JPH08273996A - 回転塗布装置 - Google Patents

回転塗布装置

Info

Publication number
JPH08273996A
JPH08273996A JP7139795A JP7139795A JPH08273996A JP H08273996 A JPH08273996 A JP H08273996A JP 7139795 A JP7139795 A JP 7139795A JP 7139795 A JP7139795 A JP 7139795A JP H08273996 A JPH08273996 A JP H08273996A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
spin
lid
substrate
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7139795A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tokunaga
浩 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7139795A priority Critical patent/JPH08273996A/ja
Publication of JPH08273996A publication Critical patent/JPH08273996A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ウェーハ11上にホトレジスト液を滴下し、
ウェーハ11を回転させてホトレジスト液をウェーハ1
1上に均一に塗布する回転塗布装置であって、回転塗布
によって生じるホトレジスト液の飛散を防止するスピン
カップ14にウェーハ11の回転方向に気体を送る複数
の透孔17aを有する蓋17を具備したことを特徴とす
る回転塗布装置。 【効果】 本発明によれば、被処理基板の回転方向に送
る透孔を有する蓋を具備したり、この透孔に気体の圧入
口や溶媒蒸気の供給口に接続したり、排気手段を有する
排気口を具備したので、被処理基板上に均一な厚さのホ
トレジスト膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトレジストを用いて
微細パターンを形成する基板のうち、特にオリエンテー
ションフラットを有するシリコンウェーハや円板以外の
角部を有する基板にホトレジスト液を全面に均一な厚さ
に塗布するのに適した回転塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ホトレジストにより形成するパターンの
微細化が進み、この微細パターンを精度よく形成するた
めには、均一な薄い厚さのホトレジスト膜を基板上に形
成することが必要である。ホトレジスト膜の厚さにバラ
ツキがあると露光、現像後のパターンが露光時に用いた
マスクのパターンから変形する。この変形は基板上のホ
トレジストが厚さ方向に垂直に現像されないために、現
像後のレジスト膜の残り幅やレジスト膜の除去幅が露光
時に用いたマスクのパターンから広がったり、狭まった
りするために発生する。
【0003】一方、オリエンテーションフラットのある
シリコンウェーハのように角部を有する基板にホトレジ
スト膜を形成する場合に、図5のウェーハ上に形成した
ホトレジスト膜の状態になる。図において、1はウェー
ハで、1aはオリエンテーションフラットで、1bはウ
ェーハ1が図の矢印の方向に回転した場合に発生するホ
トレジスト膜の厚い領域である。
【0004】図において、ウェーハ1にレジスト液を滴
下した後、ウェーハ1が図の矢印の方向に回転してホト
レジスト膜が形成されるが、ウェーハ1のオリエンテー
ションフラット1aの側面に空気が当たり、オリエンテ
ーションフラット1aの回転方向の側面が空気をウェー
ハ1の表面に押し上げる。したがって領域1bは空気の
流れの速度が他の領域より速くなる。このためにホトレ
ジスト中の有機溶剤の領域1bの蒸発が他の領域より速
くなり、回転により振り切られずに残るレジスト量が多
くなる。その結果ホトレジスト膜が領域1bだけ他の領
域より厚くなると言う問題があった。
【0005】このようにホトレジスト膜の厚さにバラツ
キがあると、先にも述べたように露光時に用いたマスク
パターンからずれたパターンが形成されると言う問題が
あった。上記課題を解決する目的で提案されている回転
塗布装置の断面図である図6から従来のレジスト膜のバ
ラツキを改善する回転塗布装置について説明する。本例
は特開平4−122470号公報にて提案されているも
のである。
【0006】図において、1はホトレジスト液を塗布す
る処理基板であるシリコンウェーハで、2はウェーハ1
を上部に載せて複数の吸着穴(図示せず)により真空吸
着固定し、回転するステージで、3は上端がステージ2
の裏面の中心に取り付けられ、中心にステージ2の吸着
穴と連通した真空排気穴(図示せず)が貫通し、下端は
真空排気穴が真空ポンプ(図示せず)に接続し、かつ図
示しないが回転手段(図示せず)に接続した回転軸で、
4はウェーハ1の周囲から下部に亘って形成され、ウェ
ーハ1上に滴下したホトレジスト液がステージ2の回転
により飛散するのを防ぐスピンカップで、回転軸3はス
ピンカップ4の略中央を貫通して密閉状態で接着し、5
はスピンカップ4の上部にあるウェーハ1を装着、脱着
する開口であり、6はスピンカップ4上部の開口5を密
封する蓋である。
【0007】この回転塗布装置の詳細を動作を中心に以
下に説明する。蓋6を外してステージ2の略中心上にホ
トレジスト塗布面を上にしてウェーハ1の略中心を置
き、真空ポンプ(図示せず)でウェーハ1をステージ2
に真空吸着固定する。このときステージ2はウェーハ1
を載せる面をホトレジスト液で汚さないために、ウェー
ハ1で完全に隠れる大きさにしてある。つづいてウェー
ハ1の略中心上に粘度がコントロールされたホトレジス
ト液を所定量滴下する。つづいて所定の位置に蓋6をす
る。つづいて回転手段(図示せず)により回転軸を経由
してステージ2とともにスピンカップ4および蓋6を回
転させウェーハ1上の余分なホトレジスト液を遠心力に
より振り切るとともに、ウェーハ1全面にホトレジスト
膜を形成する。このとき膜厚はホトレジストの粘度、回
転速度で決まる。
【0008】このスピンカップ4に蓋6をした密閉状態
でステージ2およびウェーハ1と同時に同じ速度でスピ
ンカップ4および蓋6を回転した時に、スピンカップの
内面と空気等の流体間に発生する摩擦力によって、ウェ
ーハ1の周辺の空気はウェーハ1の回転する方向へウェ
ーハ1の回転速度と略同じ速度で流れる。したがって、
ウェーハ1とウェーハ1の周囲との空気の相対速度が小
さくなり、ウェーハ1の側面が受ける空気抵抗が減少
し、ウェーハ1の角部周辺に発生するウェーハ1上部へ
の空気流の発生が抑えられる。よって、ホトレジスト液
は遠心力の作用のみを受け、ホトレジスト液はウェーハ
1の角部周辺にも均一に広がり、ウェーハ1全面に均一
な厚さのホトレジスト膜が形成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記方法で
はウェーハ1と同時にスピンカップ4および蓋6と重量
のあるものを同時に回転させるために、大きな馬力のモ
ータが必要であり、装置が大がかりになる。また回転重
量が増し回転速度が遅くなると微細パターン形成に必要
な薄いホトレジスト膜を形成することはできないという
問題があった。
【0010】そこで本発明は角部を有する被処理基板に
均一な厚さのホトレジスト膜を形成するものであって、
しかも大きなモータの必要もなく回転速度も速くできる
回転塗布装置を提供する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、被処理基板上にホトレジ
スト液を滴下し、被処理基板を回転させて前記ホトレジ
スト液を被処理基板上に均一に塗布する回転塗布装置で
あって、回転塗布によって生じるホトレジスト液の飛散
を防止するスピンカップに被処理基板の回転方向に気体
を送る複数の透孔を有する蓋を具備したことを特徴とす
る回転塗布装置を提供する。
【0012】また上記回転塗布装置にスピンカップ下面
に排気手段を有する排気口を具備したり、蓋の複数の透
孔に加圧気体の圧入口を接続したり、蓋の複数の透孔に
前記ホトレジスト液の溶媒蒸気の供給口を接続したりし
た回転塗布装置を提供する。
【0013】さらに上記回転塗布装置の被処理基板を載
せて回転する回転軸がスピンカップ底部中心に気密で回
転可能に貫通し、前記排気口をスピンカップ底面に全周
に亘って具備したことを特徴とする回転塗布装置を提供
する。
【0014】
【作用】スピンカップや蓋を回転させる必要がないため
に回転重量は軽く、大きな馬力のモータを必要とせず、
装置も大がかりにならない。また回転物が軽量であるた
め回転速度も上げられるために、薄い膜が形成される。
さらに被処理基板上部から被処理基板回転方向に気体を
送る蓋を具備したので、スピンカップ底部より吸引排気
したり、蓋の外より加圧気体を与えてやれば被処理基板
の回転方向に気流が生じて、被処理基板の角部に当たる
気体の速度を落とし、被処理基板の角部が表面に押し上
げる気体の量を減らすことにより均一な厚さのホトレジ
スト膜を形成する。
【0015】スピンカップ底部に排気手段を有する排気
口を具備したり、蓋の透孔に加圧気体の圧入口を接続し
たので、被処理基板上面から下面に空気を強制的に移動
させ、被処理基板の角部が気体を表面に押し上げること
を防止し、均一なレジスト膜を形成する。
【0016】また蓋の透孔にホトレジスト液の溶媒蒸気
の供給口を接続したので、ホトレジスト液の溶媒の蒸発
速度を遅くし、被処理基板の角部が気体を表面に押し上
げて、気体の速度を速くしても均一なレジスト膜を形成
する。
【0017】
【実施例1】以下に、本発明の実施例を図1、2、3か
ら説明する。図1は本発明の回転塗布装置の一実施例の
断面図、図2は図1の本発明の特徴である透孔を有する
蓋の平面図、図3は図2のA−A部の断面図である。図
において、11はホトレジスト液を塗布する塗布基板で
あるシリコンウェーハで、12はウェーハ11を上部に
載せて複数の吸着穴(図示せず)により真空吸着固定
し、回転するステージで、13は上端がステージ12の
裏面の中心に取り付けられ、中心にステージ12の吸着
穴と連通した真空排気穴(図示せず)が貫通し、下端の
真空排気穴が真空ポンプ(図示せず)に接続し、かつ回
転手段(図示せず)に接続した回転軸で、14はステー
ジ12の周囲から下部に亘って形成され、ウェーハ11
上に滴下したホトレジスト液がステージ12の回転によ
り飛散するのを防ぐスピンカップで、下部に有機溶剤の
蒸気を排気するとともに空気の流れをウェーハ11上部
から下部に向かって起こす排気手段(図示せず)に接続
した排気口15と回転軸13が貫通する透孔16を具備
している。
【0018】17はスピンカップ14の上部空間を塞ぐ
本発明の特徴である厚手の蓋で、円周上に上部から下部
にウェーハ11の回転方向(図2矢印)に向かって回転
方向に空気を送る複数の透孔17a(図3)を有し、上
部には空気を圧送する配管(図示せず)に接続した空気
圧入口17bを有する空気溜め17cを気密に具備して
いる。この蓋17は開閉可能で、ウェーハ11の出入が
可能な大きさである。
【0019】この回転塗布装置の動作を以下に説明す
る。ステージ12の略中心上にホトレジスト塗布面を上
にしてウェーハ11の略中心を置き、真空ポンプ(図示
せず)でウェーハ11をステージ12に吸着し、固定す
る。このときステージ12はウェーハ11を載せる面を
ホトレジスト液で汚さないために、ウェーハ11で完全
に隠れる大きさにしてある。つづいてウェーハ11の略
中心上に粘度がコントロールされたホトレジスト液を所
定量滴下する。つづいて回転手段(図示せず)により回
転軸を経由してステージ12を回転させウェーハ11上
の余分なホトレジスト液を振り切り、ウェーハ11全面
に均一な厚さのホトレジスト膜を形成する。このホトレ
ジスト液滴下後の回転時に、同時に空気圧入口17bか
ら空気を圧入すると、傾斜した透孔17aからスピンカ
ップ14内をウェーハ11の回転方向に回転しながら空
気が注入される。このとき、蓋17の複数の透孔17a
に一個づつ空気配管を接続してもよい。この空気の流れ
によりウェーハ11のオリエンテーションフラット1a
(図2)側面が空気をウェーハ11上に押し上げる量が
増加しない。このため部分1a(図2)のホトレジスト
膜の厚さは厚くならない。このとき膜厚はホトレジスト
の粘度、回転速度で決まる。この回転によりステージ1
2の外部に飛散したホトレジストが回転塗布装置外に出
るのをスピンカップ14が防止する。また透孔16や、
蓋17を開けたときにホトレジストの有機溶剤が蒸発し
装置外に拡散するのを防止するとともに、空気をウェー
ハ11上から下方に向けて流すためにスピンカップ14
の排気口15に接続した排気手段(図示せず)を具備す
る。
【0020】また、ホトレジスト液の溶媒の供給口に接
続して、ウェーハ11周囲の空気中の蒸気を増やし、ウ
ェーハ角部の蒸発速度を抑制して、より均一な厚さのホ
トレジスト膜が形成される。
【0021】
【実施例2】他の実施例を図4の回転塗布装置の断面図
を用いて説明する。(実施例1の図2、図3も参照) 図において、21はホトレジスト液を塗布する塗布基板
であるシリコンウェーハで、22はウェーハ21を上部
に載せて複数の吸着穴(図示せず)により真空吸着固定
し、回転するステージで、23は上端がステージ22の
裏面の中心に取り付けられ、中心にステージ22の吸着
穴と連通した真空排気穴(図示せず)が貫通し、下端の
真空排気穴が真空ポンプ(図示せず)に接続し、かつ回
転手段(図示せず)に接続した回転軸で、24はステー
ジ22の周囲から下部に亘って形成され、ウェーハ21
上に滴下したホトレジスト液がステージ22の回転によ
り飛散するのを防ぐスピンカップで、回転軸23が底部
中心に気密で回転可能に貫通した透孔25と、本発明の
特徴である底面に全周に亘る排気口16を備え、図示し
ない排気手段に接続している。
【0022】27はスピンカップ24の上部空間を塞ぐ
本発明の特徴である厚手の蓋で、円周上に上部から下部
にウェーハ21の回転方向(図2矢印)に向かって複数
の透孔27a(図3)を有し、上部には空気を圧送する
空気圧入口27bを有する空気溜め27cを気密に具備
している。この蓋27は開閉可能で、ウェーハ21の出
入が可能な大きさである。
【0023】この回転塗布装置の詳細を動作を中心に実
施例1と異なる部分のみを以下に説明する。排気口26
を底面全周に亘って排気することにより、ウェーハ21
の外周部全面で空気がウェーハ21上部から下部に向か
って均一に流れる。このとき回転軸23と透孔25が気
密にしてあり、この部分から空気を吸い込むことはない
ので、この上部から下部への空気の流れの乱れを防ぎ、
ウェーハ21の回転による角部での空気のウェーハ21
上への上昇を防止して均一な薄いホトレジスト膜を形成
する。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、被処理基板の回転方向
に送る透孔を有する蓋を具備したり、この透孔に気体の
圧入口や溶媒蒸気の供給口に接続したり、排気手段を有
する排気口を具備したので、角ある被処理基板上に均一
な厚さのホトレジスト膜を形成する。また、蓋やスピン
カップを回転する必要がないのでモーターを大きくする
必要もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の回転塗布装置の断面図
【図2】 図1の蓋の平面図
【図3】 図2のA−A部の断面図
【図4】 発明の他の実施例である回転塗布装置の断面
【図5】 従来の回転塗布機によるホトレジスト塗布ウ
ェーハ表面状態
【図6】 従来の回転塗布装置の断面図
【符号の説明】
11 ウェーハ 14 スピンカップ 17 蓋 17a 透孔

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】塗布液を飛散防止用スピカップ内に配置し
    た回転する基板上に滴下する回転塗布装置において、前
    記スピンカップに基板回転方向の気流を生じさせる多数
    の透孔を形成した蓋を配設したことを特徴とする回転塗
    布装置。
  2. 【請求項2】前記スピンカップの下面に排気口を配設し
    たことを特徴とする請求項1に記載の回転塗布装置。
  3. 【請求項3】前記基板を回転する回転軸が前記スピンカ
    ップの底部中心に気密で回転可能に貫通し、このスピン
    カップ底面に全周に亘って排気口を具備し、前記排気口
    に排気手段を接続したことを特徴とする請求項2に記載
    の回転塗布装置。
  4. 【請求項4】前記蓋の複数の透孔に加圧気体の圧入口を
    接続したことを特徴とする請求項1に記載の回転塗布装
    置。
  5. 【請求項5】前記基板がオリエンテーションフラットを
    有するウェーハであり、前記塗布液がホトレジスト液で
    あり、この溶媒蒸気の供給口を前記蓋の透孔に接続した
    ことを特徴とする請求項1に記載の回転塗布装置。
JP7139795A 1995-03-29 1995-03-29 回転塗布装置 Pending JPH08273996A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7139795A JPH08273996A (ja) 1995-03-29 1995-03-29 回転塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7139795A JPH08273996A (ja) 1995-03-29 1995-03-29 回転塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08273996A true JPH08273996A (ja) 1996-10-18

Family

ID=13459349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7139795A Pending JPH08273996A (ja) 1995-03-29 1995-03-29 回転塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08273996A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034736A1 (en) * 1997-02-07 1998-08-13 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating compact discs
US5908661A (en) * 1997-05-30 1999-06-01 The Fairchild Corporation Apparatus and method for spin coating substrates
US5916631A (en) * 1997-05-30 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating chemicals
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034736A1 (en) * 1997-02-07 1998-08-13 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating compact discs
US5840365A (en) * 1997-02-07 1998-11-24 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating compact discs
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems
US5908661A (en) * 1997-05-30 1999-06-01 The Fairchild Corporation Apparatus and method for spin coating substrates
US5916631A (en) * 1997-05-30 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating chemicals

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757316B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
JPH08257469A (ja) 基板回転装置および基板処理装置
JPH1070071A (ja) 半導体処理用の制御可能な加圧処理チャンバを有するコーター
JPH08273996A (ja) 回転塗布装置
US6261635B1 (en) Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate
JP2937549B2 (ja) 塗布装置
JPH0361510B2 (ja)
JPH11121344A (ja) スピン塗布装置
JP2907877B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
JPH01200623A (ja) 半導体製造装置
JP3352371B2 (ja) 塗布装置
JP3459115B2 (ja) 基板の回転塗布装置
JPH02219213A (ja) レジスト塗布装置
JPH02154415A (ja) 薄膜塗布装置
JP2001143998A (ja) レジスト塗布方法及び装置
JPH03151076A (ja) 塗布装置
JPS60152029A (ja) 塗布装置
JP3667222B2 (ja) 塗布処理装置
JPH03214722A (ja) レジスト塗布装置
KR100322685B1 (ko) 스핀코터
JP2740805B2 (ja) レジスト塗布装置
JPS63260130A (ja) ウエハ処理装置
JPS63283131A (ja) 半導体用回転塗布機
JPH08173883A (ja) 基板処理装置
JPH04122470A (ja) 回転塗布装置