JP5586418B2 - 荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
[実施例1]
図1は本発明の一実施例を示す構成図である。図7にて使用した記号と同一記号の付されたものは、同一構成要素を示す。実施例1は、図7に示す構成に、アライナー(光軸合わせ用の偏向器又はビーム位置調整手段)29及び30、アライナー駆動アンプ31及びモニター32を追加したものである。
I(xm,yj)(1≦i≦m、1≦j≦n)を測定する。ここで、図形8と図形12は光学的に共役の関係にあるから、xi及びyjは図形8の寸法としても、また投影図形12の寸法としても、以降の処理に支障はない。但し、x0=y0=0とし、xm及びynは、図形8又は投影図形12のX及びY方向の最大寸法とする。
Jx(xi)=[I(xi,yn)−I(xi-1,yn)]/{(xi−xi-1)・yn}を求める。これを異なるxi毎に求める。同様の処理を、投影図形12の寸法をy方向に変化させて、Jy(yj)を求める。
[実施例2]
実施例2では図1の構成がそのまま用いられる。但し、アライナー29及び30のX方向用偏向器及びY方向用偏向器の向きが実施例1のそれと異なり、第1の成形開口板3における電子ビーム1の偏向方向が、同開口板のX及びY方向に一致しない。
−Lxk及び−Lykに置き換え、更に∂Lxk/∂syk、∂Lxk/∂syk、∂Lyk/∂sxk、∂Lyk/∂sykを、∂Lxk-1/∂sxk-1、∂Lxk-1/∂syk-1、∂Lyk-1/sxk-1、
∂Lyk-1/∂syk-1に置き換えると、(4)式は
[実施例3]
実施例1,2と基本的な動作は同じで、処理S4の直線・曲線成分値算出工程において、前記実施例1と異なる手法で処理S3の電流密度分布関数作成工程で作成された電流密度分布関数から直線成分値と曲線成分値を求めることもできる。即ち、Jxa(x)及び
Jya(y)の変数x及びyをそれぞれx’+(xm/2)及びy’+(yn/2)に変換し、
Kxa(x’)=Jxa(x’+(xm/2))=a0+a1x’+a2x’2+…
及び
Kya(y’)=Jya(y’+(yn/2))=b0+b1y’+b2y’2+…
を求める。そして、Kxa(x’)及びKya(y’)の、x’及びy’の1次項の係数即ちa1及びb1を直線成分値Lx及びLyとする。更に、Kxa(x’)及びKya(y’)の、x’及びy’の2次項の係数即ちa2及びb2を曲線成分値Cx及びCyとする。或いは、上記Kxa(x’)及び
Kya(y’)を求める代わりに、処理S3の時点でx=xm/2及びy=yn/2の位置をそれぞれx及びyの原点に改め、近似関数Jxa(x)及びJya(y)を定義してもよい。
[実施例4]
上述の実施例では、粒子線として電子ビームを用いた場合を例にとったが、本発明はこれに限るものではなく、電子ビームの代わりにイオンビームを用いることができる。例えばアルゴンを用いたイオンビーム等を用いることができる。
・第2の成形開口板の開口を通過する荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布(図形8の電流密度分布)を求める。そして、その直線成分(傾斜成分)が除去されるように、第1の成形開口板の開口に対する荷電粒子ビームの位置を調節する。
・被描画材料に投影される図形(投影図形12)の電流密度均一性を向上させることができるようになった。これにより、レジストパターンの線幅線形性が向上する。
・装置使用者又は管理者は、荷電粒子ビーム描画装置に関する特別な知識を持たなくても、線幅線形性を向上させ、これを維持することができる。
・前記電流密度分布の直線成分を求める際に、曲線成分も求めるようにした。曲線成分の大きさが許容範囲を超える場合、荷電粒子ビーム源を調整し直したり、交換したりする必要があることを伝えるメッセージを出力するようにした。
2 第1のレンズ
3 第1の成形開口板
4 第1の光源の光源
5 像
6 第2のレンズ
7 第2の成形開口板
9 縮小レンズ
10 対物レンズ
11 材料
12 投影図形
13 演算・制御装置
14 記憶装置
15 成形偏向器
16 成形偏向器駆動アンプ
17 対物偏向器
18 材料ステージ
19 対物偏向器駆動アンプ
20 ステージ駆動装置
21 ブランカー
22 ブランカー
23 ブランカー駆動アンプ
24 第2の光源の像
25 ブランキング開口板
26 偏向支点
27 電流検出部
28 信号処理装置
29 アライナー
30 アライナー
31 アライナー駆動アンプ
32 モニター
Claims (3)
- 荷電粒子ビーム源と、第1のレンズと、第1の成形開口板と、第2のレンズ及び第2の成形開口板とを備えており、かつ前記第1の成形開口板と第2の成形開口板との間に成形偏向器を備え、前記第1の成形開口板の開口の像を、前記第2のレンズにより前記第2の成形開口板に投影し、同開口板の開口に重ねることで、寸法・形状が可変の図形を形成し、同図形を被描画面に縮小投影する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記第1の成形開口板の前段に、第1の成形開口板を照射する荷電粒子ビームの同開口板の開口位置に対する位置を調節するためのビームアライメント手段を備えた荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法において、
前記第2の成形開口板の開口を通過する、同開口板により最大寸法の制限された荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布を測定するステップと、該測定ステップにより得られた電流密度分布からその傾斜成分を抽出するステップとを備え、該測定ステップ及び抽出ステップにより得られた傾斜成分が除去されるように、前記ビームアライメント手段により第1の成形開口板の照射位置を調節するようにしたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法。 - 前記電流密度分布からその曲線成分を抽出するステップと、該抽出ステップにより得られる曲線成分の大きさを所定値と比較するステップと、該曲線成分の大きさが前記所定値を超えたときに警報を出すステップとからなることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法。
- 荷電粒子ビーム源と、第1のレンズと、第1の成形開口板と、第2のレンズ及び第2の成形開口板を備えており、かつ前記第1の成形開口板と第2の成形開口板との間に成形偏向器を備え、前記第1の成形開口板の開口の像を、前記第2のレンズにより前記第2の成形開口板に投影し、同開口板の開口に重ねることで、寸法・形状が可変の図形を形成し、同図形を被描画面に縮小投影する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記第1の成形開口板の前段に、第1の成形開口板を照射する荷電粒子ビームの同開口板の開口位置に対する位置を調節するためのビームアライメント手段を備えた荷電粒子ビーム描画装置において、
前記第2の成形開口板の開口を通過する、同開口板により最大寸法の制限された荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布を測定する手段と、該測定手段により得られた電流密度分布からその傾斜成分を抽出する抽出手段とを備え、該測定手段及び抽出手段により得られた傾斜成分が除去されるように、前記ビームアライメント手段により第1の成形開口板の照射位置を調節するように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の自動調整システム。
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