JPH08279450A - 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光方法及び装置Info
- Publication number
- JPH08279450A JPH08279450A JP7081448A JP8144895A JPH08279450A JP H08279450 A JPH08279450 A JP H08279450A JP 7081448 A JP7081448 A JP 7081448A JP 8144895 A JP8144895 A JP 8144895A JP H08279450 A JPH08279450 A JP H08279450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- exposure
- charged particle
- particle beam
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、荷電粒子ビーム露光方法及び装置
に関し、装置異常の発生が荷電粒子ビーム露光装置の稼
働時に確実に検出できると共に、たとえ頻度の少ない装
置異常であってもその原因を早く特定できるようにする
ことを目的とする。 【構成】 各々が露光するべきパターンに関するデータ
を発生するパターン発生手段と、前記パターン発生手段
からのデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向してステ
ージ上の被露光物にパターンを露光するコラム手段とを
有し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の露光
系統を備えた荷電粒子ビーム露光装置において、前記複
数の露光系統の対応する部分から得られるデータに基づ
いて装置異常を露光動作中に検出するステップを備える
ように構成する。
に関し、装置異常の発生が荷電粒子ビーム露光装置の稼
働時に確実に検出できると共に、たとえ頻度の少ない装
置異常であってもその原因を早く特定できるようにする
ことを目的とする。 【構成】 各々が露光するべきパターンに関するデータ
を発生するパターン発生手段と、前記パターン発生手段
からのデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向してステ
ージ上の被露光物にパターンを露光するコラム手段とを
有し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の露光
系統を備えた荷電粒子ビーム露光装置において、前記複
数の露光系統の対応する部分から得られるデータに基づ
いて装置異常を露光動作中に検出するステップを備える
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子ビーム露光方法
及び装置に係り、特に複数の荷電粒子ビームコラムを用
いる荷電粒子ビーム露光方法及び装置に関する。近年、
半導体集積回路の高集積度化に伴い、半導体ウエハにパ
ターンを形成する露光技術（リソグラフィ技術）が、長
年主流であったフォトリソグラフィ技術から、より微細
なパターンを露光可能で電子ビームに代表される荷電粒
子ビームを用いる荷電粒子ビーム露光技術に移行しつつ
ある。
及び装置に係り、特に複数の荷電粒子ビームコラムを用
いる荷電粒子ビーム露光方法及び装置に関する。近年、
半導体集積回路の高集積度化に伴い、半導体ウエハにパ
ターンを形成する露光技術（リソグラフィ技術）が、長
年主流であったフォトリソグラフィ技術から、より微細
なパターンを露光可能で電子ビームに代表される荷電粒
子ビームを用いる荷電粒子ビーム露光技術に移行しつつ
ある。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子ビーム露光技術には、一度に発
生できるパターン形状によって、可変矩形露光技術や、
ブロック露光技術等がある。可変矩形露光技術では、露
光する矩形を可変として、可変矩形を順次露光すること
により所望のパターンを露光する。他方、ブロック露光
技術は、繰り返しの基本単位パターンを有するマスクを
荷電粒子ビームに透過させ、複雑なパターンであっても
単位パターンを１ショットで露光する。従って、ブロッ
ク露光技術は、例えば２５６ＭｂｉｔＤＲＡＭ等のパタ
ーンのように、微細ではあるが露光する殆どの面積があ
る基本パターンの繰り返しである場合に特に有効であ
る。
生できるパターン形状によって、可変矩形露光技術や、
ブロック露光技術等がある。可変矩形露光技術では、露
光する矩形を可変として、可変矩形を順次露光すること
により所望のパターンを露光する。他方、ブロック露光
技術は、繰り返しの基本単位パターンを有するマスクを
荷電粒子ビームに透過させ、複雑なパターンであっても
単位パターンを１ショットで露光する。従って、ブロッ
ク露光技術は、例えば２５６ＭｂｉｔＤＲＡＭ等のパタ
ーンのように、微細ではあるが露光する殆どの面積があ
る基本パターンの繰り返しである場合に特に有効であ
る。
【０００３】図１４は、ブロック露光を用いる従来の電
子ビーム露光装置の一例を示す図である。電子ビーム露
光装置は、電子銃１０１、電子レンズ系Ｌ１ａ、矩形開
孔板１０２、電子レンズ系Ｌ１ｂ、ビーム成形偏向器１
０３、第１のマスク偏向器ＭＤ１、ダイナミックマスク
スチグメータＤＳ、第２のマスク偏向器ＭＤ２、ダイナ
ミックマスクフォーカスコイルＤＦ、電子レンズ系Ｌ２
ａ、ブロックマスク１０４を搭載するマスクステージ１
０５、電子レンズ系Ｌ２ｂ、第３のマスク偏向器ＭＤ
３、ブランキング偏向器１０６、第４のマスク偏向器Ｍ
Ｄ４、縮小電子レンズ系Ｌ３、円形絞りアパーチャ１０
７、投影電子レンズ系Ｌ４、主偏向器（電磁偏向器）１
０８、副偏向器（静電偏向器）１０９、投影電子レンズ
系Ｌ５、ウエハ１１０を搭載されるウエハステージ１１
１及び制御系１３１を有する。制御系１３１以外の部分
は、電子ビーム露光装置の電子ビームコラム１３０を構
成している。
子ビーム露光装置の一例を示す図である。電子ビーム露
光装置は、電子銃１０１、電子レンズ系Ｌ１ａ、矩形開
孔板１０２、電子レンズ系Ｌ１ｂ、ビーム成形偏向器１
０３、第１のマスク偏向器ＭＤ１、ダイナミックマスク
スチグメータＤＳ、第２のマスク偏向器ＭＤ２、ダイナ
ミックマスクフォーカスコイルＤＦ、電子レンズ系Ｌ２
ａ、ブロックマスク１０４を搭載するマスクステージ１
０５、電子レンズ系Ｌ２ｂ、第３のマスク偏向器ＭＤ
３、ブランキング偏向器１０６、第４のマスク偏向器Ｍ
Ｄ４、縮小電子レンズ系Ｌ３、円形絞りアパーチャ１０
７、投影電子レンズ系Ｌ４、主偏向器（電磁偏向器）１
０８、副偏向器（静電偏向器）１０９、投影電子レンズ
系Ｌ５、ウエハ１１０を搭載されるウエハステージ１１
１及び制御系１３１を有する。制御系１３１以外の部分
は、電子ビーム露光装置の電子ビームコラム１３０を構
成している。
【０００４】他方、制御系１３１は、中央制御装置（Ｃ
ＰＵ）１２１、露光クロックを含む各種クロックを生成
するクロクユニット１２２、バッファメモリ１２３、制
御ユニット１２４、データ補正ユニット１２５、マスク
メモリ１２６及び主偏向器設定ユニット１２７を有す
る。電子ビーム露光装置全体の動作を制御するＣＰＵ１
２１と、クロックユニット１２２と、マスクメモリ１２
６と、主偏向器設定ユニット１２７とは、バス１２８を
介して接続されている。尚、図１４では便宜上、データ
補正ユニット１２５及び主偏向器設定ユニット１２７
は、ディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）及びアナロ
グ増幅器の機能を含むものとして図示してある。又、ウ
エハステージ１１１の位置を測定するレーザ干渉計及び
ウエハステージ１１１を移動するステージ移動機構は、
夫々米国特許第５，１７３，５８２号公報や米国特許第
５，１９４，７４１号公報等より公知であるので、これ
らの図示及び説明は省略する。
ＰＵ）１２１、露光クロックを含む各種クロックを生成
するクロクユニット１２２、バッファメモリ１２３、制
御ユニット１２４、データ補正ユニット１２５、マスク
メモリ１２６及び主偏向器設定ユニット１２７を有す
る。電子ビーム露光装置全体の動作を制御するＣＰＵ１
２１と、クロックユニット１２２と、マスクメモリ１２
６と、主偏向器設定ユニット１２７とは、バス１２８を
介して接続されている。尚、図１４では便宜上、データ
補正ユニット１２５及び主偏向器設定ユニット１２７
は、ディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）及びアナロ
グ増幅器の機能を含むものとして図示してある。又、ウ
エハステージ１１１の位置を測定するレーザ干渉計及び
ウエハステージ１１１を移動するステージ移動機構は、
夫々米国特許第５，１７３，５８２号公報や米国特許第
５，１９４，７４１号公報等より公知であるので、これ
らの図示及び説明は省略する。
【０００５】電子銃１０１から放出された電子ビーム
は、矩形開孔板１０２を通り、第１及び第２の偏向器Ｍ
Ｄ１，ＭＤ２によって偏向されてブロックマスク１０４
上の所望のパターン部分を通過する。断面形状がパター
ン化された電子ビームは、電子レンズ系Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ
の収束作用及び第３及び第４の偏向器ＭＤ３，ＭＤ４の
偏向作用により光軸に戻される。その後、電子ビームは
縮小電子レンズ系Ｌ３により断面が縮小され、投影電子
レンズ系Ｌ４，Ｌ５によりウエハ１１０上に照射され
て、上記所望のパターンが露光される。
は、矩形開孔板１０２を通り、第１及び第２の偏向器Ｍ
Ｄ１，ＭＤ２によって偏向されてブロックマスク１０４
上の所望のパターン部分を通過する。断面形状がパター
ン化された電子ビームは、電子レンズ系Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ
の収束作用及び第３及び第４の偏向器ＭＤ３，ＭＤ４の
偏向作用により光軸に戻される。その後、電子ビームは
縮小電子レンズ系Ｌ３により断面が縮小され、投影電子
レンズ系Ｌ４，Ｌ５によりウエハ１１０上に照射され
て、上記所望のパターンが露光される。
【０００６】バッファメモリ１２３には、ウエハ１１０
上に露光するべきパターンに関する露光パターンデー
タ、ブロックマスク１０４上のマスクパターンに関する
ブロックデータ等が格納されている。露光パターンデー
タやブロックデータ等は、例えばバス１２８に接続され
たＣＰＵ１２１のメモリ１２９からバッファメモリ１２
３に格納される。露光パターンデータには、主偏向器１
０８に供給する主偏向データ等も含まれている。又、マ
スクメモリ１２６には、露光前に予め測定されたマスク
パターン位置及び偏向データの関係や、ダイナミックマ
スクスチグメータＤＳ及びダイナミックマスクフォーカ
スコイルＤＦに供給する偏向データを補正するための補
正データ等が格納されている。
上に露光するべきパターンに関する露光パターンデー
タ、ブロックマスク１０４上のマスクパターンに関する
ブロックデータ等が格納されている。露光パターンデー
タやブロックデータ等は、例えばバス１２８に接続され
たＣＰＵ１２１のメモリ１２９からバッファメモリ１２
３に格納される。露光パターンデータには、主偏向器１
０８に供給する主偏向データ等も含まれている。又、マ
スクメモリ１２６には、露光前に予め測定されたマスク
パターン位置及び偏向データの関係や、ダイナミックマ
スクスチグメータＤＳ及びダイナミックマスクフォーカ
スコイルＤＦに供給する偏向データを補正するための補
正データ等が格納されている。
【０００７】ＣＰＵ１２１により取り込まれてバッファ
メモリ１２３に格納された露光パターンデータには、ブ
ロックマスク１０４上のどのマスクパターンを使用して
露光を行うかを示すパターンデータコードＰＤＣが含ま
れる。制御ユニット１２４は、このパターンデータコー
ドＰＤＣを用いて、使用するマスクパターンの位置に電
子ビームを偏向するための偏向データをマスクメモリ１
２６から読み出して、パターン選択用の第１〜第４の偏
向器ＭＤ１〜ＭＤ４へ供給する。又、マスクメモリ１２
６から読み出された偏向データは、データ補正ユニット
１２５にも供給される。尚、マスクメモリ１２６からの
偏向データの読み出しは、クロックユニット１２２で生
成される露光クロックに基づいて行われる。
メモリ１２３に格納された露光パターンデータには、ブ
ロックマスク１０４上のどのマスクパターンを使用して
露光を行うかを示すパターンデータコードＰＤＣが含ま
れる。制御ユニット１２４は、このパターンデータコー
ドＰＤＣを用いて、使用するマスクパターンの位置に電
子ビームを偏向するための偏向データをマスクメモリ１
２６から読み出して、パターン選択用の第１〜第４の偏
向器ＭＤ１〜ＭＤ４へ供給する。又、マスクメモリ１２
６から読み出された偏向データは、データ補正ユニット
１２５にも供給される。尚、マスクメモリ１２６からの
偏向データの読み出しは、クロックユニット１２２で生
成される露光クロックに基づいて行われる。
【０００８】他方、主偏向器設定ユニット１２７は、ク
ロックユニット１２２からのクロックに基づいてバッフ
ァメモリ１２３から主偏向器１０８の主偏向データを読
み出して、主偏向器１０８に供給する。又、副偏向器１
０９の偏向データ、ビーム成形偏向器１０３の偏向デー
タ及びブランキング偏向器１０６の偏向データは、バッ
ファメモリ１２３に格納されているデータに応じて制御
ユニット１２４でショットデータに分解され、データ補
正ユニット１２５を介して対応する副偏向器１０９、ビ
ーム成形偏向器１０３及びブランキング偏向器１０６に
供給される。つまり、制御ユニット１２４は、バッファ
メモリ１２３に格納されているデータに応じて可変矩形
露光を行う場合の電子ビームのサイズ及び電子ビームの
ブロックマスク１０４上の偏向位置を求めてデータ補正
ユニット１２５に供給する。データ補正ユニット１２５
は、制御ユニット１２４から供給された露光するべきパ
ターンに応じた電子ビームの各偏向データを、マスクメ
モリ１２６から読み出された補正データに基づいて補正
する。ビーム成形偏向器１０３の偏向データは、電子ビ
ームの可変矩形サイズを決定し、ブランキング偏向器１
０６の偏向データは、露光ショット毎に設定される。
ロックユニット１２２からのクロックに基づいてバッフ
ァメモリ１２３から主偏向器１０８の主偏向データを読
み出して、主偏向器１０８に供給する。又、副偏向器１
０９の偏向データ、ビーム成形偏向器１０３の偏向デー
タ及びブランキング偏向器１０６の偏向データは、バッ
ファメモリ１２３に格納されているデータに応じて制御
ユニット１２４でショットデータに分解され、データ補
正ユニット１２５を介して対応する副偏向器１０９、ビ
ーム成形偏向器１０３及びブランキング偏向器１０６に
供給される。つまり、制御ユニット１２４は、バッファ
メモリ１２３に格納されているデータに応じて可変矩形
露光を行う場合の電子ビームのサイズ及び電子ビームの
ブロックマスク１０４上の偏向位置を求めてデータ補正
ユニット１２５に供給する。データ補正ユニット１２５
は、制御ユニット１２４から供給された露光するべきパ
ターンに応じた電子ビームの各偏向データを、マスクメ
モリ１２６から読み出された補正データに基づいて補正
する。ビーム成形偏向器１０３の偏向データは、電子ビ
ームの可変矩形サイズを決定し、ブランキング偏向器１
０６の偏向データは、露光ショット毎に設定される。
【０００９】図１５は、メモリ用のブロックマスク１０
４の一例を示す図である。同図中、（ａ）に示すよう
に、ブロックマスク１０４はシリコン等の半導体又は金
属からなる基板１０４ａと、この基板１０４ａ上に設け
られた複数の偏向エリア１０４−１〜１０４−１２とか
らなる。各偏向エリア１０４−１〜１０４−１２には、
複数のマスクパターンが形成されている。ブロック露光
を用いる電子ビーム露光装置では、あるマスクステージ
１０５の位置を中心として電子ビームを偏向して選択可
能なマスクパターンの範囲は決っており、各偏向エリア
１０４−１〜１０４−１２はこの選択可能なパターンの
範囲に対応した例えば５ｍｍ□の範囲である。例えば偏
向エリア１０４−８内のマスクパターンを選択して露光
する場合は、電子ビーム露光装置の電子光学軸がほぼ偏
向エリア１０４−８の中心と一致するようにマスクステ
ージ１０５を移動する。
４の一例を示す図である。同図中、（ａ）に示すよう
に、ブロックマスク１０４はシリコン等の半導体又は金
属からなる基板１０４ａと、この基板１０４ａ上に設け
られた複数の偏向エリア１０４−１〜１０４−１２とか
らなる。各偏向エリア１０４−１〜１０４−１２には、
複数のマスクパターンが形成されている。ブロック露光
を用いる電子ビーム露光装置では、あるマスクステージ
１０５の位置を中心として電子ビームを偏向して選択可
能なマスクパターンの範囲は決っており、各偏向エリア
１０４−１〜１０４−１２はこの選択可能なパターンの
範囲に対応した例えば５ｍｍ□の範囲である。例えば偏
向エリア１０４−８内のマスクパターンを選択して露光
する場合は、電子ビーム露光装置の電子光学軸がほぼ偏
向エリア１０４−８の中心と一致するようにマスクステ
ージ１０５を移動する。
【００１０】図１５（ｂ）は、偏向エリア１０４−８の
構成を示す。この偏向エリア１０４−８内に配置できる
ブロックパターンの数は例えば４８個であり、一つ一つ
は上記パターンデータコードＰＤＣで認識される。つま
り、パターンデータコードＰＤＣは、各マスクパターン
に対応したマスクメモリ１２６の内容をクロックユニッ
ト１２２からの例えば最高１０ＭＨｚの露光クロックに
基づいて読み出すための標識である。上記の如く、マス
クメモリ１２６には、各マスクパターン位置に電子ビー
ムを偏向するための、マスクパターン位置及び偏向デー
タの関係やダイナミックマスクスチグメータＤＳ及びダ
イナミックマスクフォーカスコイルＤＦに供給する補正
データ等が格納されている。これらのデータは、予め露
光前に電子ビームの調整を行い、使用する偏向エリアに
対する偏向データや補正データ等を求めることによりマ
スクメモリ１２６に格納されている。
構成を示す。この偏向エリア１０４−８内に配置できる
ブロックパターンの数は例えば４８個であり、一つ一つ
は上記パターンデータコードＰＤＣで認識される。つま
り、パターンデータコードＰＤＣは、各マスクパターン
に対応したマスクメモリ１２６の内容をクロックユニッ
ト１２２からの例えば最高１０ＭＨｚの露光クロックに
基づいて読み出すための標識である。上記の如く、マス
クメモリ１２６には、各マスクパターン位置に電子ビー
ムを偏向するための、マスクパターン位置及び偏向デー
タの関係やダイナミックマスクスチグメータＤＳ及びダ
イナミックマスクフォーカスコイルＤＦに供給する補正
データ等が格納されている。これらのデータは、予め露
光前に電子ビームの調整を行い、使用する偏向エリアに
対する偏向データや補正データ等を求めることによりマ
スクメモリ１２６に格納されている。
【００１１】上記の如く、電子ビーム露光では、露光パ
ターンデータに応じて電子ビームを偏向走査することに
より、ウエハ１１０上に所望のパターンを露光する。こ
の場合、電子ビームの照射回数は、１０Ｍショット／チ
ップ又は１Ｇショット／チップ程度であり、電子ビーム
の照射の周期は約１００ｎｓ程度である。この膨大な数
のショットを、高速に、且つ、予め決められた位置に予
め決められた強度で正確に照射する必要がある。又、こ
の露光動作は、安定に継続する必要がある。
ターンデータに応じて電子ビームを偏向走査することに
より、ウエハ１１０上に所望のパターンを露光する。こ
の場合、電子ビームの照射回数は、１０Ｍショット／チ
ップ又は１Ｇショット／チップ程度であり、電子ビーム
の照射の周期は約１００ｎｓ程度である。この膨大な数
のショットを、高速に、且つ、予め決められた位置に予
め決められた強度で正確に照射する必要がある。又、こ
の露光動作は、安定に継続する必要がある。
【００１２】しかし、電子ビーム露光装置は、電子光学
鏡筒やステージ等の機械的な部分及びディジタル制御部
やアナログ増幅器等のハードウェア部分から構成されて
いるので、装置異常の発生は避けられない。装置異常に
は、次のようなものがある。 （１）ビーム揺れ： ビーム揺れは、高圧電源及び電子
銃部分での放電、レンズ電源のノイズ、外部磁場ノイズ
の影響、電子ビームコラムのチャージアップ等が主な発
生要因であることが多い。つまり、ビーム揺れの発生要
因は、電子ビームコラム側にあることが多い。又、ビー
ム揺れの発生要因によって、障害経過時間は数μｓ〜数
百ｍｓまでと様々なものがあり、繰り返しの頻度もまち
まちである。
鏡筒やステージ等の機械的な部分及びディジタル制御部
やアナログ増幅器等のハードウェア部分から構成されて
いるので、装置異常の発生は避けられない。装置異常に
は、次のようなものがある。 （１）ビーム揺れ： ビーム揺れは、高圧電源及び電子
銃部分での放電、レンズ電源のノイズ、外部磁場ノイズ
の影響、電子ビームコラムのチャージアップ等が主な発
生要因であることが多い。つまり、ビーム揺れの発生要
因は、電子ビームコラム側にあることが多い。又、ビー
ム揺れの発生要因によって、障害経過時間は数μｓ〜数
百ｍｓまでと様々なものがあり、繰り返しの頻度もまち
まちである。
【００１３】（２）ショット飛び：ショット飛びは、デ
ィジタル回路やＤＡＣ等のディジタル回路部分でのビッ
ト落ちやラッチミス等が主な発生要因であることが多
い。ショット飛びの発生には、１ショットだけの位置ず
れからパターン単位の位置ずれまで様々なものがある。
ィジタル回路やＤＡＣ等のディジタル回路部分でのビッ
ト落ちやラッチミス等が主な発生要因であることが多
い。ショット飛びの発生には、１ショットだけの位置ず
れからパターン単位の位置ずれまで様々なものがある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム露光
装置では、上記の如き装置異常の発生が、露光したパタ
ーンを検査して初めて検出される。又、装置異常の発生
要因を解析する場合、原因と考えられる箇所の動作を監
視しながら、実際に装置異常が発生するのを待って確認
する必要があるという問題があった。
装置では、上記の如き装置異常の発生が、露光したパタ
ーンを検査して初めて検出される。又、装置異常の発生
要因を解析する場合、原因と考えられる箇所の動作を監
視しながら、実際に装置異常が発生するのを待って確認
する必要があるという問題があった。
【００１５】又、装置異常の原因を正確に特定するため
には、通常数十回障害を発生させなければならなかっ
た。ところが、頻度の少ない装置異常の場合には、この
様な装置異常解析作業に多くの時間を費やすことにな
り、電子ビーム露光装置の稼働状況を大きく低下させて
しまうという問題もあった。
には、通常数十回障害を発生させなければならなかっ
た。ところが、頻度の少ない装置異常の場合には、この
様な装置異常解析作業に多くの時間を費やすことにな
り、電子ビーム露光装置の稼働状況を大きく低下させて
しまうという問題もあった。
【００１６】そこで、本発明は、装置異常の発生が荷電
粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できると共
に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原因を
早く特定できる荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提供
することを目的とする。
粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できると共
に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原因を
早く特定できる荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提供
することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、請求項１
記載の、各々が露光するべきパターンに関するデータを
発生するパターン発生手段と、該パターン発生手段から
のデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向してステージ
上の被露光物にパターンを露光するコラム手段とを有
し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の露光系
統を備えた荷電粒子ビーム露光装置において、該複数の
露光系統の対応する部分から得られるデータに基づいて
装置異常を露光動作中に検出するステップを備えた荷電
粒子ビーム露光方法によって達成できる。
記載の、各々が露光するべきパターンに関するデータを
発生するパターン発生手段と、該パターン発生手段から
のデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向してステージ
上の被露光物にパターンを露光するコラム手段とを有
し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の露光系
統を備えた荷電粒子ビーム露光装置において、該複数の
露光系統の対応する部分から得られるデータに基づいて
装置異常を露光動作中に検出するステップを備えた荷電
粒子ビーム露光方法によって達成できる。
【００１８】請求項２記載の発明では、請求項１の発明
において、前記複数の露光系統の対応する部分から得ら
れるデータに基づいて装置異常が発生している箇所、装
置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等を
エラー情報として上位装置に通知するステップを更に備
えた。
において、前記複数の露光系統の対応する部分から得ら
れるデータに基づいて装置異常が発生している箇所、装
置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等を
エラー情報として上位装置に通知するステップを更に備
えた。
【００１９】請求項３記載の発明では、請求項１又は２
の発明において、前記複数の露光系統の対応する部分か
ら得られるデータは、各露光系統のパターン発生手段に
おいて発生されたパターンデータ、各露光系統の該パタ
ーン発生手段のパターン補正手段においてパターンデー
タを補正して得たデータ、各露光系統の前記コラム手段
内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ及び各
露光系統の該コラム手段内のウエハステージ部での反射
荷電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少なくとも
１つのデータである。
の発明において、前記複数の露光系統の対応する部分か
ら得られるデータは、各露光系統のパターン発生手段に
おいて発生されたパターンデータ、各露光系統の該パタ
ーン発生手段のパターン補正手段においてパターンデー
タを補正して得たデータ、各露光系統の前記コラム手段
内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ及び各
露光系統の該コラム手段内のウエハステージ部での反射
荷電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少なくとも
１つのデータである。
【００２０】請求項４記載の発明では、請求項１〜３の
いずれかの発明において、前記装置異常を検出するステ
ップは、前記複数の露光系統の対応する部分から得られ
るデータのうち少なくとも２つの露光系統から得られる
データが不一致であるか、或は、誤差が許容範囲外であ
ると装置異常を検出する。
いずれかの発明において、前記装置異常を検出するステ
ップは、前記複数の露光系統の対応する部分から得られ
るデータのうち少なくとも２つの露光系統から得られる
データが不一致であるか、或は、誤差が許容範囲外であ
ると装置異常を検出する。
【００２１】請求項５記載の発明では、請求項２の発明
において、前記装置異常を検出するステップは、あるし
きい値ｇを決めておき、時間をｔとして２つの露光系統
のパターン発生手段において発生されたパターンデータ
を補正して得たデータをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，ｔ）で
示し、コラム手段の状態の違いを考慮するためのパラメ
ータをＰ，Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）−Ｑ・
Ｇ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，ｔ）−Ｑ
Ｇ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前記通知す
るステップは、前者の場合はエラー信号を発生せず、後
者の場合にエラー信号を発生して前記上位装置に装置異
常を通知する。
において、前記装置異常を検出するステップは、あるし
きい値ｇを決めておき、時間をｔとして２つの露光系統
のパターン発生手段において発生されたパターンデータ
を補正して得たデータをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，ｔ）で
示し、コラム手段の状態の違いを考慮するためのパラメ
ータをＰ，Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）−Ｑ・
Ｇ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，ｔ）−Ｑ
Ｇ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前記通知す
るステップは、前者の場合はエラー信号を発生せず、後
者の場合にエラー信号を発生して前記上位装置に装置異
常を通知する。
【００２２】請求項６記載の発明では、請求項２の発明
において、前記装置異常を検出するステップは、ある範
囲δを決めておき、時間をｔとして２つの露光系統のコ
ラム手段内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデー
タ又はウエハステージ部での反射荷電粒子ビーム強度に
関するデータをＩ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示し、コ
ラム手段間の電流密度差を考慮するためのパラメータを
Ｒ，Ｓとすると、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，
ｔ）−Ｏ｜≦δであるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ
（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞δであるかを検出し、前記通知する
ステップは、前者の場合はエラー信号を発生せず、後者
の場合にエラー信号を発生して前記上位装置に装置異常
を通知する。
において、前記装置異常を検出するステップは、ある範
囲δを決めておき、時間をｔとして２つの露光系統のコ
ラム手段内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデー
タ又はウエハステージ部での反射荷電粒子ビーム強度に
関するデータをＩ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示し、コ
ラム手段間の電流密度差を考慮するためのパラメータを
Ｒ，Ｓとすると、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，
ｔ）−Ｏ｜≦δであるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ
（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞δであるかを検出し、前記通知する
ステップは、前者の場合はエラー信号を発生せず、後者
の場合にエラー信号を発生して前記上位装置に装置異常
を通知する。
【００２３】請求項７記載の発明では、請求項２の発明
において、前記装置異常を検出するステップは、Ｐｄ，
Ｑｄ，Ｏｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系
統からのデータＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊを用
いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜
−｜Ｏｄ｜｜と該評価値δｄとを比較し、前記通知する
ステップは、該絶対値が該評価値δｄより大きいときに
前記上位装置にエラー通知を行う。
において、前記装置異常を検出するステップは、Ｐｄ，
Ｑｄ，Ｏｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系
統からのデータＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊを用
いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜
−｜Ｏｄ｜｜と該評価値δｄとを比較し、前記通知する
ステップは、該絶対値が該評価値δｄより大きいときに
前記上位装置にエラー通知を行う。
【００２４】請求項８記載の発明では、請求項２の発明
において、前記装置異常を検出するステップは、Ｐｄ，
Ｑｄ，Ｒｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系
統からのデータＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤｉの
１クロック周期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統からのデ
ータＤＤｊを用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−
Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値δｄ
とを比較し、前記通知するステップは、該絶対値が該評
価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー通知を
行う。
において、前記装置異常を検出するステップは、Ｐｄ，
Ｑｄ，Ｒｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系
統からのデータＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤｉの
１クロック周期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統からのデ
ータＤＤｊを用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−
Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値δｄ
とを比較し、前記通知するステップは、該絶対値が該評
価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー通知を
行う。
【００２５】請求項９記載の発明では、請求項２の発明
において、前記装置異常を検出するステップは、Ａをパ
ラメータとすると、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷電粒
子ビームのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤ
ｉ（ｎｅｗ）−ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデー
タＤＤｊのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤ
ｊ（ｎｅｗ）−ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の
大きい方ΔＤＤｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ
｜）とを用いて、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤ
ｍが満足されるか否かを判断し、前記通知するステップ
は、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
るときに前記上位装置にエラー通知を行う。
において、前記装置異常を検出するステップは、Ａをパ
ラメータとすると、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷電粒
子ビームのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤ
ｉ（ｎｅｗ）−ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデー
タＤＤｊのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤ
ｊ（ｎｅｗ）−ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の
大きい方ΔＤＤｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ
｜）とを用いて、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤ
ｍが満足されるか否かを判断し、前記通知するステップ
は、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
るときに前記上位装置にエラー通知を行う。
【００２６】請求項１０記載の発明では、請求項１〜９
のいずれかの発明において、前記エラー情報には装置異
常が発生した時間も含まれ、前記エラー通知に基づいて
装置異常のログを格納するステップを更に備えた。請求
項１１記載の発明では、請求項１〜１０のいずれかの発
明において、前記複数の露光系統の前記コラム手段は、
夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載されてお
り、該ステージを互いにカウンタバランスを取るように
移動するステップを更に備えた。
のいずれかの発明において、前記エラー情報には装置異
常が発生した時間も含まれ、前記エラー通知に基づいて
装置異常のログを格納するステップを更に備えた。請求
項１１記載の発明では、請求項１〜１０のいずれかの発
明において、前記複数の露光系統の前記コラム手段は、
夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載されてお
り、該ステージを互いにカウンタバランスを取るように
移動するステップを更に備えた。
【００２７】上記の課題は、請求項１２記載の、各々が
露光するべきパターンに関するデータを発生するパター
ン発生手段と、該パターン発生手段からのデータに基づ
いて荷電粒子ビームを偏向してステージ上の被露光物に
パターンを露光するコラム手段とを有し、夫々が同時に
同一パターンを露光する複数の露光系統と、該複数の露
光系統の対応する部分から得られるデータに基づいて装
置異常を検出する検出手段とを備えた荷電粒子ビーム露
光装置によっても達成できる。
露光するべきパターンに関するデータを発生するパター
ン発生手段と、該パターン発生手段からのデータに基づ
いて荷電粒子ビームを偏向してステージ上の被露光物に
パターンを露光するコラム手段とを有し、夫々が同時に
同一パターンを露光する複数の露光系統と、該複数の露
光系統の対応する部分から得られるデータに基づいて装
置異常を検出する検出手段とを備えた荷電粒子ビーム露
光装置によっても達成できる。
【００２８】請求項１３記載の発明では、請求項１２の
発明において、前記複数の露光系統の対応する部分から
得られるデータに基づいて装置異常が発生している箇
所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番
号等をエラー情報として上位装置に通知する通知手段を
更に備えた。
発明において、前記複数の露光系統の対応する部分から
得られるデータに基づいて装置異常が発生している箇
所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番
号等をエラー情報として上位装置に通知する通知手段を
更に備えた。
【００２９】請求項１４記載の発明では、請求項１２又
は１３の発明において、前記複数の露光系統の対応する
部分から得られるデータは、各露光系統のパターン発生
手段において発生されたパターンデータ、各露光系統の
該パターン発生手段のパターン補正手段においてパター
ンデータを補正して得たデータ、各露光系統の前記コラ
ム手段内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ
及び各露光系統の該コラム手段内のウエハステージ部で
の反射荷電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少な
くとも１つのデータである。
は１３の発明において、前記複数の露光系統の対応する
部分から得られるデータは、各露光系統のパターン発生
手段において発生されたパターンデータ、各露光系統の
該パターン発生手段のパターン補正手段においてパター
ンデータを補正して得たデータ、各露光系統の前記コラ
ム手段内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ
及び各露光系統の該コラム手段内のウエハステージ部で
の反射荷電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少な
くとも１つのデータである。
【００３０】請求項１５記載の発明では、請求項１２〜
１４のいずれかの発明において、前記検出手段は、前記
複数の露光系統の対応する部分から得られるデータのう
ち少なくとも２つの露光系統から得られるデータが不一
致であるか、或は、誤差が許容範囲外であると装置異常
を検出する。
１４のいずれかの発明において、前記検出手段は、前記
複数の露光系統の対応する部分から得られるデータのう
ち少なくとも２つの露光系統から得られるデータが不一
致であるか、或は、誤差が許容範囲外であると装置異常
を検出する。
【００３１】請求項１６記載の発明では、請求項１３の
発明において、前記検出手段は、あるしきい値ｇを決め
ておき、時間をｔとして２つの露光系統のパターン発生
手段において発生されたパターンデータを補正して得た
データをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，ｔ）で示し、コラム手
段の状態の違いを考慮するためのパラメータをＰ，Ｑ，
Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）−Ｑ・Ｇ（ｊ，ｔ）−
Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，ｔ）−ＱＧ（ｊ，ｔ）−
Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前記通知手段は、前者の場
合はエラー信号を発生せず、後者の場合にエラー信号を
発生して前記上位装置に装置異常を通知する。
発明において、前記検出手段は、あるしきい値ｇを決め
ておき、時間をｔとして２つの露光系統のパターン発生
手段において発生されたパターンデータを補正して得た
データをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，ｔ）で示し、コラム手
段の状態の違いを考慮するためのパラメータをＰ，Ｑ，
Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）−Ｑ・Ｇ（ｊ，ｔ）−
Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，ｔ）−ＱＧ（ｊ，ｔ）−
Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前記通知手段は、前者の場
合はエラー信号を発生せず、後者の場合にエラー信号を
発生して前記上位装置に装置異常を通知する。
【００３２】請求項１７記載の発明では、請求項１３の
発明において、前記検出手段は、ある範囲δを決めてお
き、時間をｔとして２つの露光系統のコラム手段内の絞
りアパーチャ部での電流値に関するデータ又はウエハス
テージ部での反射荷電粒子ビーム強度に関するデータを
Ｉ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示し、コラム手段間の電
流密度差を考慮するためのパラメータをＲ，Ｓとする
と、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦δ
であるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜
＞δであるかを検出し、前記通知手段は、前者の場合は
エラー信号を発生せず、後者の場合にエラー信号を発生
して前記上位装置に装置異常を通知する。
発明において、前記検出手段は、ある範囲δを決めてお
き、時間をｔとして２つの露光系統のコラム手段内の絞
りアパーチャ部での電流値に関するデータ又はウエハス
テージ部での反射荷電粒子ビーム強度に関するデータを
Ｉ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示し、コラム手段間の電
流密度差を考慮するためのパラメータをＲ，Ｓとする
と、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦δ
であるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜
＞δであるかを検出し、前記通知手段は、前者の場合は
エラー信号を発生せず、後者の場合にエラー信号を発生
して前記上位装置に装置異常を通知する。
【００３３】請求項１８記載の発明では、請求項１３の
発明において、前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｏｄをパ
ラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデータ
ＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊを用いて、絶対値で
ある｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｏｄ｜｜と
該評価値δｄとを比較し、前記通知手段は、該絶対値が
該評価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー通
知を行う。
発明において、前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｏｄをパ
ラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデータ
ＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊを用いて、絶対値で
ある｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｏｄ｜｜と
該評価値δｄとを比較し、前記通知手段は、該絶対値が
該評価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー通
知を行う。
【００３４】請求項１９記載の発明では、請求項１３の
発明において、前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｒｄをパ
ラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデータ
ＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤｉの１クロック周期
間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統からのデータＤＤｊを用
いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜
−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値δｄとを比較し、前
記通知手段は、該絶対値が該評価値δｄより大きいとき
に前記上位装置にエラー通知を行う。
発明において、前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｒｄをパ
ラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデータ
ＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤｉの１クロック周期
間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統からのデータＤＤｊを用
いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜
−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値δｄとを比較し、前
記通知手段は、該絶対値が該評価値δｄより大きいとき
に前記上位装置にエラー通知を行う。
【００３５】請求項２０記載の発明では、請求項１３の
発明において、前記検出手段は、Ａをパラメータとする
と、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷電粒子ビームのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤｉ（ｎｅｗ）−
ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデータＤＤｊのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤｊ（ｎｅｗ）−
ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の大きい方ΔＤＤ
ｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ｜）とを用い
て、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
るか否かを判断し、前記通知手段は、｜ΔＤＤｉ−ΔＤ
Ｄｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足されるときに前記上位装置
にエラー通知を行う。
発明において、前記検出手段は、Ａをパラメータとする
と、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷電粒子ビームのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤｉ（ｎｅｗ）−
ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデータＤＤｊのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤｊ（ｎｅｗ）−
ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の大きい方ΔＤＤ
ｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ｜）とを用い
て、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
るか否かを判断し、前記通知手段は、｜ΔＤＤｉ−ΔＤ
Ｄｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足されるときに前記上位装置
にエラー通知を行う。
【００３６】請求項２１記載の発明では、請求項１２〜
２０のいずれかの発明において、前記エラー情報には装
置異常が発生した時間も含まれ、前記エラー通知に基づ
いて装置異常のログを格納する格納手段を更に備えた。
請求項２２記載の発明では、請求項１２〜２１のいずれ
かの発明において、前記複数の露光系統の前記コラム手
段は、夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載さ
れており、該ステージを互いにカウンタバランスを取る
ように移動する移動手段を更に備えた。
２０のいずれかの発明において、前記エラー情報には装
置異常が発生した時間も含まれ、前記エラー通知に基づ
いて装置異常のログを格納する格納手段を更に備えた。
請求項２２記載の発明では、請求項１２〜２１のいずれ
かの発明において、前記複数の露光系統の前記コラム手
段は、夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載さ
れており、該ステージを互いにカウンタバランスを取る
ように移動する移動手段を更に備えた。
【００３７】
【作用】請求項１記載の発明によれば、装置異常の発生
を、露光された被露光物を検査することなく、荷電粒子
ビーム露光装置の稼働中に確実に検出することができ、
荷電粒子ビーム露光装置の信頼性が向上されると共に、
複数の露光系統が設けられることにより露光のスループ
ットも露光系統の数だけ向上される。
を、露光された被露光物を検査することなく、荷電粒子
ビーム露光装置の稼働中に確実に検出することができ、
荷電粒子ビーム露光装置の信頼性が向上されると共に、
複数の露光系統が設けられることにより露光のスループ
ットも露光系統の数だけ向上される。
【００３８】請求項２記載の発明によれば、装置異常が
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等を上位装置で管理できるので、装置
異常の特定及び修理が簡単である。請求項３記載の発明
によれば、各露光系統の各部での装置異常を確実に検出
することができる。
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等を上位装置で管理できるので、装置
異常の特定及び修理が簡単である。請求項３記載の発明
によれば、各露光系統の各部での装置異常を確実に検出
することができる。
【００３９】請求項４〜９記載の発明によれば、各露光
系統間の特性のバラツキを考慮して装置異常を検出する
ことができる。請求項１０記載の発明によれば、装置異
常のログに基づいて、どの露光系統で露光されたどの被
露光物を検査する必要があるかを正確に特定することが
できる。
系統間の特性のバラツキを考慮して装置異常を検出する
ことができる。請求項１０記載の発明によれば、装置異
常のログに基づいて、どの露光系統で露光されたどの被
露光物を検査する必要があるかを正確に特定することが
できる。
【００４０】請求項１１記載の発明によれば、各ステー
ジは、互いにカウンタバランスと取りながら移動するの
で、ステージの移動軌跡の各折り返し点でのステージの
加速度運動によるコラム手段への衝撃は互いに打ち消さ
れ、ステージが露光するパターンの粗密に応じて加速及
び減速されても、この加速及び減速の際にもコラム手段
への衝撃が互いに打ち消される。更に、ステージが移動
しても、複数コラム手段からなる装置全体の重心は移動
しない。この結果、コラム手段の揺れが確実に防止で
き、荷電粒子ビームの被露光物上の照射位置が安定しな
いために露光されるパターンの精度が劣化してしまうと
いった不都合を生じることもない。
ジは、互いにカウンタバランスと取りながら移動するの
で、ステージの移動軌跡の各折り返し点でのステージの
加速度運動によるコラム手段への衝撃は互いに打ち消さ
れ、ステージが露光するパターンの粗密に応じて加速及
び減速されても、この加速及び減速の際にもコラム手段
への衝撃が互いに打ち消される。更に、ステージが移動
しても、複数コラム手段からなる装置全体の重心は移動
しない。この結果、コラム手段の揺れが確実に防止で
き、荷電粒子ビームの被露光物上の照射位置が安定しな
いために露光されるパターンの精度が劣化してしまうと
いった不都合を生じることもない。
【００４１】従って、本発明によれば、装置異常の発生
が荷電粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できる
と共に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原
因を早く特定できる。
が荷電粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できる
と共に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原
因を早く特定できる。
【００４２】
【実施例】図１は、本発明になる荷電粒子ビーム露光装
置の第１実施例の要部を示すブロック図である。同図
中、図１４と実質的に同じ部分には同一符号を付す。本
実施例では、本発明が電子ビーム露光に適用されてお
り、本発明になる荷電粒子ビーム露光方法の第１実施例
を用いる。
置の第１実施例の要部を示すブロック図である。同図
中、図１４と実質的に同じ部分には同一符号を付す。本
実施例では、本発明が電子ビーム露光に適用されてお
り、本発明になる荷電粒子ビーム露光方法の第１実施例
を用いる。
【００４３】本実施例では、ショットデータ分解・発生
部（パターン発生部）、パターン補正部及び電子ビーム
コラムが２系統設けられている。他方、バッファメモ
リ、クロックユニット、マスクメモリ及び主偏向器設定
ユニットは、１系統のみ設けられている。ウエハは各電
子ビームコラムに対して設けられているが、ウエハステ
ージは必ずしも２系統設ける必要はない。本実施例で
は、説明の便宜上、２系統の電子ビームコラムに対応し
て２つのウエハが単一のウエハステージ上に搭載されて
いるものとする。
部（パターン発生部）、パターン補正部及び電子ビーム
コラムが２系統設けられている。他方、バッファメモ
リ、クロックユニット、マスクメモリ及び主偏向器設定
ユニットは、１系統のみ設けられている。ウエハは各電
子ビームコラムに対して設けられているが、ウエハステ
ージは必ずしも２系統設ける必要はない。本実施例で
は、説明の便宜上、２系統の電子ビームコラムに対応し
て２つのウエハが単一のウエハステージ上に搭載されて
いるものとする。
【００４４】図１中、電子ビーム露光装置は、２つの制
御系１３１−１，〜１３１−２及び２つの電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２を有する。電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２は、夫々図１３に示す電子ビ
ームコラム１３０と同様の構成を有する。他方、制御系
１３１−１，１３１−２も、基本的には夫々図１４に示
す制御系１３１と同様の構成を有するが、ここではバッ
ファメモリ１２３が２つの制御系１３１−１，１３１−
２で共通に使用されるものとする。制御系１３１−１
は、バッファメモリ１２３と、ショットデータ分解・発
生部１２４−１と、パターンデータ補正部１２５−１と
からなり、制御系１３１−２は、バッファメモリ１２３
と、ショットデータ分解・発生部１２４−２と、パター
ンデータ補正部１２５−２とからなる。
御系１３１−１，〜１３１−２及び２つの電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２を有する。電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２は、夫々図１３に示す電子ビ
ームコラム１３０と同様の構成を有する。他方、制御系
１３１−１，１３１−２も、基本的には夫々図１４に示
す制御系１３１と同様の構成を有するが、ここではバッ
ファメモリ１２３が２つの制御系１３１−１，１３１−
２で共通に使用されるものとする。制御系１３１−１
は、バッファメモリ１２３と、ショットデータ分解・発
生部１２４−１と、パターンデータ補正部１２５−１と
からなり、制御系１３１−２は、バッファメモリ１２３
と、ショットデータ分解・発生部１２４−２と、パター
ンデータ補正部１２５−２とからなる。
【００４５】尚、図１において、クロックユニット１２
２、マスクメモリ１２６、主偏向器設定ユニット１２７
及びメモリ１２９の図示は省略する。ショットデータ分
解・発生部１２４−１，１２４−２は、夫々バッファッ
メモリ１２３から読み出した同一データに基づいて露光
するべき同一パターンをショットに分解してショットデ
ータを発生するもので、図１４に示す制御ユニット１２
４に対応している。又、ショットデータ分解・発生部１
２４−１，１２４−２の出力するショットデータは、比
較部１で比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰ
Ｕ１２１へ通知される。
２、マスクメモリ１２６、主偏向器設定ユニット１２７
及びメモリ１２９の図示は省略する。ショットデータ分
解・発生部１２４−１，１２４−２は、夫々バッファッ
メモリ１２３から読み出した同一データに基づいて露光
するべき同一パターンをショットに分解してショットデ
ータを発生するもので、図１４に示す制御ユニット１２
４に対応している。又、ショットデータ分解・発生部１
２４−１，１２４−２の出力するショットデータは、比
較部１で比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰ
Ｕ１２１へ通知される。
【００４６】パターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２は、夫々ショットデータ分解・発生部１２４−１，
１２４−２の出力を補正して補正されたショットデータ
を対応する電子ビームコラム１３０−１，１３０−２に
供給するもので、図１４に示すデータ補正ユニット１２
５に対応している。パターンデータ補正部１２５−１，
１２５−２が行う補正処理には、対応する電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２に依存した各種座標変換の
補正演算が含まれる。パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２が出力するショットデータは、比較部２
で比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰＵ１２
１へ通知される。又、パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２が出力するショットデータは、対応する
電子ビームコラム１３０−１，１３０−２にＤＡＣ及び
アナログ増幅器を介して供給される。これらのＤＡＣ及
びアナログ増幅器は、パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２の内部に組み込まれていても、外部に個
別に設けられていても良い。
−２は、夫々ショットデータ分解・発生部１２４−１，
１２４−２の出力を補正して補正されたショットデータ
を対応する電子ビームコラム１３０−１，１３０−２に
供給するもので、図１４に示すデータ補正ユニット１２
５に対応している。パターンデータ補正部１２５−１，
１２５−２が行う補正処理には、対応する電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２に依存した各種座標変換の
補正演算が含まれる。パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２が出力するショットデータは、比較部２
で比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰＵ１２
１へ通知される。又、パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２が出力するショットデータは、対応する
電子ビームコラム１３０−１，１３０−２にＤＡＣ及び
アナログ増幅器を介して供給される。これらのＤＡＣ及
びアナログ増幅器は、パターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２の内部に組み込まれていても、外部に個
別に設けられていても良い。
【００４７】電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
から出力される電流値や反射電子強度等は、比較部３で
比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰＵ１２１
へ通知される。制御系１３１−１及び電子ビームコラム
１３０−１からなる露光装置部分と、制御系１３１−１
及び電子ビームコラム１３０−１からなる露光装置部分
とは、夫々同一データに基づいて同一パターンを同時に
露光する構成となっている。このため、各比較部１，
２，３で比較される一対のデータは、同一時点では装置
異常が発生しない限り本来一致するはずである。しか
し、実際には、各露光装置部分を構成する部分の特性の
バラツキ等により、露光装置部分間で多少の誤差が存在
する。
から出力される電流値や反射電子強度等は、比較部３で
比較され、比較結果がバス１２８を介してＣＰＵ１２１
へ通知される。制御系１３１−１及び電子ビームコラム
１３０−１からなる露光装置部分と、制御系１３１−１
及び電子ビームコラム１３０−１からなる露光装置部分
とは、夫々同一データに基づいて同一パターンを同時に
露光する構成となっている。このため、各比較部１，
２，３で比較される一対のデータは、同一時点では装置
異常が発生しない限り本来一致するはずである。しか
し、実際には、各露光装置部分を構成する部分の特性の
バラツキ等により、露光装置部分間で多少の誤差が存在
する。
【００４８】そこで、ＣＰＵ１２１は、各比較部２，３
で比較される一対のデータの誤差が許容範囲内であれ
ば、装置異常の発生はないと判断する。他方、比較部
２，３のうち少なくとも一方の比較部で比較される一対
のデータの誤差が許容範囲外であると、装置異常が発生
したと判断してアラームを発行する。つまり、露光した
パターンを実際に検査することなく、装置異常の発生を
確実に検出することができる。又、ＣＰＵ１２１は、比
較部１，２，３のうち、どの比較部からの比較結果が許
容範囲外であるかを判断することにより、装置異常の発
生原因を特定することができる。更に、上記装置異常の
検出及び装置異常の発生原因の特定は、電子ビーム露光
装置の稼働中に行うことができるので、露光動作におけ
る時間のロスはない。そして、ＣＰＵ１２１は、装置異
常が発生した時間及び装置異常が取り除かれた時間を管
理することにより、装置異常の発生中に露光されて特に
検査する必要のある露光パターンを容易に特定すること
もできる。
で比較される一対のデータの誤差が許容範囲内であれ
ば、装置異常の発生はないと判断する。他方、比較部
２，３のうち少なくとも一方の比較部で比較される一対
のデータの誤差が許容範囲外であると、装置異常が発生
したと判断してアラームを発行する。つまり、露光した
パターンを実際に検査することなく、装置異常の発生を
確実に検出することができる。又、ＣＰＵ１２１は、比
較部１，２，３のうち、どの比較部からの比較結果が許
容範囲外であるかを判断することにより、装置異常の発
生原因を特定することができる。更に、上記装置異常の
検出及び装置異常の発生原因の特定は、電子ビーム露光
装置の稼働中に行うことができるので、露光動作におけ
る時間のロスはない。そして、ＣＰＵ１２１は、装置異
常が発生した時間及び装置異常が取り除かれた時間を管
理することにより、装置異常の発生中に露光されて特に
検査する必要のある露光パターンを容易に特定すること
もできる。
【００４９】図２は、パターン発生後のデータ比較部分
の一実施例を示すブロック図である。同図中、図１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２
において、ショットデータ分解・発生部１２４−１，１
２４−２は、同時にバッファメモリ１２３からの同じデ
ータを受け取って、系統の番号を夫々１，２として時間
をｔで表すと、ショットデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，
ｔ）に分解する。
の一実施例を示すブロック図である。同図中、図１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２
において、ショットデータ分解・発生部１２４−１，１
２４−２は、同時にバッファメモリ１２３からの同じデ
ータを受け取って、系統の番号を夫々１，２として時間
をｔで表すと、ショットデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，
ｔ）に分解する。
【００５０】電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、シ
ョットデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ）は常に一致し
ていなければならない。比較部１は、これらのショット
データＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ）が不一致であるとエ
ラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給す
る。
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、シ
ョットデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ）は常に一致し
ていなければならない。比較部１は、これらのショット
データＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ）が不一致であるとエ
ラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給す
る。
【００５１】これにより、ＣＰＵ１２１は、比較部１か
らエラー信号が供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部１からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のショットデータ分解・発生部１２４−１，
１２４−２以前の部分で、即ち、パターン発生部までの
部分で装置異常が発生したと判断してアラームを発行す
る。又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部１から発
生されたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信
号が消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
らエラー信号が供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部１からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のショットデータ分解・発生部１２４−１，
１２４−２以前の部分で、即ち、パターン発生部までの
部分で装置異常が発生したと判断してアラームを発行す
る。又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部１から発
生されたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信
号が消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
【００５２】図３は、パターンデータ補正後のデータ比
較部分の一実施例を示すブロック図である。同図中、図
１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。図３において、パターンデータ補正部１２５−１，
１２５−２は、同時に対応するショットデータ分解・発
生部１２４−１，１２４−２からの同じショットデータ
を受け取って、系統の番号を夫々１，２として時間をｔ
で表すと、パターンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）
に補正する。
較部分の一実施例を示すブロック図である。同図中、図
１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。図３において、パターンデータ補正部１２５−１，
１２５−２は、同時に対応するショットデータ分解・発
生部１２４−１，１２４−２からの同じショットデータ
を受け取って、系統の番号を夫々１，２として時間をｔ
で表すと、パターンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）
に補正する。
【００５３】電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、パ
ターンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）は常に一致し
ていなければならない。しかし、実際には、パターンデ
ータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）は対応する電子ビーム
コラム１３０−１，１３０−２の状態に応じて多少異な
る。このため、比較部２は、これらのパターンデータＧ
（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）の誤差が所定の範囲外である
とエラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給
する。
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、パ
ターンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）は常に一致し
ていなければならない。しかし、実際には、パターンデ
ータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）は対応する電子ビーム
コラム１３０−１，１３０−２の状態に応じて多少異な
る。このため、比較部２は、これらのパターンデータＧ
（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）の誤差が所定の範囲外である
とエラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給
する。
【００５４】これにより、ＣＰＵ１２１は、比較部２か
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部２からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のパターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２以前の部分で、即ち、パターン補正部までの部分で
装置異常が発生したと判断してアラームを発行する。
又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部２から発生さ
れたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が
消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部２からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のパターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２以前の部分で、即ち、パターン補正部までの部分で
装置異常が発生したと判断してアラームを発行する。
又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部２から発生さ
れたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が
消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
【００５５】パターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２では、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の
状態に依存した補正演算が行われるので、電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２の状態が厳密に同じになっ
ていない限り、これらのパターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２から出力されるパターンデータＧ（１，
ｔ），Ｇ（２，ｔ）はコラム状態に依存した誤差を有す
る。この誤差はゼロではないが、両方の電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２における偏向器やウエハ等の
配置が機械的な精度以内では一致しているので、パター
ンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）の誤差は補正量そ
のものよりは遥かに小さい。従って、比較部２では、あ
るしきい値ｇを決めておいて、コラム状態の違いを考慮
するためのパラメータをＰ，Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ
（１，ｔ）−Ｑ・Ｇ（２，ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜Ｐ
Ｇ（１，ｔ）−ＱＧ（２，ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検
出する。前者の場合、比較部２はエラー信号を発生しな
いが、後者の場合にはエラー信号を発生してバス１２８
を介してＣＰＵ１２１に供給する。
−２では、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の
状態に依存した補正演算が行われるので、電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２の状態が厳密に同じになっ
ていない限り、これらのパターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２から出力されるパターンデータＧ（１，
ｔ），Ｇ（２，ｔ）はコラム状態に依存した誤差を有す
る。この誤差はゼロではないが、両方の電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２における偏向器やウエハ等の
配置が機械的な精度以内では一致しているので、パター
ンデータＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ）の誤差は補正量そ
のものよりは遥かに小さい。従って、比較部２では、あ
るしきい値ｇを決めておいて、コラム状態の違いを考慮
するためのパラメータをＰ，Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ
（１，ｔ）−Ｑ・Ｇ（２，ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜Ｐ
Ｇ（１，ｔ）−ＱＧ（２，ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検
出する。前者の場合、比較部２はエラー信号を発生しな
いが、後者の場合にはエラー信号を発生してバス１２８
を介してＣＰＵ１２１に供給する。
【００５６】図４は、電子ビームコラム部分のデータ比
較部分の一実施例をより詳細に示すブロック図である。
同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。図４において、電子ビームコラム１３０−
１，１３０−２は、同時に対応するパターンデータ補正
部１２５−１，１２５−２からの同じパターンデータを
受け取って、同一パターンを対応するウエハ上に露光す
る。この際の電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
の電流値は、夫々のコラムの円形絞りアパーチャ部又は
ウエハステージ部で周知の手段により測定できる。又、
電子ビームコラム１３０−１，１３０−２内で、各ウエ
ハの露光面から反射された電子の強度を周知の手段によ
り測定することもできる。測定された電流値又は反射電
子強度は、対応する電流−電圧（ＩＶ）変換器１１−
１，１１−２により数百μｓ〜数百ｍｓの時定数τで積
分される。これにより、ＩＶ変換器１１−１，１１−２
からは、系統の番号を夫々１，２として時間をｔで表す
と、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）が出力されて比
較部３に供給される。
較部分の一実施例をより詳細に示すブロック図である。
同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。図４において、電子ビームコラム１３０−
１，１３０−２は、同時に対応するパターンデータ補正
部１２５−１，１２５−２からの同じパターンデータを
受け取って、同一パターンを対応するウエハ上に露光す
る。この際の電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
の電流値は、夫々のコラムの円形絞りアパーチャ部又は
ウエハステージ部で周知の手段により測定できる。又、
電子ビームコラム１３０−１，１３０−２内で、各ウエ
ハの露光面から反射された電子の強度を周知の手段によ
り測定することもできる。測定された電流値又は反射電
子強度は、対応する電流−電圧（ＩＶ）変換器１１−
１，１１−２により数百μｓ〜数百ｍｓの時定数τで積
分される。これにより、ＩＶ変換器１１−１，１１−２
からは、系統の番号を夫々１，２として時間をｔで表す
と、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）が出力されて比
較部３に供給される。
【００５７】図５は、電子ビームコラム１３０−１の一
実施例を示す図である。同図中、図１３と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。図５において、
コラムの円形絞りアパーチャ１０７の電流値は、ＩＶ変
換回路１１−１ｂにより積分されて、電流値を示すデー
タＩ（１，ｔ）が図４の比較部３に供給される。他方、
ブロックマスク１０４の電流値は、ＩＶ変換回路１１−
１ａにより積分されて、反射電子強度を示すデータＩ
（１，ｔ）が図４の比較部３に供給される。尚、上記円
形絞りアパーチャ１０７の電流値及び反射電子強度との
合成値をデータＩ（１，ｔ）として図４の比較部３に供
給する構成としても良い。
実施例を示す図である。同図中、図１３と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。図５において、
コラムの円形絞りアパーチャ１０７の電流値は、ＩＶ変
換回路１１−１ｂにより積分されて、電流値を示すデー
タＩ（１，ｔ）が図４の比較部３に供給される。他方、
ブロックマスク１０４の電流値は、ＩＶ変換回路１１−
１ａにより積分されて、反射電子強度を示すデータＩ
（１，ｔ）が図４の比較部３に供給される。尚、上記円
形絞りアパーチャ１０７の電流値及び反射電子強度との
合成値をデータＩ（１，ｔ）として図４の比較部３に供
給する構成としても良い。
【００５８】図４に戻って説明すると、電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２は、対応するウエハに同一パ
ターンを露光するので、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，
ｔ）は常に一致していなければならない。しかし、実際
には、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）は対応する電
子ビームコラム１３０−１，１３０−２の状態に応じて
多少異なる。このため、比較部３は、これらのデータＩ
（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）の誤差が所定の範囲外である
とエラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給
する。
ム１３０−１，１３０−２は、対応するウエハに同一パ
ターンを露光するので、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，
ｔ）は常に一致していなければならない。しかし、実際
には、データＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）は対応する電
子ビームコラム１３０−１，１３０−２の状態に応じて
多少異なる。このため、比較部３は、これらのデータＩ
（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）の誤差が所定の範囲外である
とエラー信号をバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給
する。
【００５９】これにより、ＣＰＵ１２１は、比較部３か
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部３からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置の電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
以前の部分で、即ち、パターン露光部までの部分で装置
異常が発生したと判断してアラームを発行する。又、Ｃ
ＰＵ１２１は、エラー信号が比較部３から発生されたこ
と、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が消滅し
た時刻等をエラーログとして管理する。
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部３からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置の電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
以前の部分で、即ち、パターン露光部までの部分で装置
異常が発生したと判断してアラームを発行する。又、Ｃ
ＰＵ１２１は、エラー信号が比較部３から発生されたこ
と、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が消滅し
た時刻等をエラーログとして管理する。
【００６０】上記電流値や反射電子強度等は、電子ビー
ムコラム１３０−１，１３０−２の状態に依存するの
で、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の状態が
厳密に同じになっていない限り、ＩＶ変換器１１−１，
１１−２から出力されるデータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，
ｔ）はコラム状態に依存した誤差を有する。この誤差は
ゼロではないが、両方の電子ビームコラム１３０−１，
１３０−２における偏向器やウエハ等の配置が機械的な
精度以内では一致しているので、データＩ（１，ｔ），
Ｉ（２，ｔ）の誤差は常にある範囲δ内にある。従っ
て、比較部３では、上記範囲δを決めておいて、コラム
間の電流密度差を考慮するためのパラメータをＲ，Ｓと
すると、｜Ｒ・Ｉ（１，ｔ）−Ｓ・Ｉ（２，ｔ）−Ｏ｜
≦δであるか｜Ｒ・Ｉ（１，ｔ）−Ｓ・Ｉ（２，ｔ）−
Ｏ｜＞δであるかを検出する。前者の場合、比較部３は
エラー信号を発生しないが、後者の場合にはエラー信号
を発生してバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給す
る。
ムコラム１３０−１，１３０−２の状態に依存するの
で、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の状態が
厳密に同じになっていない限り、ＩＶ変換器１１−１，
１１−２から出力されるデータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，
ｔ）はコラム状態に依存した誤差を有する。この誤差は
ゼロではないが、両方の電子ビームコラム１３０−１，
１３０−２における偏向器やウエハ等の配置が機械的な
精度以内では一致しているので、データＩ（１，ｔ），
Ｉ（２，ｔ）の誤差は常にある範囲δ内にある。従っ
て、比較部３では、上記範囲δを決めておいて、コラム
間の電流密度差を考慮するためのパラメータをＲ，Ｓと
すると、｜Ｒ・Ｉ（１，ｔ）−Ｓ・Ｉ（２，ｔ）−Ｏ｜
≦δであるか｜Ｒ・Ｉ（１，ｔ）−Ｓ・Ｉ（２，ｔ）−
Ｏ｜＞δであるかを検出する。前者の場合、比較部３は
エラー信号を発生しないが、後者の場合にはエラー信号
を発生してバス１２８を介してＣＰＵ１２１に供給す
る。
【００６１】次に、本発明になる荷電粒子ビーム露光装
置の第２実施例を説明する。図６は、第２実施例の要部
を示すブロック図である。同図中、図１と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。本実施例では、
本発明が電子ビーム露光に適用されており、本発明にな
る荷電粒子ビーム露光方法の第２実施例を用いる。
置の第２実施例を説明する。図６は、第２実施例の要部
を示すブロック図である。同図中、図１と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。本実施例では、
本発明が電子ビーム露光に適用されており、本発明にな
る荷電粒子ビーム露光方法の第２実施例を用いる。
【００６２】上記第１実施例では、２系統の各部におけ
るデータを用いて装置異常を検出しているが、本発明は
３系統以上のショットデータ分解・発生部（パターン発
生部）、パターン補正部及び電子ビームコラムの各部に
おけるデータを用いて装置異常を検出することが可能で
あることは言うまでもない。
るデータを用いて装置異常を検出しているが、本発明は
３系統以上のショットデータ分解・発生部（パターン発
生部）、パターン補正部及び電子ビームコラムの各部に
おけるデータを用いて装置異常を検出することが可能で
あることは言うまでもない。
【００６３】第２実施例では、一例として、のショット
データ分解・発生部（パターン発生部）、パターン補正
部及び電子ビームコラムが３系統設けられている。第１
の系統は、ショットデータ分解・発生部１２４−１、パ
ターンデータ補正部１２５−１及び電子ビームコラム１
３０−１からなる。第２の系統は、ショットデータ分解
・発生部１２４−２、パターンデータ補正部１２５−２
及び電子ビームコラム１３０−２からなる。又、第３の
系統は、ショットデータ分解・発生部１２４−３、パタ
ーンデータ補正部１２５−３及び電子ビームコラム１３
０−３からなる。
データ分解・発生部（パターン発生部）、パターン補正
部及び電子ビームコラムが３系統設けられている。第１
の系統は、ショットデータ分解・発生部１２４−１、パ
ターンデータ補正部１２５−１及び電子ビームコラム１
３０−１からなる。第２の系統は、ショットデータ分解
・発生部１２４−２、パターンデータ補正部１２５−２
及び電子ビームコラム１３０−２からなる。又、第３の
系統は、ショットデータ分解・発生部１２４−３、パタ
ーンデータ補正部１２５−３及び電子ビームコラム１３
０−３からなる。
【００６４】異常判別ユニット２１は、ショットデータ
分解・発生部１２４−１，１２４−２，１２４−３から
のデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ），Ｄ（３，ｔ）を
比較して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの
状態を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８
を介してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデ
ータＤ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）が一致することを示
す。状態Ｂは、データＤ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）のう
ち１つのデータのみが他の２つのデータと異なることを
示す。又、状態Ｃは、全てのデータＤ（１，ｔ）〜Ｄ
（３，ｔ）が異なることを示す。
分解・発生部１２４−１，１２４−２，１２４−３から
のデータＤ（１，ｔ），Ｄ（２，ｔ），Ｄ（３，ｔ）を
比較して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの
状態を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８
を介してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデ
ータＤ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）が一致することを示
す。状態Ｂは、データＤ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）のう
ち１つのデータのみが他の２つのデータと異なることを
示す。又、状態Ｃは、全てのデータＤ（１，ｔ）〜Ｄ
（３，ｔ）が異なることを示す。
【００６５】異常判別ユニット２１は、状態Ａの場合は
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＤ（１，ｔ）のみ
が他のデータＤ（２，ｔ），Ｄ（３，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所はショットデータ分解
・発生部１２４−１以前の部分であり、装置異常の状態
は例えばどの様なエラーであるかを示し、装置異常が検
出された系統の番号は「１」である。又、状態Ｃの場合
は、装置異常がショットデータ分解・発生部１２４−１
〜１２４−３以前の部分で、少なくとも２以上の系統で
発生しているので、この状態Ｃを示すために装置異常が
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ
通知する。
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＤ（１，ｔ）のみ
が他のデータＤ（２，ｔ），Ｄ（３，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所はショットデータ分解
・発生部１２４−１以前の部分であり、装置異常の状態
は例えばどの様なエラーであるかを示し、装置異常が検
出された系統の番号は「１」である。又、状態Ｃの場合
は、装置異常がショットデータ分解・発生部１２４−１
〜１２４−３以前の部分で、少なくとも２以上の系統で
発生しているので、この状態Ｃを示すために装置異常が
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ
通知する。
【００６６】又、異常判別ユニット２１は、パターンデ
ータ補正部１２５−１，１２５−２，１２５−３からの
データＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ），Ｇ（３，ｔ）を比
較して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの状
態を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８を
介してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデー
タＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）が許容範囲内にあること
を示す。状態Ｂは、データＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）
のうち１つのデータのみが他の２つのデータと異なりこ
の許容範囲外にあることを示す。又、状態Ｃは、全ての
データＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）が上記許容範囲外に
あることを示す。
ータ補正部１２５−１，１２５−２，１２５−３からの
データＧ（１，ｔ），Ｇ（２，ｔ），Ｇ（３，ｔ）を比
較して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの状
態を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８を
介してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデー
タＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）が許容範囲内にあること
を示す。状態Ｂは、データＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）
のうち１つのデータのみが他の２つのデータと異なりこ
の許容範囲外にあることを示す。又、状態Ｃは、全ての
データＧ（１，ｔ）〜Ｇ（３，ｔ）が上記許容範囲外に
あることを示す。
【００６７】異常判別ユニット２１は、状態Ａの場合は
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＧ（２，ｔ）のみ
が他のデータＧ（１，ｔ），Ｇ（３，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所はパターンデータ補正
部１２５−２以前の部分であり、装置異常の状態は例え
ばどの様なエラーであるかを示し、装置異常が検出され
た系統の番号は「２」である。又、状態Ｃの場合は、装
置異常がパターンデータ補正部１２５−１〜１２５−３
以前の部分で、少なくとも２以上の系統で発生している
ので、この状態Ｃを示すために装置異常が発生している
箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の
番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＧ（２，ｔ）のみ
が他のデータＧ（１，ｔ），Ｇ（３，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所はパターンデータ補正
部１２５−２以前の部分であり、装置異常の状態は例え
ばどの様なエラーであるかを示し、装置異常が検出され
た系統の番号は「２」である。又、状態Ｃの場合は、装
置異常がパターンデータ補正部１２５−１〜１２５−３
以前の部分で、少なくとも２以上の系統で発生している
ので、この状態Ｃを示すために装置異常が発生している
箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の
番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
【００６８】更に、異常判別ユニット２１は、電子ビー
ムコラム１３０−１，１３０−２，１３０−３からのデ
ータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ），Ｉ（３，ｔ）を比較
して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの状態
を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８を介
してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデータ
Ｉ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）が許容範囲内にあることを
示す。状態Ｂは、データＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）の
うち１つのデータのみが他の２つのデータと異なりこの
許容範囲外にあることを示す。又、状態Ｃは、全てのデ
ータＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）が上記許容範囲外にあ
ることを示す。
ムコラム１３０−１，１３０−２，１３０−３からのデ
ータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ），Ｉ（３，ｔ）を比較
して、これらのデータが状態Ａ，Ｂ，Ｃのうちどの状態
を満足するかを判定して、必要に応じてバス１２８を介
してＣＰＵ１２１に通知する。状態Ａは、全てのデータ
Ｉ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）が許容範囲内にあることを
示す。状態Ｂは、データＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）の
うち１つのデータのみが他の２つのデータと異なりこの
許容範囲外にあることを示す。又、状態Ｃは、全てのデ
ータＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）が上記許容範囲外にあ
ることを示す。
【００６９】異常判別ユニット２１は、状態Ａの場合は
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＩ（３，ｔ）のみ
が他のデータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所は電子ビームコラム１
３０−３以前の部分であり、装置異常の状態は例えばど
の様なエラーであるかを示し、装置異常が検出された系
統の番号は「３」である。又、状態Ｃの場合は、装置異
常が電子ビームコラム１３０−１〜１３０−３以前の部
分で、少なくとも２以上の系統で発生しているので、こ
の状態Ｃを示すために装置異常が発生している箇所、装
置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等を
エラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
特にＣＰＵ１２１に通知を行わない。状態Ｂの場合は、
装置異常が発生している箇所、装置異常の状態及び装置
異常が検出された系統の番号等をエラー情報としてＣＰ
Ｕ１２１に通知する。例えば、データＩ（３，ｔ）のみ
が他のデータＩ（１，ｔ），Ｉ（２，ｔ）と異なる場
合、装置異常が発生している箇所は電子ビームコラム１
３０−３以前の部分であり、装置異常の状態は例えばど
の様なエラーであるかを示し、装置異常が検出された系
統の番号は「３」である。又、状態Ｃの場合は、装置異
常が電子ビームコラム１３０−１〜１３０−３以前の部
分で、少なくとも２以上の系統で発生しているので、こ
の状態Ｃを示すために装置異常が発生している箇所、装
置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等を
エラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
【００７０】図７は、異常判別ユニット２１の動作を説
明するフローチャートである。同図中、ステップＳ１
は、状態Ａであるか否かを判定し、判定結果がＮＯとな
ると、処理がステップＳ２へ進む。ステップＳ２は、状
態Ｂであるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ３で装置異常が発生している箇所、装置
異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等をエ
ラー情報としてＣＰＵ１２１に通知する。他方、ステッ
プＳ２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ４で状態
Ｃであるか否かを判定する。ステップＳ４の判定結果が
ＹＥＳであると、少なくとも２以上の系統で発生してい
るので、この状態Ｃを示すために装置異常が発生してい
る箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統
の番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
ステップＳ３，Ｓ５の後、又は、ステップＳ４の判定結
果がＮＯの場合には、処理がステップＳ１へ戻る。
明するフローチャートである。同図中、ステップＳ１
は、状態Ａであるか否かを判定し、判定結果がＮＯとな
ると、処理がステップＳ２へ進む。ステップＳ２は、状
態Ｂであるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ３で装置異常が発生している箇所、装置
異常の状態及び装置異常が検出された系統の番号等をエ
ラー情報としてＣＰＵ１２１に通知する。他方、ステッ
プＳ２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ４で状態
Ｃであるか否かを判定する。ステップＳ４の判定結果が
ＹＥＳであると、少なくとも２以上の系統で発生してい
るので、この状態Ｃを示すために装置異常が発生してい
る箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統
の番号等をエラー情報としてＣＰＵ１２１へ通知する。
ステップＳ３，Ｓ５の後、又は、ステップＳ４の判定結
果がＮＯの場合には、処理がステップＳ１へ戻る。
【００７１】この様な、図７に示す処理は、ショットデ
ータ分解・発生部１２４−１〜１２４−３の出力データ
Ｄ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）、パターンデータ補正部１
２５−１〜１２５−３の出力データＧ（１，ｔ）〜Ｇ
（３，ｔ）及び電子ビームコラム１３０−１〜１３０−
３の出力データＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）の夫々に対
して行われる。又、この処理を、これら以外の部分にお
ける３系統からの出力データに対して行っても良いこと
は言うまでもない。
ータ分解・発生部１２４−１〜１２４−３の出力データ
Ｄ（１，ｔ）〜Ｄ（３，ｔ）、パターンデータ補正部１
２５−１〜１２５−３の出力データＧ（１，ｔ）〜Ｇ
（３，ｔ）及び電子ビームコラム１３０−１〜１３０−
３の出力データＩ（１，ｔ）〜Ｉ（３，ｔ）の夫々に対
して行われる。又、この処理を、これら以外の部分にお
ける３系統からの出力データに対して行っても良いこと
は言うまでもない。
【００７２】図８は、ＣＰＵ１２１の動作の一実施例を
説明するフローチャートである。同図に示すＣＰＵ１２
１の動作は、上記第１及び第２実施例のいずれにも適用
可能である。図８中、ＣＰＵ１２１のエラー処理は、比
較部１〜３又は異常判別ユニット２１からのエラー情報
通知があると、ステップＳ１１により起動される。ステ
ップＳ１２は、エラー情報通知に基づいてエラーログ情
報を図１４に示すＣＰＵ１２１のメモリ１２９に格納す
る。エラーログ情報には、上記の如く、エラー（装置異
常）の発生箇所、エラーの状態、エラーの発生した系統
の番号等が含まれ、エラーログ情報はファイル形式でメ
モリ１２９に格納される。ステップＳ１３は、同一原因
と判断できるエラーの頻度が一定値以下であるか否かを
判定し、判定結果がＹＥＳであればステップＳ１４でア
ラームを発生する。アラームの発生は、種々の形態を取
り得るが、例えば、露光処理を施されたウエハにエラー
マーキングを行ったり、ＣＰＵ１２１がメモリ１２９等
に格納して管理する露光状態管理ファイルにアラームを
書き込んだりしても良い。ステップＳ１４の後に、処理
はステップＳ１１へ戻る。
説明するフローチャートである。同図に示すＣＰＵ１２
１の動作は、上記第１及び第２実施例のいずれにも適用
可能である。図８中、ＣＰＵ１２１のエラー処理は、比
較部１〜３又は異常判別ユニット２１からのエラー情報
通知があると、ステップＳ１１により起動される。ステ
ップＳ１２は、エラー情報通知に基づいてエラーログ情
報を図１４に示すＣＰＵ１２１のメモリ１２９に格納す
る。エラーログ情報には、上記の如く、エラー（装置異
常）の発生箇所、エラーの状態、エラーの発生した系統
の番号等が含まれ、エラーログ情報はファイル形式でメ
モリ１２９に格納される。ステップＳ１３は、同一原因
と判断できるエラーの頻度が一定値以下であるか否かを
判定し、判定結果がＹＥＳであればステップＳ１４でア
ラームを発生する。アラームの発生は、種々の形態を取
り得るが、例えば、露光処理を施されたウエハにエラー
マーキングを行ったり、ＣＰＵ１２１がメモリ１２９等
に格納して管理する露光状態管理ファイルにアラームを
書き込んだりしても良い。ステップＳ１４の後に、処理
はステップＳ１１へ戻る。
【００７３】他方、ステップＳ１３の判定結果がＮＯの
場合は、ステップＳ１５でエラーログ情報を出力する。
エラーログ情報の出力は、例えば表示を行う方法でも印
刷を行う方法でも良い。オペレータは、ステップＳ１６
において、出力されたエラーログ情報に基づきエラーの
発生箇所のより厳密な特定及びエラー状況の診断を行
い、ステップＳ１７で電子ビーム露光装置の必要な箇所
の修理を行い、装置異常を取り除く。ステップＳ１７の
後には、処理がステップＳ１１へ戻り処理が再起動され
る。
場合は、ステップＳ１５でエラーログ情報を出力する。
エラーログ情報の出力は、例えば表示を行う方法でも印
刷を行う方法でも良い。オペレータは、ステップＳ１６
において、出力されたエラーログ情報に基づきエラーの
発生箇所のより厳密な特定及びエラー状況の診断を行
い、ステップＳ１７で電子ビーム露光装置の必要な箇所
の修理を行い、装置異常を取り除く。ステップＳ１７の
後には、処理がステップＳ１１へ戻り処理が再起動され
る。
【００７４】尚、２系統以上から得られる補正後のパタ
ーンデータ、電流値又は反射電子強度等のデータを比較
してエラー信号の発生を決定する比較部又は以上判別ユ
ニットにおける判断基準は、上記実施例の基準に限定さ
れるものではない。判断基準の第１変形例としては、Ｐ
ｄ，Ｑｄ，Ｏｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊ
を用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤ
ｊ｜−｜Ｏｄ｜｜と評価値δｄとを比較する方法を用い
ても良い。この場合、絶対値が評価値δｄより大きいと
きにＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。
ーンデータ、電流値又は反射電子強度等のデータを比較
してエラー信号の発生を決定する比較部又は以上判別ユ
ニットにおける判断基準は、上記実施例の基準に限定さ
れるものではない。判断基準の第１変形例としては、Ｐ
ｄ，Ｑｄ，Ｏｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊ
を用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤ
ｊ｜−｜Ｏｄ｜｜と評価値δｄとを比較する方法を用い
ても良い。この場合、絶対値が評価値δｄより大きいと
きにＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。
【００７５】又、判断基準の第２変形例としては、Ｐ
ｄ，Ｑｄ，Ｒｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤ
ｉの１クロック周期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統から
のデータＤＤｊを用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤ
ｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と評価値δ
ｄとを比較する方法を用いても良い。この場合、絶対値
が評価値δｄより大きいときにＣＰＵ１２１にエラー通
知を行う。つまり、ｉ系統からのデータＤＤｉとｊ系統
からのデータＤＤｊとの差分が、各データの各クロック
毎のジャンピング量より大きくなった場合にのみ、ＣＰ
Ｕ１２１にエラー通知を行う。
ｄ，Ｑｄ，Ｒｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤ
ｉの１クロック周期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統から
のデータＤＤｊを用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤ
ｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と評価値δ
ｄとを比較する方法を用いても良い。この場合、絶対値
が評価値δｄより大きいときにＣＰＵ１２１にエラー通
知を行う。つまり、ｉ系統からのデータＤＤｉとｊ系統
からのデータＤＤｊとの差分が、各データの各クロック
毎のジャンピング量より大きくなった場合にのみ、ＣＰ
Ｕ１２１にエラー通知を行う。
【００７６】又、判断基準の第３変形例としては、Ａを
パラメータとすると、ｉ系統からのデータＤＤｉのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤｉ（ｎｅｗ）−
ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデータＤＤｊのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤｊ（ｎｅｗ）−
ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の大きい方ΔＤＤ
ｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ｜）とを用い
て、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
る場合にＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。他方、｜Δ
ＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜＜Ａ・ΔＤＤｍが満足される場合に
は、エラー通知は行わない。
パラメータとすると、ｉ系統からのデータＤＤｉのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤｉ（ｎｅｗ）−
ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデータＤＤｊのショ
ット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤｊ（ｎｅｗ）−
ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の大きい方ΔＤＤ
ｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ｜）とを用い
て、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
る場合にＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。他方、｜Δ
ＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜＜Ａ・ΔＤＤｍが満足される場合に
は、エラー通知は行わない。
【００７７】図９は、上記判断基準の第３変形例を用い
た場合のパターンデータ補正後のデータ比較部分の他の
実施例を示すブロック図である。同図中、図１と同一部
分には同一符号を付し、その説明は省略する。図９にお
いて、パターンデータ補正部１２５−１，１２５−２
は、同時に対応するショットデータ分解・発生部１２４
−１，１２４−２からの同じショットデータを受け取っ
て、系統の番号を夫々１及び２として時間をｔで表す
と、パターンデータＧ（１，ｔk-1 ），Ｇ（１，
ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・及びＧ（２，ｔk-1)，
Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・）に補正す
る。
た場合のパターンデータ補正後のデータ比較部分の他の
実施例を示すブロック図である。同図中、図１と同一部
分には同一符号を付し、その説明は省略する。図９にお
いて、パターンデータ補正部１２５−１，１２５−２
は、同時に対応するショットデータ分解・発生部１２４
−１，１２４−２からの同じショットデータを受け取っ
て、系統の番号を夫々１及び２として時間をｔで表す
と、パターンデータＧ（１，ｔk-1 ），Ｇ（１，
ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・及びＧ（２，ｔk-1)，
Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・）に補正す
る。
【００７８】電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、パ
ターンデータＧ（１，ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ
（１，ｔ k+1)，・・・とＧ（２，ｔk-1)，Ｇ（２，
ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・とは常に一致していな
ければならない。しかし、実際には、パターンデータＧ
（１，ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・
・とＧ（２，ｔk-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，
ｔk+1)，・・・は対応する電子ビームコラム１３０−
１，１３０−２の状態に応じて多少異なる。このため、
比較部２は、これらのパターンデータＧ（１，ｔk-1)，
Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ（２，ｔ
k- 1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・の誤差
が所定の範囲外であるとエラー信号をバス１２８を介し
てＣＰＵ１２１に供給する。
は、対応するウエハに同一パターンを露光するので、パ
ターンデータＧ（１，ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ
（１，ｔ k+1)，・・・とＧ（２，ｔk-1)，Ｇ（２，
ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・とは常に一致していな
ければならない。しかし、実際には、パターンデータＧ
（１，ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・
・とＧ（２，ｔk-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，
ｔk+1)，・・・は対応する電子ビームコラム１３０−
１，１３０−２の状態に応じて多少異なる。このため、
比較部２は、これらのパターンデータＧ（１，ｔk-1)，
Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ（２，ｔ
k- 1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・・の誤差
が所定の範囲外であるとエラー信号をバス１２８を介し
てＣＰＵ１２１に供給する。
【００７９】これにより、ＣＰＵ１２１は、比較部２か
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部２からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のパターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２以前の部分で、即ち、パターン補正部までの部分で
装置異常が発生したと判断してアラームを発行する。
又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部２から発生さ
れたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が
消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
らエラー信号を供給されないと、電子ビーム露光装置が
正常動作を行っていると判断する。他方、ＣＰＵ１２１
は、比較部２からエラー信号を供給されると、電子ビー
ム露光装置のパターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２以前の部分で、即ち、パターン補正部までの部分で
装置異常が発生したと判断してアラームを発行する。
又、ＣＰＵ１２１は、エラー信号が比較部２から発生さ
れたこと、エラー信号が発生された時刻、エラー信号が
消滅した時刻等をエラーログとして管理する。
【００８０】パターンデータ補正部１２５−１，１２５
−２では、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の
状態に依存した補正演算が行われるので、電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２の状態が厳密に同じになっ
ていない限り、これらのパターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２から出力されるパターンデータＧ（１，
ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ
（２，ｔk-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・
・はコラム状態に依存した誤差を有する。この誤差はゼ
ロではないが、両方の電子ビームコラム１３０−１，１
３０−２における偏向器やウエハ等の配置が機械的な精
度以内では一致しているので、パターンデータＧ（１，
ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ
（２，ｔ k-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・
・の誤差は補正量そのものよりは遥かに小さい。
−２では、電子ビームコラム１３０−１，１３０−２の
状態に依存した補正演算が行われるので、電子ビームコ
ラム１３０−１，１３０−２の状態が厳密に同じになっ
ていない限り、これらのパターンデータ補正部１２５−
１，１２５−２から出力されるパターンデータＧ（１，
ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ
（２，ｔk-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・
・はコラム状態に依存した誤差を有する。この誤差はゼ
ロではないが、両方の電子ビームコラム１３０−１，１
３０−２における偏向器やウエハ等の配置が機械的な精
度以内では一致しているので、パターンデータＧ（１，
ｔk-1)，Ｇ（１，ｔk ），Ｇ（１，ｔk+1)，・・・とＧ
（２，ｔ k-1)，Ｇ（２，ｔk ），Ｇ（２，ｔk+1)，・・
・の誤差は補正量そのものよりは遥かに小さい。
【００８１】比較部２は、算出部２−１及び通知部２−
２からなる。算出部２−１は、Ａをパラメータとする
と、１系統からのデータＧ（１，ｔk ）のショット毎の
ジャンピング量ΔＧ（１，ｔk ）＝Ｇ（１，ｔk+1)−Ｇ
（１，ｔk ）と、２系統からのデータＧ（２，ｔk ）シ
ョット毎のジャンピング量ΔＧ（２，ｔk ）＝Ｇ（２，
ｔk+1)−Ｇ（２，ｔk ）とから、大きい方のジャンピン
グ量ΔＧm ＝ｍａｘ（｜ΔＧ（１，ｔk ）｜，｜ΔＧ
（２，ｔk ）｜）を算出する。他方、通知部２−２は、
｜ΔＧ（１，ｔk ）−ΔＧ（２，ｔk ）｜≧Ａ・ΔＧm
なる関係が満足されるか、｜ΔＧ（１，ｔk ）−ΔＧ
（２，ｔk ）｜＜Ａ・ΔＧm なる関係が満足されるかを
判断する。通知部２−２は、前者の関係が満足される場
合には、ＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。
２からなる。算出部２−１は、Ａをパラメータとする
と、１系統からのデータＧ（１，ｔk ）のショット毎の
ジャンピング量ΔＧ（１，ｔk ）＝Ｇ（１，ｔk+1)−Ｇ
（１，ｔk ）と、２系統からのデータＧ（２，ｔk ）シ
ョット毎のジャンピング量ΔＧ（２，ｔk ）＝Ｇ（２，
ｔk+1)−Ｇ（２，ｔk ）とから、大きい方のジャンピン
グ量ΔＧm ＝ｍａｘ（｜ΔＧ（１，ｔk ）｜，｜ΔＧ
（２，ｔk ）｜）を算出する。他方、通知部２−２は、
｜ΔＧ（１，ｔk ）−ΔＧ（２，ｔk ）｜≧Ａ・ΔＧm
なる関係が満足されるか、｜ΔＧ（１，ｔk ）−ΔＧ
（２，ｔk ）｜＜Ａ・ΔＧm なる関係が満足されるかを
判断する。通知部２−２は、前者の関係が満足される場
合には、ＣＰＵ１２１にエラー通知を行う。
【００８２】上記の如く、２以上の露光系統を設けて、
電子ビーム露光装置の各部分でのディジタルデータ、電
流値や反射電子強度等を露光系統間で比較することによ
り、装置異常の検出及び装置異常発生箇所の特定を、電
子ビーム露光装置の稼働中に露光動作に影響を与えずに
行うことができるので、障害解析が容易である。従っ
て、電子ビーム露光装置の稼働中に行う装置異常の検出
及び装置異常発生箇所の特定により、露光スループット
が低下することはない。又、Ｎを正の整数とすると、Ｎ
個の露光系統を設けることにより、露光スループットが
１露光系統の場合のＮ倍となる。
電子ビーム露光装置の各部分でのディジタルデータ、電
流値や反射電子強度等を露光系統間で比較することによ
り、装置異常の検出及び装置異常発生箇所の特定を、電
子ビーム露光装置の稼働中に露光動作に影響を与えずに
行うことができるので、障害解析が容易である。従っ
て、電子ビーム露光装置の稼働中に行う装置異常の検出
及び装置異常発生箇所の特定により、露光スループット
が低下することはない。又、Ｎを正の整数とすると、Ｎ
個の露光系統を設けることにより、露光スループットが
１露光系統の場合のＮ倍となる。
【００８３】ところで、上記各実施例では、説明の便宜
上、単一のウエハステージ上にウエハが搭載されるもの
として説明したが、各電子ビームコラムに対して、つま
り、各ウエハに対して、１つのウエハステージ及び１つ
のステージ駆動部を設ける構成としても良い。
上、単一のウエハステージ上にウエハが搭載されるもの
として説明したが、各電子ビームコラムに対して、つま
り、各ウエハに対して、１つのウエハステージ及び１つ
のステージ駆動部を設ける構成としても良い。
【００８４】しかし、複数系統のウエハステージが一斉
に駆動されると、ウエハステージの移動軌跡の各折り返
し点で、ウエハステージの加速度運動による衝撃で電子
ビームコラムが揺れる現象が起こり得る。又、ウエハス
テージは、露光するパターンの粗密に応じて加速及び減
速されるので、この加速及び減速の際にも電子ビームコ
ラムが衝撃を受けて揺れる可能性がある。更に、ウエハ
ステージの移動に伴い、電子ビームコラムの重心が移動
してしまうため、重心の移動による電子ビームコラムの
揺れも起こり得る。この様に電子ビームコラムの揺れが
発生すると、電子ビームのウエハ上の照射位置が安定し
ないので、露光されるパターンの精度が劣化してしまう
可能性がある。
に駆動されると、ウエハステージの移動軌跡の各折り返
し点で、ウエハステージの加速度運動による衝撃で電子
ビームコラムが揺れる現象が起こり得る。又、ウエハス
テージは、露光するパターンの粗密に応じて加速及び減
速されるので、この加速及び減速の際にも電子ビームコ
ラムが衝撃を受けて揺れる可能性がある。更に、ウエハ
ステージの移動に伴い、電子ビームコラムの重心が移動
してしまうため、重心の移動による電子ビームコラムの
揺れも起こり得る。この様に電子ビームコラムの揺れが
発生すると、電子ビームのウエハ上の照射位置が安定し
ないので、露光されるパターンの精度が劣化してしまう
可能性がある。
【００８５】そこで、電子ビームコラムの揺れを確実に
防止し得る実施例について以下に説明する。図１０は、
本発明になる荷電粒子ビーム露光装置の第３実施例の要
部を示す平面図である。本実施例では、本発明が電子ビ
ーム露光に適用されており、本発明になる荷電粒子ビー
ム露光方法の第３実施例を用いる。
防止し得る実施例について以下に説明する。図１０は、
本発明になる荷電粒子ビーム露光装置の第３実施例の要
部を示す平面図である。本実施例では、本発明が電子ビ
ーム露光に適用されており、本発明になる荷電粒子ビー
ム露光方法の第３実施例を用いる。
【００８６】図１０において、ウエハステージ４１−１
にはウエハ１１０−１が搭載されており、Ｘ軸駆動部４
２−１Ｘ及びＹ軸駆動部４２−１ＹによりＸＹ軸方向に
移動される。又、ウエハステージ４１−２にはウエハ１
１０−２が搭載されており、Ｘ軸駆動部４２−２Ｘ及び
Ｙ軸駆動部４２−２ＹによりＸＹ軸方向に移動される。
ウエハオートローダ４５は、ウエハ搬送器４４により搬
送されてくるウエハをウエハステージ４１−１，４１−
２上に自動的に搭載する。ウエハオートローダ４５及び
ウエハ搬送器４４には、周知の手段を用い得る。ウエハ
ステージ４１−１，４１−２は、夫々例えば上記第１実
施例における電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
の一部である。尚、同図中、黒丸印は各電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２の中心軸を示す。
にはウエハ１１０−１が搭載されており、Ｘ軸駆動部４
２−１Ｘ及びＹ軸駆動部４２−１ＹによりＸＹ軸方向に
移動される。又、ウエハステージ４１−２にはウエハ１
１０−２が搭載されており、Ｘ軸駆動部４２−２Ｘ及び
Ｙ軸駆動部４２−２ＹによりＸＹ軸方向に移動される。
ウエハオートローダ４５は、ウエハ搬送器４４により搬
送されてくるウエハをウエハステージ４１−１，４１−
２上に自動的に搭載する。ウエハオートローダ４５及び
ウエハ搬送器４４には、周知の手段を用い得る。ウエハ
ステージ４１−１，４１−２は、夫々例えば上記第１実
施例における電子ビームコラム１３０−１，１３０−２
の一部である。尚、同図中、黒丸印は各電子ビームコラ
ム１３０−１，１３０−２の中心軸を示す。
【００８７】本実施例では、ウエハ１１０−１，１１０
−２上に同一パターンが露光される。しかし、電子ビー
ムのウエハ１１０−１，１１０−２上の走査軌跡及びウ
エハステージ４１−１，４１−２の移動軌跡は、図９に
示すように、「ｘ」印で示す点を基準にして点対称とな
るように、ウエハステージ４１−１，４１−２、Ｘ軸駆
動部４２−１Ｘ，４２−２Ｘ、Ｙ軸駆動部４２−１Ｙ，
４２−２Ｙ及びウエハ１１０−１，１１０−２が配置さ
れている。
−２上に同一パターンが露光される。しかし、電子ビー
ムのウエハ１１０−１，１１０−２上の走査軌跡及びウ
エハステージ４１−１，４１−２の移動軌跡は、図９に
示すように、「ｘ」印で示す点を基準にして点対称とな
るように、ウエハステージ４１−１，４１−２、Ｘ軸駆
動部４２−１Ｘ，４２−２Ｘ、Ｙ軸駆動部４２−１Ｙ，
４２−２Ｙ及びウエハ１１０−１，１１０−２が配置さ
れている。
【００８８】これにより、各ウエハステージ４１−１，
４１−２は、互いにカウンタバランスと取りながら移動
するので、ウエハステージ４１−１，４１−２の移動軌
跡の各折り返し点でのウエハステージ４１−１，４１−
２の加速度運動による電子ビームコラム１３０−１，１
３０−２への衝撃は互いに打ち消される。又、ウエハス
テージ４１−１，４１−２が露光するパターンの粗密に
応じて加速及び減速されても、この加速及び減速の際に
も電子ビームコラム１３０−１，１３０−２への衝撃が
互いに打ち消される。更に、ウエハステージ４１−１，
４１−２が移動しても、電子ビームコラム１３０−１，
１３０−２からなる装置全体の重心は移動しない。従っ
て、本実施例では、電子ビームコラム１３０−１，１３
０−２の揺れが確実に防止できるので、電子ビームのウ
エハ１１０−１，１１０−２上の照射位置が安定しない
ために露光されるパターンの精度が劣化してしまうとい
った不都合を生じることもない。
４１−２は、互いにカウンタバランスと取りながら移動
するので、ウエハステージ４１−１，４１−２の移動軌
跡の各折り返し点でのウエハステージ４１−１，４１−
２の加速度運動による電子ビームコラム１３０−１，１
３０−２への衝撃は互いに打ち消される。又、ウエハス
テージ４１−１，４１−２が露光するパターンの粗密に
応じて加速及び減速されても、この加速及び減速の際に
も電子ビームコラム１３０−１，１３０−２への衝撃が
互いに打ち消される。更に、ウエハステージ４１−１，
４１−２が移動しても、電子ビームコラム１３０−１，
１３０−２からなる装置全体の重心は移動しない。従っ
て、本実施例では、電子ビームコラム１３０−１，１３
０−２の揺れが確実に防止できるので、電子ビームのウ
エハ１１０−１，１１０−２上の照射位置が安定しない
ために露光されるパターンの精度が劣化してしまうとい
った不都合を生じることもない。
【００８９】図１１は、ウエハステージ４１−１，４１
−２の移動軌跡Ｉ，ＩＩを示す図である。同図中、縦軸
はＹ軸方向の変位を示し、横軸は時間を示す。この図か
らも明らかな如く、ウエハステージ４１−１，４１−２
は互いに対称的な動きをするので、上記カウンタバラン
スが保たれる。
−２の移動軌跡Ｉ，ＩＩを示す図である。同図中、縦軸
はＹ軸方向の変位を示し、横軸は時間を示す。この図か
らも明らかな如く、ウエハステージ４１−１，４１−２
は互いに対称的な動きをするので、上記カウンタバラン
スが保たれる。
【００９０】尚、ウエハステージの数は２に限定される
ものではなく、基本的には複数の電子ビームコラムから
なる装置の重心が各ウエハステージの移動によっても移
動しない構成であれば、２以上のウエハステージを設け
ても良い。各部の配置の容易さ等を考慮すると、ウエハ
ステージの数は、Ｍを正の整数とすると好ましくは２Ｍ
である。
ものではなく、基本的には複数の電子ビームコラムから
なる装置の重心が各ウエハステージの移動によっても移
動しない構成であれば、２以上のウエハステージを設け
ても良い。各部の配置の容易さ等を考慮すると、ウエハ
ステージの数は、Ｍを正の整数とすると好ましくは２Ｍ
である。
【００９１】図１２及び図１３は、夫々ウエハステージ
を４つ設けた場合のウエハステージの配置及び移動軌跡
を模式的に示す図である。図１２の場合、上の２つのウ
エハステージ４１−１，４１−２が互いにカウンタバラ
ンスを取りながら移動し、下の２つのウエハステージ４
１−３，４１−４が互いにカウンタバランスを取りなが
ら移動する。しかし、対角線上の２つのウエハステージ
４１−１，４１−４が互いにカウンタバランスを取りな
がら移動し、もう一方の対角線上の２つのウエハステー
ジ４１−２，４１−３が互いにカウンタバランスを取り
ながら移動するようにしても良い。
を４つ設けた場合のウエハステージの配置及び移動軌跡
を模式的に示す図である。図１２の場合、上の２つのウ
エハステージ４１−１，４１−２が互いにカウンタバラ
ンスを取りながら移動し、下の２つのウエハステージ４
１−３，４１−４が互いにカウンタバランスを取りなが
ら移動する。しかし、対角線上の２つのウエハステージ
４１−１，４１−４が互いにカウンタバランスを取りな
がら移動し、もう一方の対角線上の２つのウエハステー
ジ４１−２，４１−３が互いにカウンタバランスを取り
ながら移動するようにしても良い。
【００９２】図１３の場合、両端の２つのウエハステー
ジ４１−１，４１−２が互いにカウンタバランスを取り
ながら移動し、中程の２つのウエハステージ４１−３，
４１−４が互いにカウンタバランスを取りながら移動す
る。しかし、左側の２つのウエハステージ４１−１，４
１−３が互いにカウンタバランスを取りながら移動し、
右側の２つのウエハステージ４１−２，４１−４が互い
にカウンタバランスを取りながら移動するようにしても
良い。
ジ４１−１，４１−２が互いにカウンタバランスを取り
ながら移動し、中程の２つのウエハステージ４１−３，
４１−４が互いにカウンタバランスを取りながら移動す
る。しかし、左側の２つのウエハステージ４１−１，４
１−３が互いにカウンタバランスを取りながら移動し、
右側の２つのウエハステージ４１−２，４１−４が互い
にカウンタバランスを取りながら移動するようにしても
良い。
【００９３】尚、上記各実施例では電子ビーム露光を例
に取って説明したが、本発明は荷電粒子ビーム露光であ
れば適用可能であることは言うまでもない。以上、本発
明を実施例により説明したが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変
形及び改良が可能であることは言うまでもない。
に取って説明したが、本発明は荷電粒子ビーム露光であ
れば適用可能であることは言うまでもない。以上、本発
明を実施例により説明したが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変
形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００９４】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、装置異常
の発生を、露光された被露光物を検査することなく、荷
電粒子ビーム露光装置の稼働中に確実に検出することが
でき、荷電粒子ビーム露光装置の信頼性が向上されると
共に、複数の露光系統が設けられることにより露光のス
ループットも露光系統の数だけ向上される。
の発生を、露光された被露光物を検査することなく、荷
電粒子ビーム露光装置の稼働中に確実に検出することが
でき、荷電粒子ビーム露光装置の信頼性が向上されると
共に、複数の露光系統が設けられることにより露光のス
ループットも露光系統の数だけ向上される。
【００９５】請求項２記載の発明によれば、装置異常が
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等を上位装置で管理できるので、装置
異常の特定及び修理が簡単である。請求項３記載の発明
によれば、各露光系統の各部での装置異常を確実に検出
することができる。
発生している箇所、装置異常の状態及び装置異常が検出
された系統の番号等を上位装置で管理できるので、装置
異常の特定及び修理が簡単である。請求項３記載の発明
によれば、各露光系統の各部での装置異常を確実に検出
することができる。
【００９６】請求項４〜９記載の発明によれば、各露光
系統間の特性のバラツキを考慮して装置異常を検出する
ことができる。請求項１０記載の発明によれば、装置異
常のログに基づいて、どの露光系統で露光されたどの被
露光物を検査する必要があるかを正確に特定することが
できる。
系統間の特性のバラツキを考慮して装置異常を検出する
ことができる。請求項１０記載の発明によれば、装置異
常のログに基づいて、どの露光系統で露光されたどの被
露光物を検査する必要があるかを正確に特定することが
できる。
【００９７】請求項１１記載の発明によれば、各ステー
ジは、互いにカウンタバランスと取りながら移動するの
で、ステージの移動軌跡の各折り返し点でのステージの
加速度運動によるコラム手段への衝撃は互いに打ち消さ
れ、ステージが露光するパターンの粗密に応じて加速及
び減速されても、この加速及び減速の際にもコラム手段
への衝撃が互いに打ち消される。更に、ステージが移動
しても、複数コラム手段からなる装置全体の重心は移動
しない。この結果、コラム手段の揺れが確実に防止で
き、荷電粒子ビームの被露光物上の照射位置が安定しな
いために露光されるパターンの精度が劣化してしまうと
いった不都合を生じることもない。
ジは、互いにカウンタバランスと取りながら移動するの
で、ステージの移動軌跡の各折り返し点でのステージの
加速度運動によるコラム手段への衝撃は互いに打ち消さ
れ、ステージが露光するパターンの粗密に応じて加速及
び減速されても、この加速及び減速の際にもコラム手段
への衝撃が互いに打ち消される。更に、ステージが移動
しても、複数コラム手段からなる装置全体の重心は移動
しない。この結果、コラム手段の揺れが確実に防止で
き、荷電粒子ビームの被露光物上の照射位置が安定しな
いために露光されるパターンの精度が劣化してしまうと
いった不都合を生じることもない。
【００９８】従って、本発明によれば、装置異常の発生
が荷電粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できる
と共に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原
因を早く特定できるので、実用的には極めて有用であ
る。
が荷電粒子ビーム露光装置の稼働時に確実に検出できる
と共に、たとえ頻度の少ない装置異常であってもその原
因を早く特定できるので、実用的には極めて有用であ
る。
【図１】本発明になる荷電粒子ビーム露光装置の第１実
施例の要部を示すブロック図である。
施例の要部を示すブロック図である。
【図２】パターン発生後のデータ比較部分の一実施例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図３】パターンデータ補正後のデータ比較部分の一実
施例を示すブロック図である。
施例を示すブロック図である。
【図４】電子ビームコラム部分のデータ比較部分の一実
施例をより詳細に示すブロック図である。
施例をより詳細に示すブロック図である。
【図５】電子ビームコラムの一実施例を示す図である。
【図６】本発明になる荷電粒子ビーム露光装置の第２実
施例の要部を示すブロック図である。
施例の要部を示すブロック図である。
【図７】異常判別ユニットの動作を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図８】ＣＰＵの動作の一実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図９】パターンデータ補正後のデータ比較部分の他の
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
【図１０】本発明になる荷電粒子ビーム露光装置の第３
実施例の要部を示す平面図である。
実施例の要部を示す平面図である。
【図１１】ウエハステージの移動軌跡を示す図である。
【図１２】ウエハステージを４つ設けた場合のウエハス
テージの配置及び移動軌跡を模式的に示す図である。
テージの配置及び移動軌跡を模式的に示す図である。
【図１３】ウエハステージを４つ設けた場合のウエハス
テージの配置及び移動軌跡を模式的に示す図である。
テージの配置及び移動軌跡を模式的に示す図である。
【図１４】ブロック露光を用いる従来の電子ビーム露光
装置の一例を示す図である。
装置の一例を示す図である。
【図１５】メモリ用のブロックマスクの一例を示す図で
ある。
ある。
１〜３ 比較部 １１−１，１１−２ ＩＶ変換器 ２１ 異常判別ユニット ４１−１〜４１−４ ウエハステージ ４２−１Ｘ，４２−２Ｘ Ｘ軸駆動部 ４２−１Ｙ，４２−２Ｙ Ｙ軸駆動部 ４４ ウエハ搬送器 ４５ ウエハオートローダ １２１ ＣＰＵ １２３ バッファメモリ １２４−１〜１２４−３ ショットデータ分解・発
生部 １２５−１〜１２５−３ パターンデータ補正部 １３０−１〜１３０−３ 電子ビームコラム
生部 １２５−１〜１２５−３ パターンデータ補正部 １３０−１〜１３０−３ 電子ビームコラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 和司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 徹 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 高畑 公二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (22)
- 【請求項１】 各々が露光するべきパターンに関するデ
ータを発生するパターン発生手段と、該パターン発生手
段からのデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向してス
テージ上の被露光物にパターンを露光するコラム手段と
を有し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の露
光系統を備えた荷電粒子ビーム露光装置において、 該複数の露光系統の対応する部分から得られるデータに
基づいて装置異常を露光動作中に検出するステップを備
えた、荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項２】 前記複数の露光系統の対応する部分から
得られるデータに基づいて装置異常が発生している箇
所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番
号等をエラー情報として上位装置に通知するステップを
更に備えた、請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項３】 前記複数の露光系統の対応する部分から
得られるデータは、各露光系統のパターン発生手段にお
いて発生されたパターンデータ、各露光系統の該パター
ン発生手段のパターン補正手段においてパターンデータ
を補正して得たデータ、各露光系統の前記コラム手段内
の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ及び各露
光系統の該コラム手段内のウエハステージ部での反射荷
電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少なくとも１
つのデータである、請求項１又は２記載の荷電粒子ビー
ム露光方法。 - 【請求項４】 前記装置異常を検出するステップは、前
記複数の露光系統の対応する部分から得られるデータの
うち少なくとも２つの露光系統から得られるデータが不
一致であるか、或は、誤差が許容範囲外であると装置異
常を検出する、請求項１〜３のうちいずれか１項記載の
荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項５】 前記装置異常を検出するステップは、あ
るしきい値ｇを決めておき、時間をｔとして２つの露光
系統のパターン発生手段において発生されたパターンデ
ータを補正して得たデータをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，
ｔ）で示し、コラム手段の状態の違いを考慮するための
パラメータをＰ，Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）
−Ｑ・Ｇ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，
ｔ）−ＱＧ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前
記通知するステップは、前者の場合はエラー信号を発生
せず、後者の場合にエラー信号を発生して前記上位装置
に装置異常を通知する、請求項２記載の荷電粒子ビーム
露光方法。 - 【請求項６】 前記装置異常を検出するステップは、あ
る範囲δを決めておき、時間をｔとして２つの露光系統
のコラム手段内の絞りアパーチャ部での電流値に関する
データ又はウエハステージ部での反射荷電粒子ビーム強
度に関するデータをＩ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示
し、コラム手段間の電流密度差を考慮するためのパラメ
ータをＲ，Ｓとすると、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ
（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦δであるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ
・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜＞δであるかを検出し、前記通知
するステップは、前者の場合はエラー信号を発生せず、
後者の場合にエラー信号を発生して前記上位装置に装置
異常を通知する、請求項２記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項７】 前記装置異常を検出するステップは、Ｐ
ｄ，Ｑｄ，Ｏｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊ
を用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤ
ｊ｜−｜Ｏｄ｜｜と該評価値δｄとを比較し、前記通知
するステップは、該絶対値が該評価値δｄより大きいと
きに前記上位装置にエラー通知を行う、請求項２記載の
荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項８】 前記装置異常を検出するステップは、Ｐ
ｄ，Ｑｄ，Ｒｄをパラメータ、δｄを評価値とすると、
ｉ系統からのデータＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤ
ｉの１クロック周期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統から
のデータＤＤｊを用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤ
ｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値
δｄとを比較し、前記通知するステップは、該絶対値が
該評価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー通
知を行う、請求項２記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項９】 前記装置異常を検出するステップは、Ａ
をパラメータとすると、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷
電粒子ビームのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝
ＤＤｉ（ｎｅｗ）−ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からの
データＤＤｊのショット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝
ＤＤｊ（ｎｅｗ）−ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング
量の大きい方ΔＤＤｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤ
Ｄｊ｜）とを用いて、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・Δ
ＤＤｍが満足されるか否かを判断し、前記通知するステ
ップは、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足
されるときに前記上位装置にエラー通知を行う、請求項
２記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項１０】 前記エラー情報には装置異常が発生し
た時間も含まれ、前記エラー通知に基づいて装置異常の
ログを格納するステップを更に備えた、請求項１〜９の
うちいずれか１項記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項１１】 前記複数の露光系統の前記コラム手段
は、夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載され
ており、 該ステージを互いにカウンタバランスを取るように移動
するステップを更に備えた、請求項１〜１０のうちいず
れか１項記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項１２】 各々が露光するべきパターンに関する
データを発生するパターン発生手段と、該パターン発生
手段からのデータに基づいて荷電粒子ビームを偏向して
ステージ上の被露光物にパターンを露光するコラム手段
とを有し、夫々が同時に同一パターンを露光する複数の
露光系統と、 該複数の露光系統の対応する部分から得られるデータに
基づいて装置異常を検出する検出手段とを備えた、荷電
粒子ビーム露光装置。 - 【請求項１３】 前記複数の露光系統の対応する部分か
ら得られるデータに基づいて装置異常が発生している箇
所、装置異常の状態及び装置異常が検出された系統の番
号等をエラー情報として上位装置に通知する通知手段を
更に備えた、請求項１２記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項１４】 前記複数の露光系統の対応する部分か
ら得られるデータは、各露光系統のパターン発生手段に
おいて発生されたパターンデータ、各露光系統の該パタ
ーン発生手段のパターン補正手段においてパターンデー
タを補正して得たデータ、各露光系統の前記コラム手段
内の絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ及び各
露光系統の該コラム手段内のウエハステージ部での反射
荷電粒子ビーム強度に関するデータのうち、少なくとも
１つのデータである、請求項１２又は１３記載の荷電粒
子ビーム露光装置。 - 【請求項１５】 前記検出手段は、前記複数の露光系統
の対応する部分から得られるデータのうち少なくとも２
つの露光系統から得られるデータが不一致であるか、或
は、誤差が許容範囲外であると装置異常を検出する、請
求項１２〜１４のうちいずれか１項記載の荷電粒子ビー
ム露光装置。 - 【請求項１６】 前記検出手段は、あるしきい値ｇを決
めておき、時間をｔとして２つの露光系統のパターン発
生手段において発生されたパターンデータを補正して得
たデータをＧ（ｉ，ｔ），Ｇ（ｊ，ｔ）で示し、コラム
手段の状態の違いを考慮するためのパラメータをＰ，
Ｑ，Ｏとすると、｜Ｐ・Ｇ（ｉ，ｔ）−Ｑ・Ｇ（ｊ，
ｔ）−Ｏ｜≦ｇであるか｜ＰＧ（ｉ，ｔ）−ＱＧ（ｊ，
ｔ）−Ｏ｜＞ｇであるかを検出し、前記通知手段は、前
者の場合はエラー信号を発生せず、後者の場合にエラー
信号を発生して前記上位装置に装置異常を通知する、請
求項１３記載の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項１７】 前記検出手段は、ある範囲δを決めて
おき、時間をｔとして２つの露光系統のコラム手段内の
絞りアパーチャ部での電流値に関するデータ又はウエハ
ステージ部での反射荷電粒子ビーム強度に関するデータ
をＩ（ｉ，ｔ），Ｉ（ｊ，ｔ）で示し、コラム手段間の
電流密度差を考慮するためのパラメータをＲ，Ｓとする
と、｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜≦δ
であるか｜Ｒ・Ｉ（ｉ，ｔ）−Ｓ・Ｉ（ｊ，ｔ）−Ｏ｜
＞δであるかを検出し、前記通知手段は、前者の場合は
エラー信号を発生せず、後者の場合にエラー信号を発生
して前記上位装置に装置異常を通知する、請求項１３記
載の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項１８】 前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｏｄを
パラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデー
タＤＤｉとｊ系統からのデータＤＤｊを用いて、絶対値
である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ｜−｜Ｏｄ｜｜
と該評価値δｄとを比較し、前記通知手段は、該絶対値
が該評価値δｄより大きいときに前記上位装置にエラー
通知を行う、請求項１３記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項１９】 前記検出手段は、Ｐｄ，Ｑｄ，Ｒｄを
パラメータ、δｄを評価値とすると、ｉ系統からのデー
タＤＤｉと、ｉ系統からのデータＤＤｉの１クロック周
期間の変化量をδＤＤｉ、ｊ系統からのデータＤＤｊを
用いて、絶対値である｜｜Ｐｄ・ＤＤｉ−Ｑｄ・ＤＤｊ
｜−｜Ｒｄ・δＤＤｉ｜｜と該評価値δｄとを比較し、
前記通知手段は、該絶対値が該評価値δｄより大きいと
きに前記上位装置にエラー通知を行う、請求項１３記載
の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項２０】 前記検出手段は、Ａをパラメータとす
ると、ｉ系統からのデータＤＤｉの荷電粒子ビームのシ
ョット毎のジャンピング量ΔＤＤｉ＝ＤＤｉ（ｎｅｗ）
−ＤＤｉ（ｏｌｄ）と、ｊ系統からのデータＤＤｊのシ
ョット毎のジャンピング量ΔＤＤｊ＝ＤＤｊ（ｎｅｗ）
−ＤＤｊ（ｏｌｄ）と、ジャンピング量の大きい方ΔＤ
Ｄｍ＝ｍａｘ（｜ΔＤＤｉ｜，｜ΔＤＤｊ｜）とを用い
て、｜ΔＤＤｉ−ΔＤＤｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足され
るか否かを判断し、前記通知手段は、｜ΔＤＤｉ−ΔＤ
Ｄｊ｜≧Ａ・ΔＤＤｍが満足されるときに前記上位装置
にエラー通知を行う、請求項１３記載の荷電粒子ビーム
露光装置。 - 【請求項２１】 前記エラー情報には装置異常が発生し
た時間も含まれ、前記エラー通知に基づいて装置異常の
ログを格納する格納手段を更に備えた、請求項１２〜２
０のうちいずれか１項記載の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項２２】 前記複数の露光系統の前記コラム手段
は、夫々独立したステージ上に前記被露光物を搭載され
ており、 該ステージを互いにカウンタバランスを取るように移動
する移動手段を更に備えた、請求項１２〜２１のうちい
ずれか１項記載の荷電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08144895A JP3400601B2 (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
| TW085101686A TW353161B (en) | 1995-04-06 | 1996-02-10 | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| US08/602,350 US5895924A (en) | 1995-04-06 | 1996-02-16 | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| EP96102447A EP0736893A3 (en) | 1995-04-06 | 1996-02-19 | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| KR1019960005847A KR0175130B1 (ko) | 1995-04-06 | 1996-03-06 | 하전입자빔 노광방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08144895A JP3400601B2 (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279450A true JPH08279450A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3400601B2 JP3400601B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=13746689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08144895A Expired - Lifetime JP3400601B2 (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5895924A (ja) |
| EP (1) | EP0736893A3 (ja) |
| JP (1) | JP3400601B2 (ja) |
| KR (1) | KR0175130B1 (ja) |
| TW (1) | TW353161B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367892A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| US7041512B2 (en) | 2001-06-07 | 2006-05-09 | Advantest Corp. | Electron beam exposure apparatus, electron beam exposing method, semiconductor element manufacturing method, and pattern error detection method |
| JP2014532298A (ja) * | 2011-09-06 | 2014-12-04 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 反射電子ビームリソグラフィ用リニアステージ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274877B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
| JPH11329928A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
| JP2000021731A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| JP3982913B2 (ja) | 1998-07-17 | 2007-09-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US6703623B1 (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-09 | Leepl Corporation | Electron beam proximity exposure apparatus |
| DE10106424B4 (de) * | 2001-02-12 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Überwachen der Herstellung integrierter Schaltkreise abhängig von Korrekturwerten einer Belichtungsanlage sowie zugehörige Komponenten |
| US10031427B2 (en) * | 2015-09-30 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for vibration damping stage |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4142132A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-27 | Control Data Corporation | Method and means for dynamic correction of electrostatic deflector for electron beam tube |
| US4467211A (en) * | 1981-04-16 | 1984-08-21 | Control Data Corporation | Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system |
| US4390789A (en) * | 1981-05-21 | 1983-06-28 | Control Data Corporation | Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation |
| US4694178A (en) * | 1985-06-28 | 1987-09-15 | Control Data Corporation | Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation |
| JPS6298724A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS6420619A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Electron beam aligner |
| US5173582A (en) * | 1988-10-31 | 1992-12-22 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and method |
| JP2997524B2 (ja) * | 1990-09-20 | 2000-01-11 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5194741A (en) * | 1991-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP08144895A patent/JP3400601B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-10 TW TW085101686A patent/TW353161B/zh active
- 1996-02-16 US US08/602,350 patent/US5895924A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-19 EP EP96102447A patent/EP0736893A3/en not_active Withdrawn
- 1996-03-06 KR KR1019960005847A patent/KR0175130B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367892A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| US7041512B2 (en) | 2001-06-07 | 2006-05-09 | Advantest Corp. | Electron beam exposure apparatus, electron beam exposing method, semiconductor element manufacturing method, and pattern error detection method |
| JP2014532298A (ja) * | 2011-09-06 | 2014-12-04 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 反射電子ビームリソグラフィ用リニアステージ |
| US9690213B2 (en) | 2011-09-06 | 2017-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Linear Stage for reflective electron beam lithography |
| JP2018046285A (ja) * | 2011-09-06 | 2018-03-22 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 反射電子ビームリソグラフィ用リニアステージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0736893A3 (en) | 1999-07-21 |
| TW353161B (en) | 1999-02-21 |
| EP0736893A2 (en) | 1996-10-09 |
| KR960038496A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0175130B1 (ko) | 1999-03-20 |
| JP3400601B2 (ja) | 2003-04-28 |
| US5895924A (en) | 1999-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6573516B2 (en) | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system | |
| JP3400601B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| US5105092A (en) | Inspecting apparatus having a detection sensitivity controller means | |
| JPH065500A (ja) | 露光方法、およびそれに用いるパターンデータ作成システム、パターンデータ作成方法およびマスク、ならびに露光装置 | |
| JP2009272366A (ja) | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 | |
| JPH0888160A (ja) | マスク並びにこれを用いる荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| KR20000076936A (ko) | 전자 빔 리소그라피 방법 및 그 제조장치 | |
| US8427919B2 (en) | Pattern writing system and method and abnormality diagnosing method | |
| US9536705B2 (en) | Method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus | |
| JPH10229035A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 | |
| JPS6234134B2 (ja) | ||
| JP5918478B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2006324569A (ja) | 電子ビーム電流計測方法及びそれを用いた電子ビーム応用装置 | |
| JP2021086658A (ja) | 電子ビーム照射装置、描画装置及び検査装置 | |
| JP4459524B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法 | |
| JP3325695B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2014038945A (ja) | ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP2019054050A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及びブランキング回路の故障診断方法 | |
| JP2014041862A (ja) | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JPH09197653A (ja) | 荷電粒子ビーム露光に於けるマスクパターン検査方法及び荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2022153968A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP5586418B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP5525352B2 (ja) | 偏向アンプの評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP3032222B2 (ja) | シンクロトロン放射光発生装置 | |
| JP2000294484A (ja) | 半導体露光方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030204 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140221 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |