JPH08283951A - 無電解めっきの前処理方法 - Google Patents
無電解めっきの前処理方法Info
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- JPH08283951A JPH08283951A JP8705695A JP8705695A JPH08283951A JP H08283951 A JPH08283951 A JP H08283951A JP 8705695 A JP8705695 A JP 8705695A JP 8705695 A JP8705695 A JP 8705695A JP H08283951 A JPH08283951 A JP H08283951A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- substrate
- electroless plating
- attached
- catalyst
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- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路形成後のパラジウムの残存量を低下し、
ショート不良の起きないプリント配線板を得ることので
きる無電解めっきの前処理方法を提供する。 【構成】 基板に無電解めっきを施す前に、この基板の
表面に触媒を添着する無電解めっきの前処理方法であっ
て、上記触媒の粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムを添着する。パラジウムの粒径が上記範囲で
あると、少量を添着するだけで同程度の触媒性能が得ら
れる。従って、添着するパラジウムの量が少量ですむた
め、エッチング後の残存量を低下できる。
ショート不良の起きないプリント配線板を得ることので
きる無電解めっきの前処理方法を提供する。 【構成】 基板に無電解めっきを施す前に、この基板の
表面に触媒を添着する無電解めっきの前処理方法であっ
て、上記触媒の粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムを添着する。パラジウムの粒径が上記範囲で
あると、少量を添着するだけで同程度の触媒性能が得ら
れる。従って、添着するパラジウムの量が少量ですむた
め、エッチング後の残存量を低下できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板等を作製
する際に施される、無電解めっきの前処理方法に関する
ものである。
する際に施される、無電解めっきの前処理方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板用の基板に銅、ニッケル
等の無電解めっきを施し金属めっき層を作製する際に、
この基板の表面に無電解めっきの析出核となるパラジウ
ム等の触媒を予め添着する方法が知られている。上記パ
ラジウムの添着は、パラジウムのコロイド溶液やパラジ
ウム−すずのコロイド溶液中に、上記基板を浸漬させる
方法が汎用されている。この方法で添着するパラジウム
は粒径０．１〜１．０μｍ程度のサイズである。上記基
板は金属めっき層を作製した後に、この金属めっき層に
エッチングを施し回路が形成される。近年、高密度化の
要求に伴い、回路間隔や回路幅が狭くなってきており、
エッチング時間は短時間で作製される。上記方法で回路
を形成した際に、回路のショート不良が起きやすい問題
がある。
等の無電解めっきを施し金属めっき層を作製する際に、
この基板の表面に無電解めっきの析出核となるパラジウ
ム等の触媒を予め添着する方法が知られている。上記パ
ラジウムの添着は、パラジウムのコロイド溶液やパラジ
ウム−すずのコロイド溶液中に、上記基板を浸漬させる
方法が汎用されている。この方法で添着するパラジウム
は粒径０．１〜１．０μｍ程度のサイズである。上記基
板は金属めっき層を作製した後に、この金属めっき層に
エッチングを施し回路が形成される。近年、高密度化の
要求に伴い、回路間隔や回路幅が狭くなってきており、
エッチング時間は短時間で作製される。上記方法で回路
を形成した際に、回路のショート不良が起きやすい問題
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これは、基板に添着し
たパラジウムがエッチングの際、溶解されないで残存し
ているためと推察される。
たパラジウムがエッチングの際、溶解されないで残存し
ているためと推察される。
【０００４】本発明は上記事実に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、回路形成後のパラジウム
の残存量を低下し、ショート不良の起きないプリント配
線板を得ることのできる無電解めっきの前処理方法を提
供することにある。
で、その目的とするところは、回路形成後のパラジウム
の残存量を低下し、ショート不良の起きないプリント配
線板を得ることのできる無電解めっきの前処理方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
無電解めっきの前処理方法は、基板に無電解めっきを施
す前に、この基板の表面に触媒を添着する無電解めっき
の前処理方法であって、上記触媒の粒径が０．０１〜
０．０５μｍの範囲のパラジウムを添着することを特徴
とする。
無電解めっきの前処理方法は、基板に無電解めっきを施
す前に、この基板の表面に触媒を添着する無電解めっき
の前処理方法であって、上記触媒の粒径が０．０１〜
０．０５μｍの範囲のパラジウムを添着することを特徴
とする。
【０００６】本発明の請求項２に係る無電解めっきの前
処理方法は、請求項１記載の無電解めっきの前処理方法
において、上記パラジウムを真空蒸着、または、スパッ
タリング蒸着の方法で添着させることを特徴とする。
処理方法は、請求項１記載の無電解めっきの前処理方法
において、上記パラジウムを真空蒸着、または、スパッ
タリング蒸着の方法で添着させることを特徴とする。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、プリント配線板用の基板に銅、ニッケル等の無電解
めっきを施し金属めっき層を作製する際に、この基板の
表面と金属めっき層の密着力を保持するために、無電解
めっきの析出核となるパラジウムを予め触媒として添着
する方法である。
は、プリント配線板用の基板に銅、ニッケル等の無電解
めっきを施し金属めっき層を作製する際に、この基板の
表面と金属めっき層の密着力を保持するために、無電解
めっきの析出核となるパラジウムを予め触媒として添着
する方法である。
【０００８】上記基板としては、基材に樹脂を含浸乾燥
して得られるプリプレグの樹脂を硬化させた有機系の絶
縁基板、又はアルミナ等のセラミック系の絶縁基板が挙
げられる。この有機系の絶縁基板の樹脂としてはエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、ＰＰＯ樹脂等の単独、変
成物、混合物等が用いられる。有機系の絶縁板の基材と
しては、例えばガラス、アスベスト等の無機繊維、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリビニルアルコール、アクリ
ル等の有機合成繊維、木綿等の天然繊維からなる織布、
不織布、マット、紙及びこれらの組合せた基材が用いら
れる。
して得られるプリプレグの樹脂を硬化させた有機系の絶
縁基板、又はアルミナ等のセラミック系の絶縁基板が挙
げられる。この有機系の絶縁基板の樹脂としてはエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、ＰＰＯ樹脂等の単独、変
成物、混合物等が用いられる。有機系の絶縁板の基材と
しては、例えばガラス、アスベスト等の無機繊維、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリビニルアルコール、アクリ
ル等の有機合成繊維、木綿等の天然繊維からなる織布、
不織布、マット、紙及びこれらの組合せた基材が用いら
れる。
【０００９】本発明においては、上記基板に粒径が０．
０１〜０．０５μｍの範囲のパラジウムを添着する。一
定面積の被めっき物上に所定の反応速度でめっき反応を
進行させるために必要な触媒性能は、触媒の粒子の有効
面積に略比例して発揮される。つまり、上記パラジウム
の粒径が０．０１〜０．０５μｍと微細であると、粒径
が０．１〜１．０μｍ程度の大きい場合に比べ、少量を
添着するだけで同程度の触媒性能が得られる。従って、
パラジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であ
ると、パラジウムを添着する量が従来に比べ少量ですむ
ので、エッチング後のパラジウムの残存量を低下でき
る。その結果、プリント配線板のショート不良を防止す
ることができる。
０１〜０．０５μｍの範囲のパラジウムを添着する。一
定面積の被めっき物上に所定の反応速度でめっき反応を
進行させるために必要な触媒性能は、触媒の粒子の有効
面積に略比例して発揮される。つまり、上記パラジウム
の粒径が０．０１〜０．０５μｍと微細であると、粒径
が０．１〜１．０μｍ程度の大きい場合に比べ、少量を
添着するだけで同程度の触媒性能が得られる。従って、
パラジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であ
ると、パラジウムを添着する量が従来に比べ少量ですむ
ので、エッチング後のパラジウムの残存量を低下でき
る。その結果、プリント配線板のショート不良を防止す
ることができる。
【００１０】上記粒径０．０１〜０．０５μｍのパラジ
ウムを基板に添着されるには、パラジウムを真空蒸着、
または、スパッタリング蒸着の方法で添着させることが
望ましい。上記方法によると、ターゲットから出たパラ
ジウムは単原子であり、これら単原子のパラジウムは、
基板に達するまでの間に原子どうしが衝突することによ
り粒径が大きくなる。真空蒸着の場合は真空度、蒸発フ
ィラメント電圧、及び、蒸発フィラメント電流を制御す
ることにより、スパッタリング蒸着の場合は真空度、放
電電流、及び、ターゲットと基板間の距離を調整するこ
とにより、粒径０．０１〜０．０５μｍのパラジウムを
容易に添着することができる。
ウムを基板に添着されるには、パラジウムを真空蒸着、
または、スパッタリング蒸着の方法で添着させることが
望ましい。上記方法によると、ターゲットから出たパラ
ジウムは単原子であり、これら単原子のパラジウムは、
基板に達するまでの間に原子どうしが衝突することによ
り粒径が大きくなる。真空蒸着の場合は真空度、蒸発フ
ィラメント電圧、及び、蒸発フィラメント電流を制御す
ることにより、スパッタリング蒸着の場合は真空度、放
電電流、及び、ターゲットと基板間の距離を調整するこ
とにより、粒径０．０１〜０．０５μｍのパラジウムを
容易に添着することができる。
【００１１】上述の如くして、粒径０．０１〜０．０５
μｍのパラジウムを添着した基板に銅、ニッケル等の無
電解めっきを施し金属めっき層を作製する。パラジウム
の添着する量が少量でも、高い触媒性能を発揮し、金属
めっき層の密着力は保持される。なお、必要により、無
電解めっきを施した後に電気めっきを施してもよい。そ
の後、エッチングにより回路を形成し、パラジウムの残
存量が少ないプリント配線板を得ることができる。
μｍのパラジウムを添着した基板に銅、ニッケル等の無
電解めっきを施し金属めっき層を作製する。パラジウム
の添着する量が少量でも、高い触媒性能を発揮し、金属
めっき層の密着力は保持される。なお、必要により、無
電解めっきを施した後に電気めっきを施してもよい。そ
の後、エッチングにより回路を形成し、パラジウムの残
存量が少ないプリント配線板を得ることができる。
【００１２】
【作用】本発明の請求項１に係る無電解めっきの前処理
方法は、触媒の粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムを添着するので、パラジウムの粒径が０．１
〜１．０μｍ程度の大きい場合に比べ、少量を添着する
だけで同程度の触媒性能が得られる。従って、パラジウ
ムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であると、パ
ラジウムを添着する量が従来に比べ少量ですむ。
方法は、触媒の粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムを添着するので、パラジウムの粒径が０．１
〜１．０μｍ程度の大きい場合に比べ、少量を添着する
だけで同程度の触媒性能が得られる。従って、パラジウ
ムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であると、パ
ラジウムを添着する量が従来に比べ少量ですむ。
【００１３】本発明の請求項２に係る無電解めっきの前
処理方法は、パラジウムを真空蒸着、または、スパッタ
リング蒸着の方法で添着させるので、真空蒸着の場合は
真空度、蒸発フィラメント電圧、及び、蒸発フィラメン
ト電流を制御することにより、スパッタリング蒸着の場
合は真空度、放電電流、及び、ターゲットと基板間の距
離を調整することにより、粒径０．０１〜０．０５μｍ
のパラジウムを容易に添着することができる。
処理方法は、パラジウムを真空蒸着、または、スパッタ
リング蒸着の方法で添着させるので、真空蒸着の場合は
真空度、蒸発フィラメント電圧、及び、蒸発フィラメン
ト電流を制御することにより、スパッタリング蒸着の場
合は真空度、放電電流、及び、ターゲットと基板間の距
離を調整することにより、粒径０．０１〜０．０５μｍ
のパラジウムを容易に添着することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を挙げる。
【００１５】実施例１ 基板にガラス布基材エポキシ樹脂積層板を用いた。この
基板の表面を清浄化した後に、真空蒸着によりパラジウ
ムを添着した。真空蒸着は、フィラメントにタングステ
ンを使用し、真空度１×１０-4Ｔｏｒｒ、蒸発フィラメ
ント電圧８Ｖ、蒸発フィラメント電流４０Ａの条件で３
秒間行った。添着した基板を電子顕微鏡で観察し、パラ
ジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であるこ
とを確認した。
基板の表面を清浄化した後に、真空蒸着によりパラジウ
ムを添着した。真空蒸着は、フィラメントにタングステ
ンを使用し、真空度１×１０-4Ｔｏｒｒ、蒸発フィラメ
ント電圧８Ｖ、蒸発フィラメント電流４０Ａの条件で３
秒間行った。添着した基板を電子顕微鏡で観察し、パラ
ジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲であるこ
とを確認した。
【００１６】実施例２ 基板に実施例１と同種類のガラス布基材エポキシ樹脂積
層板を用いた。この基板の表面を清浄化した後に、スパ
ッタリング蒸着によりパラジウムを添着した。スパッタ
リング蒸着は、真空度７×１０-3Ｔｏｒｒ、放電電流１
５ｍＡ、ターゲットと基板間の距離３０ｍｍの条件で１
０秒間行った。添着した基板を電子顕微鏡で観察し、パ
ラジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲である
ことを確認した。
層板を用いた。この基板の表面を清浄化した後に、スパ
ッタリング蒸着によりパラジウムを添着した。スパッタ
リング蒸着は、真空度７×１０-3Ｔｏｒｒ、放電電流１
５ｍＡ、ターゲットと基板間の距離３０ｍｍの条件で１
０秒間行った。添着した基板を電子顕微鏡で観察し、パ
ラジウムの粒径が０．０１〜０．０５μｍの範囲である
ことを確認した。
【００１７】比較例１ 基板に実施例１と同種類のガラス布基材エポキシ樹脂積
層板を用いた。この基板の表面を清浄化し、濃度が０．
２５ｗｔ％のパラジウム−すずのコロイド溶液に５分間
上記基板を浸漬し、コロイドを吸着した後に、アクセラ
レータ液に３分間浸漬しパラジウムを還元することによ
り、パラジウムを添着した。添着した基板を電子顕微鏡
で観察し、パラジウムの粒径が０．１〜０．２μｍの範
囲であることを確認した。
層板を用いた。この基板の表面を清浄化し、濃度が０．
２５ｗｔ％のパラジウム−すずのコロイド溶液に５分間
上記基板を浸漬し、コロイドを吸着した後に、アクセラ
レータ液に３分間浸漬しパラジウムを還元することによ
り、パラジウムを添着した。添着した基板を電子顕微鏡
で観察し、パラジウムの粒径が０．１〜０．２μｍの範
囲であることを確認した。
【００１８】次に、実施例１、２、及び、比較例１の基
板の評価を行った。パラジウムを添着した基板に無電解
銅めっきを施した後に電気銅めっきを施し、厚さ２５μ
ｍの銅めっき層を形成した。この銅めっき層にエッチン
グを施して銅回路を形成した。エッチングを行った後
に、銅めっき層が除去された基板のパラジウム残存量を
測定した。測定は蛍光Ｘ線分析装置（リガク製：ＳＹＳ
ＴＥＭ３０８０型）を用い、分析した。結果は、実施例
１は０．５６μｇ／ｃｍ2 、実施例２は０．７５μｇ／
ｃｍ2 と少なかったが、比較例１は１．２０μｇ／ｃｍ
2 と多く残存していた。
板の評価を行った。パラジウムを添着した基板に無電解
銅めっきを施した後に電気銅めっきを施し、厚さ２５μ
ｍの銅めっき層を形成した。この銅めっき層にエッチン
グを施して銅回路を形成した。エッチングを行った後
に、銅めっき層が除去された基板のパラジウム残存量を
測定した。測定は蛍光Ｘ線分析装置（リガク製：ＳＹＳ
ＴＥＭ３０８０型）を用い、分析した。結果は、実施例
１は０．５６μｇ／ｃｍ2 、実施例２は０．７５μｇ／
ｃｍ2 と少なかったが、比較例１は１．２０μｇ／ｃｍ
2 と多く残存していた。
【００１９】また、形成した銅回路の剥離強度をＪＩＳ
に基づいて測定した。結果は表１に示すとおり、０．８
０〜０．８５ｋｇ／ｃｍと同程度の密着力であった。
に基づいて測定した。結果は表１に示すとおり、０．８
０〜０．８５ｋｇ／ｃｍと同程度の密着力であった。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る無電解めっきの
前処理方法によると、０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムは、従来に比べ少量添着するだけで、同程度
の触媒性能が得られる。従って、基板に添着するパラジ
ウムの量が少量ですむため、エッチング後の残存量を低
下できる。その結果、プリント配線板のショート不良を
防止することができる。
前処理方法によると、０．０１〜０．０５μｍの範囲の
パラジウムは、従来に比べ少量添着するだけで、同程度
の触媒性能が得られる。従って、基板に添着するパラジ
ウムの量が少量ですむため、エッチング後の残存量を低
下できる。その結果、プリント配線板のショート不良を
防止することができる。
【００２２】本発明の請求項２に係る無電解めっきの前
処理方法によると、真空蒸着の場合は真空度、蒸発フィ
ラメント電圧、及び、蒸発フィラメント電流を制御する
ことにより、スパッタリング蒸着の場合は真空度、放電
電流、及び、ターゲットと基板間の距離を調整すること
により、粒径０．０１〜０．０５μｍのパラジウムを容
易に添着することができる。その結果、基板に添着する
パラジウムの量が少量ですむため、エッチング後のパラ
ジウム残存量が低下できる。
処理方法によると、真空蒸着の場合は真空度、蒸発フィ
ラメント電圧、及び、蒸発フィラメント電流を制御する
ことにより、スパッタリング蒸着の場合は真空度、放電
電流、及び、ターゲットと基板間の距離を調整すること
により、粒径０．０１〜０．０５μｍのパラジウムを容
易に添着することができる。その結果、基板に添着する
パラジウムの量が少量ですむため、エッチング後のパラ
ジウム残存量が低下できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板に無電解めっきを施す前に、この基
板の表面に触媒を添着する無電解めっきの前処理方法で
あって、上記触媒の粒径が０．０１〜０．０５μｍの範
囲のパラジウムを添着することを特徴とする無電解めっ
きの前処理方法。 - 【請求項２】 上記パラジウムを真空蒸着、または、ス
パッタリング蒸着の方法で添着させることを特徴とする
請求項１記載の無電解めっきの前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8705695A JPH08283951A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 無電解めっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8705695A JPH08283951A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 無電解めっきの前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08283951A true JPH08283951A (ja) | 1996-10-29 |
Family
ID=13904292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8705695A Withdrawn JPH08283951A (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 無電解めっきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08283951A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059741A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 蒸着被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法 |
| US7056448B2 (en) | 2002-05-20 | 2006-06-06 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for forming circuit pattern |
| JP2009272486A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
| KR101371088B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-03-12 | 한국과학기술연구원 | 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 박막 소자 |
| DE112016007388B4 (de) | 2016-10-28 | 2022-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP8705695A patent/JPH08283951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059741A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 蒸着被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法 |
| US7056448B2 (en) | 2002-05-20 | 2006-06-06 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for forming circuit pattern |
| JP2009272486A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
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| DE112016007388B4 (de) | 2016-10-28 | 2022-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
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