JPH08264859A - 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子及びその製造方法Info
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- JPH08264859A JPH08264859A JP7066169A JP6616995A JPH08264859A JP H08264859 A JPH08264859 A JP H08264859A JP 7066169 A JP7066169 A JP 7066169A JP 6616995 A JP6616995 A JP 6616995A JP H08264859 A JPH08264859 A JP H08264859A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気抵抗効果素子に関するものであ
り、品質に優れ、かつ回路基板へのはんだによる表面実
装においてはんだ外観ができる構造の磁気抵抗効果素子
及びその製造方法を提供するものである。 【構成】 ガラスとセラミックの組成物からなり表裏面
を貫通する、あるいは貫通しない切り欠きを有する絶縁
基板１と、この絶縁基板１の表裏面間を結ぶように形成
された導体メタライズ層３と、前記表面側の導体メタラ
イズ層３と絶縁基板１の一部に形成された絶縁層２と、
前記絶縁基板１と絶縁層２の上に形成された所定の形状
のガラスグレーズ層４と、このガラスグレーズ層４と絶
縁基板１・表面の導体メタライズ層３の上に形成された
所定の形状の磁気抵抗効果薄膜５とで構成し、導体メタ
ライズ層３まで実装時はんだが付着することになるので
目視によりはんだ付不良が視認できるものである。
り、品質に優れ、かつ回路基板へのはんだによる表面実
装においてはんだ外観ができる構造の磁気抵抗効果素子
及びその製造方法を提供するものである。 【構成】 ガラスとセラミックの組成物からなり表裏面
を貫通する、あるいは貫通しない切り欠きを有する絶縁
基板１と、この絶縁基板１の表裏面間を結ぶように形成
された導体メタライズ層３と、前記表面側の導体メタラ
イズ層３と絶縁基板１の一部に形成された絶縁層２と、
前記絶縁基板１と絶縁層２の上に形成された所定の形状
のガラスグレーズ層４と、このガラスグレーズ層４と絶
縁基板１・表面の導体メタライズ層３の上に形成された
所定の形状の磁気抵抗効果薄膜５とで構成し、導体メタ
ライズ層３まで実装時はんだが付着することになるので
目視によりはんだ付不良が視認できるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界を作用させた時に
電気抵抗値が変化するという性質を利用して磁気の検
出、磁性体の存在や移動の検出を行なう磁気抵抗効果素
子及びその製造方法に関するものである。
電気抵抗値が変化するという性質を利用して磁気の検
出、磁性体の存在や移動の検出を行なう磁気抵抗効果素
子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子の開発の流れは、用途
に依存して、リード取り出しの組立部品タイプに始ま
り、回路基板への直接表面実装の要望ができるチップタ
イプへの展開が見られる。
に依存して、リード取り出しの組立部品タイプに始ま
り、回路基板への直接表面実装の要望ができるチップタ
イプへの展開が見られる。
【０００３】従来の磁気抵抗効果素子を図１７〜図１９
により説明する。チップ部の構造は、リード取り出しの
組立部品タイプ、チップタイプの別なく概ね同じであ
る。その構造とは、平面的に見て概ね四角形である基板
１１の角に、基板表裏面を結ぶように電極１２が形成さ
れた切り欠き１５が有り、基板１１の表面に、同一面上
の電極１２と電気的に接続された所定の形状の磁気抵抗
効果薄膜１４が形成されたものである。尚、１３はガラ
スグレーズである。
により説明する。チップ部の構造は、リード取り出しの
組立部品タイプ、チップタイプの別なく概ね同じであ
る。その構造とは、平面的に見て概ね四角形である基板
１１の角に、基板表裏面を結ぶように電極１２が形成さ
れた切り欠き１５が有り、基板１１の表面に、同一面上
の電極１２と電気的に接続された所定の形状の磁気抵抗
効果薄膜１４が形成されたものである。尚、１３はガラ
スグレーズである。
【０００４】上記従来例の製造方法は、上記チップが複
数個取れる大きな元基板に、所定ピッチのスルーホール
を形成し、その周辺に電極を印刷してスルーホール内壁
面とランドに電極を形成して、次に磁気抵抗効果薄膜パ
ターンを形成後、スルーホールを４分割して所定のチッ
プを得るものである。
数個取れる大きな元基板に、所定ピッチのスルーホール
を形成し、その周辺に電極を印刷してスルーホール内壁
面とランドに電極を形成して、次に磁気抵抗効果薄膜パ
ターンを形成後、スルーホールを４分割して所定のチッ
プを得るものである。
【０００５】しかしながら上記のような構成では、磁気
抵抗効果薄膜形成面（以下、感磁面、あるいは表と示
す）とその反対面（以下、裏と示す）を結ぶ導通電極
を、切り欠き部側面、あるいは基板側面に、完全に露出
して形成しているため、耐湿性、導通信頼性等について
劣る。そこで、より以上の品質の向上を目的として、該
導通電極をビアホール電極１６とするものが図２０、図
２１、図２２に開示された他の従来例の磁気抵抗効果素
子である。
抵抗効果薄膜形成面（以下、感磁面、あるいは表と示
す）とその反対面（以下、裏と示す）を結ぶ導通電極
を、切り欠き部側面、あるいは基板側面に、完全に露出
して形成しているため、耐湿性、導通信頼性等について
劣る。そこで、より以上の品質の向上を目的として、該
導通電極をビアホール電極１６とするものが図２０、図
２１、図２２に開示された他の従来例の磁気抵抗効果素
子である。
【０００６】その製造方法は、図１７〜図１９の従来技
術をベースに異なる点のみ説明すると、元基板のスルー
ホール数を４倍とし、電極の印刷をスルーホール内壁面
ではなく充填として、さらにそれを分割せず導通電極４
つを内包するように元基板を分割して１チップを得るも
のである。
術をベースに異なる点のみ説明すると、元基板のスルー
ホール数を４倍とし、電極の印刷をスルーホール内壁面
ではなく充填として、さらにそれを分割せず導通電極４
つを内包するように元基板を分割して１チップを得るも
のである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな第２の従来の構成では、チップタイプとして回路基
板への直接表面実装をはんだ付けにより行った場合、実
装確認が電気的な方法に限られ、接着状態が目視によっ
て判断できなかったため、実装不良の誤判定を招いてい
た。
うな第２の従来の構成では、チップタイプとして回路基
板への直接表面実装をはんだ付けにより行った場合、実
装確認が電気的な方法に限られ、接着状態が目視によっ
て判断できなかったため、実装不良の誤判定を招いてい
た。
【０００８】本発明は上記課題に鑑み、品質の向上を有
した状態で、さらに実装後はんだ付け部が目視できる磁
気抵抗効果素子及びその製造方法を提供するものであ
る。
した状態で、さらに実装後はんだ付け部が目視できる磁
気抵抗効果素子及びその製造方法を提供するものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の磁気抵抗効果素子は、ガラスとセラミックの
組成物からなる、表裏面を貫通しない切り欠きを有する
絶縁基板と、この絶縁基板の表裏面間を結ぶように、表
裏面と内部と切り欠き部に形成された導体メタライズ層
と、前記絶縁基板表面の導体メタライズ層と絶縁基板の
上に形成された、ガラスとセラミックの混合物からなる
所定の形状の絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形
成された所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラス
グレーズ層と前記絶縁基板の表面の導体メタライズ層の
上に形成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とで構成
したものである。
に本発明の磁気抵抗効果素子は、ガラスとセラミックの
組成物からなる、表裏面を貫通しない切り欠きを有する
絶縁基板と、この絶縁基板の表裏面間を結ぶように、表
裏面と内部と切り欠き部に形成された導体メタライズ層
と、前記絶縁基板表面の導体メタライズ層と絶縁基板の
上に形成された、ガラスとセラミックの混合物からなる
所定の形状の絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形
成された所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラス
グレーズ層と前記絶縁基板の表面の導体メタライズ層の
上に形成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とで構成
したものである。
【００１０】さらにもう一つの本発明の磁気抵抗効果素
子は、ガラスとセラミックの組成物からなる、表裏面を
貫通する切り欠きを有する絶縁基板と、この絶縁基板の
切り欠きの一部と、さらに表裏面間を結ぶように、表裏
面と内部に形成された導体メタライズ層と、前記絶縁基
板表面の導体メタライズ層と絶縁基板の上に形成され
た、ガラスとセラミックの混合物からなる所定の形状の
絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形成された所定
の形状のガラスグレーズ層と、このガラスグレーズ層と
前記絶縁基板の表面の導体メタライズ層の上に形成され
た所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とで構成したものであ
る。
子は、ガラスとセラミックの組成物からなる、表裏面を
貫通する切り欠きを有する絶縁基板と、この絶縁基板の
切り欠きの一部と、さらに表裏面間を結ぶように、表裏
面と内部に形成された導体メタライズ層と、前記絶縁基
板表面の導体メタライズ層と絶縁基板の上に形成され
た、ガラスとセラミックの混合物からなる所定の形状の
絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形成された所定
の形状のガラスグレーズ層と、このガラスグレーズ層と
前記絶縁基板の表面の導体メタライズ層の上に形成され
た所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とで構成したものであ
る。
【００１１】また、本発明の製造方法は、ガラスとセラ
ミックの原料粉とバインダと可塑剤からなる生シートを
作製する工程と、前記生シートにスルーホールを開口す
る工程と、前記生シートに導電ペーストを印刷及び充填
し乾燥する工程と、前記生シートの複数枚を張り合わせ
る工程と、前記工程により得られた生シートと前記導電
ペーストの一部表面にガラスとセラミックを主成分とす
る絶縁体ペーストを印刷し乾燥する工程と、前記生シー
トと絶縁体ペーストの一部表面にガラスペーストを印刷
し乾燥する工程と、前記工程によって得られた生シート
構成物を高温で焼成する工程と、前記工程によって得ら
れた基板のガラスグレーズ面に磁気抵抗効果薄膜を所定
形状の感磁部として形成する工程と、前記工程によって
得られた基板を所定の形状に分割する工程とを有するこ
とを特徴とするものである。
ミックの原料粉とバインダと可塑剤からなる生シートを
作製する工程と、前記生シートにスルーホールを開口す
る工程と、前記生シートに導電ペーストを印刷及び充填
し乾燥する工程と、前記生シートの複数枚を張り合わせ
る工程と、前記工程により得られた生シートと前記導電
ペーストの一部表面にガラスとセラミックを主成分とす
る絶縁体ペーストを印刷し乾燥する工程と、前記生シー
トと絶縁体ペーストの一部表面にガラスペーストを印刷
し乾燥する工程と、前記工程によって得られた生シート
構成物を高温で焼成する工程と、前記工程によって得ら
れた基板のガラスグレーズ面に磁気抵抗効果薄膜を所定
形状の感磁部として形成する工程と、前記工程によって
得られた基板を所定の形状に分割する工程とを有するこ
とを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】以上のような本発明によれば、１）感磁面の構
成材料を露出させない構造で、かつはんだを感磁面と接
触させない構造としたことにより、品質の向上を実現
し、２）チップ側面に露出電極部を存在させて、回路基
板へのはんだ付け表面実装した場合に、はんだがこの露
出電極部を這い上がる構造としたことにより、その目視
によって、確実に接合状態が判断できるものである。
成材料を露出させない構造で、かつはんだを感磁面と接
触させない構造としたことにより、品質の向上を実現
し、２）チップ側面に露出電極部を存在させて、回路基
板へのはんだ付け表面実装した場合に、はんだがこの露
出電極部を這い上がる構造としたことにより、その目視
によって、確実に接合状態が判断できるものである。
【００１３】
（実施例１）以下、本発明の一実施例である第１の実施
例の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図１
（ａ）〜図３により説明する。
例の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図１
（ａ）〜図３により説明する。
【００１４】同図において、１はガラスとセラミックの
組成物からなる絶縁基板、２はガラスとセラミックの組
成物からなる絶縁層、３は導体メタライズ層、４はガラ
スグレーズ層、５は磁気抵抗効果を有する強磁性体薄
膜、６は切り欠きである。
組成物からなる絶縁基板、２はガラスとセラミックの組
成物からなる絶縁層、３は導体メタライズ層、４はガラ
スグレーズ層、５は磁気抵抗効果を有する強磁性体薄
膜、６は切り欠きである。
【００１５】実施例における磁気抵抗効果素子は、ガラ
スとセラミック、例えば、ほう珪酸ガラスとアルミナを
主成分とする絶縁基板１の表裏面と内部と切り欠き部６
に、表裏面間を結ぶように、例えば、銀：パラジウムの
比が８０：２０の導体メタライズ層３が形成され、絶縁
基板１とその表面側の導体メタライズ層３の一部に、絶
縁基板１と同材料の絶縁層２が形成され、ほう珪酸鉛系
のガラスグレーズ層４が絶縁層２と絶縁基板１の所定の
領域に形成され、基板表面の導体メタライズ層３とガラ
スグレーズ層４の上に、ニッケル、鉄、コバルトのうち
一種以上を主成分とする、例えば、パーマロイからなる
ストライプを繰り返し折り返したような所定の形状の磁
気抵抗効果を有する強磁性体薄膜５が形成されている。
スとセラミック、例えば、ほう珪酸ガラスとアルミナを
主成分とする絶縁基板１の表裏面と内部と切り欠き部６
に、表裏面間を結ぶように、例えば、銀：パラジウムの
比が８０：２０の導体メタライズ層３が形成され、絶縁
基板１とその表面側の導体メタライズ層３の一部に、絶
縁基板１と同材料の絶縁層２が形成され、ほう珪酸鉛系
のガラスグレーズ層４が絶縁層２と絶縁基板１の所定の
領域に形成され、基板表面の導体メタライズ層３とガラ
スグレーズ層４の上に、ニッケル、鉄、コバルトのうち
一種以上を主成分とする、例えば、パーマロイからなる
ストライプを繰り返し折り返したような所定の形状の磁
気抵抗効果を有する強磁性体薄膜５が形成されている。
【００１６】生シートの厚みと切り欠きサイズは、どこ
まではんだを這い上がらせたいかに依存し、上記に限定
されない。
まではんだを這い上がらせたいかに依存し、上記に限定
されない。
【００１７】絶縁基板１の切り欠き部６の位置と形状
は、目的を満たす範囲においては、本実施例に限定され
ない。
は、目的を満たす範囲においては、本実施例に限定され
ない。
【００１８】導体メタライズ層３は上記銀：パラジウム
の比が８０：２０のもの以外にも、その組成比が異なる
ものや銀、金等でもかまわない。
の比が８０：２０のもの以外にも、その組成比が異なる
ものや銀、金等でもかまわない。
【００１９】好ましくは、全構成材料は、８００〜１０
００℃で焼成できるものがよい。次に、本実施例の具体
例について説明する。
００℃で焼成できるものがよい。次に、本実施例の具体
例について説明する。
【００２０】まず、ほう珪酸ガラス粉末とアルミナ粉末
を重量比で６０対４０となるように配合して無機成分と
し、有機バインダとしてポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコール等、可塑剤としてジブチルフタレート
（ＤＢＰ）、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液
（６０対４０比）を無機成分１００部、有機バインダ５
部、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）１０部、トルエンと
エタノール３０部の割合で混合し、湿式微粉砕を行って
スラリーとした後、真空脱気処理によりスラリーから気
泡を除去し、粘度調整を行った。
を重量比で６０対４０となるように配合して無機成分と
し、有機バインダとしてポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコール等、可塑剤としてジブチルフタレート
（ＤＢＰ）、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液
（６０対４０比）を無機成分１００部、有機バインダ５
部、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）１０部、トルエンと
エタノール３０部の割合で混合し、湿式微粉砕を行って
スラリーとした後、真空脱気処理によりスラリーから気
泡を除去し、粘度調整を行った。
【００２１】スラリーをドクターブレードを用いてポリ
エステル支持体上に塗布し、炉を通して乾燥し、０．３
ミリの厚さの生シートを作製した。生シートを支持体よ
り取り外し、パンチングにより開口してスルーホールを
形成して、スルーホールの数と位置が異なる二種類の生
シートを得た。得られた生シートの内一種は、例えば
銀：パラジウムの比が８０：２０である導体ペーストを
スルーホール内充填とランド印刷し、もう一種は、同様
のペーストをスルーホール印刷とスルーホール内充填と
ランド印刷を行い、それぞれ乾燥した。両シートを張り
合わせ、７０℃，１００ｋｇ／ｃｍ2で圧着し、一枚の
生シートとした。
エステル支持体上に塗布し、炉を通して乾燥し、０．３
ミリの厚さの生シートを作製した。生シートを支持体よ
り取り外し、パンチングにより開口してスルーホールを
形成して、スルーホールの数と位置が異なる二種類の生
シートを得た。得られた生シートの内一種は、例えば
銀：パラジウムの比が８０：２０である導体ペーストを
スルーホール内充填とランド印刷し、もう一種は、同様
のペーストをスルーホール印刷とスルーホール内充填と
ランド印刷を行い、それぞれ乾燥した。両シートを張り
合わせ、７０℃，１００ｋｇ／ｃｍ2で圧着し、一枚の
生シートとした。
【００２２】次に、上述したスラリーを再び用いて印刷
ペースト状とし、生シートと導体の上の所定面積・形状
に印刷し乾燥した。さらに、酸化物換算で酸化鉛６２ｗ
ｔ％と酸化珪素３０ｗｔ％と酸化ほう素３ｗｔ％と酸化
アルミニウム３ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整後
のガラスペーストを所定パターンに印刷し乾燥した。次
に、８５０〜９００℃でインアウト１時間保持して焼成
した後、室温にて取り出し基板を得た。得られた基板を
真空蒸着機に設置し、所定の真空度に排気した後、表面
にパーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し、レジスト塗
布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を経て、幅
が１０μｍのパーマロイでストライプを繰り返し折り返
したような形状の感磁パターンを得た。これを、所定の
チップサイズに分割した。
ペースト状とし、生シートと導体の上の所定面積・形状
に印刷し乾燥した。さらに、酸化物換算で酸化鉛６２ｗ
ｔ％と酸化珪素３０ｗｔ％と酸化ほう素３ｗｔ％と酸化
アルミニウム３ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整後
のガラスペーストを所定パターンに印刷し乾燥した。次
に、８５０〜９００℃でインアウト１時間保持して焼成
した後、室温にて取り出し基板を得た。得られた基板を
真空蒸着機に設置し、所定の真空度に排気した後、表面
にパーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し、レジスト塗
布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を経て、幅
が１０μｍのパーマロイでストライプを繰り返し折り返
したような形状の感磁パターンを得た。これを、所定の
チップサイズに分割した。
【００２３】上記焼成温度は８００〜１０００℃の範囲
内であれば良い。８００℃未満はガラスグレーズの表面
が粗く磁気抵抗効果素子には適さない。また、１０００
℃より高くなると、基板が反ったり、割れたり、品質が
落ちるので適さない。
内であれば良い。８００℃未満はガラスグレーズの表面
が粗く磁気抵抗効果素子には適さない。また、１０００
℃より高くなると、基板が反ったり、割れたり、品質が
落ちるので適さない。
【００２４】以上のように構成された磁気抵抗効果素子
について、目視検査の可・不可を判断すると共に、誤判
定率を求めた。
について、目視検査の可・不可を判断すると共に、誤判
定率を求めた。
【００２５】はんだ付け状態について、本実施例を図
４、従来例を図５に示し、比較する。十分外観でき、誤
判定はなくなった。
４、従来例を図５に示し、比較する。十分外観でき、誤
判定はなくなった。
【００２６】以上より明らかなように、本実施例の磁気
抵抗効果素子は、品質の向上と、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できること
の効果を有するものである。
抵抗効果素子は、品質の向上と、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できること
の効果を有するものである。
【００２７】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図６
（ａ）〜図８により説明する。
の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図６
（ａ）〜図８により説明する。
【００２８】同図の磁気抵抗効果素子において、実施例
１と異なる点は、切り欠きの位置を変えたこと、ガラス
グレーズ層を酸化物換算で酸化鉛５５ｗｔ％と酸化珪素
３０ｗｔ％と酸化ほう素１０ｗｔ％と酸化アルミニウム
４ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整したものをガラ
スペーストとして印刷し、乾燥後８００〜９００℃で焼
成して得たこと、導体メタライズ層として銀を用いたこ
とである。
１と異なる点は、切り欠きの位置を変えたこと、ガラス
グレーズ層を酸化物換算で酸化鉛５５ｗｔ％と酸化珪素
３０ｗｔ％と酸化ほう素１０ｗｔ％と酸化アルミニウム
４ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整したものをガラ
スペーストとして印刷し、乾燥後８００〜９００℃で焼
成して得たこと、導体メタライズ層として銀を用いたこ
とである。
【００２９】その他は、実施例１と同様にして行った。
本実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
本実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
【００３０】（実施例３）本実施例の磁気抵抗効果素子
において上記各実施例と異なる点は、絶縁基板及び絶縁
層の材料組成を、ガラス成分が４５〜６５％の間とした
こと、ガラスグレーズ層の材料組成を、酸化物表示でＰ
ｂＯが１０〜７５％としたこと、導体メタライズ層を、
組成比の異なる銀パラあるいは銀あるいは金としたこ
と、焼成温度が８００〜１０００℃の間としたことであ
る。
において上記各実施例と異なる点は、絶縁基板及び絶縁
層の材料組成を、ガラス成分が４５〜６５％の間とした
こと、ガラスグレーズ層の材料組成を、酸化物表示でＰ
ｂＯが１０〜７５％としたこと、導体メタライズ層を、
組成比の異なる銀パラあるいは銀あるいは金としたこ
と、焼成温度が８００〜１０００℃の間としたことであ
る。
【００３１】本実施例においても、実施例１と同様の効
果が得られた。 （実施例４）以下、本発明の第４の実施例の磁気抵抗効
果素子、及びその製造方法について図９（ａ）〜図１１
により説明する。
果が得られた。 （実施例４）以下、本発明の第４の実施例の磁気抵抗効
果素子、及びその製造方法について図９（ａ）〜図１１
により説明する。
【００３２】同図の磁気抵抗効果素子は、ガラスとセラ
ミック、例えば、ほう珪酸ガラスとアルミナを主成分と
する絶縁基板１の表裏面と内部に、表裏面間を結ぶよう
に、例えば、銀：パラジウムの比が８０：２０の導体メ
タライズ層３が形成され、さらに、裏面ランドと切り欠
き６が接続され、切り欠き６の一部に、同導体メタライ
ズ層３が形成され、絶縁基板１とその表面の導体メタラ
イズ層３の一部に絶縁基板１と同材料の絶縁層２が形成
され、ほう珪酸鉛系のガラスグレーズ層４が絶縁層２と
絶縁基板１の所定の領域に形成され、基板表面の導体メ
タライズ層３とガラスグレーズ層４の上に、ニッケル、
鉄、コバルトのうち一種以上を主成分とする、例えば、
ニッケルコバルトからなるストライプを繰り返し折り返
したような所定形状の強磁性体薄膜５が形成されてい
る。
ミック、例えば、ほう珪酸ガラスとアルミナを主成分と
する絶縁基板１の表裏面と内部に、表裏面間を結ぶよう
に、例えば、銀：パラジウムの比が８０：２０の導体メ
タライズ層３が形成され、さらに、裏面ランドと切り欠
き６が接続され、切り欠き６の一部に、同導体メタライ
ズ層３が形成され、絶縁基板１とその表面の導体メタラ
イズ層３の一部に絶縁基板１と同材料の絶縁層２が形成
され、ほう珪酸鉛系のガラスグレーズ層４が絶縁層２と
絶縁基板１の所定の領域に形成され、基板表面の導体メ
タライズ層３とガラスグレーズ層４の上に、ニッケル、
鉄、コバルトのうち一種以上を主成分とする、例えば、
ニッケルコバルトからなるストライプを繰り返し折り返
したような所定形状の強磁性体薄膜５が形成されてい
る。
【００３３】生シートの厚みと切り欠きの露出電極の位
置は、どこまではんだを這い上がらせたいかに依存し、
上記に限定されない。
置は、どこまではんだを這い上がらせたいかに依存し、
上記に限定されない。
【００３４】絶縁基板１の切り欠き部６の位置と形状
は、目的を満たす範囲においては、本実施例に限定され
ない。
は、目的を満たす範囲においては、本実施例に限定され
ない。
【００３５】導体メタライズ層３は上記銀：パラジウム
の比が８０：２０のもの以外にも、その組成比が異なる
ものや銀、金等でもかまわない。
の比が８０：２０のもの以外にも、その組成比が異なる
ものや銀、金等でもかまわない。
【００３６】好ましくは、全構成材料は、８００〜１０
００℃で焼成できるものがよい。次に本実施例の具体例
について説明する。
００℃で焼成できるものがよい。次に本実施例の具体例
について説明する。
【００３７】まず、ほう珪酸ガラス粉末とアルミナ粉末
を重量比で５５対４５となるように配合して無機成分と
し、有機バインダとしてポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコール等、可塑剤としてジブチルフタレート
（ＤＢＰ）、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液
（６０対４０比）を無機成分１００部、有機バインダ５
部、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）１０部、トルエンと
エタノール３０部の割合で混合し、湿式微粉砕を行って
スラリーとした後、真空脱気処理によりスラリーから気
泡を除去し、粘度調整を行った。
を重量比で５５対４５となるように配合して無機成分と
し、有機バインダとしてポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコール等、可塑剤としてジブチルフタレート
（ＤＢＰ）、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液
（６０対４０比）を無機成分１００部、有機バインダ５
部、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）１０部、トルエンと
エタノール３０部の割合で混合し、湿式微粉砕を行って
スラリーとした後、真空脱気処理によりスラリーから気
泡を除去し、粘度調整を行った。
【００３８】スラリーをドクターブレードを用いてポリ
エステル支持体上に塗布し、炉を通して乾燥し、０．３
ミリの厚さの生シートを作製した。生シートを支持体よ
り取り外し、パンチングにより開口してスルーホールを
形成して、一種類の生シートを得た。得られた生シート
の内一種は、例えば銀：パラジウムの比が８０：２０で
ある導体ペーストをスルーホール内充填とスルーホール
印刷とランド印刷をし、もう一種は、同様のペーストを
スルーホール内充填とランド印刷を行い、それぞれ乾燥
した。両シートを張り合わせ、７０℃，１００ｋｇ／ｃ
ｍ2で圧着し、一枚の生シートとした。
エステル支持体上に塗布し、炉を通して乾燥し、０．３
ミリの厚さの生シートを作製した。生シートを支持体よ
り取り外し、パンチングにより開口してスルーホールを
形成して、一種類の生シートを得た。得られた生シート
の内一種は、例えば銀：パラジウムの比が８０：２０で
ある導体ペーストをスルーホール内充填とスルーホール
印刷とランド印刷をし、もう一種は、同様のペーストを
スルーホール内充填とランド印刷を行い、それぞれ乾燥
した。両シートを張り合わせ、７０℃，１００ｋｇ／ｃ
ｍ2で圧着し、一枚の生シートとした。
【００３９】次に、先述したスラリーを再び用いて印刷
ペースト状とし、生シートと導体の上の所定面積・形状
に印刷し乾燥した。さらに、酸化物換算で酸化鉛１５ｗ
ｔ％と酸化珪素６０ｗｔ％と酸化ほう素５ｗｔ％と酸化
アルミニウム１０ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整
後のガラスペーストを所定パターンに印刷し乾燥した。
次に、９５０℃でインアウト１時間保持して焼成した
後、室温にて取り出し基板を得た。得られた基板を真空
蒸着機に設置し、所定の真空度に排気した後、基板表面
にニッケルコバルトを０．０５μｍの厚さで蒸着し、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を
経て、幅が１０μｍのパーマロイでストライプを繰り返
し折り返したような形状の感磁パターンを得た。これ
を、所定のチップサイズに分割した。
ペースト状とし、生シートと導体の上の所定面積・形状
に印刷し乾燥した。さらに、酸化物換算で酸化鉛１５ｗ
ｔ％と酸化珪素６０ｗｔ％と酸化ほう素５ｗｔ％と酸化
アルミニウム１０ｗｔ％を主な無機成分とする粘度調整
後のガラスペーストを所定パターンに印刷し乾燥した。
次に、９５０℃でインアウト１時間保持して焼成した
後、室温にて取り出し基板を得た。得られた基板を真空
蒸着機に設置し、所定の真空度に排気した後、基板表面
にニッケルコバルトを０．０５μｍの厚さで蒸着し、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を
経て、幅が１０μｍのパーマロイでストライプを繰り返
し折り返したような形状の感磁パターンを得た。これ
を、所定のチップサイズに分割した。
【００４０】上記焼成温度は８００〜１０００℃の範囲
内であれば何℃でも構わない。８００℃未満はガラスグ
レーズの表面が粗く磁気抵抗効果素子には適さない。ま
た、１０００℃より高くなると、基板が反ったり、割れ
たり、品質が落ちるので適さない。
内であれば何℃でも構わない。８００℃未満はガラスグ
レーズの表面が粗く磁気抵抗効果素子には適さない。ま
た、１０００℃より高くなると、基板が反ったり、割れ
たり、品質が落ちるので適さない。
【００４１】以上のように構成された磁気抵抗効果素子
について、目視検査の可・不可を判断すると共に、誤判
定率を求めた。
について、目視検査の可・不可を判断すると共に、誤判
定率を求めた。
【００４２】はんだ付け状態を図１２に示す。十分外観
でき、誤判定はなくなった。
でき、誤判定はなくなった。
【００４３】以上より明らかなように、本実施例の磁気
抵抗効果素子は、品質の向上と、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できること
の効果を有している。
抵抗効果素子は、品質の向上と、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できること
の効果を有している。
【００４４】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図１３
（ａ）〜図１５により説明する。
の磁気抵抗効果素子、及びその製造方法について図１３
（ａ）〜図１５により説明する。
【００４５】同図の磁気抵抗効果素子において、実施例
４と異なる点は、切り欠きの位置を変えたこと、導体メ
タライズ層として金を用いたことである。
４と異なる点は、切り欠きの位置を変えたこと、導体メ
タライズ層として金を用いたことである。
【００４６】その他は、実施例４と同様にして行った。
本実施例においても、実施例４と同様の効果が得られ
た。
本実施例においても、実施例４と同様の効果が得られ
た。
【００４７】（実施例６）本実施例の磁気抵抗効果素子
において上記各実施例と異なる点は、絶縁基板及び絶縁
層の材料組成を、ガラス成分が４５〜６５％の間とした
こと、ガラスグレーズ層の材料組成を酸化物表示でＰｂ
Ｏが１０〜７５％としたこと、導体メタライズ層を、組
成比の異なる銀パラあるいは銀あるいは金としたこと、
焼成温度が８００〜１０００℃の間としたことである。
において上記各実施例と異なる点は、絶縁基板及び絶縁
層の材料組成を、ガラス成分が４５〜６５％の間とした
こと、ガラスグレーズ層の材料組成を酸化物表示でＰｂ
Ｏが１０〜７５％としたこと、導体メタライズ層を、組
成比の異なる銀パラあるいは銀あるいは金としたこと、
焼成温度が８００〜１０００℃の間としたことである。
【００４８】本実施例においても、実施例４と同様の効
果が得られた。以上のように本実施例によれば、品質が
向上したこと、側面の露出電極部にはんだを這い上がら
せることを満たした構造であり、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できるとい
う効果を有している。
果が得られた。以上のように本実施例によれば、品質が
向上したこと、側面の露出電極部にはんだを這い上がら
せることを満たした構造であり、回路基板にはんだ付け
表面実装した場合にはんだ付け部を目視検査できるとい
う効果を有している。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本実施例によれば、ガラス
とセラミックの組成物からなり表裏面を貫通する、ある
いは貫通しない切り欠きを有する絶縁基板と、この絶縁
基板の表裏面間を結ぶように形成された導体メタライズ
層と、前記表面側の導体メタライズ層と絶縁基板の一部
に形成された絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形
成された所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラス
グレーズ層と絶縁基板表面の導体メタライズ層の上に形
成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とを有する構造
とすることにより、１）感磁面の構成材料を露出させな
い構造で、かつ、はんだを感磁面と接触させない構造と
したことにより、品質の向上した磁気抵抗効果素子を実
現した。加えて、２）チップ側面に露出電極部を存在さ
せて、回路基板へのはんだ付け表面実装した場合に、は
んだがこの露出電極部を這い上がる構造としたことによ
り、その目視検査によりはんだ接合状態が判断できる磁
気抵抗効果素子を実現した。
とセラミックの組成物からなり表裏面を貫通する、ある
いは貫通しない切り欠きを有する絶縁基板と、この絶縁
基板の表裏面間を結ぶように形成された導体メタライズ
層と、前記表面側の導体メタライズ層と絶縁基板の一部
に形成された絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形
成された所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラス
グレーズ層と絶縁基板表面の導体メタライズ層の上に形
成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とを有する構造
とすることにより、１）感磁面の構成材料を露出させな
い構造で、かつ、はんだを感磁面と接触させない構造と
したことにより、品質の向上した磁気抵抗効果素子を実
現した。加えて、２）チップ側面に露出電極部を存在さ
せて、回路基板へのはんだ付け表面実装した場合に、は
んだがこの露出電極部を這い上がる構造としたことによ
り、その目視検査によりはんだ接合状態が判断できる磁
気抵抗効果素子を実現した。
【図１】（ａ）本発明の一実施例である第１の実施例の
磁気抵抗効果素子の要部斜視図 （ｂ）同側断面図
磁気抵抗効果素子の要部斜視図 （ｂ）同側断面図
【図２】同上面図
【図３】同下面図
【図４】同はんだ付け状態を示す側面図
【図５】従来の磁気抵抗効果素子のはんだ付け状態を示
す側面図
す側面図
【図６】（ａ）本発明の一実施例である第２の実施例の
磁気抵抗効果素子の側面図 （ｂ）同断面図
磁気抵抗効果素子の側面図 （ｂ）同断面図
【図７】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図８】同磁気抵抗効果素子の下面図
【図９】（ａ）本発明の一実施例である第４の実施例の
磁気抵抗効果素子の側面図 （ｂ）同断面図
磁気抵抗効果素子の側面図 （ｂ）同断面図
【図１０】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図１１】同磁気抵抗効果素子の下面図
【図１２】同磁気抵抗効果素子のはんだ付け状態を示す
側面図
側面図
【図１３】（ａ）本発明の一実施例である第５の実施例
の磁気抵抗効果素子の要部斜視図 （ｂ）同側断面図
の磁気抵抗効果素子の要部斜視図 （ｂ）同側断面図
【図１４】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図１５】同磁気抵抗効果素子の下面図
【図１６】本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子の下面
図
図
【図１７】第１の従来例の磁気抵抗効果素子の要部斜視
図
図
【図１８】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図１９】同磁気抵抗効果素子の下面図
【図２０】第２の従来例の磁気抵抗効果素子の断面図
【図２１】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図２２】同磁気抵抗効果素子の下面図
１ ガラスとセラミックの組成物からなる絶縁基板 ２ ガラスとセラミックの組成物からなる絶縁層 ３ 導体メタライズ層 ４ ガラスグレーズ層 ５ 磁気抵抗効果を有する強磁性体薄膜 ６ 切り欠き
Claims (10)
- 【請求項１】 ガラスとセラミックの組成物からなる、
表裏面を貫通しない切り欠きを有する絶縁基板と、この
絶縁基板の表裏面間を結ぶように、表裏面と内部と切り
欠き部に形成された導体メタライズ層と、前記絶縁基板
表面の導体メタライズ層と絶縁基板の上に形成された、
ガラスとセラミックの組成物からなる所定の形状の絶縁
層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形成された所定の形
状のガラスグレーズ層と、このガラスグレーズ層と前記
絶縁基板の表面の導体メタライズ層の上に形成された所
定の形状の磁気抵抗効果薄膜とを有する磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項２】 切り欠きが絶縁基板の裏面にあることを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 切り欠きが、その存在する面の角にある
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 切り欠きがその存在する面の辺にあるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】 ガラスとセラミックの組成物からなる、
表裏面を貫通する切り欠きを有する絶縁基板と、この絶
縁基板の切り欠き部の一部と、さらに表裏面間を結ぶよ
うに、表裏面と内部に形成された導体メタライズ層と、
前記絶縁基板表面の導体メタライズ層と絶縁基板の上に
形成された、ガラスとセラミックの組成物からなる所定
の形状の絶縁層と、前記絶縁基板と絶縁層の上に形成さ
れた所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラスグレ
ーズ層と前記絶縁基板の表面の導体メタライズ層の上に
形成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とを有する磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項６】 切り欠きが角にあることを特徴とする請
求項５記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項７】 切り欠きが辺にあることを特徴とする請
求項５記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項８】 ガラスとセラミックの原料粉とバインダ
と可塑剤からなる生シートを作製する工程と、前記生シ
ートにスルーホールを開口する工程と、前記生シートに
導電ペーストを印刷及び充填し乾燥する工程と、前記生
シートの複数枚を張り合わせる工程と、前記工程により
得られた生シートと前記導電ペーストの一部表面にガラ
スとセラミックを主成分とする絶縁体ペーストを印刷し
乾燥する工程と、前記生シートと絶縁体ペーストの一部
表面にガラスペーストを印刷し乾燥する工程と、前記工
程によって得られた生シート構成物を高温で焼成する工
程と、前記工程によって得られた基板のガラスグレーズ
面に磁気抵抗効果薄膜を所定形状の感磁部として形成す
る工程と、前記工程によって得られた基板を所定の形状
に分割する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効
果素子の製造方法。 - 【請求項９】 生シートにスルーホールを開口する工程
において、二種類の形状を得ることを特徴とする請求項
８記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項１０】 構成物の焼成温度が８００〜１０００
℃であることを特徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6616995A JP3596074B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6616995A JP3596074B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264859A true JPH08264859A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3596074B2 JP3596074B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=13308089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6616995A Expired - Fee Related JP3596074B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3596074B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077742A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JP2005003477A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
| CN104143232A (zh) * | 2013-05-08 | 2014-11-12 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种芯片磁传感器 |
| CN104157070A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种芯片磁传感器 |
| JP2022520882A (ja) * | 2019-03-20 | 2022-04-01 | レム・インターナショナル・エスエイ | 磁場センサ |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6616995A patent/JP3596074B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077742A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JP2005003477A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
| CN104143232A (zh) * | 2013-05-08 | 2014-11-12 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种芯片磁传感器 |
| CN104157070A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种芯片磁传感器 |
| JP2022520882A (ja) * | 2019-03-20 | 2022-04-01 | レム・インターナショナル・エスエイ | 磁場センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3596074B2 (ja) | 2004-12-02 |
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