JPH08296094A - 回転メッキ装置ならびに回転メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メッキ時間が短縮できるとともに、メッキ被
膜の厚みや品質のばらつきを小さくできる回転メッキ装
置ならびに回転メッキ方法を提供する。 【構成】 正逆回転可能な円板状基台３の上にメッキ処
理液９を透過させて排出するフィルターリング４と一方
電極を成す導電性リング５とを配設してなる回転ドーム
２にメッキ処理物８を収納し、メッキ処理液９を投入し
て導電性リング５と他方電極10とにより通電しつつ、回
転ドーム２が正回転の回転時間Ｔr1および逆回転の回転
時間Ｔr2が回転の切り換え時間Ｔｔよりも長い正回転と
逆回転とを繰り返すことを特徴とする回転メッキ装置で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回転メッキ装置ならびに
回転メッキ方法に関し、詳しくは小型電子部品の端子電
極形成などに利用する回転メッキ装置ならびに回転メッ
キ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサや各種チップ
部品などの小型の電子部品あるいは半導体素子や発光ダ
イオードなどの端子電極は、チップ部品の端部に焼き付
けられた下地電極の上にメッキにより形成される場合が
多く、従来よりバレルメッキ装置を用いた電気メッキが
多用されている。この種のバレルメッキでは電気絶縁材
あるいは絶縁部材によって独立した導電材から成るバレ
ル内に被メッキ部品１体積に対してメディアまたはダミ
ーといわれる通電媒介物を５〜10倍量加えて混合投入
し、12〜16ｒｐｍ程度の回転数でバレルを回転させて被
メッキ部品とメディアとを攪拌しながらメッキ液に浸漬
して通電して、銀（Ａｇ）や銀−パラジウム（Ｐｄ）な
どから成る焼付電極上にＮｉメッキ被膜やＳｎメッキ被
膜あるいは半田メッキ被膜を形成する。そしてメッキ被
膜の厚みは、メッキ時間を一定にして電流値を変えるこ
とによって調整されることが多い。

【０００３】このようなバレルメッキについては種々の
提案がなされており、例えば特公平４−16930 号には、
焼付電極を形成した積層セラミックコンデンサの全体積
１に対して球状の金属で直径が 0.1〜5.5 ｍｍの通電媒
介物の全体積１〜3.5 の割合で投入・混合して電気バレ
ルメッキを行なう方法が提案されている。それによれ
ば、積層セラミックコンデンサ特有のメッキのびが減少
することによりメッキ被膜の均一化とメッキ時間の短縮
化が可能になって製造工程が改善されるとともに、電極
幅の変化のバラツキを小さくすることができ、またメッ
キ液として酸性メッキ液を使用した場合は、メッキ時間
を短縮することができることにより端子電極の引張り強
度等の低下を防ぐことができるというものである。

【０００４】また特公平４−63160 号には、導電材質の
ダミーとして、被メッキ部品より小型のダミーと大型の
ダミーとを小型ダミーに対して大型ダミーの混入率が小
さい状態（バレル全量に対する大型ダミーの比率が約15
〜35％）でバレル内に混入して電気メッキを行なうバレ
ルメッキ方法が提案されている。それによれば、被メッ
キ部品と小型ダミーとの攪拌を良好にして両者の分離を
抑制し、各部品間の通電を均一にしてメッキ厚さの均一
化を図ることができ、メッキ不良品の発生率の低減およ
びメッキ処理時間の短縮化を図ることができるようにな
るというものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなバレルメッキ方法では、例えば積層セラミックコン
デンサの端子電極として１〜６μｍ厚のＮｉメッキ被膜
と１〜10μｍ厚の半田メッキ被膜とを形成する場合、Ｎ
ｉメッキで40〜60分、半田メッキで50〜90分もの時間が
必要であるという問題点があった。

【０００６】この問題点を改善するためには、メディア
の量を減らして被メッキ部品１個当たりに流れる電気量
を増やすことでメッキ時間を短縮することが可能とな
る。しかしメディアの量を減らすと通電用電極としてバ
レル内に設置したカソードとメディアとが接触できなく
なり、メッキ電流が流れなくなってメッキされなくなっ
てしまうという問題点があった。

【０００７】また一般的に行われているバレルメッキで
は電流密度を 0.1Ａ／ｄｍ² より上げることができない
ため、電気量を多くしてメッキ時間を短縮することは困
難であるという問題点もあった。

【０００８】本発明は上記事情に鑑みて本発明者が鋭意
研究を進めた結果完成されたものであり、その目的は、
メッキを高速に行なうことができてメッキ時間が短縮で
きるとともに、メッキ被膜の厚みや品質のばらつきを小
さくできる回転メッキ装置を提供し、特に小型の電子部
品にメッキを施すのに好適な回転メッキ装置を提供する
ことにある。

【０００９】また本発明の目的は、メッキを高速に行な
うことができてメッキ時間が短縮できるとともにメッキ
被膜の厚みや品質のばらつきを小さくできる、回転メッ
キ装置を用いた回転メッキ方法を提供し、特に小型の電
子部品にメッキを施すのに好適な回転メッキ方法を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の回転メッキ装置
は、一方電極を有し、被メッキ部品と導電性メディアと
が収納されかつメッキ処理液が投入される回転ドーム
と、その回転ドームの回転中心に配される他方電極とか
ら成る回転メッキ装置であって、前記回転ドームは、正
逆回転可能な円板状基台の上にメッキ処理液を透過させ
て排出するフィルターリングと前記一方電極を成す導電
性リングとを配設してなるとともに、正回転と逆回転が
繰り返し行なわれ、且つ正回転の回転時間Ｔr1、逆回転
の回転時間Ｔr2、正逆回転の切り換え時間ＴｔがＴr1＞
Ｔｔ、Ｔr2＞Ｔｔであることを特徴とするものである。

【００１１】また本発明の回転メッキ方法は、一方電極
を成す導電性リングとメッキ処理液を透過させて排出す
るフィルターリングとを有する回転ドーム中に、被メッ
キ部品と導電性メディアとを収納してメッキ処理液を投
入し、次に前記回転ドームの回転中心に配した他方電極
と前記一方電極とによりメッキ処理液に通電しつつ前記
回転ドームを下記条件で正回転と逆回転を繰り返し行な
わせ、被メッキ部品にメッキを施すことを特徴とするも
のである。 回転ドームの正回転の回転時間：Ｔr1 逆回転の回転時間：Ｔr2 正逆回転切り換え時間：Ｔｔ 条件：Ｔr1＞Ｔｔ、Ｔr2＞Ｔｔ

【００１２】

【作用】本発明の回転メッキ装置によれば、上記構成の
回転ドームに被メッキ部品例えば電子部品と導電性のメ
ディアとを混合して収納し、メッキ処理液を投入して、
メッキ液に通電しつつ正回転と逆回転とを繰り返すこと
により、回転ドームの回転中は被メッキ部品と導電性メ
ディアとが回転ドームの周壁となっている導電性リング
上に遠心力によって分散して押し付けられる状態となる
ので、電流密度を0.1Ａ／ｄｍ² より上げて電気量を多
くすることができるとともに電流の分布が一様となって
高速メッキが可能となりメッキ時間を短縮することがで
きる。しかも回転ドームにおいて導電性リングの下にフ
ィルターリングを設置したことにより、回転ドームの回
転に伴って消耗し疲労したメッキ処理液を透過させて排
出することができるので、その排出量に応じてメッキ処
理液を投入して補充することにより、常に一定の速度で
品質の安定したメッキ処理を行なうことができる。

【００１３】また、回転ドームの回転が正回転から逆回
転または逆回転から正回転に切り換わる際には被メッキ
部品と導電性メディアとが遠心力を受けなくなって円板
状基台の上にばらけるので、被メッキ部品と導電性メデ
ィアとが十分に攪拌・混合されて分布の偏りがなくな
る。従ってこのように正回転と逆回転とを繰り返して回
転メッキを行なうことにより、形成されるメッキ被膜の
厚みや品質のばらつきを小さくすることができるものと
なる。しかも、回転ドームの正回転と逆回転との繰り返
しにより被メッキ部品が常に攪拌されて一方電極である
導電性リングに接触を繰り返すので、被メッキ部品へ直
接通電する電気量を多くすることができる。従って、そ
れに伴って導電性メディアの混合量を従来のバレルメッ
キよりも少なくすることができ、それによっても被メッ
キ部品への電流密度を大きくすることができて高速のメ
ッキ処理が可能となる。

【００１４】さらに、回転ドームの正回転の回転時間Ｔ
r1および逆回転の回転時間Ｔr2を、回転ドームの回転を
逆転させるための切り換え時間Ｔｔすなわち回転の停止
および開始のための合計時間よりも長くしたことによ
り、回転ドームの回転中の時間すなわち多い電気量で有
効にメッキが行なわれるメッキ時間を長く設定できると
ともに、全体のメッキ処理時間の中で被メッキ部品と導
電性メディアとの攪拌・混合をより多く繰り返すことが
できるので、メッキ速度の高速化およびメッキ時間の短
縮化ならびにメッキ被膜の厚みや品質の均一化をより効
果的に行なうことができるものとなる。

【００１５】また本発明の回転メッキ方法によれば、上
記構成の回転メッキ装置によって被メッキ部品にメッキ
処理を施すに当たって、メッキ処理液に通電しつつ回転
ドームの正回転および逆回転を繰り返し、その正回転の
回転時間Ｔr1および逆回転の回転時間Ｔr2を回転の切り
換え時間Ｔｔよりも長くすることによって、メッキ速度
の高速化およびメッキ時間の短縮化ならびにメッキ被膜
の厚みや品質の均一化をより効果的に行なうことができ
る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の回転メッキ装置ならびに回転
メッキ方法について実施例に基づいて詳細に説明する。
なお本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、
本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えるこ
とは何ら差し支えない。

【００１７】図１は本発明の回転メッキ装置の概略構成
図である。図１の回転メッキ装置１において２は回転ド
ームであり、その回転ドーム２には正逆回転可能な円板
状基台３の上にフィルターリング４と一方電極を成す導
電性リング５とフード６とが配設されており、回転軸７
の周りに矢印で示したように正逆回転可能になってい
る。

【００１８】回転ドーム２の中には、電子部品などの被
メッキ部品と導電性メディアとを混合したもの（以下、
メッキ処理物という）８が収納されるとともにメッキ処
理液９が投入される。また回転ドーム２の回転中心には
他方電極10が配されており、その他方電極10は、メッシ
ュ状の導電性円筒11の内部に可溶性金属導体12を収納し
た構造となっており、本例ではこの他方電極10を通して
メッキ処理液９が供給されるようになっている。そして
導電性リング５と他方電極10との間には、メッキ処理物
８およびメッキ処理液９に通電するための電源（図示せ
ず）が接続されている。

【００１９】回転ドーム２の周囲にはドーム受槽13が配
され、回転ドーム２の回転に伴ってフィルターリング４
を透過して排出されるメッキ処理液９を回収できるよう
になっている。ドーム受槽13により回収されたメッキ処
理液９は、図中に矢印で示したようにそれぞれ処理液９
の種類によってメッキ液循環槽14・15に送られ、それぞ
れの槽に設けられたポンプ16によりフィルター17を通し
て再び回転ドーム２に投入されて、メッキ処理液９の循
環が行なわれる。水洗する場合は、純水槽（図示せず）
から純水が送られ、フィルターリング４を通して排出さ
せる。なおそれぞれの槽に回収された処理液は、必要に
応じて廃棄され新しい処理液が供給されて、常に安定し
たメッキ処理が行なわれるように管理される。

【００２０】また回転ドーム２にはレベルセンサー18が
設置されており、液面の高さ（液量）が管理されてい
る。さらにメッキ液循環槽14・15には、それらの槽中の
液を攪拌して一様にするための攪拌機19と、液温を調節
するためのヒーター20が設置されている。

【００２１】回転ドーム２を構成するフィルターリング
４は、例えば５〜50μｍ程度の空孔を多数有している多
孔質（ポーラス）のポリプロピレンなどの材質からな
る。そして回転ドーム２が回転することによりその遠心
力でメッキ処理液９がフィルターリング４を透過してド
ーム受槽13中に排出される。一方、メッキ処理物８はこ
のフィルターリンク４を透過できないため、メッキ処理
液９のみが排出されて循環し、常に安定した品質のメッ
キ処理液９が供給される。なおフィルターリング４から
は、回転ドーム２の停止中にも少量のメッキ処理液９が
排出される。

【００２２】一方電極を成す導電性リング５は、導電性
が良く、磨耗しにくく、しかも耐薬品性る優れた特長を
有することが望まれるために、例えばチタン（Ｔｉ）な
どの材質からなり、回転ドーム２の周壁を形成するよう
に設けられる。そして、回転ドーム２の回転中にはメッ
キ処理物８が遠心力でこの導電性リング５上に分散して
押し付けられる状態となる。

【００２３】他方電極10の導電性円筒11には、不溶性導
電材質であることが要求されるため、例えばＴｉやＡｕ
・Ｐｔなどの不溶性金属からなるメッシュ状の金属製の
円筒などが用いられる。またこの導電性円筒11の内部に
は、比表面積が大きくしかも電流効率が高い可溶性の導
電材質の金属として、例えばＮｉ・Ｓｎ・半田ボールお
よび半田板などの導電性に優れた可溶性金属導体12が収
納されている。この可溶性金属導体12の量は、導電性円
筒11内にできるだけ多く入れた方が有効である。

【００２４】メッキ処理物８は上記のように電子部品な
どの被メッキ部品と導電性メディアとを混合したもので
ある。そのような電子部品としては、例えば積層セラミ
ックチップコンデンサやチップ抵抗・圧電部品・発光ダ
イオードなどがある。また導電性メディアには、被メッ
キ部品よりも小さな体積の導電性に優れた金属球などが
用いられ、例えば 0.3〜1.5 ｍｍφのスチールボールが
用いられる。そして両者の混合割合は、積層セラミック
コンデンサの場合であればその体積１に対してスチール
ボールの体積を３以下と設定すると、メッキ時間が短縮
でき、しかも厚みバラツキの少ないメッキ被膜が得られ
るといった点で好ましい。

【００２５】メッキ処理液９には、電気メッキを行なう
ためのメッキ浴液、あるいは水洗するための水や水洗後
に置換するためのアルコールなどが用いられる。例えば
メッキ浴液としては、Ｎｉメッキであればワット浴液あ
るいはスルニック浴液などが、また半田メッキであれば
ソルダロンＬＧ浴液などが用いられる。またＳｎメッキ
であればＳｎ２３２浴液などが用いられる。

【００２６】そして、上記のような構成の回転メッキ装
置１によって被メッキ部品に電気メッキ処理を行なうに
当たっては、まず被メッキ部品である電子部品（例えば
積層セラミックチップコンデンサ）と導電性メディアと
をそれぞれ例えばメスシリンダーなどで計量して所定の
体積同士を混合し、そのようにして用意したメッキ処理
物８を回転ドーム２に収納する。

【００２７】ついで回転ドーム２に水を投入して 500ｒ
ｐｍ程度の回転速度で30〜60秒程度正逆回転を行なっ
て、メッキ処理物８か均一になるように攪拌・混合す
る。

【００２８】次いで水を排出した後にメッキ処理液９と
してＮｉメッキ浴液などを投入し、電流密度 0.1〜1.0
Ａ／ｄｍ² の条件で通電しつつ、回転速度 500ｒｐｍで
正逆回転を繰り返しながらメッキを行なう。このとき、
例えば回転開始１秒→正回転時間（Ｔr1）３秒→回転停
止１秒→回転開始１秒（停止と開始の合計時間すなわち
回転の切り換え時間Ｔｔ＝２秒）→逆回転時間（Ｔr2）
３秒→回転停止１秒→回転開始１秒（停止と開始の合計
時間すなわち回転の切り換え時間Ｔｔ＝２秒）→正回転
時間（Ｔr1）３秒というような正逆回転のサイクルを繰
り返し、Ｔr1およびＴr2がＴｔより長くなるように設定
する。

【００２９】そして所望のＮｉメッキ処理が終了した
ら、メッキ浴液を排出して水洗を行ない、次に半田メッ
キ浴液を投入して上記と同様に半田メッキ処理を行な
う。その後、メッキ浴液を排出して再び水洗を行ない、
最後にメタノール置換を行なった後乾燥し、ふるいによ
り被メッキ部品と導電性メディアとを選別してメッキ処
理済の被メッキ部品を得る。

【００３０】このように回転ドーム２の正回転と逆回転
とを繰り返すときの回転ドーム２中におけるメッキ処理
物８の状態を、図２に示す。図２（ａ）および（ｂ）は
それぞれ回転ドーム２の断面図であり、同図（ａ）は回
転中の状態を、同図（ｂ）は停止したときの状態を示し
ている。

【００３１】同図（ａ）に示したように、回転ドームが
正または逆回転している状態では、メッキ処理物８が遠
心力で導電性リング５上に分散して押し付けられる状態
となり、メッキ処理物８が導電性リング５に一様に接触
するようになって、大きな電流密度で一様なメッキを行
なうことができるようになる。しかも導電性リング５上
のフード６を上部がすぼまった円錐形状としているの
で、メッキ処理物８は導電性リング５上に集められるよ
うになってメッキ処理物８に対する通電のロスがなくな
り、それによっても高速メッキが可能となる。

【００３２】また同図（ｂ）に示したように回転ドーム
２が停止した状態では、メッキ処理物８に遠心力が働か
なくなるためにメッキ処理物８が円板状基台３上にばら
けることになり、このときに被メッキ部品と導電性メデ
ィアとが攪拌・混合される。

【００３３】回転ドーム２が正逆回転を繰り返すことに
より、その都度このようにメッキ処理物８が攪拌され混
合されるので、メッキ処理物８の内容物には偏りがなく
なり、その結果、厚みや品質が均一なメッキ被膜を高速
で形成することができる。

【００３４】また、本発明における回転ドーム２の正回
転と逆回転とを繰り返すときの回転時間および回転の切
り換え時間の設定について、図３に線図で示す。

【００３５】同図の縦軸は回転ドーム２の回転状態を示
し、「正」は正回転、「逆」は逆回転をしていることを
表わし、「（切）」は回転の停止および開始を行なって
回転の切り換え状態にあることを表わしている。また横
軸は時間を示し、それぞれＴu1は正回転の開始時間、Ｔ
r1は正回転の時間、Ｔd1は正回転の停止時間、Ｔu2は逆
回転の開始時間、Ｔr2は逆回転の時間、Ｔd2は逆回転の
停止時間を表わしており、またＴｔは回転の切り換えの
ための時間、すなわちＴd1とＴu2との和またはＴd2とＴ
u1との和を表わしている。そして本発明の回転メッキ装
置は上記のように正回転の回転時間Ｔr1および逆回転の
回転時間Ｔr2が回転の切り換え時間Ｔｔよりも長い正回
転と逆回転とを繰り返すことが特徴であり、本発明の回
転メッキ方法は同じく正回転の回転時間Ｔr1および逆回
転の回転時間Ｔr2を回転の切り換え時間Ｔｔよりも長く
したことが特徴である。

【００３６】このようにＴr1およびＴr2をＴｔより長く
設定するに当たっては、全体のメッキ処理時間の中でで
きるだけＴr1およびＴr2を長くとりつつ十分にメッキ処
理物８を攪拌できるようにするとともに、Ｔｔを短くと
るように設定することが好ましい。またＴｔは、回転の
停止および回転の開始に最低限必要な時間を最小値と
し、メッキ処理物８が十分にばらける時間を最大値とし
て適宜設定するとよく、Ｔd1とＴu2との和と、Ｔd2とＴ
u1との和とでその設定を変えてもよい。また同様にＴr1
とＴr2の長さを変えて設定してもよい。

【００３７】以下、本発明の回転メッキ装置ならびに回
転メッキ方法の具体例を示す。

【００３８】フィルターリング４として内径 183ｍｍ
φ、高さ３ｍｍの多孔質のポリブロピレン（５μｍの空
孔が多数存在している）製のリングを用い、導電性リン
グ５として内径 184ｍｍφ、高さ20ｍｍのチタン製のリ
ングを用いて回転ドーム２を構成した。

【００３９】また、被メッキ部品として寸法が長さ 1.0
ｍｍ×幅 0.5ｍｍ×高さ 0.5ｍｍの積層セラミックチッ
プコンデンサ19ｍｌ（約10万個）に対して、導電性メデ
ィアとして 0.4ｍｍφスチールボールを19ｍｌ加えて合
計38ｍｌのメッキ処理物８とした。

【００４０】メッキ処理液９としては、Ｎｉメッキ浴液
として60℃、ｐＨ 4.5のワット浴液と、半田メッキ浴液
として25℃、ｐＨ 4.0のソルダロンＬＧ浴液を用意し
た。

【００４１】そして上記の回転ドーム２内に上記のメッ
キ処理物８を収納して、以下の手順によりＮｉメッキ処
理と半田メッキ処理を行ない、積層セラミックチップコ
ンデンサの端子電極を形成した。

【００４２】１、回転ドーム２に水を投入し、回転数 5
00ｒｐｍでＴr1およびＴr2が各３秒、Ｔｔが２秒（回転
停止および開始が各１秒）の条件で60秒間水洗する。 ２、水を排出してＮｉメッキ浴液を投入する。メッキ浴
液はポンプ16により循環させる。 ３、電流密度を 0.5Ａ／ｄｍ² に設定し、回転数 500ｒ
ｐｍでＴr1およびＴr2が各３秒、Ｔｔが２秒（回転停止
および開始が各１秒）の条件で正逆回転を繰り返しなが
ら30分間メッキ処理を行なう。 ４、Ｎｉメッキ浴液を排出し、１と同様の条件で60秒間
水洗する。 ５、水を排出して半田メッキ浴液を投入する。このメッ
キ浴液もポンプ16により循環させる。 ６、電流密度を 0.5Ａ／ｄｍ² に設定し、回転数 500ｒ
ｐｍでＴr1およびＴr2が各３秒、Ｔｔが２秒（回転停止
および開始が各１秒）の条件で正逆回転を繰り返しなが
ら30分間メッキ処理を行なう。 ７、半田メッキ浴液を排出し、１と同様の条件で60秒間
水洗する。 ８、水を排出し、メタノールを投入してメタノール置換
を行なう。 ９、メタノールを排出後に回転ドーム２からメッキ処理
物８を取り出し、温風乾燥器に投入して50℃で30分間乾
燥した後、ふるいで積層セラミックチップコンデンサと
導電性メディアとを選別する。

【００４３】このようにして得た積層セラミックチップ
コンデンサについて端子電極の厚みを蛍光Ｘ線により測
定したところ、その平均値はＮｉ：2.75μｍ、半田：
5.5μｍであり、ばらつきはＣＶ値（＝（σ／ｘ）×100
（％））で表わして10％と良好であった。

【００４４】なお、以上の実施例では積層セラミックチ
ップコンデンサへのメッキ処理を例にとって説明を行な
ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、メッ
キ処理を必要とする他の被メッキ部品にも適用できて同
様の作用・効果が得られるものであることは言うまでも
ない。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明の回転メッキ
装置によれば、正逆回転可能な円板状基台の上にフィル
ターリングと導電性リングとフードとを配した回転ドー
ムに、電子部品などの被メッキ部品と導電性のメディア
とを混合して収納し、メッキ処理液を投入するとともに
通電しつつ正回転と逆回転とを繰り返し、回転ドームの
正回転の回転時間Ｔr1および逆回転の回転時間Ｔr2を、
回転ドームの回転の切り換え時間Ｔｔよりも長くしたこ
とにより、電流密度を上げて電気量を多くすることがで
きるとともに電流の分布が一様となって高速メッキが可
能となりメッキ時間を短縮できた回転メッキ装置を提供
することができた。またそれによりメッキ被膜の厚みや
品質のばらつきも小さくなり、良好な品質のメッキ処理
が行なえる回転メッキ装置を提供することができた。

【００４６】また本発明の回転メッキ装置によれば、被
メッキ部品へ直接通電する電気量を多くすることができ
るので、それに伴って導電性メディアの混合量を従来の
バレルメッキよりも少なくすることができ、それによっ
ても被メッキ部品への電流密度を大きくすることができ
て高速のメッキ処理が可能となった。

【００４７】また本発明の回転メッキ方法によれば、上
記構成の回転メッキ装置によって被メッキ部品にメッキ
処理を施すに当たって通電しつつ回転ドームの正回転お
よび逆回転を繰り返し、その正回転の回転時間Ｔr1およ
び逆回転の回転時間Ｔr2を回転の切り換え時間Ｔｔより
も長くすることによって、メッキ速度の高速化およびメ
ッキ時間の短縮化ならびにメッキ被膜の厚みや品質の均
一化をより効果的に行なうことができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回転メッキ装置の実施例を示す概略構
成図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明の回転メッキ装置
におけるメッキ処理物の状態を示す断面図である。

【図３】本発明における回転時間および回転の切り換え
時間の設定を説明する線図である。

【符号の説明】

１・・・回転メッキ装置 ２・・・回転ドーム ３・・・円板状基台 ４・・・フィルターリング ５・・・導電性リング（一方電極） ６・・・フード ８・・・メッキ処理物 ９・・・メッキ処理液 10・・・他方電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方電極を有し、被メッキ部品と導電性
   メディアとが収納されかつメッキ処理液が投入される回
   転ドームと、該回転ドームの回転中心に配される他方電
   極とから成る回転メッキ装置であって、前記回転ドーム
   は、正逆回転可能な円板状基台の上にメッキ処理液を透
   過させて排出するフィルターリングと前記一方電極を成
   す導電性リングとを配設してなるとともに、正回転と逆
   回転が繰り返し行なわれ、且つ正回転の回転時間Ｔr1、
   逆回転の回転時間Ｔr2、正逆回転の切り換え時間Ｔｔが
   Ｔr1＞Ｔｔ、Ｔr2＞Ｔｔであることを特徴とする回転メ
   ッキ装置。
2. 【請求項２】 一方電極を成す導電性リングとメッキ処
   理液を透過させて排出するフィルターリングとを有する
   回転ドーム中に、被メッキ部品と導電性メディアとを収
   納してメッキ処理液を投入し、次に前記回転ドームの回
   転中心に配した他方電極と前記一方電極とによりメッキ
   処理液に通電しつつ前記回転ドームを下記条件で正回転
   と逆回転を繰り返し行なわせ、被メッキ部品にメッキを
   施すことを特徴とする回転メッキ方法。 回転ドームの正回転の回転時間：Ｔr1 逆回転の回転時間：Ｔr2 正逆回転切り換え時間：Ｔｔ 条件：Ｔr1＞Ｔｔ、Ｔr2＞Ｔｔ