JPH08294678A - 基板の液切り装置 - Google Patents
基板の液切り装置Info
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Abstract
し、さらに、基板表面に処理むらが発生することを防止
する。 【構成】 基板の液切り装置40は、搬送ローラ30と
液切りローラ50とから構成される。搬送ローラ30
は、現像処理が施された後の基板Wを搬送する。液切り
ローラ50は、遊転可能に取り付けられた回転軸52に
ローラ54を固着して、そのローラ54の両端にローラ
54より径の大きい円盤56,57をそれぞれ配設した
ものである。搬送ローラ30により基板Wを搬送してい
くと、円盤56,57が基板Wの端縁に乗り上がり、ロ
ーラ54と基板Wの表面との間が微少な距離だけ離間す
るように保たれる。従って、基板Wが移動し続けると、
基板Wの表面上に付着した現像液Lはそのローラ54に
より拭うようにして塞き止められる。
Description
カラーフィルタ用基板、フォトマスク用基板、半導体ウ
エハなどの基板の表面に付着した現像液、エッチング
液、剥離液などの処理液を除去する基板の液切り装置に
関する。
グ、剥離などの処理を施す基板表面処理装置として、基
板を1枚ずつ搬送ローラによって水平方向に搬送しつ
つ、現像部、エッチング部、剥離室などの処理部を通過
させ、各処理部内で処理液を基板表面に供給することに
よって湿式表面処理を行う構成のものが知られている
(例えば、実開平3−33153号公報)。こうした基
板表面処理装置においては、基板上に供給された処理液
が基板と共に処理部の外に持ち出されてしまうので、装
置を汚してしまったり、後段の処理に悪影響を及ぼした
りしてしまう。
ために、基板が処理部から出ていく直前に基板表面に向
けてノズルから気体を噴射させ、基板表面上の処理液を
その処理部に向けて戻す装置が、実開平3−12604
6号公報および実開平4−48621号公報において提
案されている。ここで、基板表面に向けて噴射される気
体としては空気、窒素などが考えられるが、現像液、エ
ッチング液及び剥離液などの処理液は酸化によって劣化
するので、これらの処理部に対しては一般に窒素が用い
られる。
来の技術では、基板表面に噴射される気体である窒素が
高価であるために、それを大量に使用すると装置のラン
ニングコストが非常に高くなってしまうといった問題が
生じた。
なくするためには、基板表面に向けて噴射される気体の
噴射圧を大きくする必要があるが、そうすると基板表面
の処理がその噴射圧の影響を受けることで、基板表面に
処理むらが発生するといった問題も生じた。
して基板の液切りを行なう場合にもそのランニングコス
トを低減させることができるとともに、基板表面に処理
むらを発生させることもない基板の液切り装置を提供す
ることにある。
るため、この発明の基板の液切り装置は、湿式表面処理
が施された基板に付着している処理液を除去する基板の
液切り装置であって、湿式表面処理が施された後の基板
をその表面に沿った所定の搬送方向に搬送する搬送手段
と、搬送手段によって搬送される基板の表面上に、該表
面から微少な距離だけ離間して配置され、基板の表面に
付着した処理液の移動をさえぎって止める塞き止め手段
とを備える構成とした(請求項1記載のもの)。
手段は、基板表面と平行でかつ基板の搬送方向とほぼ直
交する方向に延びる軸を有して配置されたローラを備え
る構成としてもよい(請求項2記載のもの)。この構成
において、ローラの軸方向の両端にそれぞれ設けられ、
ローラの径より大径で、基板が搬送されてきたとき、基
板の搬送方向と直交する方向の両端部に上乗せられる副
ローラを備える構成とすることが好ましい(請求項3記
載のもの)。
おいて、塞き止め手段は、基板表面と平行でかつ基板の
搬送方向とほぼ直交する方向に延びる刃先を有するかき
板を備える構成としてもよい(請求項4記載のもの)。
この構成において、かき板の刃先の両端にそれぞれ設け
られ、基板が搬送されてきたとき、基板の搬送方向と直
交する方向の両端部に上乗せられるローラを備える構成
とすることが好ましい(請求項5記載のもの)。
り装置によれば、湿式表面処理により基板の表面上に付
着した処理液は、搬送手段により基板の搬送とともに移
動しようとするが、その基板の表面上には、その表面か
ら微少な距離だけ離間して塞き止め手段が配置されてい
ることから、塞き止め手段によってその基板の表面上の
処理液の移動はさえぎって止められる。このため、窒素
を始めとする気体を用いることなしに基板表面上の処理
液を除去することが可能である。また、基板表面に向け
て気体を噴射する構成ではないため、基板表面に処理む
らが発生することもない。
基板の表面上の処理液を拭うようにして除去する。
てきたとき、副ローラが基板の両端部(搬送方向と直交
する方向の両端部)に上乗せられることから、副ローラ
間にあるローラを、基板の表面から微少な距離だけ常に
離間させた状態で保持することが可能となる。また、副
ローラは、搬送中の基板の押さえとしても働く。
が、基板の表面上の処理液をかき取るようにして除去す
る。
てきたとき、ローラが基板の両端部(搬送方向と直交す
る方向の両端部)に上乗せられることから、ローラ間に
あるかき板の刃先を、基板の表面から微少な距離だけ常
に離間させた状態で保持することが可能となる。また、
ローラは、搬送中の基板の抑えとしても働く。
らかにするために、以下この発明の好適な実施例につい
て説明する。図1はこの発明に係る基板の液切り装置を
備えた現像装置の概略側面図である。
室20とこれに隣接配置される投入コンベア室10とか
ら構成されている。投入コンベア室10は、角型基板
(以下、単に基板と呼ぶ)Wの投入を受ける部屋で、現
像室20とは反対側の側壁に、基板Wを投入するための
投入口12が、投入コンベア室10と現像室20との間
の隔壁に、基板Wを投入コンベア室10から現像室20
へ導くための導入口22がそれぞれ設けられている。ま
た、現像室20の出口側の側壁には、基板Wを搬出する
ための搬出口24が設けられている。投入口12から導
入口22を介して搬出口24までの経路には、搬送ロー
ラ30が設けられており、これら搬送ローラ30によ
り、投入口12から投入された基板Wは導入口22を介
して搬出口24まで搬出される。
現像処理を行なう部屋で、その現像処理を実際に行なう
第1室20aと、この第1室20aに隣接配置され、そ
の現像処理された後の基板Wに付着した現像液を除去す
る第2室20bとから構成されている。
に配置される複数個の供給パイプ26を備えており、図
示しない現像液供給源から供給された現像液を、各供給
パイプ26から基板Wの上面に向けてシャワー状に吹き
付けことにより、基板Wの表面に現像液を塗り付ける処
理を行なう。なお、第1室20aの下部には、排出口
(図示せず)が設けられており、基板Wに吹き付けた際
に下部に落下した現像液はその排出口から外部に出され
る。
り装置40を備えている。図2はその基板の液切り装置
40の正面図であり、図3は図2におけるA−A′線断
面図である。両図に示すように、この基板の液切り装置
40は、前述した搬送ローラ30と塞き止め手段として
の液切りローラ50とから構成される。
に段差付きの一対のローラ34,35を対向配備し、こ
の一対のローラ34,35の段差間に基板Wの端縁が上
乗せられる構成となっている。駆動軸32が図示しな
い、チェーン等を介してモータにより駆動回転すると、
その駆動軸32に固定されたローラ34,35が回転し
て、そのローラ34,35の段差間に上乗せられた基板
Wは水平方向へ搬送される。
られた回転軸52にローラ54を固着して、そのローラ
54の両端にローラ54より径の大きい円盤(副ロー
ラ)56,57をそれぞれ配設したものである。なお、
両円盤56,57間の距離は、ほぼ基板Wの横幅の長さ
に相当し、円盤56,57とローラ54との半径の差d
1は、0.5[mm]である。また、ローラ54は、吸
水性の材料、例えば、PVA(ポリビニルアルコール)
から製造されている。
向が搬送ローラ30の駆動軸32と平行な方向(基板W
の搬送方向と直交する方向)となるように、搬送ローラ
30の上部に配置される。このとき、液切りローラ50
の円盤56,57と搬送ローラ30のローラ34,35
とは、非接触で近づけられている。なお、この液切りロ
ーラ50の回転軸52は、図示しない取付部分に遊転可
能に軸支されているが、実際は、回転方向だけではなく
上下方向にも微少な距離だけフリーとなるように支持さ
れている。
いて図4に沿って次に説明する。図4の(a)に示すよ
うに、搬送ローラ30により基板Wが搬送されて、図4
の(b)に示すように、基板Wが液切りローラ50の位
置に達すると、液切りローラ50の円盤56,57は基
板Wの端縁に乗り上がり、基板Wの移動とともに液切り
ローラ50は回転する。このとき、液切りローラ50の
ローラ54は基板Wの表面上に、その表面から微少な距
離、即ち、ローラ54の半径と円盤56の半径との差d
1だけ離間して位置する。その後、図4の(c)の拡大
図に示すように、基板Wが移動し続けると、基板Wの表
面上に付着した現像液Lは基板Wの移動にともなって図
中右側に持ち出されようとするが、その現像液Lの移動
は、液切りローラ50のローラ54により拭うようにし
て塞き止められる。このローラ54により塞き止められ
た現像液は、基板Wの表面上から落下して、第2室20
bの底に至る。
側に流れるように傾いており、上記基板Wから落下した
現像液は、第1室20aに至り、その下部に設けられた
図示しない排出口から外部に排出される。
40では、液切りローラ50により基板表面上の処理液
を拭い去ることにより、基板表面上の処理液が現像室2
0から持ち出されるのを防止することができる。このた
め、従来のように窒素等の気体を噴射するものでないこ
とから、基板の持ち出し防止に伴うランニングコストを
低減することができ、さらには、基板表面に処理むらが
発生するのを防止することができる。また、この実施例
では、ローラ54をPVAといった吸水性の材料から製
造していることから、ローラ54表面で基板W上の処理
液を少なからず吸収することができ、上述した基板の持
ち出しを一層防止することができる。
Wに接触する訳ではないことから、基板Wの表面上の処
理液の残量を全くなくすことはできない。しかし、その
残量は従来例の窒素ガスをノズルから噴射する構成の場
合と比較してはるかに少ない。というのは、従来例で
は、基板上に現像むらが生じないように噴射圧力を落と
す必要があり、このときの基板W上の処理液の残量は上
記実施例の場合と比較して大きなものとなる。
てきたとき、液切りローラ50の円盤56,57が基板
Wの両端縁に乗り上がることから、円盤56,57間に
あるローラ54を、基板Wの表面から微少な距離、即ち
前述したd1(0.5[mm])だけ常に離間させるこ
とができる。このため、その距離を調整する機構が不要
となり、液切り装置40の構成を容易化することができ
る。さらに、この実施例では、円盤56,57が搬送中
の基板Wの押さえとして働くことから、基板Wをすべら
せないで確実に搬送することができる。
第1実施例では、ローラ54をPVAといった吸水性の
材料から製造して、ローラ54自身でも処理液の持ち出
しを防いでいるが、現像処理が連続すると、次第にロー
ラ54の吸水量が多くなり、ローラ54の吸水能力が低
下する。そこで、ときどき、図5に示すように、ローラ
54にスクレーパ90を当てて、ローラ54に含まれた
水分をかき落とす構成とする。この構成により、ローラ
54の吸水能力を常にリフレッシュすることができる。
る。この第2実施例における現像装置は、第1実施例と
比較して、この発明に係る基板の液切り装置が相違し、
その他の構成は同一である。図6はこの実施例の基板の
液切り装置140の正面図であり、図7は図6における
B−B′線断面図である。両図に示すように、この基板
の液切り装置140は、第1実施例と同一の搬送ローラ
30と塞き止め手段としてのスクレーパ装置150とか
ら構成される。
の棒軸152,153と、棒軸152,153に固定さ
れる横断面が三角形状のスクレーパ155と、スクレー
パ155の両端に遊転可能に配設されるローラ159
L,159Rと、ローラ159L,159Rを位置決め
するOリング161L,161Rとを備える。棒軸15
2,153は、基板Wの搬送方向と直交する方向(搬送
ローラ30の軸方向と平行な方向)に配設されており、
その棒軸152,153に固定されるスクレーパ155
は、その刃先155aがその基板Wの搬送方向と直交す
る向きとなる。
高さ方向のまん中の円周部に外径が大きくなった鍔部1
59xを有しており、その鍔部159xの下端が鉛直方
向において刃先155aより所定の距離d2(この実施
例では、0.5[mm])だけ下方に位置するように、
鍔部159xの張り出しが定められている。また、スク
レーパ155は、疎水性の材料、例えば、テフロン等の
樹脂あるいはステンレス等の金属から製造されている。
図である。図8に示すように、棒軸152,153は取
付部材151L(151R)により固定されており、こ
の棒軸152,153がスクレーパ155および円柱形
状のローラ軸157L(157R:図6参照)に通され
ることで、棒軸152,153にスクレーパ155およ
びローラ軸157L(157R)が固定される。このロ
ーラ軸157L(157R)には、円環形状のローラ1
59L(159R:図6参照)が通され、その外側から
Oリング161L(161R)が位置決め用の溝163
L(163R)に係合しており、この構成により、ロー
ラ159L,159Rは、スクレーパ155の両端に遊
転可能に取り付けられる。なお、上記取付部材151
L,151Rは、上下方向に微少な距離だけフリーとな
るように取り付けられており、スクレーパ装置150全
体が上下方向に微少な距離だけ移動可能となっている。
ついて図9に沿って次に説明する。図9の(a)に示す
ように、搬送ローラ30により基板Wが搬送されて、図
9の(b)に示すように、基板Wがスクレーパ装置15
0の位置に達すると、スクレーパ装置150のローラ1
59L,159Rは基板Wの端縁に乗り上がる。このと
き、スクレーパ155の刃先155aは基板Wの表面か
ら微少な距離、即ち、前述した所定の距離d2だけ離間
して位置する。その後、図9の(c)の拡大図に示すよ
うに、基板Wが移動し続けると、基板Wの表面上に付着
した現像液Lは基板Wの移動にともなって図中右側に持
ち出されようとするが、その現像液Lの移動は、液切り
ローラ50のローラ54によりかき取るようにして塞き
止められる。このローラ54により塞き止められた現像
液は、基板Wの表面上から落下して、第2室20bの底
に至り、第1実施例と同様に、排出口から外部に排出さ
れる。
140では、スクレーパ155により基板表面上の処理
液をかき取ることにより、基板表面上の処理液が現像室
20から持ち出されるのを防止することができる。この
ため、従来のように窒素等の気体を噴射するものでない
ことから、基板の持ち出し防止に伴うランニングコスト
を低減することができ、さらには、基板表面に処理むら
が発生するのを防止することができる。また、この実施
例では、スクレーパ155を疎水性の材料から製造して
いることから、スクレーパ155表面で基板W上の処理
液を少なからずはじくことができ、上述した基板の持ち
出しを一層防止することができる。
てきたとき、スクレーパ155の両端に配設されるロー
ラ159L,159Rが基板Wの両端縁に乗り上がるこ
とから、スクレーパ155を、基板Wの表面から微少な
距離、即ち前述したd2だけ常に離間させることができ
る。このため、その距離を調整する機構が不要となり、
液切り装置140の構成を容易化することができる。さ
らに、この実施例では、ローラ159L,159Rが搬
送中の基板Wの押さえとして働くことから、基板Wをす
べらせないで確実に搬送することができる。
板Wの表面から0.5[mm]だけ離間させ、また、第
2実施例では、スクレーパ155を基板Wの表面から
0.5[mm]だけ離間させていたが、これらの離間さ
せた距離d1,d2は、好ましくは、1.0[mm]以
下がよく、この範囲であれば、確実に処理液の持ち出し
を防ぐことができる。
してきたが、この発明はこうした実施例に何等限定され
るものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々なる態様にて実施し得ることは勿論である。
液切り装置では、基板表面に向けて気体を噴射しないで
基板表面上の処理液を除去することができる。このた
め、基板の液切りに伴うランニングコストを低減するこ
とができ、さらに、基板表面に処理むらが発生するのを
防止することができる。
基板の表面上の処理液を拭うようにして、基板表面上の
処理液を確実に除去することができる。
板とローラ間の微少な距離を常に一定に保つことができ
ることから、その距離の複雑な調整機構が不要となる。
このため、装置の構成を容易化することができる。ま
た、副ローラが搬送中の基板を押さえることから、基板
をすべらせないで確実に搬送することができる。
基板の表面上の処理液をかき取るようにして、基板表面
上の処理液を確実に除去することができる。
板とかき板の刃先との間の微少な距離を常に一定に保つ
ことができることから、その距離の複雑な調整機構が不
要となる。このため、装置の構成を容易化することがで
きる。また、ローラが搬送中の基板を押さえることか
ら、基板をすべらせないで確実に搬送することができ
る。
第1実施例の現像装置の概略側面図である。
る。
を除去する構成を示す説明図である。
0の正面図である。
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 湿式表面処理が施された基板に付着して
いる処理液を除去する基板の液切り装置であって、 湿式表面処理が施された後の基板をその表面に沿った所
定の搬送方向に搬送する搬送手段と、 搬送手段によって搬送される基板の表面上に、該表面か
ら微少な距離だけ離間して配置され、基板の表面に付着
した処理液の移動をさえぎって止める塞き止め手段とを
備えることを特徴とする基板の液切り装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の基板の液切り装置であっ
て、 塞き止め手段は、 基板表面と平行でかつ基板の搬送方向とほぼ直交する方
向に延びる軸を有して配置されたローラを備える基板の
液切り装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の基板の液切り装置であっ
て、 ローラの軸方向の両端にそれぞれ設けられ、ローラの径
より大径で、基板が搬送されてきたとき、基板の搬送方
向と直交する方向の両端部に上乗せられる副ローラを備
える基板の液切り装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の基板の液切り装置であっ
て、 塞き止め手段は、 基板表面と平行でかつ基板の搬送方向とほぼ直交する方
向に延びる刃先を有するかき板を備える基板の液切り装
置。 - 【請求項5】 請求項4記載の基板の液切り装置であっ
て、 かき板の刃先の両端にそれぞれ設けられ、基板が搬送さ
れてきたとき、基板の搬送方向と直交する方向の両端部
に上乗せられるローラを備える基板の液切り装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12572095A JP3441559B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 基板の液切り装置 |
KR1019960005540A KR100207945B1 (ko) | 1995-04-25 | 1996-03-04 | 기판의 액제거장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12572095A JP3441559B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 基板の液切り装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08294678A true JPH08294678A (ja) | 1996-11-12 |
JP3441559B2 JP3441559B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=14917099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12572095A Expired - Lifetime JP3441559B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 基板の液切り装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3441559B2 (ja) |
KR (1) | KR100207945B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007533125A (ja) * | 2004-04-10 | 2007-11-15 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 透明で伝導性の酸化物層を持つ基板を洗浄およびエッチングする方法並びに該方法を実施する装置 |
CN102422727A (zh) * | 2009-05-13 | 2012-04-18 | 埃托特克德国有限公司 | 用于处理平面处理物的方法和设备以及用于去除或挡住处理液的装置 |
JP2016049534A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置 |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP12572095A patent/JP3441559B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-03-04 KR KR1019960005540A patent/KR100207945B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007533125A (ja) * | 2004-04-10 | 2007-11-15 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 透明で伝導性の酸化物層を持つ基板を洗浄およびエッチングする方法並びに該方法を実施する装置 |
CN102422727A (zh) * | 2009-05-13 | 2012-04-18 | 埃托特克德国有限公司 | 用于处理平面处理物的方法和设备以及用于去除或挡住处理液的装置 |
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