CN111812947A - 多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式涉及多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。实施方式的多带电粒子束描绘装置具备：测定部，基于多束的各束的束电流或者从设置于载置台的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状；调整部，基于所述第1束形状，计算出所述多束的缩小率及旋转角的调整量；校正映射制作部，根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的差量，制作规定了所述多束的各束的位置偏移量的第1校正映射；描绘数据处理部，对描绘数据进行变换，生成定义了各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量；以及控制部，基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角。

Description

多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法
技术领域
本发明涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法。
背景技术
伴随LSI的高集成化，半导体器件中要求的电路线宽逐年微细化。为了对半导体器件形成所希望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影式曝光装置，将在石英上所形成的高精度的原图图案(掩模、或者尤其是在步进曝光装置、扫描器中使用的原图图案也被称为中间掩模。)缩小转印到晶片上。高精度的原图图案通过电子束描绘装置来描绘，并使用所谓的电子束光刻技术。
使用了多束的描绘装置，与用1条电子束进行描绘的情况相比，能够一次照射很多束，因此能够大幅提高吞吐量。在多束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个开口的孔径部件而形成多束，进行各束的消隐控制，未被遮蔽的各束被光学系统缩小，照射到载置于能够移动的载置台上的基板。
多束方式的描绘装置具有使束偏转并决定基板上的束照射位置的主偏转器及副偏转器。利用主偏转器将多束整体定位在基板上的规定的位置，利用副偏转器以填埋束间距的方式偏转。
在这样的多束方式的描绘装置中，一次性照射多个束，将在孔径部件的相同的开口或不同的开口通过而形成的束彼此连接，描绘所希望的图形形状的图案。由于照射到基板上的多束整体像的形状(以下，有时也记载为“束形状”)表现为描绘图形的连接精度，因此多束整体像的缩小率(伸缩率)、畸变的调整很重要。
束形状能够通过依次切换接通(on)的束并扫描载置台上的反射标记来检测反射电子并计算各束的位置而进行测定。以往，基于测定出的束形状，通过镜头的励磁调整、束对准，来进行束调整以成为所希望的缩小率、旋转角。在该束调整中，未完全校正的从理想形状的偏差(2次以上的畸变成分)作为校正映射而被数据文件化。
然后，以束形状成为理想形状的方式，基于校正映射调整剂量，在掩模上描绘图案。但是，若对描绘在掩模上的图案进行测定、解析，则有时存在从理想形状的偏差(校正剩余)。
在将根据描绘结果得到的校正剩余直接原样加于校正映射中的情况下，剂量校正量变大，描绘时间变长，有时吞吐量下降。
发明内容
本发明提供能够抑制照射量的校正量、提高生产率并高精度地进行描绘的多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法。
本发明的一个方式的多带电粒子束描绘装置，具备：成形孔径阵列部件，形成有多个开口，带电粒子束在所述多个开口通过从而形成多束；消隐孔径阵列部件，配置有切换所述多束中的各个对应的束的接通/断开的多个消隐器；载置台，载置被照射所述多束的基板；测定部，基于所述多束的各束的束电流或者从设置于所述载置台的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状；调整部，基于所述测定部测定出的所述第1束形状，计算出所述多束的缩小率及旋转角的调整量；校正映射制作部，根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，制作规定了所述位置偏移量的第1校正映射；描绘数据处理部，对定义了要描绘的图形图案的信息的描绘数据进行变换，生成定义了所述多束的各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量；以及控制部，基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角。
附图说明
图1是本发明的实施方式的多带电粒子束描绘装置的概略图。
图2是成形孔径阵列部件的示意图。
图3是说明该实施方式的多带电粒子束描绘方法的流程图。
图4是该实施方式所涉及的多束检查用孔径的剖视图。
图5是反射标记的俯视图。
图6是说明束形状的测定方法的图。
图7是表示理想的束形状和测定出的束形状的例子的图。
图8是表示调整了缩小率及旋转角后的束形状的例子的图。
图9是表示基于缩小率及旋转角的束形状校正部分和基于剂量的束形状校正部分的图。
图10是说明缩小率及旋转角的调整方法的流程图。
图11的(a)、图11的(b)、图11的(c)是表示调整了缩小率及旋转角后的束形状的例子的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。在实施方式中，作为带电粒子束的一例，对使用电子束的结构进行说明。但是，带电粒子束不限于电子束，也可以是离子束等。
图1是表示本实施方式中的描绘装置的结构的概念图。在图1中，描绘装置具备描绘部1和控制部100。描绘装置是多带电粒子束描绘装置的一例。描绘部1具备镜筒2和描绘室20。在镜筒2内配置有电子枪4、照明镜头6、成形孔径阵列部件8、消隐孔径阵列部件10、缩小镜头12、限制孔径部件14、物镜15、线圈16及偏转器17。
在描绘室20内配置有XY载置台22以及检测器26。在XY载置台22上配置有成为描绘对象的基板70。基板70包括制造半导体装置时的曝光用掩模、或者制造半导体装置的半导体基板(硅晶片)等。另外，基板70包括涂布有抗蚀剂的尚未被进行任何描绘的掩模坯。
在XY载置台22上配置有XY载置台22的位置测定用的反射镜24。另外，在XY载置台22上设置有束校准用的反射标记M。反射标记M成为例如十字型的形状，以易于通过用电子束进行扫描而检测位置(参照图5)。检测器26在用电子束扫描反射标记M的十字时，检测来自反射标记M的反射电子。也可以设置多个反射标记M。
在XY载置台22上，在与载置基板70的位置不同的位置配置有检查装置，该检查装置具有多束检查用孔径40(以下，记载为“检查孔40”)及电流检测器50。检查孔40能够通过调整机构(省略图示)来调整高度。检查孔40优选设置在与基板70相同的高度位置。
检查装置在XY载置台22上设置有1个，但在配置/布线空间有富余的情况下也可以设置2个以上。
控制部100具有控制计算机110、偏转控制电路130、线圈控制电路132、镜头控制电路133、检测放大器134、载置台位置检测器135以及磁盘装置等存储装置140、142。
偏转控制电路130、线圈控制电路132、镜头控制电路133、检测放大器134、载置台位置检测器135以及存储装置140、142经由总线而与控制计算机110连接。在存储装置140中，从外部被输入描绘数据而进行存储。在描绘数据中，通常定义要描绘的图形图案的信息。在存储装置142中存储有规定了多束的各束的位置偏移量的校正映射。关于校正映射，在后面叙述。
在线圈控制电路132上连接有线圈16。在镜头控制电路133上连接有物镜15。
控制计算机110具备描绘数据处理部111、描绘控制部112、束形状测定部113、缩小率/旋转角调整部114以及校正映射制作部115。控制计算机110的各部的功能可以由硬件实现，也可以由软件实现。在由软件构成的情况下，也可以将实现控制计算机110的至少一部分功能的程序收纳在记录介质中，并使包含电路的计算机读入并执行。记录介质不限定于磁盘、光盘等可装卸的介质，也可以是硬盘装置或存储器等固定型的记录介质。
图2是表示成形孔径阵列部件8的结构的概念图。如图2所示，在成形孔径阵列部件8中，纵(y方向)m列×横(x方向)n列(m、n≥2)的开口80以规定的排列间距形成为矩阵状。各开口80均由相同尺寸形状的矩形形成。各开口80也可以是相同直径的圆形。
从电子枪4放出的电子束30通过照明镜头6大致垂直地对成形孔径阵列部件8整体进行照明。电子束30对包含成形孔径阵列部件8的全部开口80的区域进行照明。电子束30的一部分分别在这多个开口80通过，从而形成图1所示的多束30a～30e。
在消隐孔径阵列部件10中，在与图2所示的成形孔径阵列部件8的各开口80对应的位置形成有供多束的各束通过的通过孔(开口)。在各通过孔的附近，配置有使束偏转的消隐偏转用的电极(消隐器：消隐偏转器)。
通过了各通过孔的多束30a～30e各自分别独立地通过从消隐器施加的电压而偏转。通过该偏转来进行消隐控制。这样，多个消隐器进行在成形孔径阵列部件8的多个开口80通过后的多束中的各个对应的束的消隐偏转。
通过了消隐孔径阵列部件10的多束30a～30e，在缩小镜头12的作用下各个束尺寸和排列间距被缩小，向在限制孔径部件14所形成的中心的开口前进。被消隐孔径阵列部件10的消隐器偏转后的电子束，其轨道发生位移，位置从限制孔径部件14的中心的开口偏移，被限制孔径部件14遮蔽。另一方面，未被消隐孔径阵列部件10的消隐器偏转的电子束在限制孔径部件14的中心的开口通过。
限制孔径部件14遮蔽被消隐孔径阵列部件10的消隐器偏转为束OFF(断开)的状态的各电子束。并且，从成为束ON(接通)起到束OFF为止通过了限制孔径部件14的束成为一次照射的电子束。
通过了限制孔径部件14的多束30a～30e，通过线圈16被进行对准调整，通过物镜15被对焦，在基板70上成为所希望的缩小率的图案像。偏转器17使通过了限制孔径部件14的各电子束(多束整体)向相同方向集中地偏转，向基板70上的描绘位置(照射位置)照射。
在XY载置台22连续移动时，通过偏转器17进行跟踪控制，使得束的描绘位置(照射位置)追随XY载置台22的移动。从载置台位置检测器135向XY载置台22上的反射镜24照射激光，使用其反射光，来测定XY载置台22的位置。
一次照射的多束，理想的是以将成形孔径阵列部件8的多个开口80的排列间距乘以上述所希望的缩小率的间距排列。该描绘装置以连续依次照射发射束的光栅扫描方式进行描绘动作，在描绘所希望的图案时，根据图案通过消隐控制将必要的束控制为束ON。
控制计算机110的描绘数据处理部111从存储装置140读出描绘数据，进行多级的数据变换后，生成发射数据。在发射数据中，定义了向将基板70的描绘面以例如束尺寸分割成格子状的多个照射区域后的各照射区域的照射有无以及照射量(照射时间)等。
描绘控制部112基于发射数据以及载置台位置信息，对偏转控制电路130输出控制信号。偏转控制电路130基于控制信号，控制消隐孔径阵列部件10的各消隐器的施加电压。另外，偏转控制电路130运算用于以追随XY载置台22的移动的方式进行束偏转的偏转量数据(跟踪偏转数据)。与该偏转量数据对应的跟踪偏转电压被施加于偏转器17。
在多束方式的描绘装置中，对描绘对象的基板70一次照射多个束，并将束彼此连接将束间距填埋，由此描绘所希望的图形形状的图案，该多个束以对成形孔径阵列部件8的多个开口80的排列间距乘以规定的缩小率而得到的间距排列。因此，需要调整缩小率、旋转角以及畸变，以对基板70照射的多束整体像的形状(束形状)成为所希望的形状(例如正方形)。
在本实施方式中，通过调整缩小率、旋转角及畸变来将束形状校正为所希望的形状后进行描绘。按照图3所示的流程图说明本实施方式的描绘方法。
首先，在描绘装置内测定束形状(步骤S1)。束形状可以使用具有检查孔40和电流检测器50的检查装置进行测定，也可以使用反射标记M进行测定。
如图4所示，检查装置的检查孔40以使电子束仅通过一根的方式进行限制。检查孔40例如呈圆形的平面形状，沿着中心轴形成有一根束通过的贯通孔42。
通过了贯通孔42的电子束B入射到电流检测器50，检测到束电流。电流检测器50例如能够使用SSD(半导体检测器(solid-statedetector))。电流检测器50的检测结果被通知给控制计算机110。
束形状测定部113使用通过多束扫描检查孔40而得到的各束的束电流检测结果，测定束形状。
反射标记M例如是如图5所示的十字形状，通过偏转器17使束向前后左右(x方向和y方向)偏转，扫描反射标记M的十字，用检测器26检测反射电子，用检测放大器134放大后变换为数字数据之后，将测定数据输出到控制计算机110。束形状测定部113根据以时间序列排列所测定的反射电子的分布(反射电子的强度的变化)和此时的载置台位置，计算束的位置。
在测定束形状的情况下，仅接通特定的束，并基于束尺寸的设计值，在接通束的正下方移动反射标记M，对反射标记M的十字进行扫描来计算束位置。例如，如图6所示，按照与成形孔径阵列部件8的中心对应的束及与四角对应的束，依次切换接通的束，计算各束的位置，求出束形状。
例如，测定出如图7所示那样的第1束形状210。为了将该第1束形状210校正为理想形状200，需要调整缩小率及旋转角(1次成分)和除此以外的畸变成分(2次以上的成分)。
缩小率/旋转角调整部114计算缩小率及旋转角(1次成分)的调整量(步骤S2)。例如，如图8、图9所示，通过调整缩小率及旋转角来求出成为理想形状200的第2束形状220，计算用于使第2束形状220成为理想形状200的调整量。调整量例如是镜头的励磁或像散校正量。例如，在理想形状200为正方形的情况下，第2束形状220为与第1束形状210内切的正方形。
在缩小率及旋转角(1次成分)的调整中未完全校正的畸变成分(2次以上的成分)通过调整多束的各束的剂量(照射量)来进行校正。校正映射制作部115制作将由畸变成分(2次以上的成分)引起的各束的位置偏移量规定为图形式的校正映射(第1校正映射)(步骤S3)。校正映射被存储在存储装置142中。
例如，如图8、图9所示，求出相当于第1束形状210与第2束形状220的差量的各束的位置偏移量。
将在步骤S2中求出的调整量设定在描绘装置中，使用在步骤S3中制作的校正映射来校正照射量，在基板70上描绘评价图案(步骤S4)。描绘数据处理部111从存储装置140读出评价图案用的描绘数据，进行多级的数据变换，基于校正映射来校正各束的照射量并生成发射数据。描绘部1基于该发射数据，在基板70上描绘评价图案。
在描绘评价图案后，进行显影、蚀刻等处理，对形成于基板70上的评价图案进行解析，测定束形状(步骤S5)。
在根据描绘结果得到的束形状中存在从理想形状的偏差(校正剩余)的情况下(步骤S6_是)，将根据描绘结果得到的束形状与理想形状进行比较，与步骤S2同样地，由缩小率/旋转角调整部114再次调整缩小率及旋转角(1次成分)，计算重新调整量(步骤S7)。另外，校正映射制作部115计算由畸变成分(2次以上的成分)引起的各束的位置偏移量，并与校正映射相加来进行更新，生成第2校正映射(步骤S8)
之后，将在步骤S2及S7中求出的调整量设定在描绘装置中，使用在步骤S8中进行更新后的校正映射(第2校正映射)校正照射量，在基板70上描绘产品图案(步骤S9)。
也可以以使基于校正映射的照射量的校正量变小的方式在步骤S2或S7中求出缩小率、旋转角的调整量。例如，如图10所示的流程图那样，变更缩小率、旋转角的调整量(重新调整量)，校正映射制作部115制作调整量不同的N个(N为2以上的整数)校正映射(步骤S71、S72)。根据产品图案的描绘数据制作发射数据，基于N个校正映射的每一个，校正照射量。选择与照射量的校正量最小的校正映射对应的缩小率及旋转角的条件(步骤S72、S73)。
例如，如图11的(a)、图11的(b)、图11的(c)所示，求出缩小率及旋转角的调整量的条件不同的第2束形状220A～220C。第2束形状220A～220C各自的用于成为理想形状200的缩小率及旋转角的调整量的条件不同。根据由描绘装置测定出的第1束形状210、或根据评价图案的描绘结果得到的束形状与第2束形状220A～220C的差量，制作与各条件对应的校正映射。根据产品图案的描绘数据，制作发射数据，基于各校正映射来校正在发射数据中定义的照射量。选择与照射量的校正量最小的校正映射对应的条件。例如，选择与照射量的校正量最小的第2束形状220B对应的缩小率及旋转角的条件。
这样，根据本实施方式，从评价图案的描绘结果得到的束形状与理想形状的误差(校正剩余)中，能够通过缩小率及旋转角的调整进行校正的1次成分通过缩小率及旋转角进行校正，除此以外的2次以上的畸变通过照射量校正来应对，更新校正映射。与将从描绘结果得到的校正剩余直接原样加入校正映射的情况相比，能够抑制校正照射量，因此能够提高吞吐量，并且能够高精度地描绘图案。
另外，通过以校正照射量变小的方式调整缩小率及旋转角，能够实现吞吐量的进一步提高。
在上述实施方式中，缩小率、旋转角的调整，既可以通过在描绘处理中调整静电镜头来进行，也可以在不进行描绘处理的期间调整电磁镜头的励磁来进行。
在上述实施方式中，作为测定多束的束形状的测定部，对设有具有检查孔40和电流检测器50的检查装置和检测来自反射标记M的反射电子的检测器26的结构进行了说明，但也可以是仅设置任意一方的结构。
也可以根据涂布在描绘对象的基板70上的抗蚀剂种类来调整校正映射。
另外，本发明并不限定于上述实施方式，在实施阶段能够在不脱离其主旨的范围内对构成要素进行变形并具体化。另外，通过上述实施方式所公开的多个构成要素的适当组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全部构成要素中删除几个构成要素。并且，也可以适当组合不同实施方式中的构成要素。

Claims (12)

1.一种多带电粒子束描绘装置，具备：
成形孔径阵列部件，形成有多个开口，通过带电粒子束在所述多个开口通过而形成多束；
消隐孔径阵列部件，配置有切换所述多束中的各个对应的束的接通/断开的多个消隐器；
载置台，载置被照射所述多束的基板；
测定部，基于所述多束的各束的束电流或者从设置于所述载置台的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状；
调整部，基于所述测定部测定出的所述第1束形状，计算所述多束的缩小率及旋转角的调整量；
校正映射制作部，根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，制作规定了所述位置偏移量的第1校正映射；
描绘数据处理部，对定义了要描绘的图形图案的信息的描绘数据进行变换，生成定义了所述多束的各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量；以及
控制部，基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角。
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
改变所述调整量的条件而制作多个第1校正映射，
选择与所述多个第1校正映射中的、照射量的校正量最小的第1校正映射对应的调整量的条件。
3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
基于所述调整量，调整所述多束的缩小率及旋转角，根据基于所述第1校正映射来校正多束的各束的照射量后在所述基板上描绘的评价图案的描绘结果，测定多束的第2束形状，所述调整部基于该第2束形状重新调整所述多束的缩小率及旋转角，
所述校正映射制作部，使用所述第2束形状与基于重新调整后的缩小率及旋转角的束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，将该位置偏移量与所述第1校正映射相加，制作第2校正映射，
所述描绘数据处理部，基于所述第2校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量。
4.根据权利要求2所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
基于所述调整量，调整所述多束的缩小率及旋转角，根据基于所述第1校正映射来校正多束的各束的照射量后在所述基板上描绘的评价图案的描绘结果，测定多束的第2束形状，所述调整部基于该第2束形状重新调整所述多束的缩小率及旋转角，
所述校正映射制作部，使用所述第2束形状与基于重新调整后的缩小率及旋转角的束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，将该位置偏移量与所述第1校正映射相加，制作第2校正映射，
所述描绘数据处理部，基于所述第2校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量。
5.根据权利要求3所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
改变缩小率及旋转角的重新调整量的条件而制作多个第2校正映射，
选择与所述多个第2校正映射中的、由所述描绘数据处理部校正的照射量的校正量最小的第2校正映射对应的重新调整量的条件。
6.根据权利要求4所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
改变缩小率及旋转角的重新调整量的条件而制作多个第2校正映射，
选择与所述多个第2校正映射中的、由所述描绘数据处理部校正的照射量的校正量最小的第2校正映射对应的重新调整量的条件。
7.一种多带电粒子束描绘方法，包括：
放出带电粒子束的工序；
通过所述带电粒子束在成形孔径阵列部件的多个开口通过而形成多束的工序；
使用多个消隐器，切换所述多束中的各个对应的束的接通/断开的工序；
根据所述多束的各束的束电流或者从在载置基板的载置台上设置的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状的工序；
基于所述第1束形状的测定结果，计算所述多束的缩小率及旋转角的调整量的工序；
根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的测定结果的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，制作规定了所述位置偏移量的第1校正映射的工序；
对定义了要描绘的图形图案的信息的描绘数据进行变换，生成定义了所述多束的各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量的工序；以及
基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角的工序。
8.根据权利要求7所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
改变所述调整量的条件而制作多个第1校正映射，
选择与所述多个第1校正映射中的、照射量的校正量最小的第1校正映射对应的调整量的条件。
9.根据权利要求7所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
基于所述调整量，调整所述多束的缩小率及旋转角，根据基于所述第1校正映射来校正多束的各束的照射量后在所述基板上描绘的评价图案的描绘结果，测定多束的第2束形状，基于该第2束形状，重新调整所述多束的缩小率及旋转角，
使用所述第2束形状与基于重新调整后的缩小率及旋转角的束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，将该位置偏移量与所述第1校正映射相加，制作第2校正映射，
基于所述第2校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量。
10.根据权利要求8所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
基于所述调整量，调整所述多束的缩小率及旋转角，根据基于所述第1校正映射来校正多束的各束的照射量后在所述基板上描绘的评价图案的描绘结果，测定多束的第2束形状，基于该第2束形状，重新调整所述多束的缩小率及旋转角，
使用所述第2束形状与基于重新调整后的缩小率及旋转角的束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，将该位置偏移量与所述第1校正映射相加，制作第2校正映射，
基于所述第2校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量。
11.根据权利要求9所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
改变缩小率及旋转角的重新调整量的条件而制作多个第2校正映射，
选择与所述多个第2校正映射中的、照射量的校正量最小的第2校正映射对应的重新调整量的条件。
12.根据权利要求10所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
改变缩小率及旋转角的重新调整量的条件而制作多个第2校正映射，
选择与所述多个第2校正映射中的、照射量的校正量最小的第2校正映射对应的重新调整量的条件。
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