JPH0827253A - Photosemiconductor apparatus - Google Patents
Photosemiconductor apparatusInfo
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- JPH0827253A JPH0827253A JP16675994A JP16675994A JPH0827253A JP H0827253 A JPH0827253 A JP H0827253A JP 16675994 A JP16675994 A JP 16675994A JP 16675994 A JP16675994 A JP 16675994A JP H0827253 A JPH0827253 A JP H0827253A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、光透過率および耐湿
性に優れた光半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device excellent in light transmittance and moisture resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光半導体素子の封止材料には、透明性お
よび耐湿性に優れていなければならないという観点から
エポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績を収
めている。しかしながら、従来から用いられているエポ
キシ樹脂組成物には、ガラス転移温度が高く耐熱性には
優れているが、耐吸水性に劣るという欠点を有してい
た。2. Description of the Related Art An epoxy resin composition has been used as a sealing material for optical semiconductor elements from the viewpoint that it must have excellent transparency and moisture resistance, and has achieved good results. However, conventionally used epoxy resin compositions have a drawback that they have a high glass transition temperature and are excellent in heat resistance, but are inferior in water absorption resistance.
【０００３】[0003]
【課題を解決するための手段】このように、耐吸水性に
劣るエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封
止した場合、素子の腐食の進行が早く、光半導体装置の
寿命が短くなることから、上記のような欠点が克服され
た封止樹脂の開発が強く望まれている。As described above, when an optical semiconductor element is resin-sealed by using an epoxy resin composition having poor water absorption resistance, the element is rapidly corroded and the life of the optical semiconductor device is shortened. Therefore, development of a sealing resin that overcomes the above-mentioned drawbacks is strongly desired.
【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、光透過率が高く、しかも耐湿性に優れた光半
導体装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an optical semiconductor device having high light transmittance and excellent moisture resistance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の光半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素
子を封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるノボラック型エポ
キシ樹脂（Ｘ）と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（Ｙ）とからなる混合エポキシ樹脂であって、上記Ｘお
よびＹの重量基準の混合割合〔Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１０
０〕が２０〜１００になるように設定されている混合エ
ポキシ樹脂。In order to achieve the above object, an optical semiconductor device of the present invention has the following (A) to (C).
The optical semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing the components. (A) A mixed epoxy resin composed of a novolac type epoxy resin (X) represented by the following general formula (1) and a bisphenol A type epoxy resin (Y), which is a mixture of X and Y on a weight basis. Ratio [X / (X + Y) × 10
0] is set to be 20 to 100. A mixed epoxy resin.
【化３】 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。Embedded image (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator.
【０００６】[0006]
【作用】すなわち、本発明者らは、透明性に優れ、しか
も耐湿性の良好な封止樹脂を得るために一連の研究を重
ねた。その結果、上記一般式（１）で表される特殊なノ
ボラック型エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂とを特定の割合で混合した混合エポキシ樹脂を主成
分として用いたエポキシ樹脂組成物を用いると、高い光
透過率を備えながら、耐湿性にも優れた封止樹脂が得ら
れることを見出しこの発明に到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin having excellent transparency and good moisture resistance. As a result, when an epoxy resin composition using as a main component a mixed epoxy resin in which a special novolac type epoxy resin represented by the general formula (1) and a bisphenol A type epoxy resin are mixed in a specific ratio, The inventors have found that a sealing resin having a high light transmittance and an excellent moisture resistance can be obtained, and the present invention has been reached.
【０００７】つぎに、この発明を詳しく説明する。Next, the present invention will be described in detail.
【０００８】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、特殊な混合エポキシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系
硬化剤（Ｂ成分）と、硬化促進剤（Ｃ成分）とを用いて
得られるものであって、通常、粉末状もしくはそれを打
錠したタブレット状になっている。The epoxy resin composition used in the present invention is obtained by using a special mixed epoxy resin (component A), an acid anhydride type curing agent (component B), and a curing accelerator (component C). It is usually in the form of powder or a tablet obtained by compressing it.
【０００９】上記特殊な混合エポキシ樹脂（Ａ成分）
は、下記の一般式（１）で表されるノボラック型エポキ
シ樹脂と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とを用いて
得られるものである。The above special mixed epoxy resin (component A)
Is obtained using a novolac type epoxy resin represented by the following general formula (1) and a bisphenol A type epoxy resin.
【００１０】[0010]
【化４】 [Chemical 4]
【００１１】上記一般式（１）で表されるノボラック型
エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が２００〜２２０
で、軟化点が６０〜８５℃のものを用いることが好まし
い。特に好ましくは、エポキシ当量が２０１〜２０５
で、軟化点が６５〜７５℃である。そして、式（１）中
の繰り返し数ｎとしては、ｎ＝３〜７が特に好ましい。The novolac type epoxy resin represented by the general formula (1) has an epoxy equivalent of 200 to 220.
It is preferable to use a softening point of 60 to 85 ° C. Particularly preferably, the epoxy equivalent is 201 to 205.
And the softening point is 65 to 75 ° C. And, as the number of repetitions n in the formula (1), n = 3 to 7 is particularly preferable.
【００１２】上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とし
ては、エポキシ当量１７０〜８５０で、液状もしくは軟
化点１０５℃以下のものを用いることが好ましい。特に
好ましくは、エポキシ当量４５０〜６５０で、軟化点６
４〜９５℃である。すなわち、エポキシ当量が１７０未
満のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いると、得ら
れる封止用エポキシ樹脂組成物の粘性が低くなりすぎる
ため、成形時にボイドの巻き込み等が発生する。また、
エポキシ当量８５０を超えるビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂を用いると、得られる封止用エポキシ樹脂組成物
の粘性が高くなりすぎるため、成形時にワイヤー流れ等
が発生するからである。As the bisphenol A type epoxy resin, it is preferable to use one having an epoxy equivalent of 170 to 850 and a liquid or softening point of 105 ° C. or lower. Particularly preferably, the epoxy equivalent is 450 to 650 and the softening point is 6
4 to 95 ° C. That is, when a bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of less than 170 is used, the viscosity of the resulting encapsulating epoxy resin composition becomes too low, so that voids or the like may occur during molding. Also,
This is because when a bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of more than 850 is used, the viscosity of the resulting encapsulating epoxy resin composition becomes too high, and wire flow or the like occurs during molding.
【００１３】上記２種類のエポキシ樹脂からなる混合エ
ポキシ樹脂（Ａ成分）の両者の混合割合は、上記一般式
（１）で表されるノボラック型エポキシ樹脂（Ｘ）と、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（Ｙ）とを、重量基準
で、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００が２０〜１００の範囲とな
るよう設定する必要がある。より好ましくは２０〜８０
であり、特に好ましくは４０〜６０である。すなわち、
式（１）で表されるノボラック型エポキシ樹脂（Ｘ）の
混合割合が２０未満（Ｙが８０を超える）では、得られ
るエポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂のガラス転移温
度が下がり耐熱性が低下するからである。The mixing ratio of the mixed epoxy resin (component A) consisting of the above two kinds of epoxy resins is the novolac type epoxy resin (X) represented by the above general formula (1).
It is necessary to set the bisphenol A type epoxy resin (Y) so that X / (X + Y) × 100 is in the range of 20 to 100 on a weight basis. More preferably 20-80
And particularly preferably 40 to 60. That is,
When the mixing ratio of the novolac type epoxy resin (X) represented by the formula (1) is less than 20 (Y exceeds 80), the glass transition temperature of the sealing resin made of the obtained epoxy resin composition is lowered and the heat resistance is low. Because it will decrease.
【００１４】上記混合エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに
用いられる酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、硬化
時または硬化後に樹脂組成物の硬化物に変色度合いの少
ない酸無水物が好適であり、特に限定するものではなく
従来公知のものが用いられる。例えば、無水フタル酸，
無水マレイン酸，無水トリメリット酸，無水ピロメリッ
ト酸，ヘキサヒドロ無水フタル酸，メチルヘキサヒドロ
無水フタル酸，テトラヒドロ無水フタル酸，メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸，無水メチルナジック酸，無水ナ
ジック酸，無水グルタル酸等があげられ、特に充分に精
製され着色の少ないものが好ましい。これらは単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。特に、テトラヒドロ
無水フタル酸を用いることが好ましい。The acid anhydride type curing agent (component B) used together with the mixed epoxy resin (component A) is preferably an acid anhydride having a small degree of discoloration in the cured product of the resin composition during or after curing. Any known material can be used without particular limitation. For example, phthalic anhydride,
Maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylnadic acid, nadic anhydride, glutaric anhydride, etc. Among them, those which are sufficiently purified and have little coloring are preferable. These may be used alone or in combination of two or more. Particularly, it is preferable to use tetrahydrophthalic anhydride.
【００１５】そして、前記特殊な混合エポキシ樹脂（Ａ
成分）と酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）の配合割合は、Ａ
成分のエポキシ基１当量に対してＢ成分の酸無水物当量
を０．５〜１．５の範囲に設定することが好ましく、特
に好ましくは０．８〜１．２である。すなわち、上記Ｂ
成分の酸無水物当量が上記範囲を外れると、製品の耐湿
・耐熱信頼性が低下したり、変色，黄変が発生する場合
があるからである。なお、上記酸無水物系硬化剤におけ
る当量は、つぎのように設定される。すなわち、Ａ成分
中のエポキシ基１個に対して、酸無水物系硬化剤中の酸
無水物基が１個の場合を当量（酸無水物当量）１．０と
する。そして、上記酸無水物当量が０．５〜１．５と
は、特殊な混合エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基
１個に対して、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）中の酸無水
物基の数が０．５〜１．５個であるという趣旨である。Then, the special mixed epoxy resin (A
The mixing ratio of the component) and the acid anhydride-based curing agent (component B) is A
It is preferable to set the acid anhydride equivalent of the component B in the range of 0.5 to 1.5 relative to 1 equivalent of the epoxy group of the component, particularly preferably 0.8 to 1.2. That is, the above B
If the acid anhydride equivalent of the component is out of the above range, the moisture resistance and heat resistance reliability of the product may be deteriorated, or discoloration or yellowing may occur. The equivalent weight of the acid anhydride-based curing agent is set as follows. That is, the equivalent (acid anhydride equivalent) of 1.0 is the case where the acid anhydride-based curing agent has one acid anhydride group with respect to one epoxy group in the component A. The acid anhydride equivalent of 0.5 to 1.5 means that one epoxy group in the special mixed epoxy resin (A component) is equivalent to the acid in the acid anhydride curing agent (B component). This means that the number of anhydride groups is 0.5 to 1.5.
【００１６】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る硬化促進剤（Ｃ成分）としては、第三級アミン類，イ
ミダゾール類，第四級アンモニウム塩および有機金属塩
類等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併
せて用いられる。特に、透明性という点から、１，８−
ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７および
その誘導体等を用いることが好ましい。上記硬化促進剤
（Ｃ成分）の使用量は、上記特殊な混合エポキシ樹脂
（Ａ成分）１００重量部（以下「部」と略す）に対して
０．１〜６．０部の範囲に設定することが好ましく、特
に好ましくは０．４〜３．０部である。すなわち、硬化
促進剤（Ｃ成分）の使用量が０．１部未満では、例えば
１４０〜１６０℃の光半導体封止の成形温度では硬化速
度が遅くなってしまい作業効率が低下し、逆に６．０部
を超えると、硬化した際に封止樹脂が着色する場合があ
るからである。Examples of the curing accelerator (component C) used together with the above components A and B include tertiary amines, imidazoles, quaternary ammonium salts and organic metal salts. These may be used alone or in combination of two or more. Especially, from the viewpoint of transparency, 1,8-
It is preferable to use diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7 and its derivatives. The amount of the curing accelerator (component C) used is set in the range of 0.1 to 6.0 parts with respect to 100 parts by weight of the special mixed epoxy resin (component A) (hereinafter abbreviated as “part”). It is preferably 0.4 to 3.0 parts. That is, when the amount of the curing accelerator (C component) used is less than 0.1 part, the curing rate becomes slow at the molding temperature of the optical semiconductor encapsulation of, for example, 140 to 160 ° C., and the work efficiency decreases. If it exceeds 0.0 parts, the sealing resin may be colored when cured.
【００１７】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分以外に、必要に応じて、染
料，変性剤，劣化防止剤，離型剤等の他の添加剤を適宜
に配合することができる。The epoxy resin composition used in the present invention may optionally contain other additives such as dyes, modifiers, deterioration inhibitors and release agents, in addition to the above components A to C. Can be blended with.
【００１８】上記染料としては、特に限定するものでは
なく従来公知のものがあげられる。The above dye is not particularly limited, and conventionally known dyes can be used.
【００１９】上記変性剤としては、シリコーン系変性剤
等があげられる。Examples of the modifier include silicone modifiers and the like.
【００２０】上記劣化防止剤としては、フェノール系化
合物，アミン系化合物，有機硫黄系化合物，ホスフィン
系化合物等従来公知のものがあげられる。Examples of the above-mentioned deterioration preventives include phenol compounds, amine compounds, organic sulfur compounds, phosphine compounds, and other conventionally known compounds.
【００２１】上記離型剤としては、モンタン酸，ステア
リン酸およびその金属塩、ポリエチレン系カルナバ等の
従来公知のものがあげられる。Examples of the releasing agent include conventionally known agents such as montanic acid, stearic acid and metal salts thereof, polyethylene-based carnauba and the like.
【００２２】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えば、つぎのようにして製造することができる。
すなわち、上記特殊な混合エポキシ樹脂（Ａ成分），酸
無水物系硬化剤（Ｂ成分），硬化促進剤（Ｃ成分）およ
び必要に応じて染料，変性剤，劣化防止剤，離型剤等の
他の添加剤を適宜に配合する。そして、これを常法に準
じドライブレンド法、または溶融ブレンド法を適宜採用
して混合，混練する。そして、冷却し粉砕し、さらに必
要に応じて打錠することによりエポキシ樹脂組成物を製
造することができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be manufactured, for example, as follows.
That is, the special mixed epoxy resin (component A), acid anhydride type curing agent (component B), curing accelerator (component C) and, if necessary, dye, modifier, deterioration inhibitor, release agent, etc. Other additives are blended appropriately. Then, this is mixed and kneaded by appropriately adopting a dry blending method or a melt blending method according to an ordinary method. Then, the epoxy resin composition can be produced by cooling, pulverizing and further tableting as required.
【００２３】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
光半導体素子の封止は特に限定するものではなく、例え
ば、トランスファー成形等の公知のモールド方法により
行うことができる。The encapsulation of an optical semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and it can be performed by a known molding method such as transfer molding.
【００２４】このようにして得られる光半導体装置は、
極めて優れた耐湿信頼性を有している。The optical semiconductor device thus obtained is
It has extremely excellent moisture resistance reliability.
【００２５】なお、この発明において、封止樹脂である
硬化物としては、厚み１ｍｍの硬化物において、分光光
度計の測定により、波長６００ｎｍの光透過率が９０％
以上のものが好ましい。In the present invention, the cured product as the sealing resin is a cured product having a thickness of 1 mm and a light transmittance of 90% at a wavelength of 600 nm measured by a spectrophotometer.
The above is preferable.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上のように、この発明の光半導体装置
は、主成分であるエポキシ樹脂成分として、前記一般式
（１）で表されるノボラック型エポキシ樹脂とビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とを特定の混合割合した混合エ
ポキシ樹脂を用い、これを含有する特殊なエポキシ樹脂
組成物により樹脂封止されたものである。このため、上
記特殊なノボラック型エポキシ樹脂を併用していること
から、高い透明性が保持されたまま、耐湿信頼性が極め
て高い。As described above, in the optical semiconductor device of the present invention, the novolac type epoxy resin represented by the general formula (1) and the bisphenol A type epoxy resin are specified as the epoxy resin component as the main component. A mixed epoxy resin having a mixing ratio of 1 is used, and the resin is sealed with a special epoxy resin composition containing this. For this reason, since the special novolac type epoxy resin is used in combination, the humidity resistance is extremely high while the high transparency is maintained.
【００２７】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００２８】[0028]
【実施例１〜１４、比較例１〜５】後記の表１〜表３に
示す各成分を、同表に示す割合で配合し、ミキシングロ
ール機で溶融混練（１２０℃）を行い、熟成した後、室
温で冷却して粉砕することにより目的とするエポキシ樹
脂組成物を得た。Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 5 The components shown in Tables 1 to 3 below were blended in the proportions shown in the table, melt-kneaded (120 ° C.) with a mixing roll machine, and aged. Then, the desired epoxy resin composition was obtained by cooling at room temperature and pulverizing.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】[0030]
【表２】 [Table 2]
【００３１】[0031]
【表３】 [Table 3]
【００３２】前記のように、実施例および比較例によっ
て得られた微粉末状エポキシ樹脂組成物を用い、光半導
体素子をトランスファーモールド（成形条件：１５０℃
×４分）し、さらに、１２０℃×１６時間の条件でアフ
ターキュアすることにより光半導体装置を製造した。こ
のようにして得られた光半導体装置について、プレッシ
ャークッカー試験（ＰＣＴテスト：１２１℃，２気圧の
条件下）後のリーク電流の変動を測定した。また、得ら
れたエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度および８５℃
×８５％ＲＨ吸水率特性を調べた。その結果を、後記の
表４〜表６に示した。なお、各測定方法は下記の方法に
従った。As described above, an optical semiconductor element was transfer-molded (molding condition: 150 ° C.) using the fine powdery epoxy resin compositions obtained in Examples and Comparative Examples.
(× 4 minutes), and then post-cured under the condition of 120 ° C. × 16 hours to manufacture an optical semiconductor device. With respect to the optical semiconductor device thus obtained, the fluctuation of the leak current after the pressure cooker test (PCT test: 121 ° C., 2 atmospheric pressure conditions) was measured. Further, the glass transition temperature and 85 ° C. of the obtained epoxy resin composition
The x85% RH water absorption characteristics were examined. The results are shown in Tables 4 to 6 below. In addition, each measuring method followed the following method.
【００３３】〔ガラス転移温度〕ＪＩＳ−Ｋ−６９１１
に準じ、熱機械分析装置（ＴＭＡ）によるＴＭＡ曲線の
屈曲点（α1 とα2 との交点）から求めた。なお、α1
はガラス状領域での線膨脹係数であり、α2 はゴム状領
域での線膨脹係数である。また、試料の硬化条件は、１
５０℃×４分＋１２０℃×１６時間とした。[Glass Transition Temperature] JIS-K-6911
According to the above, it was determined from the bending point (intersection of α 1 and α 2 ) of the TMA curve by a thermomechanical analyzer (TMA). Note that α 1
Is the linear expansion coefficient in the glassy region, and α 2 is the linear expansion coefficient in the rubbery region. The curing condition of the sample is 1
It was set to 50 ° C. × 4 minutes + 120 ° C. × 16 hours.
【００３４】〔８５℃×８５％ＲＨ吸水率特性〕ＪＩＳ
−Ｋ−６９１１に準じ、８５℃×８５％ＲＨでの１２０
０時間放置後における値を求めた。なお、試料の硬化条
件は、１５０℃×４分＋１２０℃×１６時間とした。[85 ° C. × 85% RH water absorption characteristics] JIS
-120 at 85 ° C x 85% RH according to K-6911
The value after standing for 0 hour was determined. The curing conditions of the sample were 150 ° C. × 4 minutes + 120 ° C. × 16 hours.
【００３５】〔ＰＣＴ後のリーク電流の変動測定〕光半
導体装置を上記ＰＣＴテスト条件下に、各々１０時間，
３０時間，５０時間，７０時間投入した後、常温・常湿
において２時間放置したものを電圧１０Ｖで３０秒間印
加させリーク電流を測定した。[Measurement of Leakage Current Fluctuation After PCT] The optical semiconductor device was subjected to the above PCT test conditions for 10 hours each.
After being input for 30 hours, 50 hours, and 70 hours, what was left at room temperature and normal humidity for 2 hours was applied with a voltage of 10 V for 30 seconds, and the leak current was measured.
【００３６】 パッケージサイズ：４．５ｍｍ×６．０ｍｍ×厚み３．０ｍｍ チップサイズ ：１．５ｍｍ×１．５ｍｍ×厚み０．５ｍｍPackage size: 4.5 mm × 6.0 mm × thickness 3.0 mm Chip size: 1.5 mm × 1.5 mm × thickness 0.5 mm
【００３７】さらに、各エポキシ樹脂組成物を用い、厚
み１ｍｍの硬化体を成形した〔硬化条件：１５０℃×４
分＋１５０℃×３時間（アフターキュア）〕。これにつ
いて、波長６００ｎｍにおける光透過率を分光光度計
（島津製作所社製、ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用いて測定
した。この結果を後記の表４〜表６に併せて示す。Furthermore, a cured product having a thickness of 1 mm was molded using each epoxy resin composition [curing condition: 150 ° C. × 4.
Min + 150 ° C. × 3 hours (after cure)]. About this, the light transmittance in wavelength 600nm was measured using the spectrophotometer (Shimadzu Corporation make, UV-3101PC). The results are also shown in Tables 4 to 6 below.
【００３８】[0038]
【表４】 [Table 4]
【００３９】[0039]
【表５】 [Table 5]
【００４０】[0040]
【表６】 [Table 6]
【００４１】上記表４〜表６の結果から、実施例品は、
比較例品に比べて吸水率が低いことから、耐湿性に優れ
ていることがわかる。また、実施例品は、ＰＣＴテスト
でのリーク電流の変動測定からも耐湿信頼性に優れてい
ることがわかる。さらに、実施例品は、全て光透過率が
高いことから、上記耐湿信頼性とともに透明性にも優れ
ていることがわかる。しかも、ガラス転移温度が高く優
れた耐熱性をも備えている。From the results of Tables 4 to 6 above, the example products are
Since the water absorption rate is lower than that of the comparative example product, it can be seen that the moisture resistance is excellent. In addition, it can be seen from the leakage current fluctuation measurement in the PCT test that the example product has excellent moisture resistance reliability. Further, it can be seen that all of the example products have high light transmittance, and thus are excellent in transparency as well as the above-mentioned moisture resistance reliability. Moreover, it has a high glass transition temperature and excellent heat resistance.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 忠昭 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 丸橋 隆彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tadaaki Harada 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation (72) Takahiko Maruhashi 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation
Claims (2)
ポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる
光半導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるノボラック型エポ
キシ樹脂（Ｘ）と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（Ｙ）とからなる混合エポキシ樹脂であって、上記Ｘお
よびＹの重量基準の混合割合〔Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１０
０〕が２０〜１００になるように設定されている混合エ
ポキシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。1. An optical semiconductor device obtained by encapsulating an optical semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) A mixed epoxy resin composed of a novolac type epoxy resin (X) represented by the following general formula (1) and a bisphenol A type epoxy resin (Y), which is a mixture of X and Y on a weight basis. Ratio [X / (X + Y) × 10
0] is set to be 20 to 100. A mixed epoxy resin. Embedded image (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator.
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるノボラック型エポ
キシ樹脂（Ｘ）と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（Ｙ）とからなる混合エポキシ樹脂であって、上記Ｘお
よびＹの重量基準の混合割合〔Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１０
０〕が２０〜１００になるように設定されている混合エ
ポキシ樹脂。 【化２】 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。2. An epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor, which contains the following components (A) to (C). (A) A mixed epoxy resin composed of a novolac type epoxy resin (X) represented by the following general formula (1) and a bisphenol A type epoxy resin (Y), which is a mixture of X and Y on a weight basis. Ratio [X / (X + Y) × 10
0] is set to be 20 to 100. A mixed epoxy resin. Embedded image (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675994A JPH0827253A (en) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Photosemiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675994A JPH0827253A (en) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Photosemiconductor apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0827253A true JPH0827253A (en) | 1996-01-30 |
Family
ID=15837197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16675994A Pending JPH0827253A (en) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | Photosemiconductor apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827253A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198953A (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Nitto Denko Corp | Photosemiconductor device |
| JP2001131260A (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Liquid resin molding material |
| JP2009167240A (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nippon Kayaku Co Ltd | Epoxy resin, epoxy resin composition and cured product thereof |
| JP2013166878A (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | Epoxy resin composition and cured product |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP16675994A patent/JPH0827253A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198953A (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Nitto Denko Corp | Photosemiconductor device |
| JP2001131260A (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Liquid resin molding material |
| JP2009167240A (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nippon Kayaku Co Ltd | Epoxy resin, epoxy resin composition and cured product thereof |
| JP2013166878A (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | Epoxy resin composition and cured product |
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