JPH08288652A - セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法 - Google Patents
セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法Info
- Publication number
- JPH08288652A JPH08288652A JP7086657A JP8665795A JPH08288652A JP H08288652 A JPH08288652 A JP H08288652A JP 7086657 A JP7086657 A JP 7086657A JP 8665795 A JP8665795 A JP 8665795A JP H08288652 A JPH08288652 A JP H08288652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- time
- furnace
- amount
- residual carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】焼結温度プロファイルに応じて、焼結炉内への
ガス供給量をコントロールし、ガス供給の必要のない時
には供給量を減らす。焼結炉内へのガス供給口を焼結基
板の近くに設け、或いは炉内のガスの流路を基板近くで
狭くして焼結基板表面近くでガスを加速する。 【効果】セラミック多層配線基板焼成時に、焼結炉内に
外部から供給するガスの量を低減することで焼結過程に
おけるエネルギ損失を低減し、製造コストを低減する。
ガス供給量をコントロールし、ガス供給の必要のない時
には供給量を減らす。焼結炉内へのガス供給口を焼結基
板の近くに設け、或いは炉内のガスの流路を基板近くで
狭くして焼結基板表面近くでガスを加速する。 【効果】セラミック多層配線基板焼成時に、焼結炉内に
外部から供給するガスの量を低減することで焼結過程に
おけるエネルギ損失を低減し、製造コストを低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック多層配線基板
の焼結炉およびその製造方法に関する。
の焼結炉およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層配線基板の焼成過程で
は、炉内にガスを供給しながらセラミックスが焼結する
前に有機バインダおよびバインダ分解後の残留炭素を除
去する。炉内へのガス供給の目的は基板表面での基板内
から生じる分解あるいは燃焼生成ガスの置換と，残留炭
素の燃焼に必要な水蒸気の供給である。
は、炉内にガスを供給しながらセラミックスが焼結する
前に有機バインダおよびバインダ分解後の残留炭素を除
去する。炉内へのガス供給の目的は基板表面での基板内
から生じる分解あるいは燃焼生成ガスの置換と，残留炭
素の燃焼に必要な水蒸気の供給である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加熱中の焼結炉内に外
部からガスを供給・排気することは、炉内の熱を奪うこ
とになり、焼結炉に投入されるエネルギの一部はガスの
加熱のために消費される。また、外部から多量のガスが
供給されれば、炉内で十分に予熱されないガスが基板に
直接あたり基板の表面を冷却する可能性があるため、炉
内に供給する前に予めガスを十分に加熱する必要性が高
くなる。いずれの場合も焼結過程で必要なエネルギ、ひ
いてはセラミック多層配線基板の製造コストを増大させ
る原因となる。
部からガスを供給・排気することは、炉内の熱を奪うこ
とになり、焼結炉に投入されるエネルギの一部はガスの
加熱のために消費される。また、外部から多量のガスが
供給されれば、炉内で十分に予熱されないガスが基板に
直接あたり基板の表面を冷却する可能性があるため、炉
内に供給する前に予めガスを十分に加熱する必要性が高
くなる。いずれの場合も焼結過程で必要なエネルギ、ひ
いてはセラミック多層配線基板の製造コストを増大させ
る原因となる。
【０００４】本発明の目的は、セラミック多層配線基板
の焼結過程におけるエネルギ損失を低減し、基板の製造
コストを低減することである。
の焼結過程におけるエネルギ損失を低減し、基板の製造
コストを低減することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】目的は、焼成過程におい
て焼結炉内に外部から供給するガスの量を低減すること
で達成される。具体的な第１の手段は、焼結温度プロフ
ァイルに応じて、炉内へのガス供給量をコントロール
し、ガス供給の必要のない時には供給量を減らすことで
ある。第２の手段は、焼結基板近くで雰囲気を加速する
ことにより、少ないガス供給量でバインダおよび残留炭
素除去促進効果を得ることである。
て焼結炉内に外部から供給するガスの量を低減すること
で達成される。具体的な第１の手段は、焼結温度プロフ
ァイルに応じて、炉内へのガス供給量をコントロール
し、ガス供給の必要のない時には供給量を減らすことで
ある。第２の手段は、焼結基板近くで雰囲気を加速する
ことにより、少ないガス供給量でバインダおよび残留炭
素除去促進効果を得ることである。
【０００６】
【作用】セラミックス基板内でバインダの熱分解あるい
は残留炭素の燃焼が起きると、分解あるいは燃焼生成ガ
スは圧力差による流れおよび濃度差による拡散によって
基板中を移動し、基板外に運ばれる。同時に基板外部か
ら基板内へ水蒸気が供給される。バインダの熱分解およ
び残留炭素の燃焼速度をアレニウス型であると仮定すれ
ば、各反応の反応速度は温度の上昇とともに急激に増大
する。一方、除去が進むとともに基板内のバインダある
いは残留炭素の存在量は減少するので単位時間の反応量
は減少する。基板内での反応量が多いと、分解あるいは
燃焼生成ガスの除去および基板外からの水蒸気の供給は
基板表面での物質伝達が律速になる。そこで、基板表面
での反応生成ガスを置換し、バインダおよび残留炭素の
除去を促進するために、炉内にガスを供給する。しか
し、基板内での反応量が少なければ、反応生成ガスの除
去および水蒸気の供給は基板内部での拡散が律速にな
り、基板表面での物質伝達の除去速度への影響は小さく
なる。また、反応生成ガスの量が少ないため、炉内への
ガスの供給量が少なくても炉内のガスの組成を維持でき
る。従って、基板内での反応が少ないときにはガスの供
給量を減らして、ガスの加熱に要するエネルギを低減す
ることができる。また、基板表面での物質伝達は、基板
表面でのガスの流速を大きくすることによって向上させ
ることができる。従って、基板表面でガスを加速するこ
とによって少ないガス供給で、バインダあるいは炭素の
除去促進効果を得ることができ、その結果ガスの加熱に
要するエネルギを低減することができる。
は残留炭素の燃焼が起きると、分解あるいは燃焼生成ガ
スは圧力差による流れおよび濃度差による拡散によって
基板中を移動し、基板外に運ばれる。同時に基板外部か
ら基板内へ水蒸気が供給される。バインダの熱分解およ
び残留炭素の燃焼速度をアレニウス型であると仮定すれ
ば、各反応の反応速度は温度の上昇とともに急激に増大
する。一方、除去が進むとともに基板内のバインダある
いは残留炭素の存在量は減少するので単位時間の反応量
は減少する。基板内での反応量が多いと、分解あるいは
燃焼生成ガスの除去および基板外からの水蒸気の供給は
基板表面での物質伝達が律速になる。そこで、基板表面
での反応生成ガスを置換し、バインダおよび残留炭素の
除去を促進するために、炉内にガスを供給する。しか
し、基板内での反応量が少なければ、反応生成ガスの除
去および水蒸気の供給は基板内部での拡散が律速にな
り、基板表面での物質伝達の除去速度への影響は小さく
なる。また、反応生成ガスの量が少ないため、炉内への
ガスの供給量が少なくても炉内のガスの組成を維持でき
る。従って、基板内での反応が少ないときにはガスの供
給量を減らして、ガスの加熱に要するエネルギを低減す
ることができる。また、基板表面での物質伝達は、基板
表面でのガスの流速を大きくすることによって向上させ
ることができる。従って、基板表面でガスを加速するこ
とによって少ないガス供給で、バインダあるいは炭素の
除去促進効果を得ることができ、その結果ガスの加熱に
要するエネルギを低減することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００８】図１は、本発明の第１実施例の焼結炉内温
度およびガス供給量コントロールのプロファイルを示す
特性図である。バインダの熱分解および残留炭素の燃焼
は温度プロファイルに依存するのでこれに連動させてガ
スの供給量をコントロールする。バインダの熱分解がほ
ぼ終了する時刻ｔ1 から残留炭素の燃焼が始まる時刻ｔ
2 までと、残留炭素の除去速度が炭素と水蒸気の反応速
度律速になる時刻ｔ3以降では、ガスの供給量を減少さ
せる。１例としてＴ2 を８００℃とし、毎分５０リット
ルの湿潤窒素(水蒸気分圧０.４気圧）を供給するとすれ
ば、ガスを室温から８００℃まで加熱するのに要するエ
ネルギは約０.９ｋＷ となる。残留炭素除去過程の後半
では、除去速度は炭素の反応速度が律速となり、炉内へ
の水蒸気の供給を増やしても炭素除去促進効果は少な
い。また、炭素の反応量が少ないためガス供給量を減ら
しても炉内のガス組成を維持することができる。従って
外部からのガスの供給を減少させ、ガスの加熱に要する
エネルギの損失を減らすことができる。
度およびガス供給量コントロールのプロファイルを示す
特性図である。バインダの熱分解および残留炭素の燃焼
は温度プロファイルに依存するのでこれに連動させてガ
スの供給量をコントロールする。バインダの熱分解がほ
ぼ終了する時刻ｔ1 から残留炭素の燃焼が始まる時刻ｔ
2 までと、残留炭素の除去速度が炭素と水蒸気の反応速
度律速になる時刻ｔ3以降では、ガスの供給量を減少さ
せる。１例としてＴ2 を８００℃とし、毎分５０リット
ルの湿潤窒素(水蒸気分圧０.４気圧）を供給するとすれ
ば、ガスを室温から８００℃まで加熱するのに要するエ
ネルギは約０.９ｋＷ となる。残留炭素除去過程の後半
では、除去速度は炭素の反応速度が律速となり、炉内へ
の水蒸気の供給を増やしても炭素除去促進効果は少な
い。また、炭素の反応量が少ないためガス供給量を減ら
しても炉内のガス組成を維持することができる。従って
外部からのガスの供給を減少させ、ガスの加熱に要する
エネルギの損失を減らすことができる。
【０００９】図２は、本発明の第２実施例の基板および
ガス供給口配置の縦断面図である。炉内に導入したガス
供給管５のガス供給口４を基板１の近くに設けることに
より、基板１の表面近くでガスを加速する。
ガス供給口配置の縦断面図である。炉内に導入したガス
供給管５のガス供給口４を基板１の近くに設けることに
より、基板１の表面近くでガスを加速する。
【００１０】図３は本発明の第３実施例の基板およびガ
ス流路制御構造の縦断面図である。基板１を乗せる基板
台３の近くにガス流路制御板６を設け、基板１近くでガ
スの流路を狭くすることにより、基板１の表面近くでガ
スを加速する。
ス流路制御構造の縦断面図である。基板１を乗せる基板
台３の近くにガス流路制御板６を設け、基板１近くでガ
スの流路を狭くすることにより、基板１の表面近くでガ
スを加速する。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、セラミック多層配線基
板の焼成過程における炉内へのガス供給量を低減するこ
とによって熱損失を低減し、製造コスト低減を図ること
ができる。
板の焼成過程における炉内へのガス供給量を低減するこ
とによって熱損失を低減し、製造コスト低減を図ること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例の焼結温度およびガス供給
量コントロールの特性図。
量コントロールの特性図。
【図２】本発明の第２実施例の基板およびガス供給口配
置の縦断面図。
置の縦断面図。
【図３】本発明の第３実施例の基板およびガス流路制御
構造の縦断面図。
構造の縦断面図。
１…セラミック多層配線基板、２…セッタ、３…基板
台、４…ガス供給口、５…ガス供給管、６…ガス流路制
御板。
台、４…ガス供給口、５…ガス供給管、６…ガス流路制
御板。
Claims (3)
- 【請求項１】セラミック多層配線基板の焼成方法におい
て、焼成温度プロファイルに応じて炉内に供給するガス
量をコントロールすることを特徴とするセラミック多層
配線基板の焼成方法。 - 【請求項２】セラミック多層配線基板焼成のための焼結
炉において、炉内へのガス供給口を上記セラミック多層
配線基板の近くに設けることで、上記基板の表面近くで
ガスを加速する炉内構造を有することを特徴とする焼結
炉。 - 【請求項３】セラミック多層配線基板焼成のための焼結
炉において、上記セラミック多層配線基板の近くで炉内
のガス流路を狭くすることで、上記基板の表面近くでガ
スを加速する炉内構造を有することを特徴とする焼結
炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7086657A JPH08288652A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7086657A JPH08288652A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288652A true JPH08288652A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=13893117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7086657A Pending JPH08288652A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022274B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-04-04 | Graver Technologies, Llc. | Gas sintered carbon block and method |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP7086657A patent/JPH08288652A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022274B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-04-04 | Graver Technologies, Llc. | Gas sintered carbon block and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08288652A (ja) | セラミック多層配線基板の焼結炉およびその焼成方法 | |
| JPH0492414A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2002156188A (ja) | ローラハース式雰囲気炉 | |
| JP4385454B2 (ja) | 雰囲気ガスの加熱温度調整方法および加熱温度調整装置 | |
| JP2000290061A (ja) | 窯業成形物の乾燥方法およびその装置 | |
| JPH1167750A (ja) | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 | |
| JPH10267544A (ja) | 連続式熱処理炉 | |
| KR100515040B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| JP2525427B2 (ja) | セラミック基板の焼成方法及び装置 | |
| JP3839910B2 (ja) | 銅製品の熱処理装置 | |
| JPS6234233Y2 (ja) | ||
| JPH0217383A (ja) | 燃焼式連続焼成炉のバインダー除去装置 | |
| JP3023184B2 (ja) | 連続式トンネル炉 | |
| JPH1133390A (ja) | 粉末原料気化装置 | |
| JPS63200536A (ja) | 酸化シリコン膜形成装置 | |
| JPS5973493A (ja) | 基板の加熱方法 | |
| JPH10280134A (ja) | セラミックス被覆部材の製造装置およびその製造方法 | |
| JPS59215477A (ja) | 真空浸炭方法および真空浸炭炉 | |
| JPH06323738A (ja) | ローラーハースキルン | |
| JPH09165267A (ja) | セラミック多層配線基板の焼成方法及び焼結炉 | |
| JPH0735481A (ja) | 焼成炉 | |
| JP2004100972A (ja) | 電子部品焼成用電気炉 | |
| JPH0410551Y2 (ja) | ||
| JPH06185874A (ja) | 熱処理ケース | |
| JP3480354B2 (ja) | タンディッシュの加熱装置 |