JPH08274235A - 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置用リ−ドフレ−ムにおいて、インナ
−リ−ド先端部のメッキ処理におけるメッキ厚のバラツ
キを防止し信頼性向上を図る。 【構成】インナ−リ−ド部８のコ−ナ−にダミ−リ−ド
１２を設ける。このダミ−リ−ドの先端は扇形状に広
げ、その中には貫通穴を設ける。ここで噴流方式により
インナ−リ−ドの先端に銀メッキを施すと、インナ−リ
−ド９よりもダミ−リ−ド及びその先端が太いためにメ
ッキ液が強く当たりダミーリードには銀メッキが厚めに
電着される。反面インナ−リ−ドには均一の銀メッキ３
が得られる。またダミ−リ−ドの先端の各辺をインナ−
リ−ド部の配置に対して平行及び直角から成る直線辺で
構成することにより次工程でのアライメントポイントと
して活用できる。こうしてインナ−リ−ド９の先端はＴ
ＡＢテ−プアウタ−リ−ドと正常にギャングボンデイン
グされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リ−ドフレ
−ム及びそれを用いた半導体装置に係わり、更に詳しく
は半導体装置用リ−ドフレ−ムでインナ−リ−ド先端部
へのメッキ処理を施す際のメッキ厚みのバラツキを防止
し信頼性向上の図れる半導体装置用リ−ドフレ−ム及び
それを用いた半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図４は従来のリ−ドフレ−ムに関し、特
にインナ−リ−ドの平面図の一部である。図５はそのリ
−ドフレ−ムを用いて半導体素子を実装した一例であ
り、特にここではＴＡＢと接続し、モ−ルド樹脂封止し
てリ−ドフレ−ムのアウタ−リ−ドを折り曲げたＴＡＢ
内蔵半導体装置の製品断面図である。以下はＴＡＢ内蔵
半導体装置を例に取り上げ説明することとする。

【０００３】図４においてリ−ドフレ−ム１のリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド部８の略中央には、ＴＡＢテ−プ
を搭載する空間２を有している。リ−ドフレ−ムインナ
−リ−ド９の先端には銀メッキ３が施されている。又リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８全体の強度を補強する
為にリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８の一部には、ポ
リイミドテ−プ等の耐熱絶縁テ−プ４を用いて四角状に
補強をしてある。銀メッキ３を施してあるリ−ドフレ−
ムインナ−リ−ド９の先端は、後述するＴＡＢテープア
ウタ−リ−ドに一体ツ−ルを用いてギャグボンデイング
し接続する。

【０００４】図５において半導体素子５の電極とＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ド６とを接続し、ＴＡＢテープアウ
タ−リ−ド７とリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９の先端
に施されている銀メッキ３部とを一体ツ−ルを用いてギ
ャグボンデイング接続する。リ−ドフレ−ムインナ−リ
−ド部８の全体の強度を補強する為にポリイミドテ−プ
等の耐熱絶縁テ−プ４を用いて四角状に補強をしてあ
る。その後モ−ルド樹脂１０で封止しリ−ドフレ−ムア
ウタ−リ−ド１１に折り曲げ加工をする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記のように図５にお
いてＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド７とリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ド９とを、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９
の先端に施されている銀メッキ３部を介して一体ツ−ル
によりギャグボンデイングする。接続する際にリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ド９の先端の銀メッキ３厚みがバラ
ツいている為にギャグボンデイング接続時にボンデイング
接続強度が出しにくいといった傾向にあった。また、リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド９の先端銀メッキ３処理は
電気メッキする方法として一般的にマスクを用いて噴流
方式で行っているが、メッキ液の流れ及び製品に流れる
電流値のバラツキによりコ−ナ−に配置されているリ−
ドフレ−ムインナ−リ−ド９には厚く、逆に中央部に配
置されているリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９には薄く
なる傾向があった。図６はこの傾向を示すグラフであ
り、リードフレームの一辺をピン番号順に例としてあげ
たものである。

【０００６】この様なリ−ドフレ−ムを用いてＴＡＢテ
−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ドと
の接続を行おうとしてもボンデイングツ−ルの上部から
の押さえつける力がコ−ナ−に配置されているリ−ドフ
レ−ムインナ−リ−ドに吸収されてしまい中央のリ−ド
フレ−ムインナ−リ−ドには押さえつける力が加わらず
ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−
リ−ドとの接続がスム−スに行えなかった。又ボンデイ
ング時のツ−ルである受けツ−ル、押さえツ−ルをリ−
ドフレ−ムインナ−リ−ド先端の銀メッキ厚みのバラツ
キの状態に成形する方法もあるがリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ド先端の銀メッキ厚みが１リ−ドフレ−ム、１イ
ンナ−リ−ド、毎個々にバラツキが発生しているためこ
の方法も効率的ではなかった。

【０００７】そこで、本発明は上記の課題を解決する為
になされたものであり、半導体装置用リ−ドフレ−ムの
インナ−リ−ド先端部へのメッキ処理を施す際のメッキ
厚みのバラツキを防止し高信頼性の図れるリ−ドフレ−
ム及び半導体装置の提供を目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による請求項１記
載の半導体装置用リ−ドフレ−ムは、インナ−リ−ドの
先端部に銀メッキを施したリ−ドフレ−ムであって、前
記インナ−リ−ドと隣接するコーナー部に設けられたダ
ミ−リ−ドを有することを特徴とする。

【０００９】また請求項２に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項１記載の構成に加え、前記ダミ−リ
−ドは先端部が扇形状からなることを特徴とする。

【００１０】また請求項３に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項２記載の構成に加え、前記扇形状の
一部に貫通穴を有することを特徴とする。

【００１１】また請求項４に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項３記載の構成に加え、前記貫通穴は
前記インナーリ−ドの先端部の一辺に対して平行及び直
角の辺で構成してなることを特徴とする。

【００１２】また請求項５に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項２乃至４のいずれかに記載の構成に
加え、前記扇形状の先端部は、前記インナ−リードの先
端部の一辺に対して平行及び直角の辺で構成されてなる
ことを特徴とする。

【００１３】また請求項６に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項１に記載の構成に加え、前記ダミ−
リ−ドの幅は前記インナリードの幅の２倍以上にしてな
ることを特徴とする。

【００１４】また請求項７に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、請求項１または６記載の構成に加え、前記
ダミ−リ−ドの長さを前記インナリードの長さと同等に
してなることを特徴とする。

【００１５】また請求項８に記載の半導体装置は、半導
体素子の電極とＴＡＢテ−プのインナ−リ−ドとが接続
され、前記ＴＡＢテ−プのアウタ−リ−ドとリ−ドフレ
−ムのインナ−リ−ドとが接続される半導体装置におい
て、前記リ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドのコ−ナ−部
にダミ−リ−ドを設けてなることを特徴とする。

【００１６】

【作用】請求項１または２に記載の半導体装置用リ−ド
フレ−ムによれば、銀メッキ処理の際に、余剰の銀メッ
キがダミ−リ−ドに吸収され、インナリードには均等な
メッキ処理が施される。

【００１７】請求項３乃至５のいずれかに記載の半導体
装置用リ−ドフレ−ムによれば、アライメント等の基準
となる基準箇所が形成される。

【００１８】請求項８に記載の半導体装置によれば、メ
ッキ厚みのバラツキがなく、接続が確実に行われる。

【００１９】

【実施例】図１は本発明の一実施例であり、半導体装置
用リ−ドフレ−ム（以下リ−ドフレ−ムと称す）の１／
４平面図である。図１において２は空間であり、例えば
半導体素子の実装されたＴＡＢテープを配設する空間と
なる。具体的にはリ−ドフレ−ム１のリ−ドフレ−ムイ
ンナ−リ−ド９の略中央に、半導体素子の電極とＴＡＢ
テ−プインナ−リ−ドとの接続が完了したＴＡＢテ−プ
が搭載される空間となる。リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド９の先端にはＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとのギャグ
ボンデイング接続するための銀メッキ３が施されてい
る。そして本発明のリ−ドフレ−ムの特徴として、リ−
ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ−部にダミ−リ
−ド１２を設ける。更にはリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド部８のコ−ナ−部へ設けたダミ−リ−ド１２の先端を
扇形状１３に広げる。更にはダミ−リ−ド１２の先端を
扇形状１３に広げた部分に貫通穴１４を設ける。又リ−
ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ−部へ設けたダ
ミ−リ−ド１２の先端を扇状１３に広げる手法として、
各辺をリ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの配置に対して平
行及び直角から成る直線辺の構成とする。更にはダミ−
リ−ド１２の先端を扇形状１３に広げた部分の貫通穴１
４の穴形状はリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９配置に対
して平行及び直角から成る直線辺の構成とする。リ−ド
フレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ−部へ設けたダミ
−リ−ド１２のリ−ド巾はリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド９の２倍以上が望ましい。又ダミ−リ−ド１２の長さ
はリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９と同等が望ましい。
リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９の先端に施す銀メッキ
付けの際には一般的にはマスクを用いて噴流方式で行っ
ている。この時にリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９より
もリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ−部へ設
けたダミ−リ−ド１２及びダミ−リ−ド１２の先端の扇
状１３部分を太くしてある為に電流が強く流れる。又メ
ッキ液の流れも強く当たりリ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド９よりもダミ−リ−ド１２及びダミ−リ−ド１２の先
端の扇形状１３部分に強く当たり銀メッキ厚みが厚めに
電着される。反面リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド８のそ
れぞれのインナ−リ−ドへは均一の銀メッキ厚みが電着
されバラツキのない銀メッキが得られる。

【００２０】又リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ
−ナ−部へ設けるダミ−リ−ド１２のリ−ド巾を太くし
てある為にリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８全体の強
度補強する為にポリイミド等の耐熱絶縁テ−プ４を用い
て四角状の補強がより効果的である。

【００２１】又リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ
−ナ−部へ設けたダミ−リ−ド１２の先端を扇状に広げ
る手法として各辺をリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８
配置に対して平行及び直角から成る直線辺で構成されて
いる為に次工程でのアライメントポイントとして活用で
きる。更にはダミ−リ−ド１２の先端を扇形状に広げた
部分の貫通穴１４の穴形状がリ−ドフレ−ムインナ−リ
−ド部８配置に対して平行及び直角から成る直線辺で構
成されている為に次工程でのアライメントポイントとし
て活用できる。又ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−ド
フレ−ムインナ−リ−ド９の先端に施されている銀メッ
キ部と一体ツ−ルを用いてギャグボンデイング接続する
際のツ−ルは上ツ−ルと下ツ−ルが有るが、リ−ドフレ
−ムインナ−リ−ドのコ−ナ−部へ設けた使用しないダ
ミ−リ−ド１２の当たる位置はツ−ルを逃がしておけば
良い。

【００２２】図２は本発明の別の実施例であり、上記第
一実施例と同様に、半導体装置用リ−ドフレ−ム（以下
リ−ドフレ−ムと称す）の１／４平面図である。図２に
おいて２は空間であり、例えば半導体素子の実装された
ＴＡＢテープを配設する空間となる。具体的にはリ−ド
フレ−ム１のリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９の略中央
に半導体素子とその電極とＴＡＢテ−プインナ−リ−ド
とを接続したＴＡＢテ−プを搭載する空間となる。リ−
ドフレ−ムインナ−リ−ド９の先端にはＴＡＢテ−プア
ウタ−リ−ドとのギャグボンデイング接続するための銀
メッキ３が施されている。リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド部８のコ−ナ−部へダミ−リ−ド１４、１５を設け
る。更にはリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ
−部へ設けたダミ−リ−ド１４、１５はリ−ドフレ−ム
インナ−リ−ド９と平行に配置する。ダミ−リ−ド１
４、１５のリ−ド巾はリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９
の２倍以上が望ましい。又長さはリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ド９と同等が望ましい。リ−ドフレ−ムインナ−
リ−ド９の先端に施す銀メッキ付けの際には一般的には
マスクを用いて噴流方式で行っている。この時にリ−ド
フレ−ムインナ−リ−ド９よりもリ−ドフレ−ムインナ
−リ−ド部８のコ−ナ−部へ設けたダミ−リ−ド１４、
１５を太くしてある為に電流が強く流れる。又メッキ液
の流れも強く当たりリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９よ
りもダミ−リ−ド１４、１５に強く当たり銀メッキ厚み
が厚めに電着される、反面リ−ドフレ−ムインナ−リ−
ド８のそれぞれのインナ−リ−ドへは均一の銀メッキ厚
みが電着されバラツキのない銀メッキが得られる。又リ
−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８のコ−ナ−部へ設ける
ダミ−リ−ド１４、１５のリ−ド巾を太くしてある為に
リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部８全体の強度補強する
為にポリイミド等の耐熱絶縁テ−プ４を用いて四角状の
補強がより効果的である。又ＴＡＢテ−プアウタ−リ−
ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド９の先端に施されて
いる銀メッキ３部と一体ツ−ルを用いてギャグボンデイ
ング接続する際のツ−ルは上ツ−ルと下ツ−ルが有る
が、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドのコ−ナ−部へ設け
た使用しないダミ−リ−ド１４、１５の当たる位置はツ
−ルを逃がしておけば良い。

【００２３】以上のリードフレームを用いた半導体装置
の一実施例を説明する。半導体素子の電極とＴＡＢテ−
プインナ−リ−ドとを接続し、ＴＡＢテープアウタ−リ
−ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの先端に施されて
いる銀メッキ部とを一体ツ−ルを用いてギャグボンデイ
ング接続する。その際、リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド
の先端に施されている銀メッキ部の厚みがほぼ均等とな
っているために接続が確実に行われる。リ−ドフレ−ム
インナ−リ−ド部の全体の強度を補強する為にポリイミ
ドテ−プ等の耐熱絶縁テ−プを用いて四角状に補強をし
てある。その後モ−ルド樹脂で封止しリ−ドフレ−ムア
ウタ−リ−ドに折り曲げ加工をする。

【００２４】以上のように半導体素子のその電極とＴＡ
Ｂテ−プインナ−リ−ドとを接続しＴＡＢテ−プアウタ
−リ−ドとリ−ドフレ−ムインナ−リ−ドとの接続がス
ム−スに且つ高品質に得られ長期間安定した半導体装置
の稼働が可能となる。

【００２５】なお本実施例ではＴＡＢを内蔵させる半導
体装置について説明したが、リードフレームインナリー
ド部にメッキ処理を施す場合はすべて本願発明を用いる
ことが可能であることは言うまでもない。

【００２６】図３は本発明によって得られたリ−ドフレ
−ムインナ−リ−ド先端に施された銀メッキ厚みの分布
図である。

【００２７】

【発明の効果】以上述べたとおり本発明によれば半導体
用リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの先端にはボンデイン
グ接続用銀メッキが施されているが銀メッキを電着する
際に銀メッキ厚みがバラついてボンデイング品質が著し
く低下してしまう。リ−ドフレ−ムインナ−リ−ドの先
端銀メッキ方法として電気メッキ法があるが一般的には
マスクを用いて噴流方式で行っているがメッキ液の流れ
及びリ−ドフレ−ムインナ−リ−ド一本一本に流れる電
流値のバラツキによりインナ−リ−ド部の中心部程薄め
端部程厚くなる特性を持っている。この特性を逆に応用
しリ−ドフレ−ムインナ−リ−ドのコ−ナ−部へ設けた
ダミ−リ−ドへ厚めに電着させこのダミ−リ−ドはボン
デイングには使用せず使用するリ−ドフレ−ムインナ−
リ−ドにバラツキのない均一な銀メッキを電着させるも
のでありこの様な均一した銀メッキ厚みリ−ドフレ−ム
を使用して半導体素子のその電極とＴＡＢテ−プインナ
−リ−ドとを接続しＴＡＢテ−プアウタ−リ−ドとリ−
ドフレ−ムインナ−リ−ドとのギャグボンデイング接続
すれば接続強度が充分に得られ本発明によって長期間安
定した稼働のできる半導体装置の供給が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示すリ−ドフレ−ム図。

【図２】本発明の別の実施例を示すリ−ドフレ−ム図。

【図３】本発明の実施例の銀メッキ厚みのグラフ。

【図４】従来のリ−ドフレ−ム図。

【図５】ＴＡＢ内蔵半導体装置の断面図。

【図６】従来の銀メッキ厚みのグラフ。

【符号の説明】

１…リ−ドフレ−ム ２…空間 ３…銀メッキ ４…耐熱絶縁テ−プ ５…半導体素子 ６…ＴＡＢテ−プインナ−リ−ド ７…ＴＡＢテ−プアウタ−リ−ド ８…リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド部 ９…リ−ドフレ−ムインナ−リ−ド １０…モ−ルド樹脂 １１…リ−ドフレ−ムアウタ−リ−ド １２…ダミ−リ−ド １３…扇形状 １４…ダミ−リ−ド １５…ダミ−リ−ド

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】インナ−リ−ドの先端部に銀メッキを施し
   たリ−ドフレ−ムであって、前記インナ−リ−ドと隣接
   するコーナー部に設けられたダミ−リ−ドを有すること
   を特徴とする半導体装置用リ−ドフレ−ム。
2. 【請求項２】前記ダミ−リ−ドは先端部が扇形状からな
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リ−ド
   フレ−ム。
3. 【請求項３】前記扇形状の一部に貫通穴を有することを
   特徴とする請求項２記載の半導体装置用リ−ドフレ−
   ム。
4. 【請求項４】前記貫通穴は前記インナーリ−ドの先端部
   の一辺に対して平行及び直角の辺で構成してなることを
   特徴とする請求項３記載の半導体装置用リ−ドフレ−
   ム。
5. 【請求項５】前記扇形状の先端部は、前記インナ−リー
   ドの先端部の一辺に対して平行及び直角の辺で構成され
   てなることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記
   載の半導体装置用リ−ドフレ−ム。
6. 【請求項６】前記ダミ−リ−ドの幅は前記インナリード
   の幅の２倍以上にしてなることを特徴とする請求項１記
   載の半導体装置用リ−ドフレ−ム。
7. 【請求項７】前記ダミ−リ−ドの長さを前記インナリー
   ドの長さと同等にしてなることを特徴とする請求項１ま
   たは６記載の半導体装置用リ−ドフレ−ム。
8. 【請求項８】半導体素子の電極とＴＡＢテ−プのインナ
   −リ−ドとが接続され、前記ＴＡＢテ−プのアウタ−リ
   −ドとリ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドとが接続される
   半導体装置において、 前記リ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドのコ−ナ−部にダ
   ミ−リ−ドを設けてなることを特徴とする半導体装置。