JPH08262689A - 投影露光方法及びこれに使われるマスク - Google Patents
投影露光方法及びこれに使われるマスクInfo
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- JPH08262689A JPH08262689A JP4773096A JP4773096A JPH08262689A JP H08262689 A JPH08262689 A JP H08262689A JP 4773096 A JP4773096 A JP 4773096A JP 4773096 A JP4773096 A JP 4773096A JP H08262689 A JPH08262689 A JP H08262689A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクの隣接したパターン間に位相差を取る
ことにより解像度を高める投影露光方法、これに使われ
るマスクを提供する。 【解決手段】 マスクを用いた投影露光方法において、
光源から照射され前記マスクを通過する光の経路上に垂
直した方向と所定の角度に傾斜した透明なマスク基板と
前記マスク基板の下面に規則的に形成されている遮光膜
パターンを用いて、隣接したマスクパターン間に位相差
を持たせ前記露光対象物を露光する段階を含むことを特
徴とする。よって、与えられた光源の波長および開口数
でマスクのピッチについての周波数差を小さくしてパタ
ーン形成の可能な最少ピッチを光源の短波長化またはレ
ンズの開口数を大きくしないで縮められる。
ことにより解像度を高める投影露光方法、これに使われ
るマスクを提供する。 【解決手段】 マスクを用いた投影露光方法において、
光源から照射され前記マスクを通過する光の経路上に垂
直した方向と所定の角度に傾斜した透明なマスク基板と
前記マスク基板の下面に規則的に形成されている遮光膜
パターンを用いて、隣接したマスクパターン間に位相差
を持たせ前記露光対象物を露光する段階を含むことを特
徴とする。よって、与えられた光源の波長および開口数
でマスクのピッチについての周波数差を小さくしてパタ
ーン形成の可能な最少ピッチを光源の短波長化またはレ
ンズの開口数を大きくしないで縮められる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は投影露光方法及びこ
れに使われるマスクに係り、特にマスクの隣接したパタ
ーン間に位相差を取ることにより解像度を高める投影露
光方法及びこれに使われるマスクに関する。
れに使われるマスクに係り、特にマスクの隣接したパタ
ーン間に位相差を取ることにより解像度を高める投影露
光方法及びこれに使われるマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体装置の各種パターンはフ
ォトリソグラフィ技術により形成されると言うことは広
く知られている。前記フォトリソグラフィ技術による
と、半導体ウェーハ上の絶縁膜や導電膜など、パターン
を形成すべき膜の上にＸ線や紫外線などのような光線の
照射により溶解度が変化する感光膜を形成し、この感光
膜の所定部位を露光させた後、現像液について溶解度の
大きい部分を除去し感光膜パターンを形成し、前記パタ
ーンを形成すべき膜の露出された部分をエッチングによ
り除去し配線や電極など各種パターンを形成する。
ォトリソグラフィ技術により形成されると言うことは広
く知られている。前記フォトリソグラフィ技術による
と、半導体ウェーハ上の絶縁膜や導電膜など、パターン
を形成すべき膜の上にＸ線や紫外線などのような光線の
照射により溶解度が変化する感光膜を形成し、この感光
膜の所定部位を露光させた後、現像液について溶解度の
大きい部分を除去し感光膜パターンを形成し、前記パタ
ーンを形成すべき膜の露出された部分をエッチングによ
り除去し配線や電極など各種パターンを形成する。
【０００３】したがって、前述した露光に使われる露光
装置は前記パターン形成に重要な装置として、露光方式
により密着露光方式、近似露光方式、投影露光方式など
がある。前記露光装置のうち投影露光方式は米国のＧＣ
Ａ社、日本のＮＩＫＯＮ社及びＣＡＮＯＮ社から発売さ
れているステッパーが主種を成し遂げていて、最近一番
高い解像度のパターン形成が可能となり広く使われてい
る。
装置は前記パターン形成に重要な装置として、露光方式
により密着露光方式、近似露光方式、投影露光方式など
がある。前記露光装置のうち投影露光方式は米国のＧＣ
Ａ社、日本のＮＩＫＯＮ社及びＣＡＮＯＮ社から発売さ
れているステッパーが主種を成し遂げていて、最近一番
高い解像度のパターン形成が可能となり広く使われてい
る。
【０００４】一方、半導体集積回路の高集積化が重なる
にしたがって要求される最少加工サイズは微細化されて
いて、この実現のため露光装備の光源はｉライン波長
（０．３６５μｍ）からディープＵＶ（０．２４８μ
ｍ）に短波長化されている。一例で２５６ＭＤＲＡＭの
場合要求される最少加工サイズは約０．２５μｍであ
り、これはＫｒＦエキシマレーザを光源として使うステ
ッパー装備の露光波長とほぼ同じ水準である。この場合
マスクによる入射光の回折および干渉現象によりウェー
ハ上のフォトレジストパターンは激しく変形され特に露
光光源の波長とほぼ同一なサイズの微細パターンはさら
に激しい変形を起こす。
にしたがって要求される最少加工サイズは微細化されて
いて、この実現のため露光装備の光源はｉライン波長
（０．３６５μｍ）からディープＵＶ（０．２４８μ
ｍ）に短波長化されている。一例で２５６ＭＤＲＡＭの
場合要求される最少加工サイズは約０．２５μｍであ
り、これはＫｒＦエキシマレーザを光源として使うステ
ッパー装備の露光波長とほぼ同じ水準である。この場合
マスクによる入射光の回折および干渉現象によりウェー
ハ上のフォトレジストパターンは激しく変形され特に露
光光源の波長とほぼ同一なサイズの微細パターンはさら
に激しい変形を起こす。
【０００５】このような問題点を解決するためにマスク
のパターンを用いて解像度を高める位相反転方法（Ｐｈ
ａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍｅｔｈｏｄ）が提案された。前
記位相反転方法は位相シフターを含むマスク（以下、
“位相反転マスク”と言う）を用いてパターンを露光さ
せる方法である。前記位相反転マスクは光の干渉または
部分干渉を用いて希望するサイズのパターンを露光する
ことにより解像度および焦点深度を増加させる。
のパターンを用いて解像度を高める位相反転方法（Ｐｈ
ａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍｅｔｈｏｄ）が提案された。前
記位相反転方法は位相シフターを含むマスク（以下、
“位相反転マスク”と言う）を用いてパターンを露光さ
せる方法である。前記位相反転マスクは光の干渉または
部分干渉を用いて希望するサイズのパターンを露光する
ことにより解像度および焦点深度を増加させる。
【０００６】即ち、光がマスク基板を通過する時または
シフター膜を通過する時、その波長は真空中の波長を屈
折率に分けた値であり短くなる。したがって、同じ位相
の光がシフターの有無により、光経路の差異が生じるこ
ととなり、この時光経路の差異をθと言うと、θ＝２π
ｔ（ｎ−１）／λ（式で、ｎはシフターの屈折率であ
り、ｔはシフターの厚さであり、λは使われる波長であ
る。θ＝πの場合、シフターを通過した光線は逆位相を
持つこととなる。したがって、光通過部を通過した光と
シフターを通過した光はお互いに逆位相なので、シフタ
ーをマスクパターンの縁に位置させたら、パターンの境
界部分では光の強度がゼロとなりコントラストが増加す
る。
シフター膜を通過する時、その波長は真空中の波長を屈
折率に分けた値であり短くなる。したがって、同じ位相
の光がシフターの有無により、光経路の差異が生じるこ
ととなり、この時光経路の差異をθと言うと、θ＝２π
ｔ（ｎ−１）／λ（式で、ｎはシフターの屈折率であ
り、ｔはシフターの厚さであり、λは使われる波長であ
る。θ＝πの場合、シフターを通過した光線は逆位相を
持つこととなる。したがって、光通過部を通過した光と
シフターを通過した光はお互いに逆位相なので、シフタ
ーをマスクパターンの縁に位置させたら、パターンの境
界部分では光の強度がゼロとなりコントラストが増加す
る。
【０００７】図１（ａ）乃至図１（ｃ）は従来の通過マ
スクと位相反転マスクを用いる時パターン形成が可能な
最少ピッチを説明するために図示した図面である。具体
的に、図１（Ａ）は従来の通過マスクを用いる時振幅お
よび空間周波数分布を示した図面であり、図１（ｂ）お
よび図１（ｃ）はそれぞれ従来のレベンソン型（Ｌｅｖ
ｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）位相反転マスクとグレイトーン
型（Ｇｒａｙ ｔｏｎｅ）位相反転マスクを用いてパタ
ーンを形成する時振幅および空間周波数分布を示した図
面である。
スクと位相反転マスクを用いる時パターン形成が可能な
最少ピッチを説明するために図示した図面である。具体
的に、図１（Ａ）は従来の通過マスクを用いる時振幅お
よび空間周波数分布を示した図面であり、図１（ｂ）お
よび図１（ｃ）はそれぞれ従来のレベンソン型（Ｌｅｖ
ｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）位相反転マスクとグレイトーン
型（Ｇｒａｙ ｔｏｎｅ）位相反転マスクを用いてパタ
ーンを形成する時振幅および空間周波数分布を示した図
面である。
【０００８】一般的に、ラインスペース型パターンの場
合、パターン形成が可能な最少のピッチは次のように与
えられる。
合、パターン形成が可能な最少のピッチは次のように与
えられる。
【０００９】ピッチ＞１／νｃ、νｃ＝ＮＡ／λ…式１ ここで、ＮＡはレンズの開口数であり、λは光源の波長
であり、νｃは臨界周波数である。前記式１は通常の前
記図１（ａ）に示した透過マスクの場合に該当するもの
であり、位相反転マスクの場合、隣接したパターン間の
位相差を１８０°程置くことにより０次光と１次光の間
の空間周波数の差異（δｖ）を縮めてパターン形成が可
能なピッチを減らすことができる。
であり、νｃは臨界周波数である。前記式１は通常の前
記図１（ａ）に示した透過マスクの場合に該当するもの
であり、位相反転マスクの場合、隣接したパターン間の
位相差を１８０°程置くことにより０次光と１次光の間
の空間周波数の差異（δｖ）を縮めてパターン形成が可
能なピッチを減らすことができる。
【００１０】これは図１（ａ）および図１（ｂ）に示し
たようにピッチｄのマスクを用いて光を投影させる時通
常の透過マスクは振幅の周期（ｄ′）がｄである反面
に、位相反転マスクは２ｄに現れるからである。繰り返
して言うと、空間周波数上で０次光と１次光の間の周波
数の差異（δｖ）は１／ｄ′（ｄ′は振幅の周期）に与
えられるので、透過マスクのｄ′はｄとなり、位相反転
マスクのｄ′は２ｄとなる。したがって、−νｃ〜νｃ
の限度内で具現できる最少ピッチは位相反転マスクの場
合は透過マスクの場合と比較して１／２まで減らすこと
ができる。
たようにピッチｄのマスクを用いて光を投影させる時通
常の透過マスクは振幅の周期（ｄ′）がｄである反面
に、位相反転マスクは２ｄに現れるからである。繰り返
して言うと、空間周波数上で０次光と１次光の間の周波
数の差異（δｖ）は１／ｄ′（ｄ′は振幅の周期）に与
えられるので、透過マスクのｄ′はｄとなり、位相反転
マスクのｄ′は２ｄとなる。したがって、−νｃ〜νｃ
の限度内で具現できる最少ピッチは位相反転マスクの場
合は透過マスクの場合と比較して１／２まで減らすこと
ができる。
【００１１】さらに、図１（ｃ）に示したように隣接し
たパターン間の位相差を９０°にすると振幅の周期
（ｄ′）は４ｄとなり、周波数差（δｖ）はさらに小さ
くなり透過マスクの１／４となる。このようになると、
パターン実現の可能な最少ピッチもやはり通過マスクの
１／４となる。
たパターン間の位相差を９０°にすると振幅の周期
（ｄ′）は４ｄとなり、周波数差（δｖ）はさらに小さ
くなり透過マスクの１／４となる。このようになると、
パターン実現の可能な最少ピッチもやはり通過マスクの
１／４となる。
【００１２】しかし、前記グレイトーン型位相反転マス
クは製造が大変難しく複雑なので微細調節が不可能で実
際に使用できない問題点がある。
クは製造が大変難しく複雑なので微細調節が不可能で実
際に使用できない問題点がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した従来
の問題点を解決するために案出されたものであり、解像
度を高めるために、隣接したマスクパターン間に位相差
を取って解像度を改善したマスクを用いた投影露光方法
を提供することにその目的がある。
の問題点を解決するために案出されたものであり、解像
度を高めるために、隣接したマスクパターン間に位相差
を取って解像度を改善したマスクを用いた投影露光方法
を提供することにその目的がある。
【００１４】また、本発明は前記投影露光方法に用いら
れる解像度の改善されたマスクを提供することにほかの
目的がある。
れる解像度の改善されたマスクを提供することにほかの
目的がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、マスクを用いた露光対象物の投影露光方法におい
て、光源から照射され前記マスクを通過する光の経路上
に垂直方向と所定の角度で傾斜した透明なマスク基板と
前記マスク基板の下面に規則的に形成されている遮光膜
パターンを用いて、隣接したマスクパターン間に位相差
を持たせ前記露光対象物を露光する段階を含むことを特
徴とする投影露光方法を提供する。
に、マスクを用いた露光対象物の投影露光方法におい
て、光源から照射され前記マスクを通過する光の経路上
に垂直方向と所定の角度で傾斜した透明なマスク基板と
前記マスク基板の下面に規則的に形成されている遮光膜
パターンを用いて、隣接したマスクパターン間に位相差
を持たせ前記露光対象物を露光する段階を含むことを特
徴とする投影露光方法を提供する。
【００１６】前記位相差はｎｄｔａｎθ（ｎはマスク基
板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の傾
斜角度）である。
板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の傾
斜角度）である。
【００１７】前記の本発明の他の目的を達成するために
本発明は、上面が光経路上に垂直方向と所定の角度に傾
斜した透明なマスク基板、及び前記マスク基板の下面に
規則的に形成されている遮光膜パターンを具備し、前記
傾斜したマスク基板により隣接したマスクパターン間に
位相差を持たせることを特徴とするマスクを提供する。
本発明は、上面が光経路上に垂直方向と所定の角度に傾
斜した透明なマスク基板、及び前記マスク基板の下面に
規則的に形成されている遮光膜パターンを具備し、前記
傾斜したマスク基板により隣接したマスクパターン間に
位相差を持たせることを特徴とするマスクを提供する。
【００１８】前記位相差はｎｄｔａｎθ（ｎはマスク基
板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の傾
斜角度）である。
板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の傾
斜角度）である。
【００１９】本発明の他の例によると、本発明は第１面
が光経路上に垂直方向と所定の角度に傾斜した透明なマ
スク基板、及び前記マスク基板の第２面に規則的に形成
されている遮光膜パターンを具備することを特徴とする
マスクを提供する。
が光経路上に垂直方向と所定の角度に傾斜した透明なマ
スク基板、及び前記マスク基板の第２面に規則的に形成
されている遮光膜パターンを具備することを特徴とする
マスクを提供する。
【００２０】本発明によると、与えられた光源の波長お
よび開口数でマスクのピッチ（ｄ）についての周波数差
（δｖ）を小さくし光源の単波長化またはレンズの開口
数を大きくしないでパターン形成の可能な最少ピッチを
縮めることができる。
よび開口数でマスクのピッチ（ｄ）についての周波数差
（δｖ）を小さくし光源の単波長化またはレンズの開口
数を大きくしないでパターン形成の可能な最少ピッチを
縮めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照し本発
明をさらに詳細に説明する。
明をさらに詳細に説明する。
【００２２】図２（ａ）乃至図２（ｃ）は本発明により
傾斜したマスク基板を持つ解像度改善マスクを用いた投
影露光方法を説明するために示した図面である。具体的
に、図２（ａ）は本発明の解像度改善マスクを示し、図
２（ｂ）および図２（ｃ）は本発明の解像度改善マスク
を用いてパターンを形成する時振幅および空間周波数分
布を示した図面である。
傾斜したマスク基板を持つ解像度改善マスクを用いた投
影露光方法を説明するために示した図面である。具体的
に、図２（ａ）は本発明の解像度改善マスクを示し、図
２（ｂ）および図２（ｃ）は本発明の解像度改善マスク
を用いてパターンを形成する時振幅および空間周波数分
布を示した図面である。
【００２３】図２（ａ）乃至図２（ｃ）を参照すれば、
マスク基板１０の上面が所定の角度に傾けていて、前記
マスク基板１０の下面には光を遮断する遮光性マスクパ
ターン１２が形成されている。
マスク基板１０の上面が所定の角度に傾けていて、前記
マスク基板１０の下面には光を遮断する遮光性マスクパ
ターン１２が形成されている。
【００２４】さらに具体的に説明すると、本発明のマス
クはラインスペース方向と９０°の方向にマスク基板１
０の上面をθ程傾斜するようにすると隣接した２パター
ン間の位相差はｎｄｔａｎθになる。ここで、ｎはガラ
スの屈折率であり、ｄはラインスペースのピッチを示
す。このように２パターン間に位相差が発生すると、図
２（ｂ）に示したように振幅の周期ｄ′＝Ｌｄ、Ｌ＝λ
／ｎｄｔａｎθになる。したがって、空間周波数上で０
次光と１次光の間の周波数差（δｖ）は１／Ｌｄに与え
られる。
クはラインスペース方向と９０°の方向にマスク基板１
０の上面をθ程傾斜するようにすると隣接した２パター
ン間の位相差はｎｄｔａｎθになる。ここで、ｎはガラ
スの屈折率であり、ｄはラインスペースのピッチを示
す。このように２パターン間に位相差が発生すると、図
２（ｂ）に示したように振幅の周期ｄ′＝Ｌｄ、Ｌ＝λ
／ｎｄｔａｎθになる。したがって、空間周波数上で０
次光と１次光の間の周波数差（δｖ）は１／Ｌｄに与え
られる。
【００２５】結果的に、θを調節することによりＬを調
整でき、与えられた光源の波長およびＮＡでピッチｄに
ついての周波数差（δｖ）が小さくなるのでパターン形
成の可能な最少ピッチが透過マスクで１／Ｌになるので
光源の単波長化または高ＮＡ化なくパターンの微細化を
成すことができる。
整でき、与えられた光源の波長およびＮＡでピッチｄに
ついての周波数差（δｖ）が小さくなるのでパターン形
成の可能な最少ピッチが透過マスクで１／Ｌになるので
光源の単波長化または高ＮＡ化なくパターンの微細化を
成すことができる。
【００２６】
【発明の効果】前述したように本発明は、解像度改善マ
スクにおいて、与えられた光源の波長および開口数でマ
スクのピッチ（ｄ）についての周波数差（δｖ）を小さ
くしてパターン形成の可能な最少ピッチを光源の短波長
化または開口数を大きくせず縮められる。
スクにおいて、与えられた光源の波長および開口数でマ
スクのピッチ（ｄ）についての周波数差（δｖ）を小さ
くしてパターン形成の可能な最少ピッチを光源の短波長
化または開口数を大きくせず縮められる。
【００２７】以上、本発明を具体的に説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなくて、当業者の通常的
な知識の範囲でその変更や改良が可能である。
明はこれに限定されるものではなくて、当業者の通常的
な知識の範囲でその変更や改良が可能である。
【図１】 従来の透過マスクと位相反転マスクを用いる
時パターン形成の可能な最少ピッチを説明するために示
した図面である。
時パターン形成の可能な最少ピッチを説明するために示
した図面である。
【図２】 本発明により傾斜したマスク基板を持つ解像
度改善マスクを用いた投影露光方法を説明するために示
した図面である。
度改善マスクを用いた投影露光方法を説明するために示
した図面である。
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクを用いた露光対象物の投影露光方
法において、 光源から照射され前記マスクを通過する光の経路上に垂
直方向と所定の角度に傾斜した透明なマスク基板と前記
マスク基板の下面に規則的に形成されている遮光膜パタ
ーンを用いて、隣接したマスクパターン間に位相差を持
たせ前記露光対象物を露光する段階を含むことを特徴と
する投影露光方法。 - 【請求項２】 前記位相差はｎｄｔａｎθ（ｎはマスク
基板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の
傾斜角度）であることを特徴とする請求項１に記載の投
影露光方法。 - 【請求項３】 上面が光経路上に垂直方向と所定の角度
で傾斜した透明なマスク基板、及び前記マスク基板の下
面に規則的に形成されている遮光膜パターンを具備し、
前記傾斜したマスク基板により隣接したマスクパターン
間に位相差を持たせることを特徴とするマスク。 - 【請求項４】 前記位相差はｎｄｔａｎθ（ｎはマスク
基板の屈折率、ｄはマスクのピッチ、θはマスク基板の
傾斜角度）であることを特徴とする請求項３に記載のマ
スク。 - 【請求項５】 第１面が光経路上に垂直方向と所定の角
度で傾斜した透明なマスク基板、及び前記マスク基板の
第２面に規則的に形成されている遮光膜パターンを具備
することを特徴とするマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR95P5142 | 1995-03-13 | ||
| KR1019950005142A KR0183706B1 (ko) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262689A true JPH08262689A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3914280B2 JP3914280B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=19409694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4773096A Expired - Fee Related JP3914280B2 (ja) | 1995-03-13 | 1996-03-05 | 投影露光方法及びこれに使われるマスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5776638A (ja) |
| JP (1) | JP3914280B2 (ja) |
| KR (1) | KR0183706B1 (ja) |
| DE (1) | DE19609297B4 (ja) |
| TW (1) | TW494280B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534425B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-03-18 | Seagate Technology Llc | Mask design and method for controlled profile fabrication |
| US6620715B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-09-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for forming sub-critical dimension structures in an integrated circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938841A (en) * | 1989-10-31 | 1990-07-03 | Bell Communications Research, Inc. | Two-level lithographic mask for producing tapered depth |
| JPH0566552A (ja) * | 1990-12-28 | 1993-03-19 | Nippon Steel Corp | レチクル |
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1995
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