JPH08279457A - 位置合わせ方法及びそれを用いた露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 可視光の領域で透過率を持たないカラ−レジ
ストの位置合わせを可能にする微細パタ−ン形成方法及
び装置を提供すること。 【構成】 レチクルの像を投影光学系によりガラスプレ
−トやウエハ−上に位置合わせして露光転写する装置に
おいて、検出光学系がＴＴＬオンアクシススコ−プと、
ＴＴＬオフアクシススコ−プと、オフアクシススコ−プ
の３種類で構成され、該オフアクシススコ−プの観察波
長帯が８２０〜９４０ｎｍを含むこと。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体やＣＣＤ、ＬＣＤ
等の微細なパタ−ンを、位置合わせしながら露光し加工
する際に好適な位置合わせ方法及びそれを用いた露光装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術の進展は近年ますます速度を
増しており、それに伴って微細加工技術の進展も著しい
ものがある。その中心をなす光加工技術は 1MDRAM を境
にサブミクロンの領域に踏み込んだ。解像力を向上させ
る手段としてこれまで用いられてきたのは、波長を固定
して光学系のＮＡを大きくする手法であった。しかし最
近では露光波長を超高圧水銀灯のｇ線からｉ線に短波長
化したり、位相シフトマスク、変形照明等を取り入れて
光露光法の限界が広げられている。

【０００３】また微細加工の別の応用分野としてＣＣＤ
カメラやＬＣＤの製造がある。ＬＣＤの場合は半導体製
造でのウエハ−の代わりにガラスプレ−トがパタ−ニン
グされる対象である。

【０００４】ＣＣＤやＬＣＤの微細加工で特徴となる工
程はカラ−フィルタ−の貼り付け工程である。特に最近
ではカラ−フィルタ−の貼り付けと微細加工技術を組み
合わせる動きが高まっており、カラ−レジストと呼ばれ
る特殊なレジストの開発が行われている。カラ−レジス
トは名の示すとうりカラ−フィルタ−の性能を持ったレ
ジストで、これをガラスプレ−トの上に塗布し、通常の
半導体露光装置と同様の位置合わせと露光でレジストパ
タ−ンを形成すると、該パタ−ンがそのままカラ−フィ
ルタ−の役割をする。このためフィルタ−を別の基板上
に形成して貼り合わせる従来の工程が不要となり、コス
ト低減が可能となる。

【０００５】カラ−レジストの導入はコスト以外に貼り
付け精度も向上させる。現行行われている別基板上に形
成されたカラ−フィルタ−とガラスプレ−トやウエハ−
との貼り付けは、精度がミクロンオ−ダ−要求される厳
しい工程となっているが、カラ−レジストでは形成され
たレジストパタ−ンそのものがフィルタ−となるため、
合わせ精度はサブミクロンオ−ダ−の値にすることがで
きる。

【０００６】このためカラ−レジストによるＣＣＤ、Ｌ
ＣＤ製造法確立の要請はますます強くなっている。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながらＣＣ
Ｄ、ＬＣＤ製造に用いられる縮小投影露光装置は半導体
製造装置から進展してきたため、カラ−レジストを用い
たとき従来のウエハ位置検出方式でアライメントできな
い場合が発生するという問題点があった。

【０００８】カラ−対応のＣＣＤカメラやＬＣＤの製造
ではカラ−レジストとして色の３原色である赤、緑、青
の３種類が必要となる。図６のCR、CG、CBはそれぞれ赤、
緑、青のカラ−レジストの分光透過率を示すものである
が、透過率１０％以下を『透過しない』という判断の閾
値とすると、赤のカラ−レジストでは５８０ｎｍ以下、
緑のカラ−レジストでは４５０ｎｍ以下と６２０〜６７
０ｎｍの間、青のカラ−レジストでは５３０〜７８０ｎ
ｍの間が光が殆ど透過しない状態となる。

【０００９】更に最近ではコントラストを増すために黒
のカラ−レジストも使われる動きがある。図７はその分
光透過率であるが、透過率は名の示すとうり４００〜７
００ｎｍの可視光の領域で５％以下となっている。

【００１０】これに対し現在の半導体露光装置に用いる
ウエハの位置合わせ（アライメント）検出系に用いられ
ている波長は図５の C1 に示すように通常５２０ｎｍ〜
７００ｎｍの範囲に納められている。下限値である５２
０ｎｍは 現在良く用いられているホトレジストが感光しないこ
と ホトレジスト自体の透過率が高いこと という条件から決められている。一方上限値の７００ｎ
ｍは 投影レンズを通してのＴＴＬ検出系では色収差が大き
いこと 使用波長帯域が５２０〜７００ｎｍ以上になると設
計、製造が困難という条件から決定されている。

【００１１】従ってカラ−レジストの透過波長帯と検出
系の波長帯の間にはずれがあり、現行の半導体露光装置
用のウエハ−検出系をそのまま用いると位置合わせ信号
を検出できないカラ−レジストが存在する。特に青と黒
のカラ−レジストに対する検出信号は極めて微弱とな
り、実質的にアライメントを行うことができない。青の
カラ−レジストだけであれば波長を露光波長に近い４０
０ｎｍの方に広げるという解決策もあるが、感光の問題
があるだけでなく、黒のカラ−レジストに対応できない
という問題は依然として解消されない。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は各種のカラ−レ
ジストに対応することを可能とするため、位置合わせ検
出系の波長を赤、緑、青だけでなく一番問題のあった黒
のカラ−レジストでも透過性を持つ８２０ｎｍ以上の領
域の光を用いることと、該波長域の光をオフアクシスス
コ−プに適用し、カラ−レジストの塗布されたガラスプ
レ−トまたはウエハ−の位置合わせを行うことのできる
位置合わせ方法及びそれを用いた露光装置の提供を目的
とする。更に本発明ではオフアクシススコ−プで問題と
なるベ−スラインを高速で求めるため、装置側に設けら
れた各種のスコ−プ間の関係をＴＴＬオフアクシススコ
−プを仮の基準として高速かつ簡便に求めることを特徴
としている。またレチクルとのベ−スライン補正時には
レチクル近傍に設けた基準マ−クとステ−ジ上に設けた
基準マ−クをＴＴＬオフアクシススコ−プで観察し、レ
チクルに特殊なマ−クを用いずに補正することができる
位置合わせ方法及びそれを用いた露光装置の提供を目的
とする。

【００１３】本発明の露光装置は、 （１−１）第１の物体上の像を第２の物体上に位置合わ
せして露光転写する際、該第２の物体を８２０〜９４０
ｎｍの波長帯を含む光を用いて観察する観察光学系を具
備したことを特徴としている。

【００１４】（１−２）第１の物体上の像を投影光学系
により第２の物体上に位置合わせして露光転写する露光
装置において、該露光装置は第１の物体と第２の物体を
観察可能なＴＴＬオンアクシススコ−プと、第２の物体
を前記投影光学系を介して観察するＴＴＬオフアクシス
スコ−プと、第２の物体を前記投影光学系を介さずに観
察するオフアクシススコ−プを具備し、該オフアクシス
スコ−プの観察波長帯が８２０〜９４０ｎｍを含むこと
を特徴としている。

【００１５】本発明の位置合わせ方法は、 （２−１）第１の物体上の像を投影光学系により第２の
物体上に位置合わせして露光転写する際、該装置は第１
の物体と第２の物体を観察可能なＴＴＬオンアクシスス
コ−プと、第２の物体を前記投影光学系を介して観察す
るＴＴＬオフアクシススコ−プと、第２の物体を前記投
影光学系を介さずに観察するオフアクシススコ−プを具
備し、該３種類のスコ−プのベ−スライン補正をＴＴＬ
オンアクシススコ−プとＴＴＬオフアクシススコ−プの
組み合わせと、ＴＴＬオフアクシススコ−プとオフアク
シススコ−プの組み合わせの２段階で行うことを特徴と
している。

【００１６】特に、前記ＴＴＬオンアクシススコ−プと
ＴＴＬオフアクシススコ−プの組み合わせのベ−スライ
ン補正計測を、前記第１の物体近傍に置かれた前記第１
の物体の位置合わせ用基準マ−クに設けられたマ−ク
と、前記第２の物体の登載されたステ−ジ上にある基準
マ−クを観察することによって行うことを特徴としてい
る。

【００１７】

【実施例】図１は本発明を実施したＣＣＤあるいはＬＣ
Ｄ製造用の露光装置の例である。本発明で特長となるの
は投影光学系の外側に付けられたオフアクシススコ−プ
である。図中１は光源のハロゲンランプ、２は反射タイ
プのフィルタ−、３は吸収タイプのフィルタ−、４は１
から３の光源部の筐体、５は筐体４の温度コントロ−ル
部である。光源部からの光はファイバ−６によりオフア
クシススコ−プ９に導光される。７は光源の熱排気部、
８はオフアクシススコ−プ９を熱的にシ−ルする温度コ
ントロ−ルするユニットである。

【００１８】装置全体はチャンバ−１０の中に入れられ
温度がコントロ−ルされる。露光装置本体では２４のレ
チクルの像が投影光学系２５によりガラスプレ−トある
いはウエハ−２１上に結像する。本図ではアライメント
系の説明が主となるので露光部の図は省略したが、不図
示の照明系及び光源により露光が行われる。ガラスプレ
−トまたはウエハ−２１は干渉計のついたＸＹステ−ジ
１１上に登載される。１１上には他にオフアクシススコ
−プのベ−スラインを補正する基準マ−ク１２、ステ−
ジ基準マ−ク２９も登載されている。

【００１９】アライメント系はオフアクシススコ−プ９
のほかにＴＴＬオフアクシスのスコ−プ２２、２３とＴ
ＴＬオンアクシスのスコ−プ２６で構成される。また２
７、２８はレチクルをセットするための基準マ−クで、
本発明では同時にベ−スライン計測にも用いられる。

【００２０】以上の構成から本実施例の詳細を説明す
る。図１の露光装置でオフアクシススコ−プ９の検出波
長を示したのが図５である。図６、７に示したカラ−レ
ジストの透過波長帯に対応するため、オフアクシススコ
−プで使用する波長帯 C2 は半値幅で８２０〜９４０ｎ
ｍとなっている。８２０ｎｍは緑のカラ−レジストの透
過率が６０％以上となるところに対応する。波長幅は広
いほど精度的に有利であるが、設計及びコスト面での困
難が伴うため、少なくとも８２０〜９４０ｎｍの範囲を
含むことが望ましい。

【００２１】この波長帯は可視光の領域から外れた赤外
光の領域に当たるが、光源としてハロゲンランプを使用
することができる。通常、楕円ミラ−付きのハロゲンラ
ンプの楕円ミラ−には赤外側の長波長を反射しないコ−
ルドフィルタ−と呼ばれる特性の膜が付けられる。この
ため８２０〜９４０ｎｍの波長帯を使用するにはコ−ル
ドフィルタ−ではなく、アルミコ−ティングをした楕円
ミラ−付きハロゲンランプを用いればよい。

【００２２】赤外光は熱線であるため、熱による影響を
受け易いこの分野の露光装置では対策が必要である。熱
の問題は、 光学素子の劣化 ベ−スライン変動 の２つが大きい項目である。

【００２３】の劣化問題について、本実施例では反射
タイプのフィルタ−と吸収タイプのフィルタ−を光源か
らこの順に並べることと、光源全体を入れている筐体の
温度制御を行うことで対処する。赤外光を光学系に直接
導くので、個々の光学素子は通常の光学系より厳しい使
用条件となる。この場合、光源からの光を直接吸収タイ
プの色フィルタ−に導くと、経時変化で分光特性のずれ
や透過率の変化を起こしたり、最悪の場合には破損を起
こしてしまう。

【００２４】本実施例は吸収タイプのフィルタ−３と光
源１の間に反射タイプのコ−ティングを付けたフィルタ
−２を設ける。反射タイプのフィルタ−は吸収タイプよ
り価格が５倍以上高価であるが、光源からの光を反射で
選択するため吸収タイプより温度上昇が小さく、光学素
子の耐久性を増すために有効である。但し反射タイプだ
けでは波長選択性が不完全なため、２に続いて吸収タイ
プのフィルタ−３を組み合わせて最終波長幅を決定す
る。

【００２５】吸収タイプのフィルタ−は吸収した光が熱
に変換されるため、光学素子の温度上昇が著しい。フィ
ルタ−の一部だけに赤外光が当たると、光が当たったと
ころだけ温度が上昇し、温度差を生じて割れを起こすこ
とがある。このためフィルタ−部材全面に光を照射して
温度条件を一定とすることが望ましい。エネルギ−密度
を小さくするために使用有効範囲以上に光束を広げるこ
とも一方法であるが、必要以上に光束を広げると光量が
落ちるので、光源の出力を考慮して有効径を決定すれば
よい。

【００２６】光源部での温度コントロ−ルに関しては、
この他ハロゲンランプの熱排気を行ったり、ハロゲンラ
ンプの点灯時間を必要最小限にするためアライメントし
ているときだけ点灯して温度上昇を抑えることや、吸収
タイプのフィルタ−で光の照射部と非照射部に起こる温
度差を均一化するため、該フィルタ−に外部から強制的
に熱を与えるなどの対処が適用できる。

【００２７】のベ−スライン変動も基本的には熱との
関係が大きい。図１の系では光源部からオフアクシスス
コ−プ９へは光ファイバ−６で導光し、装置と光源部を
熱的に分離している。装置本体は熱チャンバ−１０内に
入れられて温度制御されているが、ファイバ−で運ばれ
て来る赤外光自体が装置に対するエネルギ−のインプッ
トとなり、オフアクシススコ−プ９の温度を上昇させて
ベ−スラインを変動させる。このため９の外側は機構８
で熱的にシ−ルされ一定温度に保たれている。また熱源
としての赤外光のインプットを少なくするため、必要の
ないときはハロゲンランプ電流を立ち上がり時間が許さ
れる範囲内で下げ、必要な時のみ点灯して温度変化の発
生量を少なくするシ−ケンスが効果があることは光学素
子の劣化の場合と同様である。

【００２８】以上はアライメント信号の検出と、オフア
クシススコ−プのベ−スライン変動を押さえるための対
策であるが、実用的にはベ−スラインを高速計測してア
ライメントに反映させる機能も重要である。

【００２９】図１の系で用いられているアライメントセ
ンサにはこれまで説明したオフアクシススコ−プ９のほ
かに、ＴＴＬオフアクシススコ−プ２２、２３とＴＴＬ
オンアクシススコ−プ２６の３つの観察系がある。ＴＴ
Ｌオンアクシススコ−プ２６はレチクル２４とガラスプ
レ−トまたはウエハ−２１を投影系２５を通して同時に
観察できるもので、ここでは以下Ａ−Ｓと呼ぶことにす
る。ＴＴＬオフアクシススコ−プ２２、２３はレチクル
を通さずに投影光学系２５を通して２１を計測する観察
系で、ガラスプレ−トまたはウエハ−面内にＸＹ軸を取
った時、２２がＹ方向の計測、２３がＸ方向の計測を行
う。ここでは以降２２をＢ−Ｓ、２３をＣ−Ｓ、また９
のオフアクシススコ−プをＯ−Ｓと呼ぶことにする。

【００３０】２２のＢ−Ｓと２３のＣ−Ｓは従来の半導
体露光装置で用いられてきたＴＴＬオフアクシススコ−
プと同じもので、前述のように５２０〜７００ｎｍの範
囲の光を検出波長としている。従って、Ｂ−Ｓ、Ｃ−Ｓ
は赤及び緑のカラ−レジストの位置合わせに用いること
ができる。Ｂ−Ｓ、Ｃ−Ｓのベ−スライン変動はＯ−Ｓ
の変動に対して投影光学系２５の縮小倍率の逆数以上に
鈍感なことが分かっており、現状では１週間に１回程度
のベ−スライン補正をすれば精度が保証されるという実
績がある。

【００３１】ここで本発明のベ−スライン補正法につい
て説明する。ベ−スライン補正はレチクルとガラスプレ
−トの関係を直接観察できないＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓ、Ｏ−Ｓ
の位置を検知し、アライメントに反映させるために行わ
れる。ベ−スライン計測法としては例えば特公昭６０−
２７７２の森山らの提案があるが、ベ−スラインを計測
するためにレチクルに特殊なマ−クを予め用意する必要
があるなどの欠点があった。本発明ではベ−スライン計
測を２つの種類に分け、それぞれの特長にあった計測を
行うことと、レチクル上に特別なマ−クを用いることな
く高速でベ−スラインを計測することを特長としてい
る。

【００３２】ベ−スライン補正のために設けられたのが
ガラスプレ−トまたはウエハ−２１を支持して駆動する
ＸＹステ−ジ１１上の基準マ−ク１２及びステ−ジ基準
マ−ク２９である。基準マ−ク１２はＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓと
Ｏ−Ｓ相互の関係のチェックに用いる。これら３つのス
コ−プは総てレチクルを観察しないが、レチクルとの相
対関係は後述のステ−ジ基準マ−ク２９を媒介して別に
計測される。先述のようにＢ−ＳとＣ−Ｓは安定性に実
績があるので、Ｏ−Ｓの位置はＢ−ＳとＣ−Ｓの位置を
仮の基準とし、該仮基準からのずれとして検出される。

【００３３】第１のベ−スライン計測であるＯ−Ｓ計測
は基準マ−ク１２を用いて次の手順で行われる。図３は
基準マ−ク１２の詳細で中央の４１がＯ−Ｓ用の計測マ
−ク、これを挟む形で左右にＢ−Ｓ用計測マ−ク４２、
４３、上下にＣ−Ｓ用計測マ−ク４４、４５が配置され
る。計測はまずＸＹステ−ジ１１の位置を干渉計でモニ
タ−しながら基準マ−ク１２をＢ−ＳとＣ−Ｓで計測で
きる位置に駆動し、４２〜４５の計測を行う。計測マ−
ク４２〜４５をＯ−Ｓ用計測マ−ク４１を挟むように対
称に配置した理由は１２が取り付け誤差等によって回転
しても、その誤差がベ−スライン量に効かないようにす
るためである。

【００３４】Ｂ−Ｓ、Ｃ−Ｓでの計測が終了すると、Ｘ
Ｙステ−ジ１１の位置を干渉計でモニタ−しながら基準
マ−ク１２をＯ−Ｓで計測できる位置に駆動し、マ−ク
４１を計測する。これらのマ−クの計測値とＸＹステ−
ジの位置からＯ−ＳのＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓに対する位置が算
出される。計測はレチクルに関係なく行うことができる
ため、レチクルが装置に置かれた状態でベ−スライン計
測ができるという利点がある。従って、ガラスプレ−ト
またはウエハ−２１を露光している途中でも、必要に応
じて、特にレチクル交換などせずに高速にベ−スライン
計測を行うことが可能となった。

【００３５】しかしながらＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓ基準での第１
のベ−スライン計測は仮基準に対する計測なので、最終
的な第２のベ−スライン計測をレチクルに対して行う必
要がある。該最終ベ−スライン計測にはステ−ジ基準マ
−ク２９を用いる。従来のレチクルとのベ−スライン計
測はレチクルに特殊なマ−クを設け、該マ−クを基準と
した。本発明ではレチクル側に特殊なマ−クを設ける代
わりに、レチクルセットのためレチクル近傍に設けたレ
チクル基準マ−ク２７、２８を使ってベ−スライン計測
することを特長としている。このためレチクルに対し過
分な負荷をかけず、装置状態の自己チェックが可能とな
った。

【００３６】図４はレチクル基準マ−ク２７、２８の詳
細図である。マ−クは熱的な安定が得られるよう石英の
基板５１上に作られ、５２がレチクルアライメント用マ
−ク、５３がベ−スライン計測用マ−クである。２つの
マ−クは同一の石英基板上にあるため距離が安定してお
り、基準として用いることができる。

【００３７】レチクル基準マ−クを用いた計測状態を示
すのが図２である。レチクル基準マ−ク上のマ−クのＸ
Ｙステ−ジ側の結像位置は石英基板５１の厚みの影響
で、レチクル２４の結像位置３０より下方向にΔデフォ
−カスしている。ＸＹステ−ジ１１を駆動してこのΔデ
フォ−カスした位置にステ−ジ基準マ−ク２９を移動さ
せ、Ａ−Ｓでレチクル基準マ−クとステ−ジ基準マ−ク
の計測を行う。レチクル基準マ−クはレチクル上に設け
たマ−クではないが、レチクルはレチクル基準マ−ク内
のレチクルアライメント用マ−ク５２に対してアライメ
ントされるため、このＡ−Ｓ計測はレチクル上のマ−ク
を測るのと等価である。

【００３８】ステ−ジ基準マ−ク上にはＡ−Ｓ用のマ−
クと共に、ステ−ジをＸＹ方向に移動せずにそのままＢ
−ＳとＣ−Ｓで観察可能なマ−クが配されている。Ａ−
Ｓでの計測が終了した後、ステ−ジ基準マ−クの位置を
ＸＹ方向は変えずにΔだけフォ−カス方向に変動させ、
Ｂ−ＳとＣ−Ｓで対応するマ−クの計測を行う。このよ
うに本発明では露光ピント面３０からΔずれた位置で計
測が行われるため、投影光学系や検出系のテレセントリ
シティを考慮してベ−スラインの値を算出する必要があ
る。例えば投影光学系の倍率がデフォ−カスΔで変化す
る場合には、ステ−ジ基準マ−ク上のＡ−Ｓ、Ｂ−Ｓ、
Ｃ−Ｓ用のマ−クの位置は該倍率変動分を換算して配置
を行う。基準マ−ク２７の厚さによる影響は所定量オフ
セットを使用することで補正可能となる。

【００３９】第２のベ−スライン計測であるレチクル基
準マ−クを用いたＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓ計測は、レチクル交換
時に行うことができるため、装置のスル−プット向上に
つながる。前述のとうりＢ−Ｓ及びＣ−Ｓの位置は安定
している。よって、通常は第１のベ−スライン計測のＯ
−Ｓ位置計測を基準マ−ク１２を用いて高速に行い、レ
チクル交換する特殊な場合に第２のベ−スライン計測の
Ｂ−ＳとＣ−Ｓの位置計測を改めてチェックしておけ
ば、ベ−スライン計測の時間を少なくし、効率化するこ
とができる。

【００４０】また図１の例ではＢ−Ｓ、Ｃ−Ｓ、Ｏ−Ｓ
のベ−スライン補正用の基準マ−ク１２と、Ａ−Ｓ、Ｂ
−Ｓ、Ｃ−Ｓのベ−スライン補正用の基準マ−ク２９を
別個のものとしたが、両者を統合して一つにすることも
可能である。

【００４１】図１の装置のベ−スライン計測はこれまで
示した諸マ−クを画像処理して行われる。画像処理の検
出系では、検出系の分解能でベ−スライン計測の精度が
決定される。これは検出系の分解能が干渉計付きのＸＹ
ステ−ジ１１の精度より悪いため、検出時に量子化誤差
が発生するからである。

【００４２】この問題を解決するためステ−ジ側に設け
られた基準マ−クを計測する時、対象となる検出系の分
解能以下の駆動を行いながら計測する動作を複数回行
い、該計測値を演算して検出系の分解能の量子化誤差の
発生を軽減することが可能となる。例えば初期位置で計
測した後、干渉計を参照しながらＸＹステ−ジ１１を検
出系の分解能の１／４駆動しマ−ク計測する動作を３回
繰り返し、計４回の計測を行う。この４つの計測値とス
テ−ジ位置より、ベ−スラインを計算すれば量子化誤差
が軽減される。駆動を行う回数をｎ−1 回とすれば、駆
動量は検出系の分解能の 1/nとなるが、ｎが大きくなる
と精度は向上するもののスル−プットが悪化するので、
回数は両者を考慮して決定される。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように本発明では赤外の８２
０〜９４０ｎｍの波長帯を検出に用いて、総てのカラ−
レジストに対してアライメントを行うことを可能とし
た。本発明の装置はアライメントのためのスコ−プとし
てＴＴＬオフアクシススコ−プ（Ｂ／Ｃ−Ｓ）、ＴＴＬ
オンアクシススコ−プ（Ａ−Ｓ）と８２０〜９４０ｎｍ
の波長帯を適用したオフアクシススコ−プ（Ｏ−Ｓ）の
３種類が装備されるが、ベ−スライン計測をＯ−ＳとＢ
／Ｃ−Ｓの組み合わせとＢ／Ｃ−ＳとＡ−Ｓの組み合わ
せの２種類に分割することで高速化を可能とした。また
Ａ−Ｓを用いたベ−スライン計測ではレチクル上のマ−
クを使うかわりに、レチクルを位置合わせするレチクル
基準マ−クを用いて計測することで、装置がベ−スライ
ンを自己チェックすることを可能とした。この結果、本
発明によればあらゆるカラ−レジストに対応できる生産
性の良い微細加工装置に好適な位置合わせ方法及びそれ
を用いた露光装置を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を適用したＣＣＤ／ＬＣＤ製造装置を
示す図、

【図２】 レチクル基準マ−クの結像の説明図

【図３】 ステ−ジ基準マ−ク上のマ−ク配置図

【図４】 レチクル基準マ−ク上のマ−ク配置図

【図５】 アライメント検出に用いる光の分光分布を示
す図

【図６】 赤、緑、青のカラ−レジストの分光透過率の
説明図

【図７】 黒のカラ−レジストの分光透過率の説明図

【符号の説明】

１ アルミコーティングミラ−付きハロゲンランプ ２ 反射タイプのフィルタ− ３ 吸収タイプのフィルタ− ４ 光源部の筐体 ５ 光源の温度コントロ−ル部 ６ 光ファイバ− ７ 光源の排気部 ８ オフアクシススコ−プの温度コントロ−ル部 ９ オフアクシススコ−プ １０ 装置の熱チャンバ− １１ ＸＹステ−ジ １２ 基準マ−ク ２１ ガラスプレ−トまたはウエハ− ２２、２３ ＴＴＬオフアクシススコ−プ ２４ レチクル ２５ 投影光学系 ２６ ＴＴＬオンアクシススコ−プ ２７、２８ レチクル基準マ−ク ３０ レチクルの結像面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｋ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の物体上の像を第２の物体上に位置
   合わせして露光転写する際、該第２の物体を８２０〜９
   ４０ｎｍの波長帯を含む光を用いて観察する観察光学系
   を具備したことを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】 第１の物体上の像を投影光学系により第
   ２の物体上に位置合わせして露光転写する露光装置にお
   いて、該露光装置は第１の物体と第２の物体を観察可能
   なＴＴＬオンアクシススコ−プと、第２の物体を前記投
   影光学系を介して観察するＴＴＬオフアクシススコ−プ
   と、第２の物体を前記投影光学系を介さずに観察するオ
   フアクシススコ−プを具備し、該オフアクシススコ−プ
   の観察波長帯が８２０〜９４０ｎｍを含むことを特徴と
   する露光装置。
3. 【請求項３】 第１の物体上の像を投影光学系により第
   ２の物体上に位置合わせして露光転写する際、該装置は
   第１の物体と第２の物体を観察可能なＴＴＬオンアクシ
   ススコ−プと、第２の物体を前記投影光学系を介して観
   察するＴＴＬオフアクシススコ−プと、第２の物体を前
   記投影光学系を介さずに観察するオフアクシススコ−プ
   を具備し、該３種類のスコ−プのベ−スライン補正をＴ
   ＴＬオンアクシススコ−プとＴＴＬオフアクシススコ−
   プの組み合わせと、ＴＴＬオフアクシススコ−プとオフ
   アクシススコ−プの組み合わせの２段階で行うことを特
   徴とする位置合わせ方法。
4. 【請求項４】 前記ＴＴＬオンアクシススコ−プとＴＴ
   Ｌオフアクシススコ−プの組み合わせのベ−スライン補
   正計測を、前記第１の物体近傍に置かれた前記第１の物
   体の位置合わせ用基準マ−クに設けられたマ−クと、前
   記第２の物体の登載されたステ−ジ上にある基準マ−ク
   を観察することによって行うことを特徴とする請求項３
   記載の位置合わせ方法。