JPH08306667A - プラズマアッシング処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板移載機構による基板の搬入及び搬出に際
しての基板の搬送距離が短くなって、基板の搬入及び搬
出に要する時間が少なくて済み、構成部品の製作加工の
点で有利であり、優れた処理性能を有する装置を提供す
る。 【構成】 真空容器10の下部14の内周面に間隔を設け全
周方向にわたって対向するように内部隔壁42を配設し、
内部隔壁下端と基板載置台32の上面との間に隙間50を形
成した。内部隔壁で囲まれた空間へ上部からプラズマ雰
囲気を導入し、隙間、排気チャンバ48及び排出口44を経
て排気するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プラズマを利用して
基板の表面からフォトレジストを剥離する場合などに使
用されるプラズマアッシング処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば超ＬＳＩの製造工程においては、
プラズマを利用して基板の表面からフォトレジストを剥
離するプラズマアッシング処理装置が使用される。この
プラズマアッシング処理装置では、真空容器内を真空排
気してから、真空容器内へ処理ガスを導入し、電極に高
周波電圧を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ
雰囲気を基板の表面へ導いて基板の処理が行なわれる。

【０００３】この種のプラズマアッシング処理装置につ
いては、例えば特開昭６３−２６００３０号公報等に開
示がなされているが、図４に、従来のプラズマアッシン
グ処理装置の構成の１例を示す。

【０００４】従来のプラズマアッシング処理装置は、図
４に一部を断面で表した概略正面図を示すように、全体
の形状がベルジャ（釣鐘）形をなし、下端が大きく開口
し、板状基台62上に立設され、かつ、下端周縁のフラン
ジ部が板状基台62の上面に気密に当接した真空容器60を
備えている。真空容器60は、石英ガラスで形成されてお
り、上部に処理ガスの導入口を有し、その導入口に処理
ガスの供給管64が連通接続されている。板状基台62に
は、真空容器60の内部空間に連通する貫通孔66が穿設さ
れている。また、真空容器60の胴体上部には一対の半筒
状電極68、70が、真空容器60の外周面を取り巻くように
付設されている。そして、一方の電極68は高周波電源72
に接続され、他方の電極70はアースされている。これら
一対の電極により、真空容器60の内部にプラズマが発生
させられる。

【０００５】真空容器60の下端開口74には、板状基台62
上に支持された排気リング76が固設されている。そし
て、真空容器60の下方には、その下端開口74に臨むよう
に基板載置台78が配設されており、この基板載置台78
は、載置台支持・駆動機構80により、板状基台62の貫通
孔66を通して上昇及び下降するように支持され駆動され
る。基板載置台78は、その上面が基板Ｗを載置する基板
載置面82をなしており、基板載置台78の内部に設けられ
た熱板（図示せず）によって温度調節されている。そし
て、基板載置台78が下降した位置において、この処理装
置に隣接して配設された基板移載機構98により、基板支
持・駆動機構84の複数本のピン86上へ未処理の基板Ｗが
移載された後、基板支持・駆動機構84のピン86が下降し
て、基板載置台78の基板載置面82上に基板Ｗが載置され
る。その後に、基板載置台78が上昇することにより、二
点鎖線で示すように、真空容器60内へその下端開口74を
通して基板Ｗが挿入されるようになっている。基板載置
台78が最上位置にある状態においては、板状基台62の下
面と基板載置台78の下端鍔部88の上面との間がシールさ
れ、真空容器60の下端開口74側は気密に閉塞される。ま
た、このとき、板状基台62の貫通孔66の内周面と基板載
置台78の外周面と基板載置台78の下端鍔部88上面と排気
リング76の下面とで囲まれた排気室90が形成されるとと
もに、基板載置台78の上面部と排気リング76との間に排
気路92が形成されるようになっている。基板の処理が終
わると、基板支持・駆動機構84のピン86が上昇して処理
済み基板を基板載置台78上から持ち上げた後、基板載置
台78が下降して、真空容器60の下端開口74が大気開放さ
れるとともに、処理済みの基板が真空容器60内から搬出
され、その処理済みの基板は、基板移載機構98により基
板支持・駆動機構84のピン86上から取り去られる。

【０００６】また、板状基台62には、貫通孔66の内周面
に処理ガスの排出口94が形設されており、その排出口94
に連通する排気通路96が形成されていて、排気通路96が
排気管（図示せず）に連通接続されている。そして、真
空容器60が密閉された状態において、排気管に流路接続
された図示しない真空ポンプを作動させることにより、
排気管、排気通路96、排出口94、排気室90及び排気路92
を通して真空容器60内が真空排気されるようになってい
る。また、真空容器60内を真空排気しながら、減圧状態
に保たれた真空容器60内へ処理ガスの供給管64を通して
処理ガスを導入するとともに、高周波電源72を駆動させ
てプラズマを発生させると、そのプラズマ雰囲気は、真
空容器60内を下向きに流動して基板載置台78上の基板Ｗ
の表面へ供給され、その後に、上記した排気経路を通っ
て排気されるようになっている。

【０００７】尚、基板載置台78及び板状基台62は、それ
ぞれ金属材料、例えばアルミニウム材で形成されてお
り、それぞれアースされている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来のプラ
ズマアッシング処理装置では、プラズマ雰囲気の排気経
路として、真空容器60が基板載置台78によって密閉され
たときに、板状基台62の貫通孔66の内周面と基板載置台
78の外周面と基板載置台78の下端鍔部88上面と排気リン
グ76の下面とで囲まれた排気室90が形成されるように、
板状基台62の貫通孔66内周面と基板載置台78の外周面と
の間に所定の距離を設ける必要がある。このため、その
距離分だけ、基板載置台78の基板載置面82と基板移載機
構98との間の距離が大きくなる。従って、基板移載機構
98の移載アームの移動距離が大きくなり、基板載置台78
上への基板の搬入及び基板載置台78上からの基板の搬出
に要する時間が多くかかることとなる。

【０００９】また、上記したように、真空容器60の密閉
時に排気室90が形成されるようにするために、基板載置
台78の下部に下端鍔部88を形成する必要があり、基板載
置台やその内部に設けられる熱板の形状が複雑となっ
て、それらの製作加工が面倒になる、といった問題点が
ある。

【００１０】さらに、上記した従来のプラズマアッシン
グ処理装置では、真空容器60が石英ガラスによって形成
されており、真空容器60を耐圧構造とする必要があっ
た。このため、真空容器60の内面形状が規制されて、そ
の自由度が小さく、基板Ｗの周辺の形状を、基板の処理
効率が上がるように変更する余地が少なかった。このよ
うに、従来のプラズマアッシング処理装置には、その処
理性能が真空容器の形状によって制約を受ける、といっ
た問題点がある。

【００１１】この発明は以上のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、基板移載機構による基板の搬入及び搬
出に際しての基板の搬送距離が短くなって、基板の搬入
及び搬出に要する時間が少なくて済むとともに、構成部
品の製作加工の点で有利であり、優れた処理性能を有す
るプラズマアッシング処理装置を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明では、真空容
器、プラズマ発生手段及び基板載置台、並びに、真空容
器と基板載置台とを相対的に上下方向に移動させる上下
移動機構を備えたプラズマアッシング処理装置におい
て、真空容器の下部内周面に間隔を設けかつ真空容器下
部の全周方向にわたって対向するように内部隔壁を配設
し、その内部隔壁の下端と基板載置台の上面との間には
隙間が形成されるように構成して、前記内部隔壁で囲ま
れた空間へ上部からプラズマ雰囲気を導入しそのプラズ
マ雰囲気を前記隙間から排出するようにした。

【００１３】請求項２に記載の発明では、上記構成の装
置において、上記内部隔壁の外周面と真空容器の下部内
周面とで囲まれた空間が排気経路の一部をなし、真空容
器の下部に処理ガスの排出口を、その位置が基板載置台
の上面より上方になるように形設した。

【００１４】また、請求項３に記載の発明では、上記構
成の装置において、上記内部隔壁の上部にリーク用通路
を形成し、プラズマ雰囲気の一部を、基板載置台上の基
板の方へ導くことなく前記リーク用通路を通して真空容
器外へ排出するようにした。

【００１５】また、請求項４に記載の発明では、上記構
成の装置において、上記内部隔壁を真空容器内に取外し
自在に取着するようにした。

【００１６】さらに、請求項５に記載の発明では、上記
構成の装置において、上記真空容器の下部を、円形状天
板壁面とその周縁部に上端面が連接した円筒状周壁面と
で構成し、かつ、それら円形状天板壁面及び円筒状周壁
面を金属材料でそれぞれ形成し、円形状天板壁面、円筒
状周壁面及び上記基板載置台をそれぞれアースするよう
にした。

【００１７】

【作用】上記構成を有するプラズマアッシング処理装置
では、真空容器内の上部で発生したプラズマ雰囲気は、
内部隔壁の内周面に案内されて基板載置台上の基板の表
面へ強制的に導かれ、効率良く基板の処理に与かり、処
理効率が上がる。そして、基板表面へ供給されたプラズ
マ雰囲気は、内部隔壁の下端と基板載置台の上面との間
の隙間を通って内部隔壁の外周面と真空容器の下部内周
面とで囲まれた空間へ流入し、真空容器外へ排出され
る。

【００１８】ここで、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に、この
発明に係るプラズマアッシング処理装置の構成の１例及
び従来のプラズマアッシング処理装置の構成の１例をそ
れぞれ示す。図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれの処
理装置の一部だけを拡大して示す縦断面図である。図３
の（Ａ）中、100は真空容器下部、102は基板載置台、10
4は内部隔壁、106は真空容器の板状基台、107は板状基
台106の貫通孔、108は断熱・シール部材であり、図３の
（Ｂ）中、110は真空容器の下部、112は基板載置台、11
4は排気リング、116は真空容器の板状基台、117は板状
基台112の貫通孔、118は基板載置台112の下端鍔部であ
る。また、図３中の120は、プラズマアッシング処理装
置に隣接して配設された基板移載機構である。

【００１９】従来のプラズマアッシング処理装置では、
上述したように、基板Ｗの表面へ供給されたプラズマ雰
囲気は、基板載置台112の上面部と排気リング114との間
の排気路から、板状基台116の貫通孔117の内周面と基板
載置台112の外周面と基板載置台112の下端鍔部118の上
面と排気リング114の下面とで囲まれた排気室へ流入
し、排気室から板状基台116に形設された排気通路を通
って排気される。従って、板状基台116の貫通孔117の内
周面と基板載置台112の外周面との間に、図３の（Ｂ）
に示すように寸法ｂの間隔を設ける必要がある。これに
対し、この発明に係るプラズマアッシング処理装置で
は、図３の（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面へ供給さ
れたプラズマ雰囲気は、内部隔壁104の下端と基板載置
台102の上面との間の隙間及び内部隔壁104の下端外周縁
と板状基台106の貫通孔107の内周面との間の隙間を通っ
て内部隔壁104の外周面と真空容器下部100の内周面とで
囲まれた空間へ流入し、その空間から排出口を通って排
気される。従って、板状基台106の貫通孔107の内周面と
基板載置台102の外周面との間に間隔を設ける必要は無
い。

【００２０】ところで、図３の（Ａ）及び（Ｂ）におい
て、Ａ及びａは、基板載置台102、112における温度の均
一性を保つために必要な寸法であり、Ｂは断熱用隙間の
寸法、Ｃ及びｃは、真空容器下部100の壁面及び板状基
台116の側壁面にそれぞれ所要の耐圧性を持たせるため
に必要な厚さ寸法であるが、寸法Ａ＝寸法ａ、寸法Ｃ＝
寸法ｃとすると、寸法Ｂは非常に小さいから、この発明
に係る処理装置では、基板載置台102の上面の基板Ｗの
載置位置と基板移載機構120との間の距離Ｄを、従来の
処理装置における基板載置台112上面の基板Ｗの載置位
置と基板移載機構120との間の距離ｄよりも小さくする
ことができる。

【００２１】請求項２に記載された構成では、内部隔壁
で囲まれた空間から、その下端と基板載置台の上面との
間の隙間を通って内部隔壁の外周面と真空容器の下部内
周面とで囲まれた空間へ流入したプラズマ雰囲気は、流
速を遅くされるとともに、その空間内を上向きに流れ、
真空容器の下部に形設された排出口を通って真空容器外
へ排気される。このように、内部隔壁の外周面と真空容
器の下部内周面とで囲まれた空間により、その空間へ流
入したプラズマ雰囲気の流速が遅くされて、出来るだけ
均一に真空排気され、かつ、その空間へ流入したプラズ
マ雰囲気は空間内を上向きに流れてから排気されるの
で、内部隔壁下端の全周から均一な排気を行なうことが
できる。

【００２２】また、請求項３に記載された構成では、真
空容器の内壁面付近に荷電粒子が多く存在して処理に好
ましくない状態であるときに、その好ましくないプラズ
マ雰囲気を、基板の処理に関与しないようにリーク用通
路を通して排出することができる。

【００２３】また、請求項４に記載の構成では、内部隔
壁を異なる種々の形状のものと交換することが可能にな
り、それによって処理条件を適切に変更することができ
るようになる。

【００２４】さらに、請求項５に記載の構成では、基板
載置台の基板載置面に載置された基板が、アースされた
金属部材で囲まれた状態となり、基板の周辺空間の電界
が弱められる。このため、真空容器の上部で発生したプ
ラズマ中の荷電粒子が基板表面へ衝突するときのエネル
ギーが小さくなり、基板表面への荷電粒子の衝突による
基板のダメージが緩和される。ここで、上記したよう
に、基板表面へ供給されたプラズマ雰囲気は、内部隔壁
の下端と基板載置台の上面との間の隙間を通って内部隔
壁の外周面と真空容器の下部内周面とで囲まれた空間へ
流入し、真空容器外へ排出されるので、真空容器の下部
を金属壁面としても、金属壁面に接触したプラズマ雰囲
気が基板の表面へ供給されることはなく、このため、金
属壁面が汚染源となる恐れは無い。従って、真空容器の
下部を金属壁面としたことによる不都合は生じない。

【００２５】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００２６】図１及び図２は、この発明の１実施例を示
し、プラズマアッシング処理装置の、一部を縦断面で表
した概略正面図であり、図１は真空容器を密閉した状態
を、図２は真空容器を大気開放した状態をそれぞれ示し
ている。

【００２７】このプラズマアッシング処理装置の真空容
器10は、石英ガラスで形成されたベルジャ部12と、金属
材料、例えばアルミニウム材で形成された真空容器下部
14とから構成され、真空容器下部14は、円形状天板壁面
16と、その周縁部に上端面が連接した円筒状周壁面18と
から構成されており、ベルジャ部12の下端フランジ面と
円形状天板壁面16の上面とを気密に接合して形成されて
いる。そして、真空容器10は、金属材料、例えばアルミ
ニウム材によって形成され真空容器下部14の内径と同等
の内径の貫通孔18が穿設された板状基台20上に立設され
ており、真空容器下部14の下端面が板状基台20の上面に
気密に当接している。ベルジャ部12の上部には、酸素ガ
ス等の処理ガスの供給管24が連通接続された処理ガスの
導入口が形成されている。また、ベルジャ部12には、そ
の外周面を取り巻くようにプラズマ発生用の一対の半筒
状電極26、28が付設されており、そのうちの一方の電極
26は高周波電源30に接続され、他方の電極28はアースさ
れている。

【００２８】板状基台20の下方には、平板状の基板載置
台32が配設され、基板載置台32は架台34上に固定されて
いる。基板載置台32は、金属材料、例えばアルミニウム
材によって形成されており、内部に熱板（図示せず）を
有して温度調節され、基板Ｗを載置する基板載置面36を
有している。そして、基板載置台32を貫通して上下方向
へ移動する複数本、例えば３本のピン40を備えた基板支
持・駆動機構38が架台34上に配設されている。この基板
支持・駆動機構38により、真空容器10内への未処理基板
Ｗの搬入及び真空容器10内からの処理済み基板の搬出に
際して、基板Ｗを基板載置台32の基板載置面36上に降し
たり基板載置面36上から持ち上げたりされる。

【００２９】真空容器下部14で囲まれた区域には、円筒
状周壁面16の内周面に間隔を設けて対向するように全周
方向にわたって内部隔壁42が配設されている。内部隔壁
42は、上端の開口径がベルジャ部12の下端開口径と同等
で下端の開口径が基板Ｗの直径と略同等である裾拡がり
の筒状をなし、下端外周縁の直径が板状基台20の貫通孔
22の内径より僅かに小さくされている。この内部隔壁42
は、石英ガラスで形成され、真空容器10内に固定保持さ
れている。また、内部隔壁42は、真空容器10のベルジャ
部12と真空容器下部14とを分離することにより、取り外
すことが可能であり、異なった種々の形状のものと取り
替えることができるようにされている。

【００３０】真空容器下部14の円筒状周壁面18には、基
板載置台32の上面より上方の位置に排出口44が形成され
ており、その排出口44に排気管46が連通接続されてい
る。また、内部隔壁42の外周面と真空容器下部14の内面
とで囲まれて排気チャンバ48が形成されている。そし
て、内部隔壁42の下端と基板載置台32の上面との間に隙
間50が形成されており、この隙間50を通し、内部隔壁42
で囲まれ基板Ｗの処理が行なわれる処理空間と排気チャ
ンバ48とが連通している。尚、この処理装置では、内部
隔壁42の外周面と真空容器下部14の内面との間の空間を
排気経路の一部とすることが可能になるため、従来の装
置のように、金属材料で形成された板状基台を、その厚
み方向と直交する方向にくり抜いて排気経路を形成す
る、といった必要が無くなり、簡単にかつ安価に装置を
製作することができる。また、内部隔壁42の上端部外面
側には、ベルジャ部12の内部空間と排気チャンバ48とを
連通するリーク用通路52が形成されている。このリーク
用通路52は、ベルジャ部12において発生したプラズマ雰
囲気の一部を、基板載置台32の基板載置面36に載置され
た基板Ｗの方へ流さずに排気チャンバ48内の方へリーク
させてそのまま排気するために設けられている。このよ
うにすることにより、真空容器10のベルジャ部12の内壁
面付近に多くの荷電粒子が存在して処理に好ましくない
状態であるときに、その好ましくないプラズマ雰囲気を
基板の処理に関与しないように排除することができる。

【００３１】真空容器10及び板状基台20は、その全体が
上下方向に往復移動自在に、架台34上に配設された支持
・駆動機構54によって支持されている。そして、図２に
示すように、真空容器10及び板状基台20を上昇させた状
態において基板移載機構56による真空容器10内への未処
理基板Ｗの搬入が行なわれ、図１に示すように、真空容
器10及び板状基台20を下降させ、真空容器10を気密閉塞
して、この状態において基板Ｗの処理が行なわれる。そ
して、処理後には、再び真空容器10及び板状基台20を上
昇させ、真空容器10を大気開放して、この状態において
基板移載機構56による真空容器10内からの処理済み基板
の搬出が行なわれる。

【００３２】また、金属材料、例えばアルミニウム材に
よって形成された真空容器下部14、板状基台20及び基板
載置台32は、それぞれアースされている。このように金
属形成部分をアースしておくことにより、プラズマの電
位が安定することとなる。さらに、基板載置台32に載置
された基板Ｗが、アースされた金属部材で囲まれた状態
となり、基板Ｗの周辺空間の電界を弱めることができ、
真空容器10の上部で発生したプラズマ中の荷電粒子が基
板Ｗの表面へ衝突するときのスピード、従ってエネルギ
ーを小さくすることができる。この結果、プラズマ中の
荷電粒子は、単に気流に乗って基板Ｗの表面へ衝突する
こととなり、衝突時に基板Ｗが受けるダメージを緩和す
ることができる。

【００３３】以上のような構成を有するプラズマアッシ
ング処理装置を使用して基板のアッシング処理を行なう
ときの動作について簡単に説明する。まず、真空容器10
及び板状基台20が上昇した状態において、基板移載機構
56によって基板載置台32の基板載置面36に、フォトレジ
スト膜が被着された基板Ｗを載置する。次に、真空容器
10及び板状基台20を下降させ、基板Ｗが真空容器10内に
配置されるようにするとともに、真空容器10を気密に閉
塞する。そして、図示しない真空ポンプにより、排気管
46、真空容器下部14の排出口44、排気チャンバ48及び内
部隔壁42の下端の隙間50を通して真空吸引し、真空容器
10内の空気を排除する。続いて、処理ガスの供給管24を
通して、例えば酸素ガスなどを真空容器10内へ導入しな
がら、真空吸引を継続して真空容器10内を所望の真空圧
に保つ。このとき、処理ガスは、内部隔壁42の内周面に
案内されて基板載置台32上の基板Ｗの表面へ強制的に導
かれ、内部隔壁42の下端の隙間50の全周から均一に排気
チャンバ48内へ流入し、排気チャンバ48内を上向きに流
れて排出口44から排気される。この状態で、一対の電極
26、28間に高周波電圧を印加して真空容器10内にプラズ
マを発生させ、プラズマ雰囲気を基板Ｗの表面へ供給し
て基板Ｗをアッシング処理する。処理が終了すると、真
空容器10及び板状基台20を上昇させ、真空容器10内を大
気圧に戻すとともに、真空容器10外に処理済みの基板が
配置されるようにし、その後に、基板移載機構56によっ
て基板載置台32上から処理済み基板を搬出する。

【００３４】尚、上記した実施例では、真空容器の下部
を金属材料で形成するようにしたが、真空容器下部をセ
ラミックスやガラスなどの材料で形成するようにしても
よい。また、内部隔壁の形状も、図面に示したものに限
定されない。

【００３５】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係るプラズマアッシング
処理装置を使用すれば、基板移載機構による基板の搬入
及び搬出に際しての基板の搬送距離が短くなって、基板
の搬入及び搬出に要する時間が少なくて済み、これによ
り、処理全体としての効率が向上する。また、この発明
に係る処理装置では、処理性能が向上するように内部隔
壁の形状を自由に選定することができるため、従来の装
置に比べて処理性能を高くすることができる。さらに、
この発明に係る処理装置では、基板載置台の形状が単純
化され、熱板と一体化された薄板状の基板載置台とする
ことが可能になり、構成部品の製作加工の点で有利であ
る。

【００３６】請求項２記載の発明に係る処理装置では、
基板が保持された位置の周辺から全周に渡って均一な排
気を行なうことができるため、基板の処理品質を向上さ
せかつ均一化することができる。

【００３７】請求項３に記載の発明に係る処理装置で
は、真空容器の内壁面付近に荷電粒子が多く存在して処
理に好ましくない状態であるときに、それによる悪影響
を無くして、基板の処理品質を向上させることができ
る。

【００３８】また、請求項４に記載の発明に係る処理装
置では、内部隔壁を交換するだけで処理条件を簡単に変
更することが可能になるため、最適な処理条件により処
理を行なうことができるようになり、装置の処理性能を
より向上させることができる。

【００３９】さらに、請求項５に記載の発明に係る処理
装置では、プラズマ中の荷電粒子が基板の表面へ衝突す
るときのエネルギーを小さくすることができ、荷電粒子
の衝突によって受ける基板のダメージを緩和することが
できるため、基板の品質を保持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施例を示すプラズマアッシング
処理装置の概略正面図であって、その一部を縦断面で表
した図であり、真空容器を密閉した状態を示している。

【図２】図１に示した処理装置の、真空容器を大気開放
した状態を示す概略正面図であって、その一部を縦断面
で表した図である。

【図３】この発明に係るプラズマアッシング処理装置と
従来のプラズマアッシング処理装置とを対比して作用を
説明するための図であり、処理装置の一部だけを拡大し
て示す縦断面図である。

【図４】従来のプラズマアッシング処理装置の構成の１
例を示し、一部を縦断面で表した概略正面図である。

【符号の説明】

10 真空容器 12 ベルジャ部 14 真空容器下部 16 円形状天板壁面 18 円筒状周壁面 20 板状基台 22 貫通孔 24 処理ガスの供給管 26、28 電極 30 高周波電源 32 基板載置台 36 基板載置台の基板載置面 38 基板支持・駆動機構 42 内部隔壁 44 処理ガスの排出口 48 排気チャンバ 50 内部隔壁の下端と基板載置台の上面との間の隙間 52 リーク用通路 54 支持・駆動機構54 56 基板移載機構

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下端が開口し、処理ガスの導入口及び排
   出口を有した真空容器と、 この真空容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発
   生手段と、 上面が、基板を載置する基板載置面をなし、前記真空容
   器の下端開口に臨むように配設され、その下端開口側を
   気密に閉塞する基板載置台と、 前記真空容器と前記基板載置台とを相対的に上下方向に
   移動させる上下移動機構とを備えてなるプラズマアッシ
   ング処理装置において、 前記真空容器の下部内周面に間隔を設けかつ真空容器下
   部の全周方向にわたって対向するように内部隔壁を、そ
   の下端と前記基板載置台の上面との間に隙間が形成され
   るようにして配設し、前記内部隔壁で囲まれた空間へ上
   部からプラズマ雰囲気を導入しそのプラズマ雰囲気を内
   部隔壁下端と基板載置台上面との間の前記隙間から排出
   するようにしたことを特徴とするプラズマアッシング処
   理装置。
2. 【請求項２】 内部隔壁の外周面と真空容器の下部内周
   面とで囲まれた空間が排気経路の一部をなすとともに、
   前記真空容器の下部に処理ガスの排出口を、その排出口
   が基板載置台の上面より上方に位置するように形設した
   請求項１記載のプラズマアッシング処理装置。
3. 【請求項３】 内部隔壁の上部に、プラズマ雰囲気の一
   部を基板載置台上の基板の方へ導くことなく真空容器外
   へ排出するためのリーク用通路を形成した請求項１又は
   請求項２記載のプラズマアッシング処理装置。
4. 【請求項４】 内部隔壁が真空容器内に取外し自在に取
   着された請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプ
   ラズマアッシング処理装置。
5. 【請求項５】 真空容器の下部を、円形状天板壁面とそ
   の周縁部に上端面が連接した円筒状周壁面とで構成し、
   かつ、それら円形状天板壁面及び円筒状周壁面を金属材
   料でそれぞれ形成し、円形状天板壁面、円筒状周壁面及
   び基板載置台をそれぞれアースした請求項１ないし請求
   項４のいずれかに記載のプラズマアッシング処理装置。