JPH08277112A - 透明導電性酸化物材料 - Google Patents

透明導電性酸化物材料

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JPH08277112A
JPH08277112A JP8095295A JP8095295A JPH08277112A JP H08277112 A JPH08277112 A JP H08277112A JP 8095295 A JP8095295 A JP 8095295A JP 8095295 A JP8095295 A JP 8095295A JP H08277112 A JPH08277112 A JP H08277112A
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JP
Japan
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oxide
transparent conductive
oxide material
present
phase
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JP8095295A
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English (en)
Inventor
Keiji Sato
敬二 佐藤
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Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】透明電極、帯電防止膜あるいは電磁遮蔽膜等に
利用される高い可視光透過性と、良好な電気伝導性を有
する複酸化物材料を提供する。 【構成】スピネル型結晶構造を有する複酸化物で、該複
酸化物中の、酸化スズと酸化亜鉛とのモル比の割合が、
(1+X):2(但し、−0.1≦X≦0.1)であ
り、該複酸化物中に、Sb、V、Nb、Taから選ばれ
る少なくとも1種の金属元素を含む複酸化物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池や液晶デバイ
ス(LCD)等の透明電極、あるいは帯電防止膜、電磁
遮蔽膜、防曇ガラスおよび熱線反射ガラス等に利用され
る優れた可視光透過性を有し、一方で良好な電気伝導性
を兼ね備えた透明導電性酸化物材料に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、透明導電材料は、LCDや太陽電
池等の透明電極、あるいは電磁遮蔽膜、帯電防止膜、防
曇ガラス、熱線反射ガラス等に利用されており、中でも
酸化インジウム系および酸化スズ系材料は、比較的導電
率が高く、また可視光透過性を有していることから、前
記応用に対し広く用いられている。
【0003】これらの材料は、上記の応用を行うにあた
り、スパッタリング法やイオンプレーティング法などの
物理的成膜方法、あるいはゾル−ゲル法やスプレーパイ
ロリシス法などの化学的成膜方法等により成膜され、使
用されている。
【0004】ここで、近年、市場が大幅に拡大しつつあ
るLCDや太陽電池用の透明電極に対しては、電気伝導
性とパターニング性が比較的良好なことから、酸化イン
ジウムにスズを数mol%添加した、ITO(Indi
um−Tin−Oxide)が主に用いられている。
【0005】しかし、ITOは、従来の他の材料と比較
して、導電性に優位性がある反面、透明性については、
材料本来の本質的特性から、可視光透過性が高くなく、
とくに可視光の短波長域での吸収が多く、成膜後の薄膜
は、やや青みがかって見えるという欠点がある。
【0006】また、ITOの主構成成分である酸化イン
ジウムは、資源性に乏しく、現在のところかなり高価で
あるため、成膜コストの高いことも問題である。その
他、酸化インジウムは難焼結性であるため、代表的な成
膜方法であるスパッタリング法における高密度ターゲッ
ト製造が容易ではない。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
を解決するため、鋭意検討の結果、特定組成の複酸化物
にすることにより、可視光透過性および電気伝導性が優
れていることを見出し本発明に到達した。
【0008】すなわち本発明は、スピネル型結晶構造を
有する複酸化物であり、該複酸化物中の酸化スズと酸化
亜鉛とのモル比の割合が、(1+X):2(但し、−
0.1≦X≦0.1)であることを特徴とする透明導電
性酸化物材料で、該複酸化物中に、Sb、V、Nb、T
aから選ばれる少なくとも1種の金属元素を含有するこ
とを特徴とする透明導電性酸化物材料を提供するもので
ある。
【0009】本発明では、上記組成において、酸化スズ
と酸化亜鉛とのモル比の割合が、(1+X):2(但
し、−0.1≦X≦0.1)であることが重要である。
上記構成元素によるスピネル型結晶構造を有する複酸化
物は、バンドギャップがITOに比べて広く、基礎吸収
端が紫外寄りに存在する。このため、ITOと比較して
可視光の短波長域での吸収が少なく、優れた可視光透過
性が期待でき、また、スピネル型結晶構造では、ルチル
鎖、つまりカチオンの8面体が互いの稜を共有してつな
がっており、この部分がキャリア、つまり伝導電子のパ
スになり、高い移動度が期待できる。しかし、上記組成
の割合をはずれると、焼成後に高い電気伝導度を示すス
ピネル相以外の第2相が生成し、電気伝導度が低下する
ため好ましくない。
【0010】次に、相対密度80%以上の高密度で、か
つ均一な組成をもつ本発明の複酸化物を得るためには、
平均粒径1μm以下、純度99.99%以上の原料酸化
物を用い、ボールミル等で混合し、成形後、500〜1
200℃で仮焼し、さらに1200〜1600℃の温度
範囲で大気中で焼結処理する。混合は、湿式ボールミル
が望ましく、また、焼結温度の範囲をはずれると、スピ
ネル相が十分生成しないか、もしくはスピネル相以外の
第2相が生成するため好ましくない。
【0011】また、大気焼成後、キャリア注入のため、
還元雰囲気中で、300〜1200℃の温度範囲で、1
〜24時間アニールする必要がある。このときの酸素分
圧は、10-3〜10-21 atmであり、窒素と水素の混
合ガス中で処理する。
【0012】また、上記の組成に高原子価金属元素を添
加し置換固溶させることによって、非化学量論から生じ
るキャリアが注入可能である。この場合、高原子価金属
元素とは、Sn4+よりも高原子価である5価金属元素
の、Sb、V、Nb、Taが適当であり、この中から選
ばれる少なくとも1種の金属元素を添加することによっ
て、還元アニールなしでもキャリアを注入可能であり、
さらに電気伝導度が向上した材料が得られる。
【0013】この場合、金属元素の添加量は、とくに制
限されないが、Sb、V、Nb、Ta金属またはこれら
の酸化物から選ばれる少なくとも1種の金属元素を0.
01〜20原子%含むことが望ましい。この範囲を超え
ると金属元素は、固溶限を超え、これによりスピネル相
以外の第2相が生成して電気伝導度の低下を招く恐れが
ある。このため添加元素の添加量は、上記の範囲で行う
ことが望ましい。
【0014】一方、本発明の複酸化物の主な構成元素
は、SnおよびZnであり、ITOの主構成元素である
Inと比較して天然資源に富んでおり、非常に安価で、
なおかつ焼結性が良好である。このため、成膜材料であ
るスパッタリングターゲット等の製造が安価に行えると
いう利点を有する。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに説明
するが、かかる実施例により限定されるものではない。
【0016】実施例 1 平均粒径1μm以下、純度99.99%の酸化スズ粉末
と酸化亜鉛粉末をモル比で、1:2になるように秤量
し、エタノール溶媒中で湿式ボールミル混合した。さら
に、得られたスラリーを60℃、24時間乾燥後、アル
ミナるつぼ中で、1000℃、5時間仮焼した。仮焼後
の前駆体を再びエタノール溶媒中で湿式ボールミル粉砕
し、乾燥後、成型バインダとしてPVAを2重量%添加
した。
【0017】その後、150μmアンダーに整粒し、φ
15mm×3mmtのサイズで一軸成型およびラバープ
レス(2t/cm2 )し、成型後のグリーンディスク
を、1400℃、5時間大気中で焼成した。
【0018】以上のようにして調製した焼結体は、粉末
X線回折法による解析の結果、スピネル相のみが認めら
れ、スピネル相以外の第2相は認められなかった。次
に、得られた焼結体をキャリア注入のため、大気圧、窒
素気流中で、1000℃、10時間アニール処理を行っ
た。なお、アニール後の焼結体の結晶構造に変化は無か
った。
【0019】実施例 2 実施例1と同様にして調製した焼結体を、大気圧、窒
素:水素=10:1の混合気流中で1000℃、10時
間アニール処理を行った。なお、アニール後の焼結体の
結晶構造に変化は無かった。
【0020】実施例 3 平均粒径1μm以下、純度99.99%の酸化スズ粉末
と酸化亜鉛粉末および酸化アンチモン粉末をモル比で、
0.95:2:0.05になるように秤量し、エタノー
ル溶媒中で湿式ボールミル混合した。さらに、得られた
スラリーを60℃、24時間乾燥後、アルミナるつぼ中
で、1000℃、5時間仮焼した。仮焼後の前駆体を再
びエタノール溶媒中で湿式ボールミル粉砕し、乾燥後、
成型バインダとしてPVAを2重量%添加した。
【0021】その後、150μmアンダーに整粒し、φ
15mm×3mmtのサイズで一軸成型およびラバープ
レス(2t/cm2 )し、成型後のグリーンディスク
を、1400℃、5時間大気中で焼成した。以上のよう
にして調製した焼結体は、粉末X線回折法による解析の
結果、スピネル相のみが認められ、スピネル相以外の第
2相は認められなかった。
【0022】比較例 1 平均粒径1μm以下、純度99.99%の酸化インジウ
ム粉末と酸化スズ粉末をモル比で、0.9:0.1にな
るように秤量し、エタノール溶媒中で湿式ボールミル混
合した。さらに、得られたスラリーを60℃、24時間
乾燥後、アルミナるつぼ中で、1000℃、5時間仮焼
した。仮焼後の前駆体を再びエタノール溶媒中で湿式ボ
ールミル粉砕し、乾燥後、成型バインダとしてPVAを
2重量%添加した。
【0023】その後、150μmアンダーに整粒し、φ
15mm×3mmtのサイズで一軸成型およびラバープ
レス(2t/cm2 )し、成型後のグリーンディスク
を、1400℃、5時間大気中で焼成した。以上のよう
にして調製した焼結体は、粉末X線回折法による解析の
結果、酸化インジウム相のみが認められ、酸化インジウ
ム相以外の第2相は認められなかった。
【0024】〔物性評価〕本発明における可視光透過性
の評価方法については、試料が多結晶セラミックスであ
るため、透過率測定と等価である拡散反射率測定法を採
用した。ここで、測定試料は上記の実施例で調製した焼
結体を粉砕し、φ25mm×3mmtのサイズに一軸成
型したものを用いた。
【0025】また、標準白色試料には、純度99.99
%のMgO粉末を上記と同様の方法で成型したものを用
いた。一方、電気伝導度測定は、上記の実施例で調製し
た焼結体を、ダイヤモンドカッターにて直方体に切り出
し、電圧および電流電極を取り付けた素子を用いた、通
常の直流4端子法を採用した。
【0026】表1に本発明における実施例および比較例
で調製した複酸化物の拡散反射率測定結果を示した。表
1から明らかなように、本発明の複酸化物は、従来材料
であるITO(比較例1)と比較して、全体に反射率、
すなわち可視光透過性が非常に高く、とくに可視域短波
長側での吸収が顕著に少ないことがわかる。
【0027】
【表1】
【0028】表2に本発明の実施例で調製した複酸化物
の、−40℃、室温(25℃)、100℃での電気伝導
度を示した。ここで、各酸化物は、電気伝導度が温度に
ほとんど依存しないとういう金属的導電挙動に近い、良
好な電気伝導性を示していることがわかる。
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】本発明のスピネル型結晶構造を有する複
酸化物は、良好な電気伝導性を示しながらも、従来材料
と比較して透明性とくに可視域短波長側での飛躍的な向
上、および材料コスト低減を与えるものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スピネル型結晶構造を有する複酸化物で
    あり、該複酸化物中の酸化スズと酸化亜鉛とのモル比の
    割合が、(1+X):2(但し、−0.1≦X≦0.
    1)であることを特徴とする透明導電性酸化物材料。
  2. 【請求項2】 複酸化物中に、Sb、V、Nb、Taか
    ら選ばれる少なくとも1種の金属元素を含有することを
    特徴とする請求項1記載の透明導電性酸化物材料。
JP8095295A 1995-04-06 1995-04-06 透明導電性酸化物材料 Pending JPH08277112A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002528372A (ja) * 1998-10-22 2002-09-03 サン−ゴバン ビトラージュ 透明基材のための積層体
JP2005306684A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 亜鉛系複合酸化物
JP2008192604A (ja) * 2007-01-12 2008-08-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電膜用材料
JP2009245778A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性粉末の製造方法及び導電性粉末

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