JPH08288552A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH08288552A JPH08288552A JP9342995A JP9342995A JPH08288552A JP H08288552 A JPH08288552 A JP H08288552A JP 9342995 A JP9342995 A JP 9342995A JP 9342995 A JP9342995 A JP 9342995A JP H08288552 A JPH08288552 A JP H08288552A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 格子不整合を良好とし、ＩｎＧａＡｌＮの三
元組成に格子定数を合わせられ、基板表面を保護して多
結晶化を防止する半導体発光素子及びその製造方法を提
供する。 【構成】 基板１にＬａＮｄＧａＯ3 を用い、基板表面
に３００℃以上〜１０００℃以下の成長温度のバッファ
層２を形成したものである。
元組成に格子定数を合わせられ、基板表面を保護して多
結晶化を防止する半導体発光素子及びその製造方法を提
供する。 【構成】 基板１にＬａＮｄＧａＯ3 を用い、基板表面
に３００℃以上〜１０００℃以下の成長温度のバッファ
層２を形成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視（赤色）領域から
紫外領域にわたって発光する半導体発光素子及びその製
造方法に関する。
紫外領域にわたって発光する半導体発光素子及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】半導体発
光素子は、その発光部をIII 族窒化物半導体ＩｎＮ，Ｇ
ａＮ，ＡｌＮ，Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦
１、０≦ｘ＋ｙ≦１）（以下ＩｎＧａＡｌＮと称す）を
サファイア基板上にエピタキシャル成長させることによ
って得られる。ところが、このIII 族窒化物半導体と基
板であるサファイアとの間には、１１％〜２３％程度の
格子不整合が存在しており、このため光素子として必要
な半導体厚膜を成長させた場合、格子不整合に基づくク
ラックが入ることがあり、歩留りが悪い。しかも、サフ
ァイア基板とその上に成長させた光素子としての半導体
結晶との間に不整合転位が生じると、発光素子として発
光効率が十分でなくまた素子寿命も短いという問題があ
る。
光素子は、その発光部をIII 族窒化物半導体ＩｎＮ，Ｇ
ａＮ，ＡｌＮ，Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦
１、０≦ｘ＋ｙ≦１）（以下ＩｎＧａＡｌＮと称す）を
サファイア基板上にエピタキシャル成長させることによ
って得られる。ところが、このIII 族窒化物半導体と基
板であるサファイアとの間には、１１％〜２３％程度の
格子不整合が存在しており、このため光素子として必要
な半導体厚膜を成長させた場合、格子不整合に基づくク
ラックが入ることがあり、歩留りが悪い。しかも、サフ
ァイア基板とその上に成長させた光素子としての半導体
結晶との間に不整合転位が生じると、発光素子として発
光効率が十分でなくまた素子寿命も短いという問題があ
る。
【０００３】他方、上述の問題を抱えたサファイア基板
とIII 族窒化物半導体の組合せの外に、基板としてＮｄ
ＧａＯ3 を用いる場合もある。このＮｄＧａＯ3 の採用
は上述のＩｎＧａＡｌＮの格子定数に近く不整合転位が
低減できるためであるが、結晶成長の容易なＧａＮから
格子定数が離れてしまうので、この場合もやはり不整合
転位が生じてしまうという問題がある。また、実際の結
晶成長において酸化物基板は、エピタキシャル成長方法
や成長条件によっては高温還元雰囲気中で不安定になる
ことがある。例えば還元雰囲気中の加熱処理によって基
板中の酸素が引き抜かれ基板表面に凹凸が生じることが
あり、また、極端な場合には表面に窒化物が形成される
こともあって、基板表面が変質する温度よりも高温で成
長を行なおうとすると窒化原料ガスを流すと同時に表面
が多結晶化し、その上には多結晶膜しか成長しないとい
う問題が生じる。一般にヘテロエピタキシャル成長では
基板・エピタキシャル膜間の界面エネルギが高い場合、
十分な表面マイグレーションが起こる高温で直接成長を
行うと顕著な三次元成長が起こり、凹凸の激しい表面モ
ホロジを示すばかりでなく、１０〜１００分の方位分布
を持った結晶性の不十分な膜が成長することが知られて
いる。このことは発光素子を作製する際、多層膜構造の
作製が難しいとか発光効率が低いあるいは素子寿命が短
い等の問題の原因となる。界面エネルギは基板結晶とエ
ピタキシャル膜結晶の結合の性質の差によって決まり、
イオン結晶である酸化物基板と共有結合性の強いIII 族
窒化物半導体では界面エネルギが高いものと考えられ
る。エピタキシャル成長膜の結晶性は、成長温度の上昇
にともない飛躍的に向上することを鑑みると、基板の表
面変質が起こらない温度でしか成長を行えないことは製
造上重大な問題である。
とIII 族窒化物半導体の組合せの外に、基板としてＮｄ
ＧａＯ3 を用いる場合もある。このＮｄＧａＯ3 の採用
は上述のＩｎＧａＡｌＮの格子定数に近く不整合転位が
低減できるためであるが、結晶成長の容易なＧａＮから
格子定数が離れてしまうので、この場合もやはり不整合
転位が生じてしまうという問題がある。また、実際の結
晶成長において酸化物基板は、エピタキシャル成長方法
や成長条件によっては高温還元雰囲気中で不安定になる
ことがある。例えば還元雰囲気中の加熱処理によって基
板中の酸素が引き抜かれ基板表面に凹凸が生じることが
あり、また、極端な場合には表面に窒化物が形成される
こともあって、基板表面が変質する温度よりも高温で成
長を行なおうとすると窒化原料ガスを流すと同時に表面
が多結晶化し、その上には多結晶膜しか成長しないとい
う問題が生じる。一般にヘテロエピタキシャル成長では
基板・エピタキシャル膜間の界面エネルギが高い場合、
十分な表面マイグレーションが起こる高温で直接成長を
行うと顕著な三次元成長が起こり、凹凸の激しい表面モ
ホロジを示すばかりでなく、１０〜１００分の方位分布
を持った結晶性の不十分な膜が成長することが知られて
いる。このことは発光素子を作製する際、多層膜構造の
作製が難しいとか発光効率が低いあるいは素子寿命が短
い等の問題の原因となる。界面エネルギは基板結晶とエ
ピタキシャル膜結晶の結合の性質の差によって決まり、
イオン結晶である酸化物基板と共有結合性の強いIII 族
窒化物半導体では界面エネルギが高いものと考えられ
る。エピタキシャル成長膜の結晶性は、成長温度の上昇
にともない飛躍的に向上することを鑑みると、基板の表
面変質が起こらない温度でしか成長を行えないことは製
造上重大な問題である。
【０００４】本発明は、上述の問題に鑑みIII 族窒化物
半導体ＩｎＧａＡｌＮエピタキシャル膜にクラックが生
じない、また不整合転位を低減して高効率かつ長寿命と
し、更には、不整合転位を低減する酸化物基板表面の変
質を生じることなく、結晶性の良好なるエピタキシャル
膜を成長させる半導体発光素子及びその製造方法の提供
を目的とする。
半導体ＩｎＧａＡｌＮエピタキシャル膜にクラックが生
じない、また不整合転位を低減して高効率かつ長寿命と
し、更には、不整合転位を低減する酸化物基板表面の変
質を生じることなく、結晶性の良好なるエピタキシャル
膜を成長させる半導体発光素子及びその製造方法の提供
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本
発明は、次の構成を特徴とする。 （１）Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ
＋ｙ≦１）薄膜を少なくとも一層含む半導体発光素子に
おいて、基板にＬａz Ｎｄ1-z ＧａＯ3 （０＜ｚ≦１）
単結晶を用いることを特徴とする。 （２）基板と半導体発光素子層間に、該半導体発光素子
を構成する層の内最も基板に近接した半導体層と基板と
の間の格子定数を有するバッファ層Ｉｎ1-x-yＧａx Ａ
ｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を挿入したこと
を特徴とする。 （３）基板と半導体発光層との間に挿入されるＩｎ
1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）
バッファ層を３００℃以上１０００℃以下の成長温度で
堆積することを特徴とする。
発明は、次の構成を特徴とする。 （１）Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ
＋ｙ≦１）薄膜を少なくとも一層含む半導体発光素子に
おいて、基板にＬａz Ｎｄ1-z ＧａＯ3 （０＜ｚ≦１）
単結晶を用いることを特徴とする。 （２）基板と半導体発光素子層間に、該半導体発光素子
を構成する層の内最も基板に近接した半導体層と基板と
の間の格子定数を有するバッファ層Ｉｎ1-x-yＧａx Ａ
ｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を挿入したこと
を特徴とする。 （３）基板と半導体発光層との間に挿入されるＩｎ
1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）
バッファ層を３００℃以上１０００℃以下の成長温度で
堆積することを特徴とする。
【０００６】
【作用】基板としてＬａz Ｎｄ1-z ＧａＯ3 単結晶を用
いることによってＩｎＧａＡｌＮの格子定数に近づけて
格子不整合や不整合転位を減少でき、またＮｄＧａＯ3
基板のように転位が入りやすいことがなくて、素子構成
にて三元組成のＩｎＧａＡｌＮを用いる場合その三元組
成に格子定数を合わせることができる。図１はＩｎＧａ
ＡｌＮのＧａ組成ｘとＡｌ組成ｙと（０００１）面内の
格子定数との関係を示しており、図中実線上の組成によ
り基板とエピタキシャル膜とが格子整合する。また、図
２に示すようにエピタキシャル膜であるＩｎＧａＡｌＮ
の格子定数とバンドギャップエネルギとの関係にて示す
如く、図中の斜線で示す領域のＩｎＧａＡｌＮを基板と
格子整合することにより成長できる。更に、酸化物基板
表面の変質が起きない低温で基板上に生長したＩｎＧａ
ＡｌＮバッファ層を設けているため基板表面を多結晶化
することなく単結晶膜を成長することができる。また、
バッファ層の成長に当っては、３００℃以上１０００℃
以下の成長温度とすることにより、十分なマイグレーシ
ョンが起きず、平坦で連続なＩｎＧａＡｌＮバッファ層
を堆積することができ、この上に結晶性の良好なエピタ
キシャル膜を成長することができる。
いることによってＩｎＧａＡｌＮの格子定数に近づけて
格子不整合や不整合転位を減少でき、またＮｄＧａＯ3
基板のように転位が入りやすいことがなくて、素子構成
にて三元組成のＩｎＧａＡｌＮを用いる場合その三元組
成に格子定数を合わせることができる。図１はＩｎＧａ
ＡｌＮのＧａ組成ｘとＡｌ組成ｙと（０００１）面内の
格子定数との関係を示しており、図中実線上の組成によ
り基板とエピタキシャル膜とが格子整合する。また、図
２に示すようにエピタキシャル膜であるＩｎＧａＡｌＮ
の格子定数とバンドギャップエネルギとの関係にて示す
如く、図中の斜線で示す領域のＩｎＧａＡｌＮを基板と
格子整合することにより成長できる。更に、酸化物基板
表面の変質が起きない低温で基板上に生長したＩｎＧａ
ＡｌＮバッファ層を設けているため基板表面を多結晶化
することなく単結晶膜を成長することができる。また、
バッファ層の成長に当っては、３００℃以上１０００℃
以下の成長温度とすることにより、十分なマイグレーシ
ョンが起きず、平坦で連続なＩｎＧａＡｌＮバッファ層
を堆積することができ、この上に結晶性の良好なエピタ
キシャル膜を成長することができる。
【０００７】
【実施例】ここで、図３，図４とを参照して本発明の実
施例を説明する。図３は、本発明の第一の実施例を説明
する図であって、発光素子の断面を示す。本発光素子は
（１０１）面のＬａ0.2 Ｎｄ0.8 ＧａＯ3 基板１の上に
成長した膜厚５０ｎｍのアンドープＩｎＡｌＮバッファ
層２、膜厚５μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層
３、膜厚０．１μｍのＺｎドープＧａＡｌＮ発光層４、
膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層５、アル
ミニウム電極６、金電極７からなる。ここに示したすべ
ての半導体層は、図１，図２にも合致するよう基板に格
子整合するように組成を選んだ。電極７に正の電圧を電
極６に負の電圧を加えると発光層４は４２０ｎｍの波長
で発光した。その外部量子効率は１．２％であった。発
光効率がこのように向上した原因は、基板とエピタキシ
ャル膜の格子整合によりエピタキシャル膜の結晶性が高
くなったためである。
施例を説明する。図３は、本発明の第一の実施例を説明
する図であって、発光素子の断面を示す。本発光素子は
（１０１）面のＬａ0.2 Ｎｄ0.8 ＧａＯ3 基板１の上に
成長した膜厚５０ｎｍのアンドープＩｎＡｌＮバッファ
層２、膜厚５μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層
３、膜厚０．１μｍのＺｎドープＧａＡｌＮ発光層４、
膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層５、アル
ミニウム電極６、金電極７からなる。ここに示したすべ
ての半導体層は、図１，図２にも合致するよう基板に格
子整合するように組成を選んだ。電極７に正の電圧を電
極６に負の電圧を加えると発光層４は４２０ｎｍの波長
で発光した。その外部量子効率は１．２％であった。発
光効率がこのように向上した原因は、基板とエピタキシ
ャル膜の格子整合によりエピタキシャル膜の結晶性が高
くなったためである。
【０００８】次に本実施例の素子の製造方法について説
明する。図４は原料ガスとしてIII族有機金属とＮＨ3
を用いる場合について、本実施例の半導体発光素子の製
造方法を実施するための成長装置の一例を示すものであ
る。図において、８は成長基板、９はカーボン・サセプ
タ、１０は石英反応管、１１は高周波誘導コイル、１２
は熱電対、１３は有機金属ガス導入管、１４はＮＨ3 ガ
ス導入管、１５はＨ2ガス及びＮ2 ガス導入管、１６は
排気口である。この装置で、半導体発光素子用の多層膜
構造を作製するには、まず石英反応管１０内を真空排気
装置により排気する。次に、石英反応管１０内に０．５
〜２０ l／分の不活性ガスであるＮ2 ガスをガス導入管
１５より導入した後、高周波誘導コイル１１に通電する
ことによりカーボン・サセプタ９を３００℃〜１０００
℃に加熱し、Ｎ2 ガスを０．５〜２０ l／分のＮＨ3 ガ
スに切り替える。この状態で、バブラの温度を−３０〜
５０℃に設定したトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、
トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）及びトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡｌ）のうち必要な原料を１〜１０００ｃ
ｃ／分のＨ2 ガス（あるいはＮ2 ガス）でバブリング
し、０〜１０ l／分のＨ2 ガス（あるいはＮ2 ガス）と
合流させた後導入管１５より石英反応管１０へ供給し、
ＩｎＧａＡｌＮ層を堆積する。成長中の石英反応管１０
内の総ガス圧は４０〜１０００Ｔｏｒｒに調整する。こ
れに続けて、必要な膜厚を堆積したＩｎＧａＡｌＮバッ
ファ層をＮＨ3 雰囲気中６００〜１３００℃の温度で１
〜６０分保持した後、６００〜１３００℃に基板温度を
設定し上記と同様の手順で発光素子用の多層膜構造を作
製する。上記の実施例では、III 族原料及び窒素原料と
してIII 族有機金属及びＮＨ3を用いたが、これに代え
てIII 族ハライド化物等のその他のIII 族原料及びＮ2
Ｈ2 や有機アミン等のその他の窒素原料を用いても同様
の効果が得られる。また、上記の実施例では、キャリア
ガス、バブリングガスとしてＨ2 またはＮ2 を用いた
が、これに代えてＨｅやＡｒ等のその他の不活性ガスを
用いても同様の効果が得られる。
明する。図４は原料ガスとしてIII族有機金属とＮＨ3
を用いる場合について、本実施例の半導体発光素子の製
造方法を実施するための成長装置の一例を示すものであ
る。図において、８は成長基板、９はカーボン・サセプ
タ、１０は石英反応管、１１は高周波誘導コイル、１２
は熱電対、１３は有機金属ガス導入管、１４はＮＨ3 ガ
ス導入管、１５はＨ2ガス及びＮ2 ガス導入管、１６は
排気口である。この装置で、半導体発光素子用の多層膜
構造を作製するには、まず石英反応管１０内を真空排気
装置により排気する。次に、石英反応管１０内に０．５
〜２０ l／分の不活性ガスであるＮ2 ガスをガス導入管
１５より導入した後、高周波誘導コイル１１に通電する
ことによりカーボン・サセプタ９を３００℃〜１０００
℃に加熱し、Ｎ2 ガスを０．５〜２０ l／分のＮＨ3 ガ
スに切り替える。この状態で、バブラの温度を−３０〜
５０℃に設定したトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、
トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）及びトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡｌ）のうち必要な原料を１〜１０００ｃ
ｃ／分のＨ2 ガス（あるいはＮ2 ガス）でバブリング
し、０〜１０ l／分のＨ2 ガス（あるいはＮ2 ガス）と
合流させた後導入管１５より石英反応管１０へ供給し、
ＩｎＧａＡｌＮ層を堆積する。成長中の石英反応管１０
内の総ガス圧は４０〜１０００Ｔｏｒｒに調整する。こ
れに続けて、必要な膜厚を堆積したＩｎＧａＡｌＮバッ
ファ層をＮＨ3 雰囲気中６００〜１３００℃の温度で１
〜６０分保持した後、６００〜１３００℃に基板温度を
設定し上記と同様の手順で発光素子用の多層膜構造を作
製する。上記の実施例では、III 族原料及び窒素原料と
してIII 族有機金属及びＮＨ3を用いたが、これに代え
てIII 族ハライド化物等のその他のIII 族原料及びＮ2
Ｈ2 や有機アミン等のその他の窒素原料を用いても同様
の効果が得られる。また、上記の実施例では、キャリア
ガス、バブリングガスとしてＨ2 またはＮ2 を用いた
が、これに代えてＨｅやＡｒ等のその他の不活性ガスを
用いても同様の効果が得られる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板としてサファイア基板を用いることがなくてしかもＬ
ａＮｄＧａＯ3 の単結晶基板を用いるために格子整合性
が良好となり、クラックの発生が防止でき高効率、長寿
命化が図れ、エピタキシャル膜の品質が向上し高性能化
でき、基板に格子整合したＤＨ構造も実現できる。ま
た、ＮｄＧａＯ3 を基板に用いず、ＬａＮｄＧａＯ3 基
板のためにＧａＮから格子定数が離れることもなくてＩ
ｎＧａＡｌＮの三元組成に格子定数を合わせることがで
きる。更に、酸化物基板表面を表面の変質が起こらない
低温で成長したバッファ層で基板表面を保護するため、
基板表面を多結晶化することなくその上に単結晶膜を成
長でき、高温成長層とバッファ層はいずれもIII 族窒化
物半導体であるため、これらの間の界面エネルギは低
く、三次元成長を抑制する作用を持つため、膜を平坦化
し、方位分布を低減する。また、本発明の半導体発光素
子において、ＩｎＧａＡｌＮバッファ層のＡｌ組成ｙが
大きい場合にはバッファ層が半絶縁化するため、低抵抗
基板を用いても基板と発光素子を絶縁分離できる。この
結果、低抵抗基板上に複数のプレーナ型半導体素子を作
製し、かつ、これらの半導体素子を互いに絶縁分離でき
ると言う利点を持つ。
板としてサファイア基板を用いることがなくてしかもＬ
ａＮｄＧａＯ3 の単結晶基板を用いるために格子整合性
が良好となり、クラックの発生が防止でき高効率、長寿
命化が図れ、エピタキシャル膜の品質が向上し高性能化
でき、基板に格子整合したＤＨ構造も実現できる。ま
た、ＮｄＧａＯ3 を基板に用いず、ＬａＮｄＧａＯ3 基
板のためにＧａＮから格子定数が離れることもなくてＩ
ｎＧａＡｌＮの三元組成に格子定数を合わせることがで
きる。更に、酸化物基板表面を表面の変質が起こらない
低温で成長したバッファ層で基板表面を保護するため、
基板表面を多結晶化することなくその上に単結晶膜を成
長でき、高温成長層とバッファ層はいずれもIII 族窒化
物半導体であるため、これらの間の界面エネルギは低
く、三次元成長を抑制する作用を持つため、膜を平坦化
し、方位分布を低減する。また、本発明の半導体発光素
子において、ＩｎＧａＡｌＮバッファ層のＡｌ組成ｙが
大きい場合にはバッファ層が半絶縁化するため、低抵抗
基板を用いても基板と発光素子を絶縁分離できる。この
結果、低抵抗基板上に複数のプレーナ型半導体素子を作
製し、かつ、これらの半導体素子を互いに絶縁分離でき
ると言う利点を持つ。
【図１】ＩｎＧａＡｌＮの（０００１）面内の格子定数
とＧａ組成ｘ、Ａｌ組成ｙとの関係を示す図。
とＧａ組成ｘ、Ａｌ組成ｙとの関係を示す図。
【図２】本実施例の基板ＬａＮｄＧａＯ3 を用いること
により格子整合成長できるＩｎＧａＡｌＮのバンドギャ
ップエネルギの選択範囲を示す図。
により格子整合成長できるＩｎＧａＡｌＮのバンドギャ
ップエネルギの選択範囲を示す図。
【図３】一実施例の素子構造概略断面図。
【図４】本実施例の半導体発光素子を作製する際に用い
た化合物半導体薄膜のエピタキシャル成長装置の構成
図。
た化合物半導体薄膜のエピタキシャル成長装置の構成
図。
１ （１０１）面Ｌａ0.2 Ｎｄ0.8 ＧａＯ3 基板 ２ アンドープＩｎＡｌＮバッファ層 ３ Ｓｉドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層 ４ ＺｎドープＧａＡｌＮ発光層 ５ Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層 ６ アルミニウム電極 ７ 金電極 ８ 成長基板 ９ カーボン・サセプタ １０ 石英反応管 １１ 高周波誘導コイル １２ 熱電対 １３ 有機金属ガス導入管 １４ ＮＨ2 ガス導入管 １５ Ｈ2 ガス及びＮ2 ガス導入管 １６ 排気口
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦
１、０≦ｘ＋ｙ≦１）薄膜を少なくとも一層含む半導体
発光素子において、基板にＬａz Ｎｄ1-z ＧａＯ3 （０
＜ｚ≦１）単結晶を用いることを特徴とする半導体発光
素子。 - 【請求項２】 基板と半導体発光素子層間に、該半導体
発光素子を構成する層の内最も基板に近接した半導体層
と基板との間の格子定数を有するバッファ層Ｉｎ1-x-y
Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を挿入
したことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項３】 基板と半導体発光層との間に挿入される
Ｉｎ1-x-y Ｇａx Ａｌy Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦
１）バッファ層を３００℃以上１０００℃以下の成長温
度で堆積することを特徴とした半導体発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9342995A JPH08288552A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9342995A JPH08288552A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288552A true JPH08288552A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14082070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9342995A Pending JPH08288552A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19905517B4 (de) * | 1998-06-05 | 2011-02-03 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Mehrschichtige Indium-enthaltende Nitridpufferschicht für die Nitrid-Epitaxie |
| WO2024012888A1 (en) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Method for producing a semiconductor chip and semiconductor chip |
-
1995
- 1995-04-19 JP JP9342995A patent/JPH08288552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19905517B4 (de) * | 1998-06-05 | 2011-02-03 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Mehrschichtige Indium-enthaltende Nitridpufferschicht für die Nitrid-Epitaxie |
| WO2024012888A1 (en) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Method for producing a semiconductor chip and semiconductor chip |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020416 |