JPH08298198A - メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ - Google Patents
メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマInfo
- Publication number
- JPH08298198A JPH08298198A JP7134634A JP13463495A JPH08298198A JP H08298198 A JPH08298198 A JP H08298198A JP 7134634 A JP7134634 A JP 7134634A JP 13463495 A JP13463495 A JP 13463495A JP H08298198 A JPH08298198 A JP H08298198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- mesoscopic
- nanoscale
- size
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】材料合成などに広くもちいられている現在のプ
ラズマは、その大きさが、数ｍｍから数十ｃｍの大きさ
を持つため、そのナノメータースケールの材料合成、処
理といった局所的材料プロセシグへの応用においては、
レジストやマスクの必要性など、数々の制限を受け、そ
の解決策が望まれている。その制約、限界を凌駕する新
しいプラズマとしてのメゾスコピックプラズマおよびナ
ノスケールプラズマを提供するとともに、そのユニーク
なプラズマ材料プロセシングへの応用を行うことを目的
とする。 【構成】放電プラズマの大きさの少なくとも１つのデイ
メンションが、プラズマガスの平均自由行程の大きさ以
上で、かつ１０μｍ以下１０ｎｍ以上といったメゾスコ
ピック領域あるいはナノスケール領域の極微小の大きさ
をもつプラズマ、つまり、本発明で呼ぶところの、メゾ
スコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ。そし
てまた、本プラズマを用いた、プラズマ反応、および、
成膜、エッチング、表面処理を含む表面改質などのプラ
ズマ材料プロセシングへの応用。
ラズマは、その大きさが、数ｍｍから数十ｃｍの大きさ
を持つため、そのナノメータースケールの材料合成、処
理といった局所的材料プロセシグへの応用においては、
レジストやマスクの必要性など、数々の制限を受け、そ
の解決策が望まれている。その制約、限界を凌駕する新
しいプラズマとしてのメゾスコピックプラズマおよびナ
ノスケールプラズマを提供するとともに、そのユニーク
なプラズマ材料プロセシングへの応用を行うことを目的
とする。 【構成】放電プラズマの大きさの少なくとも１つのデイ
メンションが、プラズマガスの平均自由行程の大きさ以
上で、かつ１０μｍ以下１０ｎｍ以上といったメゾスコ
ピック領域あるいはナノスケール領域の極微小の大きさ
をもつプラズマ、つまり、本発明で呼ぶところの、メゾ
スコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ。そし
てまた、本プラズマを用いた、プラズマ反応、および、
成膜、エッチング、表面処理を含む表面改質などのプラ
ズマ材料プロセシングへの応用。
Description
【０００１】
【産業上の利用】本発明はプラズマ技術に関し、より詳
しくは、メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプ
ラズマ、そして、これらのプラズマを用いたプラズマ材
料プロセシングに関する。
しくは、メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプ
ラズマ、そして、これらのプラズマを用いたプラズマ材
料プロセシングに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとしている課題】
現代の材料開発、生産技術において、多くの分野で、プ
ラズマ材料プロセシング技術が用いられており、今後、
益々その地位は重要なものになっていくものと考えられ
ている。
現代の材料開発、生産技術において、多くの分野で、プ
ラズマ材料プロセシング技術が用いられており、今後、
益々その地位は重要なものになっていくものと考えられ
ている。
【０００３】とりわけ、半導体などの電子デバイスプロ
セシングなどにおいて、プラズマプロセシング技術は不
可欠なものとなっている。しかしながら、従来、プラズ
マプロセシングに用いられているプラズマは、主にその
大きさが、数ｍｍから数十ｃｍといったマクロスケール
（巨視的）のデイメンションをもっため、マイクロデバ
イスプロセスのような、μｍ、ｎｍスケールの空間的局
所プロセシングが必要になる際には、レジストやマスキ
ングのプロセスが要となり、プロセシング全体の繁雑
化、制限、限界を与えている。
セシングなどにおいて、プラズマプロセシング技術は不
可欠なものとなっている。しかしながら、従来、プラズ
マプロセシングに用いられているプラズマは、主にその
大きさが、数ｍｍから数十ｃｍといったマクロスケール
（巨視的）のデイメンションをもっため、マイクロデバ
イスプロセスのような、μｍ、ｎｍスケールの空間的局
所プロセシングが必要になる際には、レジストやマスキ
ングのプロセスが要となり、プロセシング全体の繁雑
化、制限、限界を与えている。
【０００４】本発明は、かかる状況のもとで、新しいプ
ラズマとしてのメゾスコピックプラズマおよびナノスケ
ールプラズマを提供するとともに、そのユニークなプラ
ズマ材料プロセシングへの応用を行うことを目的とす
る。
ラズマとしてのメゾスコピックプラズマおよびナノスケ
ールプラズマを提供するとともに、そのユニークなプラ
ズマ材料プロセシングへの応用を行うことを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するために、放電プラズマの大きさの少なくとも１
つのデイメンションが、プラズマガスの平均自由行程の
大きさ以上で、かつ１０μｍ以下１０ｎｍ以上といった
メゾスコピック領域あるいはナノスケール領域の極微小
の大きさをもつプラズマ、つまり本発明で呼ぶところ
の、メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズ
マを提案、提供するものである。また、それらのユニー
クなプラズマ材料プロセシングへの応用を行う。
解決するために、放電プラズマの大きさの少なくとも１
つのデイメンションが、プラズマガスの平均自由行程の
大きさ以上で、かつ１０μｍ以下１０ｎｍ以上といった
メゾスコピック領域あるいはナノスケール領域の極微小
の大きさをもつプラズマ、つまり本発明で呼ぶところ
の、メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズ
マを提案、提供するものである。また、それらのユニー
クなプラズマ材料プロセシングへの応用を行う。
【００１１】
【実施例】図１は本発明プラズマの実施例を示す概略図
である。図において、１、２はプラズマ生成用電極であ
る。電極（１、２）の間に、プラズマ電源３により、適
当な電圧を加えることによりこの空隙中に、プラズマ
（メゾスコピックプラズマあるいはナノスケールプラズ
マ）が生成される（４）。但しこの時、電極間距離は、
プラズマガスの平均自由行程の大きさ以上で、かつ、１
０μｍ以下１０ｎｍ以上といったメゾスコピック領域あ
るいはナノスケール領域の極微小の大きさをもつよう制
御されている。これらは、プラズマ容器５の中に収めら
れ、ガス導入口６、同排出口７が設置されている。図面
は本研究の実施例であり、本発明の範囲がこれにより限
定されるものでないことは勿論である。
である。図において、１、２はプラズマ生成用電極であ
る。電極（１、２）の間に、プラズマ電源３により、適
当な電圧を加えることによりこの空隙中に、プラズマ
（メゾスコピックプラズマあるいはナノスケールプラズ
マ）が生成される（４）。但しこの時、電極間距離は、
プラズマガスの平均自由行程の大きさ以上で、かつ、１
０μｍ以下１０ｎｍ以上といったメゾスコピック領域あ
るいはナノスケール領域の極微小の大きさをもつよう制
御されている。これらは、プラズマ容器５の中に収めら
れ、ガス導入口６、同排出口７が設置されている。図面
は本研究の実施例であり、本発明の範囲がこれにより限
定されるものでないことは勿論である。
【００１２】
【発明の効果】プラズマの大きさが、１０ｎｍから１０
μｍといったμｍ、ｎｍスケールのデイメンションをも
つため、μｍ、ｎｍスケールの空間的局所プロセシング
において、レジストやマスキングなどのプロセスが不必
要となり、プロセシング全体の繁雑化、制限、限界から
解放される。
μｍといったμｍ、ｎｍスケールのデイメンションをも
つため、μｍ、ｎｍスケールの空間的局所プロセシング
において、レジストやマスキングなどのプロセスが不必
要となり、プロセシング全体の繁雑化、制限、限界から
解放される。
【図１】本発明プラズマの実施例を示す概略図である
１、２ プラズマ電極 ３ プラズマ電源 ４ 発生したプラズマ（メゾスコピックプラズマある
いはナノスケールプラズマ） ５ プラズマ容器 ６ ガス導入口 ７ ガス排出口
いはナノスケールプラズマ） ５ プラズマ容器 ６ ガス導入口 ７ ガス排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 放電プラズマのうち、その大きさの少な
くとも１つのデイメンションが、プラズマガスの平均自
由行程の大きさ以上で、かつ１０μｍ以下１０ｎｍ以上
といったメゾスコピック領域あるいはナノスケール領域
の極微小の大きさをもつプラズマ。 - 【請求項２】 上記プラズマを用いた、プラズマ反応方
法、プラズマ成膜，プラズマエッチング，プラズマ表面
改質などのプラズマ表面処理といったプラズマ材料プロ
セシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7134634A JPH08298198A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7134634A JPH08298198A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298198A true JPH08298198A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=15132965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7134634A Pending JPH08298198A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08298198A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006001455A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | The University Of Tokyo | プラズマ発生装置並びにこれを使用した生体内プラズマ処理装置及び表面処理装置 |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP7134634A patent/JPH08298198A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006001455A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | The University Of Tokyo | プラズマ発生装置並びにこれを使用した生体内プラズマ処理装置及び表面処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004518802A (ja) | 誘電体表面の放電装置及び放電方法 | |
| JPH03271200A (ja) | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 | |
| JPS5915982B2 (ja) | 放電化学反応装置 | |
| JPH08298198A (ja) | メゾスコピックプラズマおよびナノスケールプラズマ | |
| JPH07169745A (ja) | 平行平板型ドライエッチング装置 | |
| JPH08306499A (ja) | 高圧環境下極小電極ギャッププラズマ発生装置 | |
| JPS59144133A (ja) | プラズマドライ処理装置 | |
| JPS59139629A (ja) | プラズマドライ処理装置 | |
| JPH07183284A (ja) | 薄層をエッチングするための装置および方法 | |
| JPS6234834B2 (ja) | ||
| JP2630603B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR102628816B1 (ko) | 반도체 나노 임프린트 장치 및 소프트 몰드의 잔류 감광액 제거 방법 | |
| JPS612328A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007012668A (ja) | 導電性薄膜のプラズマパターニング方法 | |
| JPH11176811A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2002026110A (ja) | 除電機能付き基板搬送アーム | |
| CN107123639B (zh) | 一种待成膜基板及等离子体设备 | |
| JPH0797575B2 (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| JPS5871626A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS60254730A (ja) | レジスト剥離装置 | |
| JP2900546B2 (ja) | 液晶配向処理装置 | |
| JPS58145131A (ja) | クロム膜のドライエツチング方法 | |
| JPS63253617A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01258428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6279624A (ja) | プラズマ処理装置 |