JPH08289463A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH08289463A JPH08289463A JP7092884A JP9288495A JPH08289463A JP H08289463 A JPH08289463 A JP H08289463A JP 7092884 A JP7092884 A JP 7092884A JP 9288495 A JP9288495 A JP 9288495A JP H08289463 A JPH08289463 A JP H08289463A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的簡単な回路構成でもって、半導体集積
回路装置内の温度が一定温度を超えたか否かの２値判定
を行う温度検出回路の精度および再現性を高める。 【構成】 互いに異なる温度特性を有する第１，第２の
２つの定電流源を形成し、第１の定電流源が発生する第
１の電流と第２の定電流源が発生する第２の電流の差分
電流の方向により半導体温度が一定温度を超えたか否か
の２値判定を行わせる。 【効果】 プロセス・バラツキによる電流の絶対値変化
は第１，第２の定電流源にそれぞれ同じように現れて、
両電流の差分電流の方向は、上記バラツキにかかわら
ず、同一温度点にて変化するようになる。
回路装置内の温度が一定温度を超えたか否かの２値判定
を行う温度検出回路の精度および再現性を高める。 【構成】 互いに異なる温度特性を有する第１，第２の
２つの定電流源を形成し、第１の定電流源が発生する第
１の電流と第２の定電流源が発生する第２の電流の差分
電流の方向により半導体温度が一定温度を超えたか否か
の２値判定を行わせる。 【効果】 プロセス・バラツキによる電流の絶対値変化
は第１，第２の定電流源にそれぞれ同じように現れて、
両電流の差分電流の方向は、上記バラツキにかかわら
ず、同一温度点にて変化するようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置、
さらには温度検出機能を内蔵する半導体集積回路装置に
適用して有効な技術に関するものであって、たとえば３
端子レギュレータなどの電源ＩＣ（半導体集積回路装
置）に利用して有効な技術に関するものである。
さらには温度検出機能を内蔵する半導体集積回路装置に
適用して有効な技術に関するものであって、たとえば３
端子レギュレータなどの電源ＩＣ（半導体集積回路装
置）に利用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、３端子レギュレータなどの電
源ＩＣでは、そのＩＣを過電流や過負荷などによる熱破
壊から保護するために、そのＩＣの温度が一定の許容温
度を超えたか否かを２値判定する温度検出回路を内蔵
し、この温度検出回路の出力に基づいて出力電流の強制
遮断などの出力制御を行うようにしている。
源ＩＣでは、そのＩＣを過電流や過負荷などによる熱破
壊から保護するために、そのＩＣの温度が一定の許容温
度を超えたか否かを２値判定する温度検出回路を内蔵
し、この温度検出回路の出力に基づいて出力電流の強制
遮断などの出力制御を行うようにしている。
【０００３】この場合、その温度検出回路としては、半
導体素子の温度特性、たとえばバイポーラ・トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の温度特性を利用したもの
が多く使用されている。すなわち、バイポーラ・トラン
ジスタのベース・エミッタ間に一定電圧を印加し、この
印加電圧でベース電流が流れるか否かにより、被検出体
である半導体の温度が一定温度を超えたか否かの２値判
定を行う。そして、この２値検出出力に基づいて出力制
御を行うというものである。
導体素子の温度特性、たとえばバイポーラ・トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の温度特性を利用したもの
が多く使用されている。すなわち、バイポーラ・トラン
ジスタのベース・エミッタ間に一定電圧を印加し、この
印加電圧でベース電流が流れるか否かにより、被検出体
である半導体の温度が一定温度を超えたか否かの２値判
定を行う。そして、この２値検出出力に基づいて出力制
御を行うというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
【０００５】すなわち、従来の半導体集積回路装置で
は、バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電
圧が半導体集積回路装置の製造過程などで生じるバラツ
キ、いわゆるプロセス・バラツキの影響を受けやすいた
め、精度の高い温度検出を再現性良く行わせることがで
きない、という問題があった。
は、バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電
圧が半導体集積回路装置の製造過程などで生じるバラツ
キ、いわゆるプロセス・バラツキの影響を受けやすいた
め、精度の高い温度検出を再現性良く行わせることがで
きない、という問題があった。
【０００６】本発明の目的は、比較的簡単な回路構成で
もって、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超え
たか否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再
現性を高める、という技術を提供することにある。
もって、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超え
たか否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再
現性を高める、という技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】すなわち、互いに異なる温度特性を有する
第１，第２の２つの定電流源を形成し、第１の定電流源
が発生する第１の電流と第２の定電流源が発生する第２
の電流の差分電流の方向により半導体温度が一定温度を
超えたか否かの２値判定を行わせる、というものであ
る。
第１，第２の２つの定電流源を形成し、第１の定電流源
が発生する第１の電流と第２の定電流源が発生する第２
の電流の差分電流の方向により半導体温度が一定温度を
超えたか否かの２値判定を行わせる、というものであ
る。
【００１０】
【作用】上述した手段によれば、第１，第２の定電流源
がそれぞれに発生する電流の絶対値にプロセス・バラツ
キが生じても、そのプロセス・バラツキによる電流の絶
対値変化は第１，第２の定電流源にそれぞれ同じように
現れて、両電流の差分電流の方向は、上記バラツキにか
かわらず、同一温度点にて変化するようになる。
がそれぞれに発生する電流の絶対値にプロセス・バラツ
キが生じても、そのプロセス・バラツキによる電流の絶
対値変化は第１，第２の定電流源にそれぞれ同じように
現れて、両電流の差分電流の方向は、上記バラツキにか
かわらず、同一温度点にて変化するようになる。
【００１１】これにより、比較的簡単な回路構成でもっ
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高める、という目的が達成される。
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高める、という目的が達成される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１３】なお、図において、同一符号は同一あるい
は相当部分を示すものとする。
は相当部分を示すものとする。
【００１４】図１は本発明の技術が適用された半導体集
積回路装置の要部における一実施例を示す。
積回路装置の要部における一実施例を示す。
【００１５】同図に示す半導体集積回路装置は電圧安定
化回路を内蔵するレギュレータＩＣであって、正の温度
特性を有する第１の定電流源１、負の温度特性を有する
第２の定電流源２、バイポーラ・トランジスタＱ１のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖｂｅを利用してしきい値検出を
行う電圧検出回路３、この電圧検出回路３の２値出力に
基づいて電源出力回路５の動作を制御する制御回路４な
どが集積形成されている。
化回路を内蔵するレギュレータＩＣであって、正の温度
特性を有する第１の定電流源１、負の温度特性を有する
第２の定電流源２、バイポーラ・トランジスタＱ１のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖｂｅを利用してしきい値検出を
行う電圧検出回路３、この電圧検出回路３の２値出力に
基づいて電源出力回路５の動作を制御する制御回路４な
どが集積形成されている。
【００１６】第１，第２の定電流源１，２は互いに直列
に接続され、この直列回路に与えられる一定の基準電圧
Ｖｒｅｆによってそれぞれに一定電流Ｉ１，Ｉ２を発生
する。電圧検出回路３は、その第１，第２の定電流源
１，２の中間接続点でのノード電位Ｖ１が所定のしきい
値（Ｖｂｅ）を越えたか否かを２値検出し、この検出結
果をトランジスタＱ１のオン／オフで出力する。
に接続され、この直列回路に与えられる一定の基準電圧
Ｖｒｅｆによってそれぞれに一定電流Ｉ１，Ｉ２を発生
する。電圧検出回路３は、その第１，第２の定電流源
１，２の中間接続点でのノード電位Ｖ１が所定のしきい
値（Ｖｂｅ）を越えたか否かを２値検出し、この検出結
果をトランジスタＱ１のオン／オフで出力する。
【００１７】この場合、第２の定電流源２が発生する電
流Ｉ２が、第１の定電流源１が発生する電流Ｉ１よりも
多ければ、トランジスタＱ１はそのベース電圧が立ち上
がらず、したがってこのときの電圧検出回路３はオフ状
態を出力する。反対に、第１の定電流源１が発生する電
流Ｉ１が、第２の定電流源２が発生する電流Ｉ２よりも
多くなると、その差分（Ｉ１−Ｉ２）により、トランジ
スタＱ１のベース電圧が立ち上がり、これにより電圧検
出回路３はオン状態を出力するようになる。
流Ｉ２が、第１の定電流源１が発生する電流Ｉ１よりも
多ければ、トランジスタＱ１はそのベース電圧が立ち上
がらず、したがってこのときの電圧検出回路３はオフ状
態を出力する。反対に、第１の定電流源１が発生する電
流Ｉ１が、第２の定電流源２が発生する電流Ｉ２よりも
多くなると、その差分（Ｉ１−Ｉ２）により、トランジ
スタＱ１のベース電圧が立ち上がり、これにより電圧検
出回路３はオン状態を出力するようになる。
【００１８】ここで、図２に示すように、第１の定電流
源１は正の温度特性を有する一方、第２の定電流源２は
負の温度特性を有している。これにより、第１の電流Ｉ
１は半導体基板の温度上昇とともに増大し、第２の電流
Ｉ２はその半導体基板の温度上昇とともに減少する。し
たがって、第１の電流Ｉ１と第２の電流Ｉ２の大小関係
が反転（交叉）する温度Ｔｓにて、上記電圧検出回路３
の出力状態がオンからオフまたはオフからオンに変化す
る。
源１は正の温度特性を有する一方、第２の定電流源２は
負の温度特性を有している。これにより、第１の電流Ｉ
１は半導体基板の温度上昇とともに増大し、第２の電流
Ｉ２はその半導体基板の温度上昇とともに減少する。し
たがって、第１の電流Ｉ１と第２の電流Ｉ２の大小関係
が反転（交叉）する温度Ｔｓにて、上記電圧検出回路３
の出力状態がオンからオフまたはオフからオンに変化す
る。
【００１９】このとき、第１の電流Ｉ１と第２の電流Ｉ
２にはそれぞれ、図２中に破線のグラフで示すように、
プロセス・バラツキの影響が現れる。しかし、このプロ
セス・バラツキによる影響は、電流Ｉ１，Ｉ２の絶対値
の大きさには現れるが、温度特性そのものには現れにく
い。すなわち、温度Ｔに対する電流Ｉの変化の傾きには
ほとんど現れない。これは、定電流源１，２を形成する
半導体素子の温度特性が、プロセス・バラツキではな
く、その半導体素子に固有の物理常数の方に大きく依存
することによる。
２にはそれぞれ、図２中に破線のグラフで示すように、
プロセス・バラツキの影響が現れる。しかし、このプロ
セス・バラツキによる影響は、電流Ｉ１，Ｉ２の絶対値
の大きさには現れるが、温度特性そのものには現れにく
い。すなわち、温度Ｔに対する電流Ｉの変化の傾きには
ほとんど現れない。これは、定電流源１，２を形成する
半導体素子の温度特性が、プロセス・バラツキではな
く、その半導体素子に固有の物理常数の方に大きく依存
することによる。
【００２０】したがって、第１，第２の電流Ｉ１，Ｉ２
の絶対値が変化しても、温度特性による相対的な大小関
係の変化状態はほとんど変わらず、これにより、被検出
体である半導体の温度が一定温度Ｔｓを越えたか否か
を、プロセス・バラツキに影響されることなく、常に正
確に２値検出することができる。しかも、その検出は、
互いに温度特性の異なる２つの定電流源１，２がそれぞ
れに発生する電流Ｉ１，Ｉ２の差分（Ｉ１−Ｉ２）の方
向を検出することで簡単に行え、特別な温度補償は必要
としない。
の絶対値が変化しても、温度特性による相対的な大小関
係の変化状態はほとんど変わらず、これにより、被検出
体である半導体の温度が一定温度Ｔｓを越えたか否か
を、プロセス・バラツキに影響されることなく、常に正
確に２値検出することができる。しかも、その検出は、
互いに温度特性の異なる２つの定電流源１，２がそれぞ
れに発生する電流Ｉ１，Ｉ２の差分（Ｉ１−Ｉ２）の方
向を検出することで簡単に行え、特別な温度補償は必要
としない。
【００２１】これにより、比較的簡単な回路構成でもっ
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高めることができる。
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高めることができる。
【００２２】図３は、図１に示した半導体集積回路装置
の要部での詳細な回路実施例を示す。
の要部での詳細な回路実施例を示す。
【００２３】同図において、第１の定電流源１は、基準
電圧Ｖｒｅｆを抵抗Ｒ３とＲ４で分圧してトランジスタ
Ｑ７のベースに与え、このＱ７のエミッタにトランジス
タＱ６および抵抗Ｒ２を介して流れる電流を、そのトラ
ンジスタＱ６からトランジスタＱ５にカレントミラー転
写させることにより、そのＱ５から第１の電流Ｉ１を発
生させるようにしたもので、その発生電流Ｉ１の値は抵
抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の値によって設定することができ
る。
電圧Ｖｒｅｆを抵抗Ｒ３とＲ４で分圧してトランジスタ
Ｑ７のベースに与え、このＱ７のエミッタにトランジス
タＱ６および抵抗Ｒ２を介して流れる電流を、そのトラ
ンジスタＱ６からトランジスタＱ５にカレントミラー転
写させることにより、そのＱ５から第１の電流Ｉ１を発
生させるようにしたもので、その発生電流Ｉ１の値は抵
抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の値によって設定することができ
る。
【００２４】第２の定電流源２は、抵抗Ｒ１およびダイ
オード接続されたトランジスタＱ２を介してトランジス
タＱ３に流れる電流を、そのトランジスタＱ３からトラ
ンジスタＱ４にカレントミラー転写させることにより、
そのＱ４から第２の電流Ｉ２を発生させるようにしたも
ので、その発生電流Ｉ２の値は抵抗Ｒ１の値によって設
定することができる。
オード接続されたトランジスタＱ２を介してトランジス
タＱ３に流れる電流を、そのトランジスタＱ３からトラ
ンジスタＱ４にカレントミラー転写させることにより、
そのＱ４から第２の電流Ｉ２を発生させるようにしたも
ので、その発生電流Ｉ２の値は抵抗Ｒ１の値によって設
定することができる。
【００２５】ここで、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の各抵抗値をそれ
ぞれ適当に選べば、２つの発生電流Ｉ１，Ｉ２の大小関
係を所定の検出温度点Ｔｓで交叉させるようにすること
ができる。
ぞれ適当に選べば、２つの発生電流Ｉ１，Ｉ２の大小関
係を所定の検出温度点Ｔｓで交叉させるようにすること
ができる。
【００２６】この場合、図３に示した回路では、この後
に数式を参照しながら説明するが、第１の定電流源１の
発生電流Ｉ１の温度特性をゼロにし、第２の定電流源２
の発生電流Ｉ２の温度特性を負にする設定を行うことが
できる。
に数式を参照しながら説明するが、第１の定電流源１の
発生電流Ｉ１の温度特性をゼロにし、第２の定電流源２
の発生電流Ｉ２の温度特性を負にする設定を行うことが
できる。
【００２７】まず、第１の電流源１の電流値Ｉ１を温度
特性ゼロにする条件は、以下の式（１）〜（３）により
求めることができる。
特性ゼロにする条件は、以下の式（１）〜（３）により
求めることができる。
【００２８】
【数１】
【００２９】電流値Ｉ１は式（１）によって与えられ
る。
る。
【００３０】式（１）により、Ｉ１の温度計数ΔＩ１／
ΔＴは、式（２）で与えられる。
ΔＴは、式（２）で与えられる。
【００３１】一般的に、ΔＶｂｅ／ΔＴ＝−２ｍＶ／
℃，Ｖｂｅ＝０．７Ｖであるから、Ｉ１の温度特性がゼ
ロとなるためには、式（２）の｛｝内が常に零となるよ
うにすればよい。すなわち、式（３）を満足すればよ
い。
℃，Ｖｂｅ＝０．７Ｖであるから、Ｉ１の温度特性がゼ
ロとなるためには、式（２）の｛｝内が常に零となるよ
うにすればよい。すなわち、式（３）を満足すればよ
い。
【００３２】ここで、たとえばＲ２の温度特性ΔＲ２／
ΔＴを＋３５００ｐｐｍ／℃とすると、式（３）によ
り、Ｖｒｅｆ×Ｒ３／（Ｒ３＋Ｒ４）＝２．５４Ｖとな
る。これがＩ１の温度特性をゼロにする条件となる。
ΔＴを＋３５００ｐｐｍ／℃とすると、式（３）によ
り、Ｖｒｅｆ×Ｒ３／（Ｒ３＋Ｒ４）＝２．５４Ｖとな
る。これがＩ１の温度特性をゼロにする条件となる。
【００３３】次に、第２の電流源２の電流値Ｉ２の温度
特性を負にする条件は、以下の式（４）〜（６）により
求めることができる。
特性を負にする条件は、以下の式（４）〜（６）により
求めることができる。
【００３４】
【数２】
【００３５】電流値Ｉ２は式（４）によって与えられ
る。
る。
【００３６】したがって、Ｉ２の温度計数ΔＩ２／ΔＴ
は、式（５）で与えられる。ここでΔＶｂｅ／ΔＴ＝−
２ｍｖ／℃，Ｖｂｅ＝０．７Ｖ，ΔＲ１／ΔＴ＝＋３５
００ｐｐｍ／℃とすると、Ｉ２が負温度特性となる条件
は、式（６）のようになる。
は、式（５）で与えられる。ここでΔＶｂｅ／ΔＴ＝−
２ｍｖ／℃，Ｖｂｅ＝０．７Ｖ，ΔＲ１／ΔＴ＝＋３５
００ｐｐｍ／℃とすると、Ｉ２が負温度特性となる条件
は、式（６）のようになる。
【００３７】これにより、図４に示すように、電流Ｉ
１，Ｉ２は、その絶対値はプロセス・バラツキによって
変動するものの、その大小関係が交叉する温度点Ｔｓは
ほぼ一定に保たれ、これによりそのプロセス・バラツキ
の影響を少なくして正確な温度検出を行うことができ
る。
１，Ｉ２は、その絶対値はプロセス・バラツキによって
変動するものの、その大小関係が交叉する温度点Ｔｓは
ほぼ一定に保たれ、これによりそのプロセス・バラツキ
の影響を少なくして正確な温度検出を行うことができ
る。
【００３８】また、図５に示すように、２つの電流Ｉ
１，Ｉ２の一方の温度特性をゼロにし、他方の温度特性
を正にすることによっても、上述の場合と同様、プロセ
ス・バラツキの影響を少なくして正確な温度検出を行う
ことができる。
１，Ｉ２の一方の温度特性をゼロにし、他方の温度特性
を正にすることによっても、上述の場合と同様、プロセ
ス・バラツキの影響を少なくして正確な温度検出を行う
ことができる。
【００３９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４０】たとえば、電圧検出回路３などはＭＯＳト
ランジスタを用いて構成することも可能である。
ランジスタを用いて構成することも可能である。
【００４１】以上の説明では主として、本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である３端
子レギュレータなどの電源用半導体集積回路装置に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえばパワーアンプあるいはモータ駆動装置
などのパワー駆動用半導体集積回路装置にも適用でき
る。
てなされた発明をその背景となった利用分野である３端
子レギュレータなどの電源用半導体集積回路装置に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえばパワーアンプあるいはモータ駆動装置
などのパワー駆動用半導体集積回路装置にも適用でき
る。
【００４２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
【００４３】すなわち、比較的簡単な回路構成でもっ
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高めることができる、という効果が得られる。
て、半導体集積回路装置内の温度が一定温度を超えたか
否かの２値判定を行う温度検出回路の精度および再現性
を高めることができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の技術が適用された半導体集積回路装置
の第１の実施例を示す回路図
の第１の実施例を示す回路図
【図２】図１に示した回路の要部における動作を示すグ
ラフ
ラフ
【図３】図１に示した回路の要部における詳細な実施例
を示す図
を示す図
【図４】図３に示した回路の動作を示す図
【図５】別の実施例による動作を示すグラフ
１ 第１の定電流源 ２ 第２の定電流源 ３ 電圧検出回路 ４ 制御回路 ５ 電源出力回路 Ｉ１ 第１の電流 Ｉ２ 第２の電流 Ｖ１ ノード電位
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体温度が一定温度を超えたか否かの
２値判定を行う温度検出回路を内蔵する半導体集積回路
装置であって、互いに異なる温度特性を有する第１，第
２の２つの定電流源と、第１の定電流源が発生する第１
の電流と第２の定電流源が発生する第２の電流の差分電
流の方向により上記半導体温度が一定温度を超えたか否
かの２値判定を行う検出回路とを備えたことを特徴とす
る半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 互いに異なる温度特性を有し、かつ互い
に直列に接続された第１，第２の２つの定電流源と、こ
の第１，第２の定電流源の中間接続点でのノード電位が
所定のしきい値を越えたか否かを２値検出する電圧検出
回路とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導
体集積回路装置。 - 【請求項３】 第１，第２の定電流源は、一方が正の温
度特性を有し、他方が負の温度特性を有することを特徴
とする請求項１または２に記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項４】 第１，第２の定電流源は、一方が正また
は負の温度特性を有し、他方がゼロの温度特性を有する
ことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の
半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 互いに異なる温度特性を有し、かつ互い
に直列に接続された第１，第２の２つの定電流源と、こ
の第１，第２の定電流源の中間接続点でのノード電位が
所定のしきい値を越えたか否かを２値検出する電圧検出
回路と、この電圧検出回路の２値出力に基づいて出力制
御が行われる電源回路とを備えたことを特徴とする半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09288495A JP3498251B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09288495A JP3498251B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08289463A true JPH08289463A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3498251B2 JP3498251B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=14066889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09288495A Expired - Fee Related JP3498251B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498251B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006071564A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Nec Corp | 薄膜半導体素子及びその駆動回路並びにそれらを用いた装置 |
| US7078955B2 (en) | 2003-07-04 | 2006-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature sensing circuit and method |
| KR100708307B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2007-04-17 | 한국전기연구원 | 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템 및 그 방법 |
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1995
- 1995-04-18 JP JP09288495A patent/JP3498251B2/ja not_active Expired - Fee Related
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