JPH0126563B2 - - Google Patents
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- JPH0126563B2 JPH0126563B2 JP59027223A JP2722384A JPH0126563B2 JP H0126563 B2 JPH0126563 B2 JP H0126563B2 JP 59027223 A JP59027223 A JP 59027223A JP 2722384 A JP2722384 A JP 2722384A JP H0126563 B2 JPH0126563 B2 JP H0126563B2
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- Japan
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/20—Magic-T junctions
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は、半導体基板上において共平面線路を
用いて構成したマジツクTに関するものである。
用いて構成したマジツクTに関するものである。
(従来技術と問題点)
第1図は従来のマジツクTを示す図で、aは平
面図、bはA,A′における断面図である。
面図、bはA,A′における断面図である。
第1図に示すように、従来の共平面線路を用い
るマジツクTは、誘電体基板12の片面にスロツ
ト線路5,6,8,9、結合スロツト線路7、そ
の反対面にマイクロストリツプ線路10,11を
設け、これらの線路を4分の1波長程度のスタブ
によつて結合させることによつて構成されてお
り、1〜3を入出力ポートとしている。
るマジツクTは、誘電体基板12の片面にスロツ
ト線路5,6,8,9、結合スロツト線路7、そ
の反対面にマイクロストリツプ線路10,11を
設け、これらの線路を4分の1波長程度のスタブ
によつて結合させることによつて構成されてお
り、1〜3を入出力ポートとしている。
このような従来の構成では基板の両面を用いて
いるため、表面のパターンと裏面のパターンとの
位置合わせに対して高い製作精度が要求されるか
ら、工程が複雑で、製造コストが高くなるという
問題点があつた。また、基板の表面及び裏面の線
路を結合させるため4分の1波長程度のスタブを
用いる必要があり、そのため回路形状が大きくな
るという欠点もあつた。
いるため、表面のパターンと裏面のパターンとの
位置合わせに対して高い製作精度が要求されるか
ら、工程が複雑で、製造コストが高くなるという
問題点があつた。また、基板の表面及び裏面の線
路を結合させるため4分の1波長程度のスタブを
用いる必要があり、そのため回路形状が大きくな
るという欠点もあつた。
(発明の目的)
本発明はこれらの欠点を除去するため半導体基
板上で共平面線路のみを用いてマジツクTを構成
したもので、以下その構成と作用を実施例の図面
に基づいて詳細に説明する。
板上で共平面線路のみを用いてマジツクTを構成
したもので、以下その構成と作用を実施例の図面
に基づいて詳細に説明する。
(発明の実施例)
第2図は本発明の一実施例を示す図であつて、
特許請求の範囲第1項に対応するものである。
特許請求の範囲第1項に対応するものである。
同図において、19,20,21,22は入出
力ポート、15は、結合スロツト線路、14,1
8はコプレナー線路、16,17はスロツト線
路、23は絶縁膜、24,25,26はストリツ
プ導体、13は半導体基板を表わしている。
力ポート、15は、結合スロツト線路、14,1
8はコプレナー線路、16,17はスロツト線
路、23は絶縁膜、24,25,26はストリツ
プ導体、13は半導体基板を表わしている。
以下、本実施例の動作について説明するが、そ
の理解を容易にするため、先に、第3図および第
4図を用いて、基本回路について、説明する。
の理解を容易にするため、先に、第3図および第
4図を用いて、基本回路について、説明する。
第3図は、結合スロツト線路の伝搬モードの電
界方向を模式的に表わした図で、35,36は電
界の方向を表わしており、第3図aの場合は奇モ
ード、第3図bの場合は偶モードと呼ばれてい
る。
界方向を模式的に表わした図で、35,36は電
界の方向を表わしており、第3図aの場合は奇モ
ード、第3図bの場合は偶モードと呼ばれてい
る。
奇モードは、コプレナー線路の不平衡モードと
同一の電界分布を有しており、両側の接地導体は
同一のポテンシヤル(零電位)となつている(結
合スロツト線路の奇モードに対応する)。
同一の電界分布を有しており、両側の接地導体は
同一のポテンシヤル(零電位)となつている(結
合スロツト線路の奇モードに対応する)。
奇モードは、スロツト線路の2つの平衡モード
からなつており、両側の接地導体のポテンシヤル
は異なつている。
からなつており、両側の接地導体のポテンシヤル
は異なつている。
この構造で、中心導体45の幅が零の場合は、
スロツト線路(第3図c)に対応する。
スロツト線路(第3図c)に対応する。
第4図は線路の変換について説明する図で、各
図の矢印は電界の方向を表わしている。
図の矢印は電界の方向を表わしている。
第4図aはスロツト線路39の平衡モードがコ
プレナー線路40の不平衡モードに変換される状
態を示しており、入力ポート37からの信号は、
スロツト線路39を伝搬し、コプレナー線路38
の中心導体に接続するストリツプ導体41を経
て、並列に2分割される。ストリツプ導体41の
下面の絶縁膜42内の電界分布は第4図aのA−
A′断面図bに示すとおりである。
プレナー線路40の不平衡モードに変換される状
態を示しており、入力ポート37からの信号は、
スロツト線路39を伝搬し、コプレナー線路38
の中心導体に接続するストリツプ導体41を経
て、並列に2分割される。ストリツプ導体41の
下面の絶縁膜42内の電界分布は第4図aのA−
A′断面図bに示すとおりである。
並列2分割された信号の電界はコプレナー線路
40を経て出力ポート38から得られる。
40を経て出力ポート38から得られる。
第4図cは結合スロツト線路43の偶モードが
コプレナー線路40の不平衡モード(結合スロツ
ト線路の奇モードに対応)に変換される状態を示
している。
コプレナー線路40の不平衡モード(結合スロツ
ト線路の奇モードに対応)に変換される状態を示
している。
入力ポート37からの信号は結合スロツト線路
43を伝搬し、ストリツプ導体41を経て、コプ
レナー線路40に伝搬する。
43を伝搬し、ストリツプ導体41を経て、コプ
レナー線路40に伝搬する。
出力は、コプレナー線路40のポート38より
得られる。ストリツプ導体41の下面の絶縁膜4
2内における電界分布は、第4図cのB−B′断
面図dに示すように、結合スロツト線路からの入
力電界46が直列に合成されて電界44のように
なり、さらに、これがストリツプ導体41を通し
てコプレナー線路内の電界47に変換される。入
力電界46は、並列2分割されてコプレナー線路
40を伝搬し、出力が得られる。
得られる。ストリツプ導体41の下面の絶縁膜4
2内における電界分布は、第4図cのB−B′断
面図dに示すように、結合スロツト線路からの入
力電界46が直列に合成されて電界44のように
なり、さらに、これがストリツプ導体41を通し
てコプレナー線路内の電界47に変換される。入
力電界46は、並列2分割されてコプレナー線路
40を伝搬し、出力が得られる。
一方、第4図cにおいて、ポート38を入力ポ
ートにした場合、入力信号はコプレナー線路40
を伝搬し、ストリツプ導体41の接続部で並列合
成され、ストリツプ導体下面で電界44に変換さ
れる。
ートにした場合、入力信号はコプレナー線路40
を伝搬し、ストリツプ導体41の接続部で並列合
成され、ストリツプ導体下面で電界44に変換さ
れる。
この電界は、直列2分割されて結合スロツト線
路の奇モードに変換され(電界分布は46)、結
合スロツト線路43を伝搬し、出力がポート37
より得られる。
路の奇モードに変換され(電界分布は46)、結
合スロツト線路43を伝搬し、出力がポート37
より得られる。
このように、第4図cの回路は、ポート37を
入力ポートにした場合、線路変換は直列合成−並
列分割が基本である。
入力ポートにした場合、線路変換は直列合成−並
列分割が基本である。
また、ポート38を入力ポートにした場合、線
路変換は並列合成−直列分割が基本になつてい
る。なお、第4図cの回路では結合スロツト線路
の奇モードのみがコプレナー線路に結合し、偶モ
ードは結合スロツト線路の中心導体が開放になつ
ているため、ストリツプ導体接続部において全反
射される。
路変換は並列合成−直列分割が基本になつてい
る。なお、第4図cの回路では結合スロツト線路
の奇モードのみがコプレナー線路に結合し、偶モ
ードは結合スロツト線路の中心導体が開放になつ
ているため、ストリツプ導体接続部において全反
射される。
第5図は、先に第2図に示した実施例の動作原
理を説明するための図である。
理を説明するための図である。
5図aにおいて、入力ポート19からの入力信
号はコプレナー線路14を伝搬し、結合スロツト
線路を奇モード励振する。奇モードは、コプレナ
ー線路18への接続部でコプレナー線路へは結合
せず(第4図cの説明どおり)、スロツト線路1
6,17へ図に示す位相で分配される。
号はコプレナー線路14を伝搬し、結合スロツト
線路を奇モード励振する。奇モードは、コプレナ
ー線路18への接続部でコプレナー線路へは結合
せず(第4図cの説明どおり)、スロツト線路1
6,17へ図に示す位相で分配される。
一方、第5図bでは、ポート20が入力ポート
であり、入力信号はコプレナー線路18を伝搬
し、コプレナー線路から結合スロツト線路への変
換部を通して、結合スロツト線路15を偶モード
励振する。偶モードはストリツプ導体24の中点
48で互いに逆位相のため、電気的に短絡され
る。コプレナー線路−結合スロツト線路変換部と
ストリツプ導体24との距離は4分の1波長の奇
数倍に選ばれているため、変換部から結合スロツ
ト線路15をみたときのインピーダンスは無限大
となる。そのため、変換部からの信号は全てスロ
ツト線路16,17に第4図cに示す位相で変換
される。
であり、入力信号はコプレナー線路18を伝搬
し、コプレナー線路から結合スロツト線路への変
換部を通して、結合スロツト線路15を偶モード
励振する。偶モードはストリツプ導体24の中点
48で互いに逆位相のため、電気的に短絡され
る。コプレナー線路−結合スロツト線路変換部と
ストリツプ導体24との距離は4分の1波長の奇
数倍に選ばれているため、変換部から結合スロツ
ト線路15をみたときのインピーダンスは無限大
となる。そのため、変換部からの信号は全てスロ
ツト線路16,17に第4図cに示す位相で変換
される。
このように、第2図の回路では、ポート19
(マジツクTのEポートに相当)とポート20
(マジツクTのHポートに相当)とは結合せず、
各々のポートからの入力はポート21,22に等
分配され、しかも、位相が同相(ポート20が入
力ポート)、逆相(ポート19が入力ポート)と
なつており、本回路が180゜ハイブリツド回路(マ
ジツクT)として動作することになる。
(マジツクTのEポートに相当)とポート20
(マジツクTのHポートに相当)とは結合せず、
各々のポートからの入力はポート21,22に等
分配され、しかも、位相が同相(ポート20が入
力ポート)、逆相(ポート19が入力ポート)と
なつており、本回路が180゜ハイブリツド回路(マ
ジツクT)として動作することになる。
第6図は本発明の他の実施例を示す図であつ
て、特許請求の範囲第2項に対応するものであ
る。
て、特許請求の範囲第2項に対応するものであ
る。
第6図において、32,33はコプレナー線
路、34は結合スロツト線路からコプレナー線路
への変換を行なうための電気的開放条件を与える
分離部である。この部分は、先端短絡の4分の1
の波長程度のスロツト線路に置き変えることも可
能である。コプレナー線路32,33と結合スロ
ツト線路の接続部ではコプレナー線路の外側の導
体を絶縁膜を介してストリツプ導体30,31を
用いて接続している。
路、34は結合スロツト線路からコプレナー線路
への変換を行なうための電気的開放条件を与える
分離部である。この部分は、先端短絡の4分の1
の波長程度のスロツト線路に置き変えることも可
能である。コプレナー線路32,33と結合スロ
ツト線路の接続部ではコプレナー線路の外側の導
体を絶縁膜を介してストリツプ導体30,31を
用いて接続している。
第7図は、第6図で示した実施例の動作原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
第7図aは入力ポートが19の場合を示してお
り、結合スロツト線路15を奇モード励振するた
めのコプレナー線路18には結合せず、出力は全
てコプレナー線路32,33から得られる。結合
スロツト線路の各スロツト部が各々コプレナー線
路に接続されるため、スロツト線路−コプレナー
線路変換部(第4図a参照)によりスロツトの平
衡モードが各々コプレナー線路の不平衡モードに
変換される。コプレナー線路32,33の片方の
外側導体を分離する開放部34は、電気的にコプ
レナー線路32および33を分離するためのもの
である。
り、結合スロツト線路15を奇モード励振するた
めのコプレナー線路18には結合せず、出力は全
てコプレナー線路32,33から得られる。結合
スロツト線路の各スロツト部が各々コプレナー線
路に接続されるため、スロツト線路−コプレナー
線路変換部(第4図a参照)によりスロツトの平
衡モードが各々コプレナー線路の不平衡モードに
変換される。コプレナー線路32,33の片方の
外側導体を分離する開放部34は、電気的にコプ
レナー線路32および33を分離するためのもの
である。
この分離により、互いのコプレナー線路の結合
がなくなり、各スロツト線路からの信号を各コプ
レナー線路が独立に得ることになり、等分配の特
性を得ることができる。
がなくなり、各スロツト線路からの信号を各コプ
レナー線路が独立に得ることになり、等分配の特
性を得ることができる。
第7図bは入力ポートが20の場合を示してお
り、第7図aが同相分配であるのに対して、逆相
分配になつている。
り、第7図aが同相分配であるのに対して、逆相
分配になつている。
このように、第6図の回路は、ポート19と2
0(それぞれマジツクTのHおよびEポートに相
当)は結合せず、各々のポートからの入力はポー
ト21,22に等分配され、しかも位相が同相
(ポート19が入力ポート)、逆相(ポート20が
入力ポート)となつており、本回路は180゜ハイブ
リツド回路(マジツクT)として動作することに
なる。
0(それぞれマジツクTのHおよびEポートに相
当)は結合せず、各々のポートからの入力はポー
ト21,22に等分配され、しかも位相が同相
(ポート19が入力ポート)、逆相(ポート20が
入力ポート)となつており、本回路は180゜ハイブ
リツド回路(マジツクT)として動作することに
なる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明による共平面マジ
ツクTは半導体基板上に構成されているため、半
導体素子の製造工程を通して半導体素子と同時に
製作できるから、回路の低コスト化を図ることが
できる。さらに各線路の接続部をエツチング工程
のみで製作するため高い精度が得られるから、回
路を高周波帯で動作させることができ、また、各
線路の接続部を同一平面で、かつ多層構造で構成
するため回路の大幅な小形化を図れる利点があ
る。
ツクTは半導体基板上に構成されているため、半
導体素子の製造工程を通して半導体素子と同時に
製作できるから、回路の低コスト化を図ることが
できる。さらに各線路の接続部をエツチング工程
のみで製作するため高い精度が得られるから、回
路を高周波帯で動作させることができ、また、各
線路の接続部を同一平面で、かつ多層構造で構成
するため回路の大幅な小形化を図れる利点があ
る。
第1図は従来のマジツクTを示す図、第2図は
本発明の一実施例を示す図、第3図は結合スロツ
ト線路の伝搬モードの電界方向を模式的に表わし
た図、第4図は線路の変換について説明する図、
第5図は第2図の実施例の動作原理を説明する
図、第6図は本発明の他の実施例を示す図、第7
図は第6図の実施例の動作原理を説明する図であ
る。 1,2,3,4,19,20,21,22,3
7,38……信号入出力ポート、5,6,8,
9,16,17,39……スロツト線路、7,1
5,43……結合スロツト線路、10,11……
マイクロストリツプ線路、12……誘電体基板、
13……半導体基板、14,18,32,33,
40……コプレナー線路、23,42……絶縁
膜、24,25,26,27,28,29,3
0,31,41……ストリツプ導体、34……ス
ロツト開放部、35,36,41,46,47…
…電界の方向、45……結合スロツト線路の中心
導体、48……ストリツプ導体24の中央部。
本発明の一実施例を示す図、第3図は結合スロツ
ト線路の伝搬モードの電界方向を模式的に表わし
た図、第4図は線路の変換について説明する図、
第5図は第2図の実施例の動作原理を説明する
図、第6図は本発明の他の実施例を示す図、第7
図は第6図の実施例の動作原理を説明する図であ
る。 1,2,3,4,19,20,21,22,3
7,38……信号入出力ポート、5,6,8,
9,16,17,39……スロツト線路、7,1
5,43……結合スロツト線路、10,11……
マイクロストリツプ線路、12……誘電体基板、
13……半導体基板、14,18,32,33,
40……コプレナー線路、23,42……絶縁
膜、24,25,26,27,28,29,3
0,31,41……ストリツプ導体、34……ス
ロツト開放部、35,36,41,46,47…
…電界の方向、45……結合スロツト線路の中心
導体、48……ストリツプ導体24の中央部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板上に設けた結合スロツト線路の一
端を第1の接続点として、該第1の接続点におい
て、結合スロツト線路の外側2導体間を接続する
と共に、第1のコプレナー線路を接続して、該第
1のコプレナー線路の他端を第1の入力ポートと
成し、一方、結合スロツト線路の第1の接続点か
ら中心周波数の4分の1波長の奇数倍の長さに相
当する距離の箇所を第2の接続点として、該第2
の接続点において、第1、第2のスロツト線路の
一端を接続すると共に、結合スロツト線路の第2
の接続点の外側導体の一方に第2のコプレナー線
路の中心導体の一端を接続し、さらに、結合スロ
ツト線路の他の外側導体に第2のコプレナー線路
の接地導体を接続して、前記第1、第2のスロツ
ト線路の他端をそれぞれ第2、第3の入出力ポー
トと成し、また、第2のコプレナー線路の他端を
第4の入出力ポートとしたことを特徴とする共平
面マジツクT。 2 半導体基板上に設けた結合スロツト線路の一
端を第1の接続点として、該第1の接続点におい
て、結合スロツト線路の外側2導体間を接続する
と共に第1のコプレナー線路を接続して、該第1
のコプレナー線路の他端を第1の入力ポートと成
し、一方、結合スロツト線路の第1の接続点から
中心周波数の4分の1波長の奇数倍の長さに相当
する距離の箇所を第2の接続点として、該第2の
接続点において、中心導体に第3、第4のコプレ
ナー線路の中心導体の一端を接続すると共に、更
に結合スロツト線路の第2の接続点の外側導体の
一方に第2のコプレナー線路の中心導体の一端を
接続し、さらに結合スロツト線路の他の外側導体
に第2のコプレナー線路の接地導体を接続して、
該第2のコプレナー線路の他端を第4の入出力ポ
ート、また、前記第3、第4のコプレナー線路の
他端をそれぞれ第2、第3の入出力ポートと成
し、さらに第3、第4のコプレナー線路の前記第
2の接続点とは反対方向の外側導体に電気的開放
条件を与える分離部を設けたことを特徴とする共
平面マジツクT。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027223A JPS60172803A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 共平面マジツクt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027223A JPS60172803A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 共平面マジツクt |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60172803A JPS60172803A (ja) | 1985-09-06 |
JPH0126563B2 true JPH0126563B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=12215094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59027223A Granted JPS60172803A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 共平面マジツクt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60172803A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2608324B1 (fr) * | 1986-12-11 | 1989-03-24 | Alcatel Espace | Dispositif melangeur doublement equilibre |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59027223A patent/JPS60172803A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60172803A (ja) | 1985-09-06 |
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