JPH08255930A - 半導体発光素子の製法 - Google Patents
半導体発光素子の製法Info
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- JPH08255930A JPH08255930A JP5769095A JP5769095A JPH08255930A JP H08255930 A JPH08255930 A JP H08255930A JP 5769095 A JP5769095 A JP 5769095A JP 5769095 A JP5769095 A JP 5769095A JP H08255930 A JPH08255930 A JP H08255930A
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- JP
- Japan
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- layer
- gas
- light emitting
- semiconductor light
- gallium nitride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＮＨ3ガスを用いることなくチッ化ガリウム
系化合物半導体層を安全に気相成長させ、安価な半導体
発光素子の製法を提供する。 【構成】 反応管内に原料ガスを導入し気相成長法によ
り基板１上に少なくともｎ型層４とｐ型層６を含むチッ
化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子
の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン
系金属化合物を用いることを特徴とする。
系化合物半導体層を安全に気相成長させ、安価な半導体
発光素子の製法を提供する。 【構成】 反応管内に原料ガスを導入し気相成長法によ
り基板１上に少なくともｎ型層４とｐ型層６を含むチッ
化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子
の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン
系金属化合物を用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子の製法に
関する。さらに詳しくは、青色発光に好適なチッ化ガリ
ウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法に関
する。
関する。さらに詳しくは、青色発光に好適なチッ化ガリ
ウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法に関
する。
【０００２】ここにチッ化ガリウム系化合物半導体と
は、III族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物またはI
II族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素
と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部が
Ｐ、Ａｓなど他のＶ族元素と置換した化合物からなる半
導体をいう。
は、III族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物またはI
II族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素
と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部が
Ｐ、Ａｓなど他のＶ族元素と置換した化合物からなる半
導体をいう。
【０００３】また、半導体発光素子とは、ｐｎ接合また
はダブルヘテロ接合を有する発光ダイオード（以下、Ｌ
ＥＤという）、スーパルミネッセントダイオード（ＳＬ
Ｄ）または半導体レーザダイオード（以下、ＬＤとい
う）などの光を発生する半導体素子をいう。
はダブルヘテロ接合を有する発光ダイオード（以下、Ｌ
ＥＤという）、スーパルミネッセントダイオード（ＳＬ
Ｄ）または半導体レーザダイオード（以下、ＬＤとい
う）などの光を発生する半導体素子をいう。
【０００４】
【従来の技術】従来青色のＬＥＤは赤色や緑色に比べて
輝度が小さく実用化に難点があったが、近年チッ化ガリ
ウム系化合物半導体を用い、Ｍｇをドーパントした低抵
抗のｐ型半導体層がえられたことにより、輝度が向上し
脚光をあびている。
輝度が小さく実用化に難点があったが、近年チッ化ガリ
ウム系化合物半導体を用い、Ｍｇをドーパントした低抵
抗のｐ型半導体層がえられたことにより、輝度が向上し
脚光をあびている。
【０００５】チッ化ガリウム系半導体を用いたＬＥＤの
製法はつぎに示されるような工程で行われ、その完成し
たチッ化ガリウム系化合物半導体の斜視図を図２に示
す。
製法はつぎに示されるような工程で行われ、その完成し
たチッ化ガリウム系化合物半導体の斜視図を図２に示
す。
【０００６】まず、サファイア（Ａｌ2Ｏ3単結晶）など
からなる基板２１に４００〜７００℃の低温で有機金属
化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法という）により
キャリアガスＨ2とともに有機金属化合物ガスであるト
リメチルガリウム（以下、ＴＭＧという）、アンモニア
（ＮＨ3）およびドーパントとしてのＳｉＨ4などを供給
し、ｎ型のＧａＮ層からなる低温バッファ層２２を０．
０１〜０．２μｍ程度形成し、ついで９００〜１２００
℃の高温で同じガスを供給し同じ組成のｎ型のＧａＮか
らなる高温バッファ層２３を２〜５μｍ程度形成する。
ここで、ＮＨ3ガスはチッ化ガリウム系半導体を形成す
るためのチッ素の原料ガスとして用いられている。
からなる基板２１に４００〜７００℃の低温で有機金属
化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法という）により
キャリアガスＨ2とともに有機金属化合物ガスであるト
リメチルガリウム（以下、ＴＭＧという）、アンモニア
（ＮＨ3）およびドーパントとしてのＳｉＨ4などを供給
し、ｎ型のＧａＮ層からなる低温バッファ層２２を０．
０１〜０．２μｍ程度形成し、ついで９００〜１２００
℃の高温で同じガスを供給し同じ組成のｎ型のＧａＮか
らなる高温バッファ層２３を２〜５μｍ程度形成する。
ここで、ＮＨ3ガスはチッ化ガリウム系半導体を形成す
るためのチッ素の原料ガスとして用いられている。
【０００７】ついで前述のガスにさらにトリメチルアル
ミニウム（以下、ＴＭＡという）の原料ガスを加え、ｎ
型ドーパントのＳｉを含有したｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０
＜ｘ＜１）層を成膜し、ダブルヘテロ接合形成のための
ｎ型クラッド層２４を０．１〜０．３μｍ程度形成す
る。
ミニウム（以下、ＴＭＡという）の原料ガスを加え、ｎ
型ドーパントのＳｉを含有したｎ型ＡｌxＧａ1-xＮ（０
＜ｘ＜１）層を成膜し、ダブルヘテロ接合形成のための
ｎ型クラッド層２４を０．１〜０．３μｍ程度形成す
る。
【０００８】つぎに、バンドギャップエネルギーがクラ
ッド層のそれより小さくなる材料、たとえば前述の原料
ガスのＴＭＡに代えてトリメチルインジウム（以下、Ｔ
ＭＩという）を導入し、ＧａyＩｎ1-yＮ（０＜ｙ≦１）
からなる活性層２５を０．０５〜０．１μｍ程度形成す
る。
ッド層のそれより小さくなる材料、たとえば前述の原料
ガスのＴＭＡに代えてトリメチルインジウム（以下、Ｔ
ＭＩという）を導入し、ＧａyＩｎ1-yＮ（０＜ｙ≦１）
からなる活性層２５を０．０５〜０．１μｍ程度形成す
る。
【０００９】さらに、ｎ型クラッド層２４の形成に用い
たガスと同じ原料のガスで不純物原料ガスをＳｉＨ4に
代えてｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎをビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2）（以
下、Ｃｐ2Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（以下、Ｄ
ＭＺｎという）として加えて反応管に導入し、ｐ型クラ
ッド層２６であるｐ型ＡｌxＧａ1-xＮ層を気相成長させ
る。これによりｎ型クラッド層２４と活性層２５とｐ型
クラッド層２６とによりダブルヘテロ接合が形成され
る。
たガスと同じ原料のガスで不純物原料ガスをＳｉＨ4に
代えてｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎをビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2）（以
下、Ｃｐ2Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（以下、Ｄ
ＭＺｎという）として加えて反応管に導入し、ｐ型クラ
ッド層２６であるｐ型ＡｌxＧａ1-xＮ層を気相成長させ
る。これによりｎ型クラッド層２４と活性層２５とｐ型
クラッド層２６とによりダブルヘテロ接合が形成され
る。
【００１０】ついでキャップ層２７を形成するため、前
述の高温バッファ層２３と同様のガスで不純物原料ガス
としてＣｐ2ＭｇまたはＤＭＺｎを供給してｐ型のＧａ
Ｎ層を成長させる。
述の高温バッファ層２３と同様のガスで不純物原料ガス
としてＣｐ2ＭｇまたはＤＭＺｎを供給してｐ型のＧａ
Ｎ層を成長させる。
【００１１】そののちＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの保護膜
を半導体層の成長層表面全面に設け、４００〜８００
℃、１５〜６０分間程度のアニールを行い、ｐ型クラッ
ド層２６およびキャップ層２７の活性化を図る。
を半導体層の成長層表面全面に設け、４００〜８００
℃、１５〜６０分間程度のアニールを行い、ｐ型クラッ
ド層２６およびキャップ層２７の活性化を図る。
【００１２】ついで、保護膜を除去したのち、ｎ側の電
極を形成するため、レジストを塗布してパターニングを
行い、成長した各半導体層の一部をドライエッチングに
より除去してｎ型ＧａＮ層である高温バッファ層２３を
露出させる。ついで、Ａｕ、Ａｌなどの金属膜をたとえ
ば蒸着、スパッタリングなどにより形成してｐ側および
ｎ側の両電極２９、３０を形成し、ダイシングすること
によりＬＥＤチップを形成している。
極を形成するため、レジストを塗布してパターニングを
行い、成長した各半導体層の一部をドライエッチングに
より除去してｎ型ＧａＮ層である高温バッファ層２３を
露出させる。ついで、Ａｕ、Ａｌなどの金属膜をたとえ
ば蒸着、スパッタリングなどにより形成してｐ側および
ｎ側の両電極２９、３０を形成し、ダイシングすること
によりＬＥＤチップを形成している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来のチッ化ガリウム
系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法では、前
述のように、チッ化ガリウム系化合物の形成のためのチ
ッ素の原料ガスとしてＮＨ3ガスを用いているが、ＮＨ3
ガスは人体にとって毒性が大きく、かつ、可燃性があり
危険であるという問題がある。
系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法では、前
述のように、チッ化ガリウム系化合物の形成のためのチ
ッ素の原料ガスとしてＮＨ3ガスを用いているが、ＮＨ3
ガスは人体にとって毒性が大きく、かつ、可燃性があり
危険であるという問題がある。
【００１４】本発明はこのような問題を解決し、ＮＨ3
ガスを用いることなくチッ化ガリウム系半導体層を形成
し安全な半導体発光素子の製法を提供することを目的と
する。
ガスを用いることなくチッ化ガリウム系半導体層を形成
し安全な半導体発光素子の製法を提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
の製法は、反応管内に原料ガスを導入し気相成長法によ
り基板上に少なくともｎ型層とｐ型層を含むチッ化ガリ
ウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法
であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属
化合物を用いることを特徴とする。
の製法は、反応管内に原料ガスを導入し気相成長法によ
り基板上に少なくともｎ型層とｐ型層を含むチッ化ガリ
ウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法
であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属
化合物を用いることを特徴とする。
【００１６】ここにヒドラジン系金属化合物とは、ヒド
ラジン（Ｎ2Ｈ4）またはジメチルヒドラジン（（Ｃ
Ｈ3）2Ｎ2Ｈ2）またはモノメチルヒドラジン（ＣＨ3Ｎ2
Ｈ3）などをいう。
ラジン（Ｎ2Ｈ4）またはジメチルヒドラジン（（Ｃ
Ｈ3）2Ｎ2Ｈ2）またはモノメチルヒドラジン（ＣＨ3Ｎ2
Ｈ3）などをいう。
【００１７】
【作用】本発明によれば、チッ化ガリウム系化合物半導
体層を気相成長するのに、原料ガスとしてヒドラジン系
金属化合物を使用しているので、高温で分解したヒドラ
ジンのＮ原子がチッ化ガリウム系化合物半導体のＮの原
料となり、他の有機金属化合物と化合してチッ化ガリウ
ム系化合物半導体を気相成長することができる。さらに
ヒドラジン系金属化合物はＮＨ3のような高圧ガス取締
法の規制を受けない。すなわち、毒性がなく安全に取り
扱うことができ、成長作業が容易となる。
体層を気相成長するのに、原料ガスとしてヒドラジン系
金属化合物を使用しているので、高温で分解したヒドラ
ジンのＮ原子がチッ化ガリウム系化合物半導体のＮの原
料となり、他の有機金属化合物と化合してチッ化ガリウ
ム系化合物半導体を気相成長することができる。さらに
ヒドラジン系金属化合物はＮＨ3のような高圧ガス取締
法の規制を受けない。すなわち、毒性がなく安全に取り
扱うことができ、成長作業が容易となる。
【００１８】
【実施例】つぎに添付図面を参照しながら本発明の半導
体発光素子の製法を説明する。
体発光素子の製法を説明する。
【００１９】図１は本発明の半導体発光素子の製法の一
実施例の工程断面説明図である。
実施例の工程断面説明図である。
【００２０】まず、図１（ａ）に示されるように、サフ
ァイアなどからなる基板１に、４００〜７００℃の低温
でＭＯＣＶＤ法によりキャリアガスＨ2とともにヒドラ
ジン系化合物である（ＣＨ3）2Ｎ2Ｈ2およびドーパント
としてのＳｉＨ4などを反応管内に供給し、４００〜７
００℃で反応させてｎ型ＧａＮなどからなる低温バッフ
ァ層２を０．０１〜０．２μｍ程度成膜する。そののち
９００〜１２００℃の高温にして単結晶化し、前記と同
じガスを供給し、９００〜１２００℃でエピタキシャル
成長し高温バッファ層３を２〜５μｍ程度成長する。そ
ののち、さらにＴＭＡを反応管内に供給し、ＡｌxＧａ
1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなるｎ型クラッド層４を０．
１〜０．３μｍ程度成長させる。
ァイアなどからなる基板１に、４００〜７００℃の低温
でＭＯＣＶＤ法によりキャリアガスＨ2とともにヒドラ
ジン系化合物である（ＣＨ3）2Ｎ2Ｈ2およびドーパント
としてのＳｉＨ4などを反応管内に供給し、４００〜７
００℃で反応させてｎ型ＧａＮなどからなる低温バッフ
ァ層２を０．０１〜０．２μｍ程度成膜する。そののち
９００〜１２００℃の高温にして単結晶化し、前記と同
じガスを供給し、９００〜１２００℃でエピタキシャル
成長し高温バッファ層３を２〜５μｍ程度成長する。そ
ののち、さらにＴＭＡを反応管内に供給し、ＡｌxＧａ
1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなるｎ型クラッド層４を０．
１〜０．３μｍ程度成長させる。
【００２１】つぎにドーパントとしてのＳｉＨ4を止め
てＴＭＡに代えてＴＭＩを反応管内に供給し、ノンドー
プのＧａyＩｎ1-yＮ（０＜ｙ≦１）からなる活性層５を
０．０５〜０．１μｍ程度成長させる。この活性層５は
ｎ型もしくはｐ型でも構わない。
てＴＭＡに代えてＴＭＩを反応管内に供給し、ノンドー
プのＧａyＩｎ1-yＮ（０＜ｙ≦１）からなる活性層５を
０．０５〜０．１μｍ程度成長させる。この活性層５は
ｎ型もしくはｐ型でも構わない。
【００２２】つぎにｎ型クラッド層４の成長の際の原料
ガスと同じガスで、ドーパントとしてのＳｉＨ4に代え
てＣｐ2ＭｇまたはＤＭＺｎを供給して０．１〜０．３
μｍ程度のｐ型クラッド層６を成長させ、さらに同様に
ｐ型ＧａＮからなるキャップ層７を０．１〜０．３μｍ
程度成長させる。
ガスと同じガスで、ドーパントとしてのＳｉＨ4に代え
てＣｐ2ＭｇまたはＤＭＺｎを供給して０．１〜０．３
μｍ程度のｐ型クラッド層６を成長させ、さらに同様に
ｐ型ＧａＮからなるキャップ層７を０．１〜０．３μｍ
程度成長させる。
【００２３】前述のｎ型層にするためのドーパントとし
ては、ＳｉＨ4の代りにＧｅＨ4やＴｅＨ4などのガスを
反応ガス内に混入してもよい。
ては、ＳｉＨ4の代りにＧｅＨ4やＴｅＨ4などのガスを
反応ガス内に混入してもよい。
【００２４】そののち図１（ｂ）に示されるように、Ｓ
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの保護膜１０を半導体層の成長層
表面全面に設け、ｐ型クラッド層６およびキャップ層７
の活性化を図る。
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの保護膜１０を半導体層の成長層
表面全面に設け、ｐ型クラッド層６およびキャップ層７
の活性化を図る。
【００２５】アニールが完了すると、室温まで温度を下
げて、保護膜１０をフッ酸またはフッ酸とフッ化アンモ
ニウムの混合溶液によるウエットエッチングをすること
により除去する。
げて、保護膜１０をフッ酸またはフッ酸とフッ化アンモ
ニウムの混合溶液によるウエットエッチングをすること
により除去する。
【００２６】つぎに、積層されたチッ化ガリウム系化合
物半導体層にｎ側の電極を形成するため、レジスト膜１
１を設けパターニングを行い、図１（ｃ）に示されるよ
うに、積層されたチッ化系化合物半導体層の一部をＡｒ
イオンとＣｌ2やＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガスなどの塩素
系ガスプラズマを用いた反応性イオンエッチングである
ドライエッチングにより除去し、ｎ型層であるクラッド
層４または高温バッファ層３を露出させる。
物半導体層にｎ側の電極を形成するため、レジスト膜１
１を設けパターニングを行い、図１（ｃ）に示されるよ
うに、積層されたチッ化系化合物半導体層の一部をＡｒ
イオンとＣｌ2やＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガスなどの塩素
系ガスプラズマを用いた反応性イオンエッチングである
ドライエッチングにより除去し、ｎ型層であるクラッド
層４または高温バッファ層３を露出させる。
【００２７】ついでＡｕ、Ａｌなどの金属膜をスパッタ
リングなどにより形成し、積層された化合物半導体層の
表面でｐ型層に電気的に接続されるｐ側電極８、露出し
た高温バッファ層３などの表面でｎ型層に電気的に接続
されるｎ側電極９を形成する（図１（ｄ）参照）。つぎ
に、各チップにダイシングして、ＬＥＤチップが形成さ
れる。
リングなどにより形成し、積層された化合物半導体層の
表面でｐ型層に電気的に接続されるｐ側電極８、露出し
た高温バッファ層３などの表面でｎ型層に電気的に接続
されるｎ側電極９を形成する（図１（ｄ）参照）。つぎ
に、各チップにダイシングして、ＬＥＤチップが形成さ
れる。
【００２８】以上のように、本発明の半導体発光素子の
製法ではチッ化ガリウム系化合物半導体層を気相成長す
るための原料ガスとして、従来使用されていたチッ素の
原料ガスＮＨ3に代えてヒドラジン系金属化合物が用い
られていることに特徴がある。ヒドラジン系金属化合物
は、ＮＨ3のように有毒性や可燃性がないため、取扱い
が非常に容易になる。
製法ではチッ化ガリウム系化合物半導体層を気相成長す
るための原料ガスとして、従来使用されていたチッ素の
原料ガスＮＨ3に代えてヒドラジン系金属化合物が用い
られていることに特徴がある。ヒドラジン系金属化合物
は、ＮＨ3のように有毒性や可燃性がないため、取扱い
が非常に容易になる。
【００２９】前記各実施例ではダブルヘテロ結合のＬＥ
Ｄであったが、通常のｐｎ接合のＬＥＤや種々の構造の
ＬＤなどでも同様に適用できる。また、チッ化ガリウム
系化合物半導体についても前述の組成の材料に限定され
ず、一般にＡｌpＧａqＩｎ1-p-qＮ（０≦ｐ＜１、０＜
ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）からなり、たとえば活性層の
バンドギャップエネルギーがクラッド層のバンドギャッ
プエネルギーより小さくなるように各組成の比率が選定
されるように、ｐ、ｑを選定し組成を変化させたもので
もよい。また、前記ＡｌpＧａqＩｎ1-p-qＮのＮの一部
をＡｓおよび／またはＰなどで置換した材料でも同様に
本発明を適用できる。
Ｄであったが、通常のｐｎ接合のＬＥＤや種々の構造の
ＬＤなどでも同様に適用できる。また、チッ化ガリウム
系化合物半導体についても前述の組成の材料に限定され
ず、一般にＡｌpＧａqＩｎ1-p-qＮ（０≦ｐ＜１、０＜
ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）からなり、たとえば活性層の
バンドギャップエネルギーがクラッド層のバンドギャッ
プエネルギーより小さくなるように各組成の比率が選定
されるように、ｐ、ｑを選定し組成を変化させたもので
もよい。また、前記ＡｌpＧａqＩｎ1-p-qＮのＮの一部
をＡｓおよび／またはＰなどで置換した材料でも同様に
本発明を適用できる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子の製法によれ
ば、チッ化ガリウム系化合物半導体を気相成長させるた
めの原料ガスとして、ヒドラジン系金属化合物を用いて
いるため、従来のＮＨ3のような有毒ガスを使用しなく
てもよく、取扱いが非常に容易で安全に成膜作業をする
ことができる。その結果、チッ化ガリウム系化合物半導
体を用いた半導体発光素子を安価にうることができる。
ば、チッ化ガリウム系化合物半導体を気相成長させるた
めの原料ガスとして、ヒドラジン系金属化合物を用いて
いるため、従来のＮＨ3のような有毒ガスを使用しなく
てもよく、取扱いが非常に容易で安全に成膜作業をする
ことができる。その結果、チッ化ガリウム系化合物半導
体を用いた半導体発光素子を安価にうることができる。
【図１】本発明の半導体発光素子の製法の一実施例を示
す工程断面説明図である。
す工程断面説明図である。
【図２】従来の半導体発光素子の一例を示す斜視図であ
る。
る。
１ 基板 ４ ｎ型クラッド層 ５ 活性層 ６ ｐ型クラッド層
Claims (2)
- 【請求項１】 反応管内に原料ガスを導入し気相成長法
により基板上に少なくともｎ型層とｐ型層を含むチッ化
ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の
製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系
金属化合物を用いることを特徴とする半導体発光素子の
製法。 - 【請求項２】 前記ヒドラジン系金属化合物の金属がＶ
族元素の金属であり、チッ化ガリウム系化合物のチッ素
原子の原料ガスとする請求項１記載の半導体素子の製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5769095A JPH08255930A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体発光素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5769095A JPH08255930A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体発光素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255930A true JPH08255930A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13062948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5769095A Pending JPH08255930A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体発光素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255930A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022655A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-10 | Epivalley Co., Ltd. | Algainn based optical device and fabrication method thereof |
| KR100813602B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-03-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
| US7811902B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based light emitting diode using the same |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP5769095A patent/JPH08255930A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022655A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-10 | Epivalley Co., Ltd. | Algainn based optical device and fabrication method thereof |
| US7863178B2 (en) | 2003-09-03 | 2011-01-04 | Epivalley Co., Ltd. | Method for manufacturing a GaN based optical device |
| US7811902B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based light emitting diode using the same |
| KR100813602B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-03-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |