき得る限り高真空状態とする場合を挙げることができ
る。(最も完全な高真空でない限り、大電力の投入によ
ってプラズマが生成される)
囲気といえる。しかし、プラズマの生成されるされない
というのは、投入されるマイクロ波の周波数や電力によ
って異なる問題である。よってここでは、プラズマが生
成されない状態というのは、プラズマの発光が目視で確
認できない状態である、という定義を採用することとす
る。
真空中においてマイクロ波の照射による加熱を行うこと
によって、非晶質珪素膜の結晶化を行うことができる。
マイクロ波は、珪素と水素との結合に吸収され易く、本
質的に水素を多量に含んだ非晶質珪素膜には選択的に吸
収される。特に表皮効果によって、非晶質珪素膜の表面
に選択的にマイクロ波は吸収される。そして、非晶質珪
素膜はその表面から選択的に加熱されることなる。この
加熱のエネルギーによって、膜中からの水素分子の離脱
が促進され、珪素分子同士の結合の割合が増加してい
く。そして、非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成するこ
とができる。
を行い、膜中から水素を離脱させておくと、マイクロ波
の照射による結晶化をより高い再現性でもって行うこと
ができる。また、より高い結晶性を得ることができる。
また、このマイクロ波の照射の後、さらに加熱やレーザ
ー光の照射を行うことは、結晶性珪素膜を得る再現性
(所定の膜質を得る安定性)を高める上で効果がある。
を形成する構成に関する。まずガラス基板上に下地膜と
して酸化珪素膜を成膜する。この酸化珪素膜は、ガラス
基板中からの不純物の拡散を防止するために機能する。
また、ガラス基板と半導体膜との間で生じる応力の緩和
を行うために機能する。この酸化珪素膜は、プラズマC
VD法やスパッタ法によって3000Å程度の厚さに成
膜すればよい。
膜は、プラズマCVD法または減圧熱CVD法で成膜す
ればよい。非晶質珪素膜の厚さは、必要とする厚さとす
ればよいが、ここでは500Åとする。
zのマイクロ波を照射し、非晶質珪素膜を加熱する。
の照射を行うための装置の概要を示す。図1に示す装置
は、発振器104で発生される2.45GHz のマイクロ波
(出力5kW)を基板ホルダー106上に配置された非
晶質珪素膜が成膜されたガラス基板107に照射し、ガ
ラス基板107上の非晶質珪素膜を結晶化させる装置で
ある。
まず真空チャンバー103内に基板107を配置する。
基板107は、基板ホルダー106に配置される。基板
ホルダー106は、調整棒108によって、前後させる
ことができる。これは、チャンバー内に発生する定常波
の状態によっては、基板の配置位置が重要になるからで
ある。本実施例においては、マイクロ波の電界強度が最
大となる領域に基板107を配置する。
鎖し、窒素ガスによって、内部をパージする。そして排
気ポンプ105を用いて、高真空状態とする。排気ポン
プは、ターボ分子ポンプ等の高真空排気するものを用い
ることが望ましい。また、ターボ分子ポンプの種類によ
っては、常圧で使用すると、破壊するものがあるので、
その場合は、ロータリポンプを併用すればよい。
によってプラズマが発生しない程度の真空状態とするこ
とが好ましい。
03内を高真空状態としたら、マイクロ波発振器104
より2.45GHzのマイクロ波を発振させる。マイク
ロ波は、導波管102を介して、チャンバー103内に
供給される。そして、マイクロ波は基板107上の非晶
質珪素膜に照射され、膜の結晶化が行われる。
ーが内蔵されており、基板を所定の温度に加熱すること
ができる。ここでは、基板を550℃の温度で加熱す
る。この温度は、ガラス基板を用いる場合、その歪点以
下の温度のできるだけ高い温度を選択することが望まし
い。一般的には、400℃〜ガラス基板の歪点以下の温
度を選択すればよい。また基板としてガラス基板を利用
しない場合は、その基板の耐熱性に鑑みて、この加熱温
度の上限を決めればよい。
ラス基板の裏側で行われるので、ガラス基板上の珪素膜
の温度を正確に測定することは困難である。その場合、
ガラス基板の裏側における温度を加熱の温度として利用
してもよい。
ることによって、非晶質珪素膜の結晶化を行った後、基
板を装置の外部に取り出し、結晶化の工程を終了させ
る。
射によって結晶化された珪素膜に対して、加熱をさらに
行う構成に関する。ここで加熱をさらに行うのは、結晶
化の工程のマージンを得るためである。即ち、より高い
再現性でもって、結晶性珪素膜を得るためである。
る結晶化が終了した珪素膜に対して、400℃〜ガラス
基板の歪点以下の温度で行うことが望ましい。
で、1〜4時間程度の加熱処理を行えばよい。加熱の方
法は、ヒータによる加熱や赤外線ランプの照射による方
法を採用すればよい。加熱を行うと、膜中の欠陥を減少
させることができる。また、膜の結晶性を向上させるこ
とができる。
定の膜質を有する結晶性珪素膜を得ることができる。
射によって結晶化された珪素膜に対して、さらにレーザ
ー光を照射することにより、結晶性の向上と、結晶化工
程におけるマージンの向上を得る構成に関する。
照射して、結晶性珪素膜を得る方法を採用した場合、前
述したように、得られる結晶性珪素膜の膜質の均一性や
工程結果のバラツキといった問題が生じる。
化した珪素膜に対して、さらにレーザー光の照射を行う
場合、結晶性を向上させる作用が得られ、また高い再現
性でもってその作用を得ることができる。
した場合は、非晶質状態から結晶状態への急激な相変化
が生じてしまう。そして、この急激な相変化に起因し
て、得られる結晶状態の再現性が不安定になってしま
う。しかし、マイクロ波の照射による加熱によって一端
結晶化した珪素膜に対してレーザー光を照射した場合
は、急激な相変化が起こらず、その効果を一定なものと
することができる。即ち、レーザー光の照射の効果の再
現性を確保することができる。
加熱することは効果がある。この加熱温度は、400℃
〜600℃の温度で行うことが好ましい。これは、レー
ザー光の照射に際するエネルギーの衝撃を和らげ、明確
な結晶粒界の形成や、膜表面の荒れを抑えることに効果
がある。また膜中に欠陥が生じてしまうことを防ぐこと
ができる。
射による非晶質珪素膜の結晶化の後に、さらにレーザー
光の照射による結晶化の向上を行い、さらに加熱による
アニールを加える構成に関する。レーザー光の照射は、
珪素膜中に残存した非晶質成分を結晶化させ、膜の結晶
性を向上させる効果を有する。また、加熱によるアニー
ルは、膜の欠陥を減少させる効果を有している。
るというデメリットはあるが、得られる結晶性珪素膜の
膜質の再現性は非常に高いものとすることができる。
い、さらに加熱を行う構成としてもよい。またさらに、
レーザー光の照射と加熱とを交互に複数回繰り返して行
うのでもよい。このようにすると、得られる結晶性珪素
膜の結晶性の再現性や電気的性質の再現性を高くするこ
とができる。しかし、工程数が増えるので、生産性が低
下するという欠点がある。
する発明を用いて作製された結晶性珪素膜を用いて、薄
膜トランジスタを作製する例を示す。図2に本実施例で
示す薄膜トランジスタの作製工程を示す。まず、ガラス
基板201上にスパッタ法により、下地膜として機能す
る酸化珪素膜202を3000Åの厚さに成膜する。次
にプラズマCVD法または減圧熱CVD法により、非晶
質珪素膜203を500Åの厚さに成膜する。(図2
(A))
素膜203に対してマイクロ波の照射を行い、非晶質珪
素膜203を結晶性珪素膜に変成する。この時、550
℃の温度に被形成面を加熱する。またマイクロ波の照射
は、高真空中で行う。
照)を操作することによって調整し、基板の位置を電界
強度が最大となる領域に調整する。
03を結晶化させた後、レーザー光の照射を行い、その
結晶性を向上させる。ここでは、KrFエキシマレーザ
ーを用いる。このレーザー光は、幅は5mm、長さが2
0cmの線状のビームに成形されており、そのエネルギ
ー密度は350mJ/cm2 とする。また、このレーザ
ー光の照射工程において、被形成面を550℃に加熱す
る。
素膜に変成する。次に、パターニングを施すことによ
り、図2(B)に示すように薄膜トランジスタの活性層
204を形成する。
膜205を1000Åの厚さにプラズマCVD法または
スパッタ法によって成膜する。さらにゲイト電極を構成
するためのアルミニウムを主成分とする膜を6000Å
の厚さに成膜する。成膜方法は、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法を用いればよい。そしてパターニングを施
すことにより、ゲイト電極206を形成する。さらに電
解溶液中においてゲイト電極206を陽極として陽極酸
化を行うことにより、ゲイト電極の周囲に陽極酸化物層
207を形成する。陽極酸化物層の厚さは2000Åと
する。こうして、図2(B)に示す状態を得る。
の不純物イオンをイオン注入法またはプラズマドーピン
グ法によって加速注入する。この工程においては、ゲイ
ト電極206とその周囲の陽極酸化物層207がマスク
となることによって、208と211の領域に不純物イ
オンが注入される。ここでは、Nチャネル型の薄膜トラ
ンジスタを作製するためにP(リン)のイオンを注入す
る。また、209の領域は、陽極酸化物層207がマス
クとなることによって、不純物イオンが注入されない。
また、210の領域には、ゲイト電極206がマスクと
なることによって、これも不純物イオンが注入されな
い。
を行うことにより、注入された不純物イオンの活性化と
不純物イオンが注入された領域のアニールとを行う。こ
うして、ソース領域208とドレイン領域211とが自
己整合的に形成される。また、同時に209の領域はオ
フセットゲイト領域として、210の領域はチャネル形
成領域として形成することができる。(図2(C))
6000Åの厚さに成膜する。この酸化珪素膜212は
プラズマCVD法によって成膜を行う。次にコンタクト
ホールの形成を行い、ソース電極213とドレイン電極
214との形成を行う。そして、さらに350℃の水素
雰囲気中において1時間の加熱処理を施すことにより、
図2(D)に示す薄膜トランジスタを完成させる。
示す。本実施例が特徴とするのは、図2に示す薄膜トラ
ンジスタの作製工程において、非晶質珪素膜のパターニ
ングを行った後にマイクロ波の照射による結晶化を行う
ことを特徴とする。即ち、活性層を構成するパターン
(このパターンは非晶質でなる)を形成した後にマイク
ロの照射を行い、このパターンを結晶化させることを特
徴とする。
らないかぎり、作製条件等は実施例4の場合と同じであ
る。
201上に下地膜として酸化珪素膜202を成膜する。
次に非晶質珪素膜(図示せず)を酸化珪素膜202上に
成膜する。そしてパターニングを行うことにより、薄膜
トランジスタの活性層となる領域204を形成する。こ
こでは、この活性層となる領域は、非晶質の状態であ
る。(図3(A))
てマイクロ波の照射をパターニングされた非晶質状態の
珪素パターンに対して行う。このような構成とした場
合、数十μm角以下の小さな領域に対して、マイクロ波
の照射による結晶化が行われるので、より結晶性の高い
ものとすることができる。
ら、図2(B)以下に示すのと同様な工程に従って薄膜
トランジスタを完成させる。即ち、図3(B)に示す工
程は、図2(B)に示す工程と同じである。また、図3
(C)に示す工程は、図2(C)に示す工程と同じであ
る。また、図3(D)に示す工程は、図2(D)に示す
工程と同じである。
層の側面の結晶性を向上させることができる。活性層の
側面の結晶性を向上させることができると、活性層の側
面におけるトラップ準位の密度を低下させることができ
る。活性層の側面に高密度でトラップ準位が存在する
と、トランジスタのOFF動作時に活性層の側面のトラ
ップ準位を経由したキャリアの移動に起因するOFF電
流が問題となる。従って、本実施例に示すように、活性
層の側面の結晶性を向上させ、そこにおけるトラップ準
位の密度を下げることで、OFF電流を低減させること
ができる。
にマスクを設けてマイクロ波の照射を行う構成に関す
る。本実施例において、マスクを設けるのは、選択的に
マイクロ波を照射し、選択的に結晶化を行うためであ
る。
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概要でる。即
ち、図4には、同一ガラス基板上に画素領域と画素領域
に配置された薄膜トランジスタを駆動するための周辺駆
動回路とを集積化した構成が示されている。なお、図4
には、1枚のガラス基板が示されているが、液晶セルを
構成する場合には、対向するガラス基板を用意し、その
ガラス基板と図4に示すガラス基板との間に液晶を保持
させる構成となる。
01上に数百×数百のマトリクス状に画素電極が配置さ
れた画素領域402、画素領域402に配置された薄膜
トランジスタを駆動するための周辺駆動回路403、4
04が配置されている。周辺駆動回路と画素領域とは、
配線パターン405及び406によって接続されてい
る。
は、少なくとも一つの薄膜トランジスタが配置されてい
る。また周辺駆動回路403、404は、シフトレジス
タ回路、アナログバッファー回路等で構成されている。
域402に配置される薄膜トランジスタと、周辺駆動回
路403や404に配置される薄膜トランジスタとで
は、必要とされる特性が異なる。
スタは、大きな移動度は必要とされないが、低いOFF
電流特性を有していることが必要とされる。なお、画素
領域に配置される薄膜トランジスタを高い移動度を有す
る半導体膜で構成すると、光照射による誤動作や動作不
良の原因となるので、必要以上に大きな移動度は不必要
となる。
置される薄膜トランジスタは、高速動作をさせ、しかも
大電流を流す必要性があることから、高い移動度を有し
たものが必要とされる。
なる薄膜トランジスタ群を作り分けることが必要とされ
る。
のような異なる特性を有する薄膜トランジスタを形成す
るために、非晶質珪素膜に対してマイクロ波を選択的に
照射することによって、選択的に結晶性の異なる領域を
形成する。以下に具体的な作製工程を示す。
示しない酸化珪素膜を成膜する。そして、薄膜トランジ
スタの活性層を構成するための出発膜となる非晶質珪素
膜を成膜する。ここで、図4の407と408の領域の
みにマイクロ波が当たるように金属性のマスクを配置す
る。そして、図1に示す装置を用いて、2.45GHz
のマイクロ波(出力5kW)を照射する。
すると、407と408の領域のみマイクロ波は照射さ
れる。そして、この領域のみが結晶化される。一方、こ
の状態においては、他の領域は非晶質のままの状態とし
て残存している。
2時間の加熱処理を施す。このような工程を経ることに
よって、周辺駆動回路404を構成する領域の珪素膜を
結晶性珪素膜とし、同時に画素領域402の薄膜トラン
ジスタを構成する珪素膜を非晶質珪素膜とすることがで
きる。
る結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタで構成するこ
とができ、画素領域に配置される薄膜トランジスタを移
動度は小さいが、OFF電流も小さい非晶質珪素膜を用
いた薄膜トランジスタとすることができる。
択的に減衰させることにより、選択的に強さの異なるマ
イクロ波を非晶質珪素膜に照射し、選択的に結晶性を異
ならせることを特徴とする。
ど透過する。一方で非晶質珪素膜はマイクロ波を吸収す
る。従って、非晶質珪素膜の膜厚を適時選択することに
より、マスクが設けられた領域においては、他の領域に
比較して弱いパワーのマイクロ波を照射できることにな
る。
領域402の領域において、弱いマイクロ波が照射され
るようにする。即ち、この402の領域に相当する領域
に、薄い(例えばその厚さを500Åとする)非晶質珪
素膜を形成した石英ガラスを用意し、その石英ガラスを
ガラス基板401上に重ねる。そして、この状態でマイ
クロ波の照射を行う。
た石英ガラスをマイクロ波が透過する様子を模式的に示
す。図5において、51が石英基板である。そして52
が石英基板上に形成された非晶質珪素膜である。この図
5に示すのは、マイクロ波を部分的に減衰させるマスク
である。
と、非晶質珪素膜52において所定の割合でマイクロ波
が吸収されるので、この領域を透過したマイクロ波55
のエネルギーは、他の領域のマイクロ波54に比較して
弱くすることができる。マイクロ波を減衰させる加減
は、非晶質珪素膜52の膜厚を制御することで実現する
ことができる。
質珪素膜を形成した石英ガラスで構成されたマスクを透
過させてマイクロ波を照射することによって、画素領域
402の領域に照射されるマイクロ波のパワーを他の領
域に比較して弱くすることができる。従って、画素領域
408の領域の結晶性を他の領域よりも低いものとする
ことができる。
た、抵抗が高くなり、その分OFF電流の値も小さなも
のとなる。また、結晶性が高ければ、移動度の高い珪素
膜を得ることができる。
れる薄膜トランジスタを移動度は小さいが、OFF電流
値の小さいものとして構成することができる。そして、
周辺駆動回路403と404に配置される薄膜トランジ
スタを高移動度を有する薄膜トランジスタとすることが
できる。
示す。図6に示す装置は、以下に示す工程を連続的に制
御された雰囲気中で行うことを特徴とする。即ち、まず
非晶質珪素膜が形成された基板(一般にガラス基板が利
用される)に対して予備加熱を行う工程、その後にマイ
クロ波の照射による非晶質珪素膜の結晶化を行う工程、
そしてさらに加熱のよる処理を行い、結晶性珪素膜を得
る工程を連続的に制御された雰囲気(高真空状態も含ま
れる)で行うことを特徴とする。
するための基板の搬入搬出室501、基板上に形成され
た非晶質珪素膜に対してマイクロ波を照射する処理室5
02、基板上に形成された珪素膜を加熱するための加熱
室503、基板を各室の間において搬送するための手段
を有した基板搬送室505を備えている。
である。また図6におけるB−B’で切った断面が図8
である。各室は気密性が保たれる構造となっており、必
要に応じて高真空状態とすることのできる構造となって
いる。また各室は共通の室である基板搬送室505と5
06、507、508で示されるゲイトバルブを介して
接続されている。ゲイトバルブは十分に気密性を保つこ
とのできる構造となっている。
で示されるのは、基板を装置に出し入れする基板の搬入
搬出室である。この室には、図8に示されるように基板
511がカセット510に多数枚収納された状態で装置
の外部から扉514を介してカセット毎搬入される。ま
た、処理が終了した後、基板はカセット510毎装置の
外部に扉514から外部に搬出される。
等のパージ用の気体の導入系512と不要な気体の排気
や室内を減圧または高真空状態とするための排気ポンプ
513を備えている。ここでいうパージ用の気体とは、
室内を一端洗浄な気体で満たすことによって、室内を洗
浄な状態とするために利用される。
に形成された非晶質珪素膜に対して、マイクロ波を照射
するための処理室である。マイクロ波は、発振器516
で発振され、導波管517を介して処理室502内に導
入される。そして、このマイクロ波でもって、基板ステ
ージ515上に配置した試料に対して結晶化処理が行わ
れる。また、基板ステージ515の高さは調整すること
ができる構造となっている。
ス導入系と排気ポンプ504を備えた排気系を有してい
る。ガス導入系からはパージ用の不活性ガスやプラズマ
の立ちにくいガス(例えば空気)が供給される。
は、珪素膜を加熱するための室(加熱室)である。珪素
膜が形成された基板511は、多数枚が上下するステー
ジ518上に収納される。ステージ518上に収納され
た基板は、加熱室503において、加熱用のヒータ52
1によって加熱される。
活性気体の導入系519と加熱室内を高真空状態とする
ことのできる排気ポンプ520を備えている。
り、ロボットアーム522によって基板511を搬送
(移送)する機能を有した室である。この室にもパージ
用の不活性気体の導入系523と室内を高真空にするた
めの排気ポンプ524を備えている。また、ロボットア
ーム522の基板を保持する手の部分には、ヒータが内
蔵されており、搬送する基板の温度が変化しないように
工夫されている。
搬送する際に、搬送室505内を高真空状態とすること
が重要である。
す。まずカセット510には、処理すべきガラス基板5
11を多数収納する。そして高真空状態において、基板
を1枚づつロボットアーム522で搬送し、加熱室50
3に搬入する。加熱室503では、550℃の温度で加
熱が行われる。この加熱によって、膜中からの水素の離
脱が促進され、結晶化のし易い状態とすることができ
る。加熱の雰囲気は高真空状態とすることが好ましい。
また、高真空状態としないのであれば、不活性雰囲気と
することが好ましい。
(例えば1時間)行った後、基板をロボットアーム52
2によって取り出し、マイクロ波の照射が行われる室5
02に搬送する。この室502では、予め加熱処理が行
われたガラス基板の上の非晶質珪素膜に対してマイクロ
波の照射を行い、この膜を結晶化させる。なお、マイク
ロ波の照射は、高真空状態で行うことが好ましい。また
高真空状態で行うことが困難な場合は、目視で発光が観
察されない程度の状態になるように、マイクロ波の周波
数や電力、さらには雰囲気を選択する必要がある。
晶化が終了したら、ロボットアームによって基板を加熱
室503に搬送する。ここで、結晶化後の加熱処理が行
われる。そして、所定の時間(例えば2時間)の処理が
終了した後、基板を搬入搬出室501内のカセットに搬
送する。こうして、一連の動作を終了させる。
50℃、2時間の加熱、そしてマイクロ波の照射による
結晶化、さらに結晶化された珪素膜に対する550℃、
2時間の加熱アニールを制御された雰囲気(好ましくは
高真空中)において行うものである。なお、基板の搬送
に当たっては、そのつどゲイトバルブの開け閉めを行
う。これは、加熱室503からの熱の影響や室502か
らのマイクロ波の影響が、他の室に及ぶことを防ぐため
である。
続的に処理を行うことができるので、生産性を高くする
ことができる。また、雰囲気を制御することで、高い再
現性を得ることができる。
することにより、非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成す
ることができる。また、この技術にレーザー光の照射や
加熱の工程を組み合わせることにより、高い再現性でも
って結晶性珪素膜を得ることができる。
膜の結晶化は、珪素膜を選択的に加熱することができる
ので、基板としてガラス基板を利用した場合であって
も、ガラス基板に熱ダメージを与えることなく、ガラス
基板上に結晶性珪素膜を得ることができる。
成する基板の構成を示す。
成を示す。
す。
す。
Claims (9)
- 【請求項1】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を
形成する工程と、 前記非晶質珪素膜に対してマイクロ波を照射することに
より前記非晶質珪素膜の表面を選択的に加熱し結晶性珪
素膜に変成する工程と、 を有することを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項2】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を
形成する工程と、 前記非晶質珪素膜に対してマイクロ波を照射することに
より表皮効果により前記非晶質珪素膜の表面を選択的に
加熱し結晶性珪素膜に変成する工程と、 を有することを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項3】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を
形成する工程と、 高真空雰囲気中において、前記非晶質珪素膜に対してマ
イクロ波を照射し結晶性珪素膜に変成する工程と、 を有することを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項4】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を
形成する工程と、 プラズマを生成させない雰囲気中において、前記非晶質
珪素膜に対してマイクロ波を照射し結晶性珪素膜に変成
する工程と、 を有することを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項5】請求項1乃至請求項4において、マイクロ
波として1GHz〜10GHzの周波数が利用されるこ
とを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項6】請求項1乃至請求項4において、基板とし
てガラス基板が利用されることを特徴とする半導体の作
製方法。 - 【請求項7】請求項1乃至請求項4において、非晶質珪
素膜上にマスクを配置し、マイクロ波を選択的に照射す
ることを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項8】請求項1乃至請求項4において、非晶質珪
素膜中の水素の離脱を促進させた後にマイクロ波の照射
を行うことを特徴とする半導体の作製方法。 - 【請求項9】請求項1乃至請求項4において、結晶性珪
素膜に変成する工程の後に、結晶性珪素膜に対して加熱
処理および/またはレーザー光の照射を行うことを特徴
とする半導体の作製方法。
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---|---|---|---|
JP14534995A JP3621154B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | アクティブマトリクス型表示装置の作製方法 |
US08/644,454 US5963823A (en) | 1995-05-19 | 1996-05-10 | Manufacturing method of thin film semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JPH08316483A true JPH08316483A (ja) | 1996-11-29 |
JP3621154B2 JP3621154B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=15383138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP14534995A Expired - Fee Related JP3621154B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | アクティブマトリクス型表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3621154B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040039572A (ko) * | 2002-11-02 | 2004-05-12 | 한국전자통신연구원 | 비정질 실리콘층의 탈수소화 방법 및 박막트랜지스터제조방법 |
KR100524874B1 (ko) * | 1998-06-10 | 2006-02-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질실리콘박막의결정화방법 |
JP2011061072A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012033750A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012234864A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP14534995A patent/JP3621154B2/ja not_active Expired - Fee Related
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