JPH08274501A - 導波管モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波およびミリ波において、導波管コ
ンポーネントで構成される小型化された導波管モジュー
ルを得る。 【構成】 第１の電界面分割導波管回路構成部２と第３
の電界面分割導波管回路構成部５により構成される第１
層の導波管回路８と、第２の電界面分割導波管回路構成
部３と第４の電界面分割導波管回路構成部７により構成
される第２層の導波管回路９を同一の導波管シャーシ１
の両面に配置し、接続導波管１０と段階部１１によりス
テップ近似した導波管Ｈ面コーナー１２とにより２層の
導波管回路を接続し、導波管回路の小型多層化を可能に
する構成。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波およびミ
リ波において立体的に構成される導波管回路の小型化を
可能にする導波管モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１７は、フランジ付きの導波管コンポ
ーネントで構成された従来の導波管モジュールを示す図
であり、図１７（ａ）は第１層導波管回路と第２層導波
管回路の接続部の視図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）の
Ａ側から見た断面図、図１７（ｃ）は図１７（ａ）のＢ
側からみた断面図である。図において、８は第１層の導
波管回路、９は第２層の導波管回路、３５は第１の導波
管回路構成層、３６は第２層の導波管回路構成層、３７
はフランジ付き導波管である。

【０００３】従来の導波管モジュールでは、第１の導波
管回路構成層３５と第２の導波管回路構成層３６をフラ
ンジ付き導波管３７により接続していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図１７のような従来の
導波管モジュールでは、各層の導波管回路を接続するた
めにフランジ付きの導波管を使用していたので、導波管
コンポーネントの間隔をフランジ寸法以下にすることが
できず、多層を試みた場合、小型化できなかった。

【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、導波管モジュールを小型化す
ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の実施例１によ
る導波管モジュールは、２層の電界面（以下Ｅ面とい
う）分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置
し、２層の導波管回路の接続方法を階段状の導波管磁界
面（以下Ｈ面という）コーナーと接続導波管としたもの
である。

【０００７】また、この発明の実施例２による導波管モ
ジュールは、２層のＨ面分割した導波管回路を１つのシ
ャーシの両面に配置し、２層の導波管回路の接続方法を
階段状の導波管Ｅ面コーナーと接続導波管としたもので
ある。

【０００８】この発明の実施例３による導波管モジュー
ルは、実施例１による導波管モジュールにおいて、導波
管Ｈ面コーナーを形成する階段部と接続導波管部とを２
層の導波管回路から分割できる構造にしたものである。

【０００９】また、この発明の実施例４による導波管モ
ジュールは、実施例２による導波管モジュールにおい
て、導波管Ｅ面コーナーを形成する階段部と接続導波管
部とを２層の導波管回路から分割できる構造にしたもの
である。

【００１０】この発明の実施例５による導波管モジュー
ルは、実施例２による導波管モジュールにおいて、２層
のＨ面分割した導波管回路の接続方法をＥ面プローブ型
同軸／導波管変換としたものである。

【００１１】また、この発明の実施例６による導波管モ
ジュールは、実施例１による導波管モジュールにおい
て、２層のＥ面分割した導波管回路の接続方法をＨ面ル
ープコイル型同軸／導波管変換としたものである。

【００１２】この発明の実施例７による導波管モジュー
ルは、実施例４による導波管モジュールにおいて、２層
のＨ面分割した導波管回路の接続方法をＥ面プローブ型
導波管／マイクロストリップ変換としたものである。

【００１３】また、この発明の実施例８による導波管モ
ジュールは、実施例３による導波管モジュールにおい
て、２層のＥ面分割した導波管回路の接続方法をＨ面ル
ープコイル型導波管／マイクロストリップ変換としたも
のである。

【００１４】この発明の実施例１〜４は階段部の一辺の
長さを信号周波数の波長の１／６以下に設定したもので
ある。

【００１５】

【作用】この発明の実施例１は、２層のＥ面分割した導
波管回路を１つのシャーシの両面に配置して一体化し、
２層の導波管回路の接続方法を階段状の導波管Ｈ面コー
ナーと接続導波管としたことにより、部品点数を減ら
せ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型化が可能
になる。更に、導波管Ｈ面コーナーをステップ状に近似
してあるため、例えば放電加工などの工作方法を用いる
ことにより加工が容易になり、より安価に導波管モジュ
ールを製作することができる。

【００１６】また、この発明の実施例２は、２層のＨ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、２層の導波管回路の接続方法を階段状の導波
管Ｅ面コーナーと接続導波管としたことにより、部品点
数を減らせ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型
化が可能になる。更に、導波管Ｅ面コーナーをステップ
状に近似してあるため、例えば放電加工などの工作方法
を用いることにより加工が容易になり、より安価に導波
管モジュールを製作することができる。また、Ｈ面分割
構成としたために、例えば、発振器のようなＨ面分割構
成で製作する素子がある場合についても、導波管モジュ
ールの製作が可能になる。

【００１７】この発明の実施例３は、２層のＥ面分割し
た導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して一体化
し、２層の導波管回路の接続方法を階段状の導波管Ｈ面
コーナーと接続導波管としたことにより、部品点数を減
らせ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型化が可
能になる。更に、導波管Ｈ面コーナーをステップ状に近
似してあるため、例えば放電加工などの工作方法を用い
ることにより加工が容易になり、また、導波管Ｈ面コー
ナーを２層の導波管回路から分割した構造としたこと
で、導波管コーナー部分にインピーダンス不整合が生じ
た場合でも、コーナー部分のみを交換することにより、
接続部の調整ができる。

【００１８】また、この発明の実施例４は、２層のＨ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、２層の導波管回路の接続方法を階段状の導波
管Ｅ面コーナーと接続導波管としたことにより、部品点
数を減らせ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型
化が可能になる。更に、導波管Ｅ面コーナーをステップ
状に近似してあるため、例えば放電加工などの工作方法
を用いることにより加工が容易になり、より安価に導波
管モジュールを製作することができる。また、Ｈ面分割
構成としたために、例えば発振器のようなＨ面分割構成
で製作する素子がある場合についても、導波管モジュー
ルの製作が可能になる。更に、導波管Ｅ面コーナーを２
層の導波管回路から分割した構造としたことで、導波管
コーナー部分にインピーダンス不整合が生じた場合で
も、コーナー部分のみを交換することにより、接続部の
調整ができる。

【００１９】この発明の実施例５は、２層のＨ面分割し
た導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して一体化
し、２層の導波管回路の接続方法をＥ面プローブ型同軸
／導波管変換としたことにより、部品点数を減らせ、各
層の導波管回路の間隔を短くでき、小型化が可能にな
る。また、Ｈ面分割構成としたために、例えば、発振器
のようなＨ面分割構成で製作する素子がある場合につい
ても、導波管モジュールの製作が可能になる。更に、各
層の導波管回路を独立して気密状態に保つことができ
る。

【００２０】また、この発明の実施例６は、２層のＥ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、２層の導波管回路の接続方法をＨ面ループコ
イル型同軸／導波管変換としたことにより、部品点数を
減らせ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型化が
可能になる。更に、各層の導波管回路を独立して気密状
態に保つことができる。

【００２１】この発明の実施例７は、２層のＨ面分割し
た導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して一体化
し、２層の導波管回路の接続方法をＥ面プローブ型導波
管／マイクロストリップ変換としたことにより、部品点
数を減らせ、各層の導波管回路の間隔を短くでき、小型
化が可能になる。また、Ｈ面分割構成としたために、例
えば、発振器のようなＨ面分割構成で製作する素子があ
る場合についても、導波管モジュールの製作が可能にな
る。更に、マイクロストリップ線路の線路長を変えるこ
とで、位相調整機能を持たせることができる。また、マ
イクロストリップ線路の線路の途中に抵抗を挿入し、電
力調整機能を持たせることも可能である。

【００２２】また、この発明の実施例８は、２層のＥ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、２層の導波管回路の接続方法をＨ面ループコ
イル型導波管／マイクロストリップ変換としたことによ
り、部品点数を減らせ、各層の導波管回路の間隔を短く
でき、小型化が可能になる。更に、マイクロストリップ
線路の線路長を変えることで、位相調整機能を持たせる
ことができる。また、マイクロストリップ線路の線路の
途中に抵抗を挿入し、電力調整機能を持たせることも可
能である。

【００２３】この発明の実施例１〜４は、ステップ近似
した階段部の一辺の長さを信号周波数の波長の１／６以
下にすれば、コーナー部のインピーダンス整合状態に影
響を及ぼすことがないために、コーナー部で生じる損失
をほとんど増加させることがなくなる。

【００２４】

【実施例】

実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す図である。
図１（ａ）は導波管モジュールの導波管接続部断面、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は図
１（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図２（ａ）は図１（ａ）のＣ
−Ｃ断面図、図２（ｂ）は図１（ａ）の導波管接続部分
解図である。図において、１は導波管シャーシ、２は第
１のＥ面分割導波管回路構成部、３は第２のＥ面分割導
波管回路構成部、４は第１の導波管ブロック、５は第３
のＥ面分割導波管回路構成部、６は第２の導波管ブロッ
ク、７は第４のＥ面分割導波管回路構成部、８は第１層
の導波管回路、９は第２層の導波管回路、１０は接続導
波管、１１は階段部、１２は導波管Ｈ面コーナーであ
る。

【００２５】第１のＥ面分割導波管回路構成部２と第３
のＥ面分割導波管回路構成部５を組合わせて構成される
第１層の導波管回路８と、第２のＥ面分割導波管回路構
成部３と第４のＥ面分割導波管回路構成部７を組合わせ
て構成される第２層の導波管回路９は、同一の導波管シ
ャーシ１の両面に配置してある。接続導波管１０は、第
１層の導波管回路８と第２層の導波管回路９を接続する
ために導波管シャーシ１に加工されている。階段部１１
は第３のＥ面分割導波管回路構成部５および第４のＥ面
分割導波管回路構成部７の一端に位置し、導波管シャー
シ１と組合わせて階段状の導波管Ｈ面コーナー１２とな
る。

【００２６】この発明のように、第１層の導波管回路８
と第２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波
管シャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点
数の削減が可能になる。また、一体化構成としたことに
よる代わりの接続方法として、２層の導波管回路を導波
管Ｈ面コーナー１２と接続導波管１０で接続することで
導波管回路間の距離を短くでき、導波管モジュールを構
成する場合に小型化が可能になる。更に、導波管Ｈ面コ
ーナー１２のコーナー部を階段部９のようにステップ状
に近似してあるため、例えば放電加工などの工作方法を
用いることにより加工が容易になり、より安価に導波管
モジュールを製作することができる。また、ステップ状
に近似した階段部１１の一辺の長さを信号周波数の波長
の１／６以下にすれば、コーナー部のインピーダンス整
合状態に影響を及ぼすことがないために、コーナー部で
生じる損失をほとんど増加させることもない。なお、第
１の導波管ブロック４または第２の導波管ブロック６の
Ｅ面分割導波管回路構成部とは反対の面に、Ｅ面分割導
波管回路構成部を配置し、同様な構成を繰り返していけ
ば、より小型化した多層の導波管モジュールを実現でき
る。

【００２７】実施例２．図３は上記実施例１において、
導波管回路の分割方法をＨ面分割方式とした導波管モジ
ュールを示す図であり、図３（ａ）は導波管モジュール
の導波管接続部断面、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ
断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図４
（ａ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図４（ｂ）は図３
（ａ）の導波管接続部分解図である。図において、１３
は第１のＨ面分割導波管回路構成部、１４は第２のＨ面
分割導波管回路構成部、１５は第３のＨ面分割導波管回
路構成部、１６は第４のＨ面分割導波管回路構成部、１
７は導波管Ｅ面コーナーである。

【００２８】第１のＨ面分割導波管回路構成部１３と第
３のＨ面分割導波管回路構成部１５を組合わせて構成さ
れる第１層の導波管回路８と、第２のＨ面分割導波管回
路構成部１４と第４のＨ面分割導波管回路構成部１６を
組合わせて構成される第２層の導波管回路９は、同一の
導波管シャーシ１の両面に配置してある。接続導波管１
０は、第１層の導波管回路８と第２層の導波管回路９を
接続するために導波管シャーシ１に加工されている。階
段部１１は第３のＨ面分割導波管回路構成部１５および
第４のＨ面分割導波管回路構成部１６の一端に位置し、
導波管シャーシ１と組合わせて階段状導波管Ｅ面コーナ
ー１７となる。

【００２９】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路を導波管Ｅ
面コーナー１７と接続導波管１０で接続することで導波
管回路間の距離を短くでき、導波管モジュールを構成す
る場合に小型化が可能になる。更に、導波管Ｅ面コーナ
ー１７のコーナー部を階段部９のようにステップ状に近
似してあるため、例えば放電加工などの工作方法を用い
ることにより加工が容易になり、より安価に導波管モジ
ュールを製作することができる。また、ステップ状に近
似した階段部１１の一辺の長さを信号周波数の波長の１
／６以下にすれば、コーナー部のインピーダンス整合状
態に影響を及ぼすことがないために、コーナー部で生じ
る損失をほとんど増加させることもない。また、Ｈ面分
割構成としたために、例えば、発振器のようなＨ面分割
構成で製作する素子がある場合についても、導波管モジ
ュールの製作が可能になる。

【００３０】なお、第１の導波管ブロック４または第２
の導波管ブロック６のＨ面分割導波管回路構成部とは反
対の面に、Ｈ面分割導波管回路構成部を配置し、同様な
構成を繰り返していけば、より小型化した多層の導波管
モジュールを実現できる。

【００３１】実施例３．図５は上記実施例１において導
波管接続部を構成するシャーシの分割方法を変えた導波
管モジュールを示す図であり、図５（ａ）は導波管モジ
ュールの導波管接続部断面、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ断面
図、図６（ａ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図６
（ｂ）は図５（ａ）の導波管接続部分解図である。図に
おいて、１８は導波管ブロック、１９は接続導波管構成
部である。

【００３２】接続導波管構成部１９は第３の導波管ブロ
ック１８に加工されており、導波管シャーシ１と組合わ
せることにより接続導波管１０を形成する。階段部１１
は接続導波管構成部１９の両端に加工されており、第１
の導波管ブロック４および第２の導波管ブロック６と組
合わせることにより導波管Ｈ面コーナー１２を形成す
る。

【００３３】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路を導波管Ｈ
面コーナー１２と接続導波管１０で接続することで導波
管回路間の距離を短くでき、導波管モジュールを構成す
る場合に小型化が可能になる。

【００３４】更に、導波管Ｈ面コーナー１２のコーナー
部を階段部９のようにステップ状に近似してあるため、
例えば放電加工などの工作方法を用いることにより加工
が容易になり、より安価に導波管モジュールを製作する
ことができる。また、ステップ状に近似した階段部１１
の一辺の長さを信号周波数の波長の１／６以下にすれ
ば、コーナー部のインピーダンス整合状態に影響を及ぼ
すことがないために、コーナー部で生じる損失をほとん
ど増加させることもない。

【００３５】更に、導波管Ｈ面コーナー１２を構成する
階段部１１と接続導波管１０を構成する接続導波管構成
部１９を第３の導波管ブロック１８に加工し、２層の導
波管回路から分割した構造としたために、コーナー部分
でインピーダンスに不整合が生じ損失が増加した場合に
も、第３の導波管ブロック１８のみを交換することで接
続部の調整ができる。なお、第１の導波管ブロック４ま
たは第２の導波管ブロック６のＥ面分割導波管回路構成
部とは反対の面に、Ｅ面分割導波管回路構成部を配置
し、同様な構成を繰り返していけば、より小型化した多
層の導波管モジュールを実現できる。

【００３６】実施例４．図７は上記実施例２において導
波管接続部を構成するシャーシの分割方法を変えた導波
管モジュールを示す図であり、図７（ａ）は導波管モジ
ュールの導波管接続部断面、図７（ｂ）は図７（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ断面
図、図８（ａ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図８
（ｂ）は図７（ａ）の導波管接続部分解図である。図に
おいて、１８は導波管ブロック、１９は接続導波管構成
部である。

【００３７】接続導波管構成部１９は第３の導波管ブロ
ック１８に加工されており、導波管シャーシ１と組合わ
せることにより接続導波管１０を形成する。階段部１１
は接続導波管構成部１９の両端に加工されており、第１
の導波管ブロック４および第２の導波管ブロック６と組
合わせることにより導波管Ｅ面コーナー１７を形成す
る。

【００３８】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路を導波管Ｅ
面コーナー１７と接続導波管１０で接続することで導波
管回路間の距離を短くでき、導波管モジュールを構成す
る場合に小型化が可能になる。

【００３９】更に、導波管Ｅ面コーナー１７のコーナー
部を階段部１１のようにステップ状に近似してあるた
め、例えば放電加工などの工作方法を用いることにより
加工が容易になり、より安価に導波管モジュールを製作
することができる。また、ステップ状に近似した階段部
１１の一辺の長さを信号周波数の波長の１／６以下にす
れば、コーナー部のインピーダンス整合状態に影響を及
ぼすことがないために、コーナー部で生じる損失をほと
んど増加させることもない。また、Ｈ面分割構成とした
ために、例えば、発振器のようなＨ面分割構成で製作す
る素子がある場合についても、導波管モジュールの製作
が可能になる。更に、導波管Ｅ面コーナー１７を構成す
る階段部１１と接続導波管１０を構成する接続導波管構
成部１９を第３の導波管ブロック１８に加工し、２層の
導波管回路から分割した構造としたために、コーナー部
分でインピーダンスに不整合が生じ損失が増加した場合
にも、第３の導波管ブロック１８のみを交換することで
接続部の調整ができる。なお、第１の導波管ブロック４
または第２の導波管ブロック６のＨ面分割導波管回路構
成部とは反対の面に、Ｈ面分割導波管回路構成部を配置
し、同様な構成を繰り返していけば、より小型化した多
層の導波管モジュールを実現できる。

【００４０】実施例５．図９は上記実施例２において導
波管接続方法をＥ面プローブ型同軸／導波管変換とした
導波管モジュールを示す図であり、図９（ａ）は導波管
モジュールの導波管接続部断面、図９（ｂ）は図９
（ａ）のＡ−Ａ断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＢ−
Ｂ断面図、図１０（ａ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ断面図、
図１０（ｂ）は図９（ａ）の導波管接続部分解図であ
る。図において、２０は誘電体、２１は導体線路、２２
は直線導体、２３は導波管短絡面である。

【００４１】誘電体２０は導波管シャーシ１の一端付近
に取付けられ、誘電体２０の中心に取付けられた導体線
路２１と組合わせて同軸線路を形成する。また、直線導
体２２は、導体線路２１の両端に接続され、その両端が
第１層の導波管回路８および第２層の導波管回路９の最
大電界となる位置に電界方向と平行に挿入されており、
２つの同軸／導波管変換部を構成する。また、導波管短
絡面２３は第３のＨ面分割導波管回路構成部１５と第４
のＨ面分割導波管回路構成部１６の一端に位置し、同軸
／導波管変換部を構成する導波管短絡面となる。

【００４２】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路を誘電体２
０と導体線路２１と直線導体２２と導波管短絡面２３で
構成されるＥ面プローブ型同軸／導波管変換により接続
することで導波管回路間の距離を短くでき、導波管モジ
ュールを構成する場合に小型化が可能になる。また、Ｈ
面分割構成としたために、例えば、発振器のようなＨ面
分割構成で製作する素子がある場合についても、導波管
モジュールの製作が可能になる。更に、誘電体２０と導
体線路２１を組合わせて構成される同軸線路のために、
第１層の導波管回路８と第２層の導波管回路９をそれぞ
れ独立して気密状態に保つことが可能になる。なお、第
１の導波管ブロック４または第２の導波管ブロック６の
Ｈ面分割導波管回路構成部とは反対の面に、Ｈ面分割導
波管回路構成部を配置し、同様な構成を繰り返していけ
ば、より小型化した多層の導波管モジュールを実現でき
る。

【００４３】実施例６．図１１は上記実施例１において
導波管回路接続方法をＨ面ループコイル型同軸／導波管
変換とした導波管モジュールを示す図であり、図１１
（ａ）は導波管モジュールの導波管接続部断面、図１１
（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１１（ｃ）は
図１１（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図１２（ａ）は図１１
（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図１２（ｂ）は図１１（ａ）の
導波管接続部分解図である。図において、２４はループ
コイル導体、２５は第１の導波管短絡面構成部、２６は
第２の導波管短絡面構成部、２７は第３の導波管短絡面
構成部、２８は第４の導波管短絡面構成部、２９は第１
の導波管短絡面、３０は第２の導波管短絡面である。

【００４４】誘電体２０は導波管シャーシ１の一端付近
に取付けられ、誘電体２０の中心に取付けられた導体線
路２１と組合わせて同軸線路を形成する。ループコイル
導体２４は、導体線路２１の両端に接続され、第１層の
導波管回路８および第２層の導波管回路９の最大磁界と
なる位置に磁界方向と平行に挿入されており、２つの同
軸／導波管変換部を構成する。第１の導波管短絡面２９
は第１の導波管短絡面構成部２５と第３の導波管短絡面
構成部２７を組合わせて構成され、第２の導波管短絡面
３０は第２の導波管短絡面構成部２６と第４の導波管短
絡面構成部２８を組合わせて構成され、それぞれ同軸／
導波管変換部を構成する導波管短絡面となる。

【００４５】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路を誘電体２
０と導体線路２１とループコイル導体２４と第１の導波
管短絡面２９および第２の導波管短絡面３０で構成され
るＨ面ループコイル型同軸／導波管変換により接続する
ことで導波管回路間の距離を短くでき、導波管モジュー
ルを構成する場合に小型化が可能になる。更に、誘電体
２０と導体線路２１を組合わせて構成される同軸線路の
ために、第１層の導波管回路８と第２層の導波管回路９
をそれぞれ独立して気密状態に保つことが可能になる。
なお、第１の導波管ブロック４または第２の導波管ブロ
ック６のＥ面分割導波管回路構成部とは反対の面に、Ｅ
面分割導波管回路構成部を配置し、同様な構成を繰り返
していけば、より小型化した多層の導波管モジュールを
実現できる。

【００４６】実施例７．図１３は上記実施例４において
導波管回路接続方法をＥ面プローブ型導波管／マイクロ
ストリップ変換とした導波管モジュールを示す図であ
り、図１３（ａ）は導波管モジュールの導波管接続部断
面、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１
３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図１４（ａ）
は図１３（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図１４（ｂ）は図１３
（ａ）の導波管接続部分解図である。図において、３１
は誘電体または半導体からなる基板、３２はマイクロス
トリップ線路、３３は直線プローブである。

【００４７】マイクロストリップ線路３２とその両端に
接続された直線プローブ３３は、第３の導波管ブロック
１８に取付けられた誘電体または半導体からなる基板３
１の表面に形成されたパターンである。直線プローブ３
３は第１層の導波管回路８および第２層の導波管回路９
の最大電界となる位置に電界方向と平行に挿入されてお
り、２つの導波管／マイクロストリップ変換を構成す
る。導波管短絡面２３は第３の導波管ブロック１８に加
工されており、導波管／マイクロストリップ変換を構成
する導波管短絡面となる。

【００４８】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。

【００４９】また、一体化構成としたことによる代わり
の接続方法として、２層の導波管回路をマイクロストリ
ップ線路３２と直線プローブ３３と誘電体または半導体
からなる基板３１と導波管短絡面２３で構成されるＥ面
プローブ型導波管／マイクロストリップ変換により接続
することで導波管回路間の距離を短くでき、導波管モジ
ュールを構成する場合に小型化が可能になる。また、Ｈ
面分割構成としたために、例えば、発振器のようなＨ面
分割構成で製作する素子がある場合についても、導波管
モジュールの製作が可能になる。更に、マイクロストリ
ップ線路３２の線路長を変えることで、位相調整機能を
持たせることができる。また、マイクロストリップ線路
３２の線路の途中に抵抗を挿入し、電力調整機能を持た
せることも可能である。

【００５０】実施例８．図１５は上記実施例３において
導波管回路接続方法をＨ面ループコイル型導波管／マイ
クロストリップ変換とした導波管モジュールを示す図で
あり、図１５（ａ）は導波管モジュールの導波管接続部
断面、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図、図
１５（ｃ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図１６
（ａ）は図１５（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図１６（ｂ）は
図１５（ａ）の導波管接続部分解図である。図におい
て、３４はループコイル状プローブである。

【００５１】マイクロストリップ線路３２とその両端に
接続してあるループコイル状プローブ３４は、第３の導
波管ブロック１８に取付けられた誘電体または半導体か
らなる基板３１の表面に形成されたパターンである。ル
ープコイル状プローブ３４は第１層の導波管回路８およ
び第２層の導波管回路９の最大磁界となる位置に磁界方
向と平行に挿入されており、２つの導波管／マイクロス
トリップ変換を構成する。導波管短絡面２３は第３の導
波管ブロック１８に加工されており、導波管／マイクロ
ストリップ変換部を構成する導波管短絡面となる。

【００５２】この場合にも、第１層の導波管回路８と第
２層の導波管回路９の２層の導波管回路を同じ導波管シ
ャーシ１の両面に配置し、一体化することで部品点数の
削減が可能になる。また、一体化構成としたことによる
代わりの接続方法として、２層の導波管回路をマイクロ
ストリップ線路３２とループコイル状プローブ３４と誘
電体または半導体からなる基板３１と導波管短絡面２３
で構成されるＨ面ループコイル型の導波管／マイクロス
トリップ変換により接続することで導波管回路間の距離
を短くでき、導波管モジュールを構成する場合に小型化
が可能になる。、更にマイクロストリップ線路３２の線
路長を変えることで、位相調整機能を持たせることがで
きる。また、マイクロストリップ線路３２の線路の途中
に抵抗を挿入し、電力調整機能を持たせることも可能で
ある。

【００５３】

【発明の効果】以上のようにこの発明の実施例１によれ
ば、２層のＥ面分割した導波管回路を同一のシャーシの
両面に配置して一体化し、階段状の導波管Ｈ面コーナー
と接続導波管により接続することで、部品点数を減ら
せ、各層の導波管回路の間隔が短くなり小型化できる。
更に、導波管Ｈ面コーナーをステップ状に近似してある
ため、例えば放電加工などの工作方法を用いることによ
り加工が容易になり、より安価に導波管モジュールを製
作することができる。また、ステップ状に近似した階段
部１１の一辺の長さを信号周波数の波長の１／６以下に
すれば、コーナー部のインピーダンス整合状態に影響を
及ぼすことがないために、コーナー部で生じる損失をほ
とんど増加させることもない。

【００５４】この発明の実施例２によれば、２層のＨ面
分割した導波管回路を同一のシャーシの両面に配置して
一体化し、階段状の導波管Ｅ面コーナーと接続導波管に
より接続することで、部品点数を減らせ、各層の導波管
回路の間隔が短くなり小型化できる。更に、導波管Ｅ面
コーナーをステップ状に近似してあるため、例えば放電
加工などの工作方法を用いることにより加工が容易にな
り、より安価に導波管モジュールを製作することができ
る。また、ステップ状に近似した階段部１１の一辺の長
さを信号周波数の波長の１／６以下にすれば、コーナー
部のインピーダンス整合状態に影響を及ぼすことがない
ために、コーナー部で生じる損失をほとんど増加させる
こともない。また、Ｈ面分割構成としたために、例え
ば、発振器のようなＨ面分割構成で製作する素子がある
場合についても、導波管モジュールの製作が可能にな
る。

【００５５】この発明の実施例３によれば、２層のＥ面
分割した導波管回路を同一のシャーシの両面に配置して
一体化し、階段状の導波管Ｈ面コーナーと接続導波管に
より接続することで、部品点数を減らせ、各層の導波管
回路の間隔が短くなり、小型化できる。更に、導波管Ｈ
面コーナーをステップ状に近似してあるため、例えば放
電加工などの工作方法を用いることにより加工が容易に
なり、より安価に導波管モジュールを製作することがで
きる。また、ステップ状に近似した階段部１１の一辺の
長さを信号周波数の波長の１／６以下にすれば、コーナ
ー部のインピーダンス整合状態に影響を及ぼすことがな
いために、コーナー部で生じる損失をほとんど増加させ
ることもない。また、導波管Ｈ面コーナーを２層の導波
管回路から分割した構造にしたことで、導波管コーナー
部分にインピーダンス不整合が生じた場合でも、コーナ
ー部分のみを交換することにより、接続部の調整ができ
る。

【００５６】この発明の実施例４によれば、２層のＨ面
分割した導波管回路を同一のシャーシの両面に配置して
一体化し、階段状の導波管Ｅ面コーナーと接続導波管に
より接続することで、部品点数を減らせ、各層の導波管
回路の間隔が短くなり小型化できる。更に、導波管Ｅ面
コーナーをステップ状に近似してあるため、例えば放電
加工などの工作方法を用いることにより加工が容易にな
り、より安価に導波管モジュールを製作することができ
る。また、ステップ状に近似した階段部１１の一辺の長
さを信号周波数の波長の１／６以下にすれば、コーナー
部のインピーダンス整合状態に影響を及ぼすことがない
ために、コーナー部で生じる損失をほとんど増加させる
こともない。また、Ｈ面分割構成としたために、例えば
発振器のようなＨ面分割構成で製作する素子がある場合
についても、導波管モジュールの製作が可能になる。ま
た、導波管Ｅ面コーナーを２層の導波管回路から分割し
た構造としたことで、導波管コーナー部分にインピーダ
ンス不整合が生じた場合でも、コーナー部分のみを交換
することにより、接続部の調整ができる。

【００５７】この発明の実施例５によれば、２層のＨ面
分割した導波管回路を同一のシャーシの両面に配置して
一体化し、Ｅ面プローブ型同軸／導波管変換により接続
することで、部品点数を減らせ、各層の導波管回路の間
隔が短くなり小型化できる。また、Ｈ面分割構成とした
ために、例えば、発振器のようなＨ面分割構成で製作す
る素子がある場合についても、導波管モジュールの製作
が可能になる。更に、各層の導波管回路を独立して気密
状態に保つことができる。

【００５８】この発明の実施例６によれば、２層のＥ面
分割した導波管回路を同一のシャーシの両面に配置して
一体化し、Ｈ面ループコイル型同軸／導波管変換により
接続することで、部品点数を減らせ、各層の導波管回路
の間隔が短くなり小型化できる。更に、各層の導波管回
路を独立して気密状態に保つことができる。

【００５９】この発明の実施例７によれば、２層のＨ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、Ｅ面プローブ型導波管／マイクロストリップ
変換により接続することで、部品点数を減らせ、各層の
導波管回路の間隔が短くなり、小型化できる。また、Ｈ
面分割構成としたために、例えば、発振器のようなＨ面
分割構成で製作する素子がある場合についても、導波管
モジュールの製作が可能になる。更に、マイクロストリ
ップ線路の線路長を変えることで、位相調整機能を持た
せることができる。また、マイクロストリップ線路の線
路の途中に抵抗を挿入し、電力調整機能を持たせること
も可能である。

【００６０】この発明の実施例８によれば、２層のＥ面
分割した導波管回路を１つのシャーシの両面に配置して
一体化し、Ｈ面ループコイル型導波管／マイクロストリ
ップ変換により接続することで、部品点数を減らせ、各
層の導波管回路の間隔が短くなり小型化できる。更に、
マイクロストリップ線路の線路長を変えることで、位相
調整機能を持たせることができる。また、マイクロスト
リップ線路の線路の途中に抵抗を挿入し、電力調整機能
を持たせることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明による導波管モジュールの実施例１
を示す図である。

【図２】 この発明による導波管モジュールの実施例１
を示す図１（ａ）の断面図および接続部分解図である。

【図３】 この発明による導波管モジュールの実施例２
を示す図である。

【図４】 この発明による導波管モジュールの実施例２
を示す図３（ａ）の断面図および接続部分解図である。

【図５】 この発明による導波管モジュールの実施例３
を示す図である。

【図６】 この発明による導波管モジュールの実施例３
を示す図５（ａ）の断面図および接続部分解図である。

【図７】 この発明による導波管モジュールの実施例４
を示す図である。

【図８】 この発明による導波管モジュールの実施例４
を示す図７（ａ）の断面図および接続部分解図である。

【図９】 この発明による導波管モジュールの実施例５
を示す図である。

【図１０】 この発明による導波管モジュールの実施例
５を示す図９（ａ）の断面図および接続部分解図であ
る。

【図１１】 この発明による導波管モジュールの実施例
６を示す図である。

【図１２】 この発明による導波管モジュールの実施例
６を示す図１１（ａ）の断面図および接続部分解図であ
る。

【図１３】 この発明による導波管モジュールの実施例
７を示す図である。

【図１４】 この発明による導波管モジュールの実施例
７を示す図１３（ａ）の断面図および接続部分解図であ
る。

【図１５】 この発明による導波管モジュールの実施例
８を示す図である。

【図１６】 この発明による導波管モジュールの実施例
８を示す図１５（ａ）の断面図および接続部分解図であ
る。

【図１７】 従来の導波管モジュールを示す図である。

【符号の説明】

１ 導波管シャーシ、２ 第１のＥ面分割導波管回路構
成部、３ 第２のＥ面分割導波管回路構成部、４ 第１
の導波管ブロック、５ 第３のＥ面分割導波管回路構成
部、６ 第２の導波管ブロック、７ 第４のＥ面分割導
波管回路構成部、８ 第１層の導波管回路、９ 第２層
の導波管回路、１０ 接続導波管、１１階段部、１２
導波管Ｈ面コーナー、１３ 第１のＨ面分割導波管回路
構成部、１４ 第２のＨ面分割導波管回路構成部、１５
第３のＨ面分割導波管回路構成部、１６ 第４のＨ面
分割導波管回路構成部、１７ 導波管Ｅ面コーナー、１
８ 第３の導波管ブロック、１９ 接続導波管構成部、
２０ 誘電体、２１ 導体線路、２２ 直線導体、２３
導波管短絡面、２４ ループコイル導体、２５第１の
導波管短絡面構成部、２６ 第２の導波管短絡面構成
部、２７ 第３の導波管短絡面構成部、２８ 第４の導
波管短絡面構成部、２９ 第１の導波管短絡面、３０
第２の導波管短絡面、３１ 誘電体または半導体からな
る基板、３２ マイクロストリップ線路、３３ 直線プ
ローブ、３４ ループコイル状プローブ、３５ 第１の
導波管回路、３６ 第２の導波管回路、３７ フランジ
付き導波管。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 5/107 Ｈ０１Ｐ 5/107 F13-16,C7-8

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の電界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の電界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の電界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   電界面分割導波管回路構成部と、上記第１の電界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の電界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の電界面分割導波管回路構成部と上記第４の電界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、上記第１層の導波管回路と上記第２層の
   導波管回路を接続するために上記導波管シャーシに形成
   された接続導波管と、上記第２の電界面分割導波管回路
   構成部の一端に形成された階段部と、上記第４の電界面
   分割導波管回路構成部の一端に形成された階段部とを具
   備したことを特徴とする導波管モジュール。
2. 【請求項２】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の磁界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の磁界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の磁界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   磁界面分割導波管回路構成部と、上記第１の磁界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の磁界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の磁界面分割導波管回路構成部と上記第４の磁界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、上記第１層の導波管回路と上記第２層の
   導波管回路を接続するために上記導波管シャーシに形成
   された接続導波管と、上記第２の磁界面分割導波管回路
   構成部の一端に形成された階段部と、上記第４の磁界面
   分割導波管回路構成部の一端に形成された階段部とを具
   備したことを特徴とする導波管モジュール。
3. 【請求項３】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の電界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の電界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の電界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   電界面分割導波管回路構成部と、上記第１の電界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の電界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の電界面分割導波管回路構成部と上記第４の電界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、第３の導波管ブロックと、上記第３の導
   波管ブロックに形成された接続導波管構成部と、上記接
   続導波管構成部の両端に形成された階段部とを具備した
   ことを特徴とする導波管モジュール。
4. 【請求項４】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の磁界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の磁界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の磁界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   磁界面分割導波管回路構成部と、上記第１の磁界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の磁界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の磁界面分割導波管回路構成部と上記第４の磁界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、第３の導波管ブロックと、上記第３の導
   波管ブロックに形成された接続導波管構成部と、上記接
   続導波管構成部の両端に形成された階段部とを具備した
   ことを特徴とする導波管モジュール。
5. 【請求項５】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の磁界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の磁界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の磁界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   磁界面分割導波管回路構成部と、上記第１の磁界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の磁界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の磁界面分割導波管回路構成部と上記第４の磁界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、上記第１層の導波管回路と上記第２層の
   導波管回路を接続するために上記導波管シャーシの一端
   付近に取付けられた誘電体と、上記誘電体と組合わせて
   同軸線路を構成する導体線路と、上記導体線路の両端に
   接続された直線導体と、上記第３の磁界面分割導波管回
   路構成部の一端に位置する導波管短絡面と、上記第４の
   磁界面分割導波管回路構成部の一端に位置する導波管短
   絡面とを具備したことを特徴とする導波管モジュール。
6. 【請求項６】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の電界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の電界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の電界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   電界面分割導波管回路構成部と、上記第１の電界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の電界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の電界面分割導波管回路構成部と上記第４の電界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、上記第１層の導波管回路と上記第２層の
   導波管回路を接続するために上記導波管シャーシの一端
   付近に取付けられた誘電体と、上記誘電体と組合わせて
   同軸線路を構成する導体線路と、上記導体線路の両端に
   接続されたループコイル導体と、上記第１の電界面分割
   導波管回路構成部の一端に位置する第１の導波管短絡面
   構成部と、上記第２の電界面分割導波管回路構成部の一
   端に位置する第２の導波管短絡面構成部と、上記第３の
   電界面分割導波管回路構成部の一端に位置する第３の導
   波管短絡面構成部と、上記第４の電界面分割導波管回路
   構成部の一端に位置する第４の導波管短絡面構成部と、
   上記第１の導波管短絡面構成部と上記第３の導波管短絡
   面構成部を組合わせて構成される第１の導波管短絡面
   と、上記第２の導波管短絡面構成部と上記第４の導波管
   短絡面構成部を組合わせて構成される第２の導波管短絡
   面とを具備したことを特徴とする導波管モジュール。
7. 【請求項７】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の磁界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の磁界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の磁界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   磁界面分割導波管回路構成部と、上記第１の磁界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の磁界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の磁界面分割導波管回路構成部と上記第４の磁界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、第３の導波管ブロックと、上記第１層の
   導波管回路と上記第２層の導波管回路を接続するために
   上記第３の導波管ブロックに取付けられた基板と、上記
   基板上に形成されたマイクロストリップ線路と、上記基
   板上に形成されたマイクロストリップ線路の両端に接続
   された直線プローブと、上記第３の導波管ブロックに形
   成された２つの導波管短絡面とを具備したことを特徴と
   する導波管モジュール。
8. 【請求項８】 導波管シャーシと、上記導波管シャーシ
   の一方の面に形成された第１の電界面分割導波管回路構
   成部と、上記導波管シャーシのもう一方の面に形成され
   た第２の電界面分割導波管回路構成部と、第１の導波管
   ブロックと、上記第１の導波管ブロックに形成された第
   ３の電界面分割導波管回路構成部と、第２の導波管ブロ
   ックと、上記第２の導波管ブロックに形成された第４の
   電界面分割導波管回路構成部と、上記第１の電界面分割
   導波管回路構成部と上記第３の電界面分割導波管回路構
   成部を組合せて構成される第１層の導波管回路と、上記
   第２の電界面分割導波管回路構成部と上記第４の電界面
   分割導波管回路構成部を組合わせて構成される第２層の
   導波管回路と、第３の導波管ブロックと、上記第１層の
   導波管回路と上記第２層の導波管回路を接続するために
   上記第３の導波管ブロックに取付けられた誘電体または
   半導体からなる基板と、上記基板上に形成されたマイク
   ロストリップ線路と、上記基板上に形成されたマイクロ
   ストリップ線路の両端に接続されたループコイル状プロ
   ーブと、上記第３の導波管ブロックに形成された２つの
   導波管短絡面とを具備したことを特徴とする導波管モジ
   ュール。
9. 【請求項９】 階段部の一辺の長さを信号周波数の波長
   の１／６以下に設定したことを特徴とする請求項１〜４
   いずれか記載の導波管モジュール。