JPH08307114A - 高周波電磁界結合型薄膜積層電極 - Google Patents
高周波電磁界結合型薄膜積層電極Info
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- JPH08307114A JPH08307114A JP7107313A JP10731395A JPH08307114A JP H08307114 A JPH08307114 A JP H08307114A JP 7107313 A JP7107313 A JP 7107313A JP 10731395 A JP10731395 A JP 10731395A JP H08307114 A JPH08307114 A JP H08307114A
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- thin film
- dielectric
- electromagnetic field
- frequency electromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率εrが高く、かつ誘電特性に優れ、
効率良く作製することができる誘電体薄膜を備えた高周
波電磁界結合型薄膜積層電極を得る。 【構成】 矩形状誘電体基板１の表面中央部に高周波電
磁界結合型薄膜積層電極４を設ける。薄膜積層電極４は
導体薄膜５と誘電体薄膜６を交互に積層したもので、長
尺形状をしている。この誘電体薄膜６は（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4からなる。
効率良く作製することができる誘電体薄膜を備えた高周
波電磁界結合型薄膜積層電極を得る。 【構成】 矩形状誘電体基板１の表面中央部に高周波電
磁界結合型薄膜積層電極４を設ける。薄膜積層電極４は
導体薄膜５と誘電体薄膜６を交互に積層したもので、長
尺形状をしている。この誘電体薄膜６は（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電磁界結合型薄
膜積層電極に関する。
膜積層電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波電磁界結合型薄膜積層電極は、誘
電体薄膜と導体薄膜を積層して構成したものであり、一
般に、誘電体基板の表面に形成される。そして、この薄
膜積層電極の誘電体薄膜の厚さは、誘電体基板の誘電率
と誘電体薄膜の誘電率とによって決定される。
電体薄膜と導体薄膜を積層して構成したものであり、一
般に、誘電体基板の表面に形成される。そして、この薄
膜積層電極の誘電体薄膜の厚さは、誘電体基板の誘電率
と誘電体薄膜の誘電率とによって決定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体基板
の材料として、低損失で高誘電率（例えば比誘電率が１
００前後のもの）かつ温度特性の優れたものを採用した
場合、薄膜積層電極の誘電体薄膜の誘電率が低いと、誘
電体薄膜は数十ｎｍ以下の薄い膜となる。この薄い膜を
スパッタリング法やＣＶＤ法等の方法を用いて作製する
と、以下のような問題が生ずるおそれがある。
の材料として、低損失で高誘電率（例えば比誘電率が１
００前後のもの）かつ温度特性の優れたものを採用した
場合、薄膜積層電極の誘電体薄膜の誘電率が低いと、誘
電体薄膜は数十ｎｍ以下の薄い膜となる。この薄い膜を
スパッタリング法やＣＶＤ法等の方法を用いて作製する
と、以下のような問題が生ずるおそれがある。
【０００４】（１）誘電体薄膜中にピンホールが発生す
る。 （２）誘電特性に膜厚依存性があるため、誘電体を数十
ｎｍ以下の薄い膜にすると膜厚の減少とともに誘電特性
が悪くなる。 （３）誘電体基板がセラミックの場合、誘電体薄膜によ
って基板上のポアを完全に被膜することができない。
る。 （２）誘電特性に膜厚依存性があるため、誘電体を数十
ｎｍ以下の薄い膜にすると膜厚の減少とともに誘電特性
が悪くなる。 （３）誘電体基板がセラミックの場合、誘電体薄膜によ
って基板上のポアを完全に被膜することができない。
【０００５】従って、酸化シリコンはＧＨｚ帯まで誘電
率の変化が少なく、リーク電流、ｔａｎδの低い材料で
あるが、比誘電率が３．８程度と低いため高誘電率の誘
電体基板に対しては薄膜積層電極の誘電体薄膜として用
いることができなかった。また、酸化シリコンと同様に
ＧＨｚ帯までの高周波で安定した誘電体である窒化シリ
コンを薄膜として用いた場合も比誘電率が７程度と低
く、誘電率の高い誘電体基板と組み合わせて薄膜積層電
極を形成するのは困難であった。
率の変化が少なく、リーク電流、ｔａｎδの低い材料で
あるが、比誘電率が３．８程度と低いため高誘電率の誘
電体基板に対しては薄膜積層電極の誘電体薄膜として用
いることができなかった。また、酸化シリコンと同様に
ＧＨｚ帯までの高周波で安定した誘電体である窒化シリ
コンを薄膜として用いた場合も比誘電率が７程度と低
く、誘電率の高い誘電体基板と組み合わせて薄膜積層電
極を形成するのは困難であった。
【０００６】さらに、酸化タンタルを薄膜積層電極の誘
電体薄膜として用いた場合、酸化タンタルの比誘電率は
２８程度であるため、高誘電率の誘電体基板に対しても
比較的に厚い膜厚となり、前記問題点を解決することが
できる。しかし、酸化タンタル薄膜は、リーク電流が酸
化シリコンや窒化タンタルに比べ大きく、薄膜積層電極
の特性を劣化させる。リーク電流を減らすには酸素雰囲
気中でのアニール等の処理が有効であるが、薄膜積層電
極では、誘電体薄膜を成膜する毎にアニールすることに
なり作製に時間がかかることから適当でなかった。
電体薄膜として用いた場合、酸化タンタルの比誘電率は
２８程度であるため、高誘電率の誘電体基板に対しても
比較的に厚い膜厚となり、前記問題点を解決することが
できる。しかし、酸化タンタル薄膜は、リーク電流が酸
化シリコンや窒化タンタルに比べ大きく、薄膜積層電極
の特性を劣化させる。リーク電流を減らすには酸素雰囲
気中でのアニール等の処理が有効であるが、薄膜積層電
極では、誘電体薄膜を成膜する毎にアニールすることに
なり作製に時間がかかることから適当でなかった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、比誘電率εrが
高く、かつ誘電特性に優れ、効率良く作製することがで
きる誘電体薄膜を備えた高周波電磁界結合型薄膜積層電
極を提供することにある。
高く、かつ誘電特性に優れ、効率良く作製することがで
きる誘電体薄膜を備えた高周波電磁界結合型薄膜積層電
極を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る請求項１記載の高周波電磁界結合型薄
膜積層電極は、誘電体薄膜が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を
主成分とした誘電体薄膜であることを特徴とする。ま
た、本発明に係る請求項２記載の高周波電磁界結合型薄
膜積層電極は、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした
誘電体薄膜が、非晶質又は多結晶質であることを特徴と
する。
め、本発明に係る請求項１記載の高周波電磁界結合型薄
膜積層電極は、誘電体薄膜が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を
主成分とした誘電体薄膜であることを特徴とする。ま
た、本発明に係る請求項２記載の高周波電磁界結合型薄
膜積層電極は、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした
誘電体薄膜が、非晶質又は多結晶質であることを特徴と
する。
【０００９】さらに、本発明に係る請求項３記載の高周
波電磁界結合型薄膜積層電極は、Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4
を主成分とした誘電体薄膜に、少なくともＺｎＯ又はＣ
ｏ2Ｏ 3のいずれか一方が添加されていることを特徴とす
る。
波電磁界結合型薄膜積層電極は、Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4
を主成分とした誘電体薄膜に、少なくともＺｎＯ又はＣ
ｏ2Ｏ 3のいずれか一方が添加されていることを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】請求項１記載の高周波電磁界結合型薄膜積層電
極は、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした誘電体薄
膜を用いているため、比誘電率εr及びＱが高く、かつ
温度特性が優れたものになる。また、請求項２記載の高
周波電磁界結合型薄膜積層電極は、非晶質又は多結晶質
の誘電体薄膜を用いているため、単結晶の誘電体薄膜の
場合と比較して容易に誘電体薄膜が形成される。さら
に、請求項３記載の高周波電磁界結合型薄膜積層電極
は、誘電体薄膜の材料として、主成分である（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4に少なくともＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ3のいずれ
か一方を添加することにより、より均質な誘電体薄膜と
なる。
極は、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした誘電体薄
膜を用いているため、比誘電率εr及びＱが高く、かつ
温度特性が優れたものになる。また、請求項２記載の高
周波電磁界結合型薄膜積層電極は、非晶質又は多結晶質
の誘電体薄膜を用いているため、単結晶の誘電体薄膜の
場合と比較して容易に誘電体薄膜が形成される。さら
に、請求項３記載の高周波電磁界結合型薄膜積層電極
は、誘電体薄膜の材料として、主成分である（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4に少なくともＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ3のいずれ
か一方を添加することにより、より均質な誘電体薄膜と
なる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る高周波電磁界結合型薄膜
積層電極の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施例、図１］第１実施例は、共振周波数が２Ｇ
Ｈｚの１／２波長マイクロストリップ線路型共振器に、
高周波電磁界結合型薄膜積層電極を利用した場合につい
て説明する。
積層電極の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施例、図１］第１実施例は、共振周波数が２Ｇ
Ｈｚの１／２波長マイクロストリップ線路型共振器に、
高周波電磁界結合型薄膜積層電極を利用した場合につい
て説明する。
【００１２】図１に示すように、１／２波長マイクロス
トリップ線路型共振器１０は矩形状誘電体基板１の表面
中央部に高周波電磁界結合型薄膜積層電極４を設けたも
のである。基板１の裏面全面にはアルミニウム又は銅等
の材料にてグランド電極２が設けられている。基板１の
材料としては、セラミック誘電体やサファイア等が使用
される。第１実施例では比誘電率が９０のセラミック誘
電体を用いた。
トリップ線路型共振器１０は矩形状誘電体基板１の表面
中央部に高周波電磁界結合型薄膜積層電極４を設けたも
のである。基板１の裏面全面にはアルミニウム又は銅等
の材料にてグランド電極２が設けられている。基板１の
材料としては、セラミック誘電体やサファイア等が使用
される。第１実施例では比誘電率が９０のセラミック誘
電体を用いた。
【００１３】薄膜積層電極４は導体薄膜５と誘電体薄膜
６を交互に積層したもので、長尺形状をしている。導体
薄膜５の材料としては、銅又はアルミニウム等がある。
第１実施例では、導電率が５．８０×１０7Ｓ／ｍの銅
を用いた。誘電体薄膜６は（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4から
なる。次に、以上の構造からなる１／２波長マイクロス
トリップ線路型共振器１０の製造手順について説明す
る。
６を交互に積層したもので、長尺形状をしている。導体
薄膜５の材料としては、銅又はアルミニウム等がある。
第１実施例では、導電率が５．８０×１０7Ｓ／ｍの銅
を用いた。誘電体薄膜６は（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4から
なる。次に、以上の構造からなる１／２波長マイクロス
トリップ線路型共振器１０の製造手順について説明す
る。
【００１４】鏡面研磨したセラミック誘電体基板１の表
面全面にスパッタリング法あるいは真空蒸着法等の方法
を用いて膜厚が約１０００ｎｍの銅薄膜５を形成する。
次に、銅薄膜５の表面全面にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法を用いて膜厚が約７００ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4薄膜６を形成する。表１はこのときのスパッタ
リング条件を示すものであり、得られた（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4薄膜６は、比誘電率εrが２８（１ＭＨｚ〜３Ｇ
Ｈｚ）、ｔａｎδが１％以下、リーク電流が１０-7Ａ／
ｃｍ2（電界強度が１０5Ｖ／ｃｍの条件下において）の
非晶質膜（あるいは多結晶質膜）であった。
面全面にスパッタリング法あるいは真空蒸着法等の方法
を用いて膜厚が約１０００ｎｍの銅薄膜５を形成する。
次に、銅薄膜５の表面全面にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法を用いて膜厚が約７００ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4薄膜６を形成する。表１はこのときのスパッタ
リング条件を示すものであり、得られた（Ｚｒ，Ｓｎ）
ＴｉＯ4薄膜６は、比誘電率εrが２８（１ＭＨｚ〜３Ｇ
Ｈｚ）、ｔａｎδが１％以下、リーク電流が１０-7Ａ／
ｃｍ2（電界強度が１０5Ｖ／ｃｍの条件下において）の
非晶質膜（あるいは多結晶質膜）であった。
【００１５】
【表１】
【００１６】同様にして、膜厚が約１０００ｎｍの銅薄
膜５と膜厚が約７００ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄
膜６を交互に形成し、銅薄膜５を５層形成する。次に、
銅薄膜５上にポリイミド樹脂からなるレジスト膜をパタ
ーニングした後、電子サイクロトロン共鳴を用いたイオ
ンミリング法により、レジスト膜から露出した部分の銅
薄膜５と（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄膜６をエッチングし
て除去し、所定の形状の薄膜積層電極４を形成する。
膜５と膜厚が約７００ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄
膜６を交互に形成し、銅薄膜５を５層形成する。次に、
銅薄膜５上にポリイミド樹脂からなるレジスト膜をパタ
ーニングした後、電子サイクロトロン共鳴を用いたイオ
ンミリング法により、レジスト膜から露出した部分の銅
薄膜５と（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄膜６をエッチングし
て除去し、所定の形状の薄膜積層電極４を形成する。
【００１７】レジスト膜を剥離後、セラミック誘電体基
板１の裏面全面にグランド電極２をスパッタリング法又
は真空蒸着法等の方法を用いて形成する。こうして得ら
れた１／２波長マイクロストリップ線路型共振器１０は
薄膜積層電極４の誘電体薄膜６が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ
4からなるため、比誘電率εr及びＱを高くすることがで
きる。しかも、誘電体基板１の比誘電率εrが高くて
も、誘電体薄膜６の膜厚が約７００ｎｍと厚いため誘電
体薄膜６は誘電特性の膜厚依存性がなく、誘電体薄膜６
のピンホールや誘電体基板１のポアにも影響を受けな
い。
板１の裏面全面にグランド電極２をスパッタリング法又
は真空蒸着法等の方法を用いて形成する。こうして得ら
れた１／２波長マイクロストリップ線路型共振器１０は
薄膜積層電極４の誘電体薄膜６が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ
4からなるため、比誘電率εr及びＱを高くすることがで
きる。しかも、誘電体基板１の比誘電率εrが高くて
も、誘電体薄膜６の膜厚が約７００ｎｍと厚いため誘電
体薄膜６は誘電特性の膜厚依存性がなく、誘電体薄膜６
のピンホールや誘電体基板１のポアにも影響を受けな
い。
【００１８】［第２実施例、図２］第２実施例は、ＴＭ
モード型共振器に、高周波電磁界結合型薄膜積層電極を
利用した場合について説明する。図２に示すように、Ｔ
Ｍモード型共振器３０は略円盤状誘電体基板２１の表面
中央部に高周波電磁界結合型薄膜積層電極２４を設けた
ものである。薄膜積層電極２４は導体薄膜２５と誘電体
薄膜２６を交互に積層したもので、円形状をしている。
誘電体薄膜２６は（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4からなる。
モード型共振器に、高周波電磁界結合型薄膜積層電極を
利用した場合について説明する。図２に示すように、Ｔ
Ｍモード型共振器３０は略円盤状誘電体基板２１の表面
中央部に高周波電磁界結合型薄膜積層電極２４を設けた
ものである。薄膜積層電極２４は導体薄膜２５と誘電体
薄膜２６を交互に積層したもので、円形状をしている。
誘電体薄膜２６は（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4からなる。
【００１９】次に、以上の構造からなるＴＭモード型共
振器３０の製造手順について説明する。鏡面研磨したセ
ラミック誘電体基板２１の表面にメタルマスクを被せた
後、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等の方法を用
いて膜厚が約１０００ｎｍの導体薄膜２５を所望の部分
に形成する。さらに、メタルマスクを被せたまま、ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法を用いて膜厚が約７００
ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄膜２６を導体薄膜２５
上に形成する。同様にして導体薄膜２５と（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4薄膜２６を交互に形成した後、メタルマス
クを外して所定の形状の薄膜積層電極２４を形成する。
振器３０の製造手順について説明する。鏡面研磨したセ
ラミック誘電体基板２１の表面にメタルマスクを被せた
後、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等の方法を用
いて膜厚が約１０００ｎｍの導体薄膜２５を所望の部分
に形成する。さらに、メタルマスクを被せたまま、ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法を用いて膜厚が約７００
ｎｍの（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4薄膜２６を導体薄膜２５
上に形成する。同様にして導体薄膜２５と（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4薄膜２６を交互に形成した後、メタルマス
クを外して所定の形状の薄膜積層電極２４を形成する。
【００２０】こうして得られたＴＭモード型共振器３０
は、薄膜積層電極２４の誘電体薄膜２６が（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4からなるため、比誘電率εr及びＱを高くす
ることができる。しかも、誘電体基板２１の比誘電率ε
rが高くても、誘電体薄膜２６の膜厚が約７００ｎｍと
厚いため誘電体薄膜２６は誘電特性の膜厚依存性がな
く、誘電体薄膜２６のピンホールや誘電体基板２１のポ
アにも影響を受けない。
は、薄膜積層電極２４の誘電体薄膜２６が（Ｚｒ，Ｓ
ｎ）ＴｉＯ4からなるため、比誘電率εr及びＱを高くす
ることができる。しかも、誘電体基板２１の比誘電率ε
rが高くても、誘電体薄膜２６の膜厚が約７００ｎｍと
厚いため誘電体薄膜２６は誘電特性の膜厚依存性がな
く、誘電体薄膜２６のピンホールや誘電体基板２１のポ
アにも影響を受けない。
【００２１】［他の実施例］なお、本発明に係る高周波
電磁界結合型薄膜積層電極は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することがで
きる。薄膜電極の（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とす
る誘電体薄膜の形成手段としては、ＲＦマグネトロンス
パッタリング法以外に、イオンビームスパッタリング
法、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法、レーザ
アブレーション法、ＣＶＤ法等であってもよい。また、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とする誘電体薄膜に添
加物としてＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ3のいずれか一方のみを添
加したものであってもよい。
電磁界結合型薄膜積層電極は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することがで
きる。薄膜電極の（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とす
る誘電体薄膜の形成手段としては、ＲＦマグネトロンス
パッタリング法以外に、イオンビームスパッタリング
法、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法、レーザ
アブレーション法、ＣＶＤ法等であってもよい。また、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とする誘電体薄膜に添
加物としてＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ3のいずれか一方のみを添
加したものであってもよい。
【００２２】さらに、高周波共振器以外に、高周波電送
線路や高周波フィルタ等の高周波用電子部品であっても
よい。
線路や高周波フィルタ等の高周波用電子部品であっても
よい。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、薄膜積層電極が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成
分とした誘電体薄膜を用いているので、比誘電率εr及
びＱが高く、かつ温度特性が優れた高周波電磁界結合型
薄膜積層電極が得られる。しかも、誘電体基板の誘電率
が高くても、誘電体薄膜の膜厚が厚いため誘電体薄膜は
誘電特性の膜厚依存性がなく、誘電体薄膜のピンホール
や誘電体基板のポアにも影響を受けない。
よれば、薄膜積層電極が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成
分とした誘電体薄膜を用いているので、比誘電率εr及
びＱが高く、かつ温度特性が優れた高周波電磁界結合型
薄膜積層電極が得られる。しかも、誘電体基板の誘電率
が高くても、誘電体薄膜の膜厚が厚いため誘電体薄膜は
誘電特性の膜厚依存性がなく、誘電体薄膜のピンホール
や誘電体基板のポアにも影響を受けない。
【００２４】また、誘電体薄膜として非晶質又は多結晶
質のものを用いることにより、単結晶の誘電体薄膜の場
合と比較して容易に誘電体薄膜を形成することができ
る。さらに、誘電体薄膜の材料として、主成分である
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4に少なくともＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ
3のいずれか一方を添加することにより、より均質な誘
電体薄膜を得ることができる。
質のものを用いることにより、単結晶の誘電体薄膜の場
合と比較して容易に誘電体薄膜を形成することができ
る。さらに、誘電体薄膜の材料として、主成分である
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4に少なくともＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ
3のいずれか一方を添加することにより、より均質な誘
電体薄膜を得ることができる。
【図１】本発明に係る高周波電磁界結合型薄膜積層電極
の第１実施例を示す斜視図。
の第１実施例を示す斜視図。
【図２】本発明に係る高周波電磁界結合型薄膜積層電極
の第２実施例を示す斜視図。
の第２実施例を示す斜視図。
１…誘電体基板 ４…高周波電磁界結合型薄膜積層型電極 ５…導体薄膜 ６…誘電体薄膜 １０…１／２波長マイクロストリップ線路型共振器 ２１…誘電体基板 ２４…高周波電磁界結合型薄膜積層型電極 ２５…導体薄膜 ２６…誘電体薄膜 ３０…ＴＭモード型共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｇ (72)発明者 吉野 幸夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 導体薄膜と誘電体薄膜を積層して構成し
た高周波電磁界結合型薄膜積層電極において、 前記誘電体薄膜が（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とし
た誘電体薄膜であることを特徴とする高周波電磁界結合
型薄膜積層電極。 - 【請求項２】 （Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした
誘電体薄膜が、非晶質又は多結晶質であることを特徴と
する請求項１記載の高周波電磁界結合型薄膜積層電極。 - 【請求項３】 （Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4を主成分とした
誘電体薄膜に、少なくともＺｎＯ又はＣｏ2Ｏ3のいずれ
か一方が添加されていることを特徴とする請求項１記載
の高周波電磁界結合型薄膜積層電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107313A JPH08307114A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 高周波電磁界結合型薄膜積層電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107313A JPH08307114A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 高周波電磁界結合型薄膜積層電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307114A true JPH08307114A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14455917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7107313A Pending JPH08307114A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 高周波電磁界結合型薄膜積層電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014175864A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nucurrent Inc | 高効率の無線通信用多層ワイヤ構造 |
| US10958105B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-03-23 | Nucurrent, Inc. | Transmitting base with repeater |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP7107313A patent/JPH08307114A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014175864A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nucurrent Inc | 高効率の無線通信用多層ワイヤ構造 |
| US10958105B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-03-23 | Nucurrent, Inc. | Transmitting base with repeater |
| US11177695B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-11-16 | Nucurrent, Inc. | Transmitting base with magnetic shielding and flexible transmitting antenna |
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