JPH08255865A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH08255865A
JPH08255865A JP7058585A JP5858595A JPH08255865A JP H08255865 A JPH08255865 A JP H08255865A JP 7058585 A JP7058585 A JP 7058585A JP 5858595 A JP5858595 A JP 5858595A JP H08255865 A JPH08255865 A JP H08255865A
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inner lead
lead
lead frame
adhesive tape
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Shinya Shimizu
真也 清水
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップの電極パッドとリードフレームの
インナリードとを金属メッキにより電気的に接続してな
る半導体パッケージ装置において、十分に成長したメッ
キ層を形成できるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【構成】たとえば、半導体チップ１１の電極パッド１１
ａと接続される、リードフレーム１３のインナリード１
３ａの突起部分１３ａ´の前後にそれぞれ接着テープ１
２，１２を貼付する。そして、上記突起部分１３ａ´が
電極パッド１１ａに確実に接触するように、接着テープ
１２，１２を介して、インナリード１３ａの先端部およ
び基端部を半導体チップ１１の表面に貼り合わせる。こ
うして、接続部の前後において、インナリード１３ａを
貼着させることで、キュアによって接着テープ１２が収
縮したとしても、インナリード１３ａの突起部分１３ａ
´と半導体チップ１１の電極パッド１１ａとの間の接触
を十分に確保できる構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プの表面に設けられた電極とリードフレームのインナリ
ードの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続して
なる半導体装置およびその製造方法に関するもので、特
にＬＯＣ（リード・オン・チップ）構造の半導体パッケ
ージ装置に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの表面の電極パッド
とリードフレームのインナリードとの間を電気的に接続
する方法として、たとえば金属メッキによる方法（メッ
キボンディング法）が実用化されている。これは、半導
体チップの電極パッドとリードフレームのインナリード
とを位置合わせした状態で、両者を電解メッキ溶液中に
浸し、上記電極パッドと上記インナリードとの接続部に
金属メッキ層を形成するものである。
【０００３】図３は、上記したメッキボンディング法を
採用して製造された半導体パッケージ装置の概略構成を
示すものである。なお、同図（ａ）は半導体パッケージ
装置の平面図であり、同図（ｂ）は同じくａ−ａ線に沿
う断面図、同図（ｃ）は同じくｂ−ｂ線に沿う断面図で
ある。
【０００４】この半導体パッケージ装置は、たとえば、
半導体チップ１の表面に接着テープ２を用いてリードフ
レーム３のインナリード３ａの基端側を接合し、そのイ
ンナリード３ａの先端側の突起部分３ａ´と電極パッド
１ａとの間を金属メッキ層４によって電気的に接続する
ことで、ＬＯＣ構造が実現されている。
【０００５】そして、上記電極パッド１ａと上記インナ
リード３ａとの接続部を含んで、上記半導体チップ１の
周囲が樹脂５によって封止され、さらに、上記リードフ
レーム３のアウタリード３ｂが所定の形状にフォーミン
グされてなる構成とされている。
【０００６】このような構成の半導体パッケージ装置に
よれば、ワイヤを用いて半導体チップ１上の電極パッド
１ａとリードフレーム３のインナリード３ａとを接続す
るようにしてなる製品に比べ、十分に薄型化できるメリ
ットがある。
【０００７】さて、上記した半導体パッケージ装置の場
合、上記インナリード３ａの先端側の突起部分３ａ´と
電極パッド１ａとが接触している状態では、金属メッキ
層４が十分に成長する。
【０００８】しかしながら、上記の半導体パッケージ装
置においては、メッキボンディングの前にキュアによっ
て接着テープ２を硬化させる必要がある。このため、リ
ードフレーム３のインナリード３ａの基端側の一ケ所
を、接着テープ２を用いて半導体チップ１の表面に接合
するようにしてなる従来の半導体パッケージ装置にあっ
ては、たとえば図４（ａ），（ｂ）に示すように、キュ
ア時に発生する接着テープ２の収縮により、上記インナ
リード３ａが高さ方向に動くことが懸念される。インナ
リード３ａの先端側が持ち上げられて、電極パッド１ａ
との接触が不十分な状態となると、十分に成長した金属
メッキ層４を形成できないという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、リードフレームのインナリードの基端側の
一ケ所を、接着テープによって半導体チップの表面に接
合するようにしているため、キュアによる接着テープの
収縮によって上記インナリードの先端側が持ち上げられ
ると、電極パッドとの接触が不十分な状態となって、十
分に成長した金属メッキ層を形成できないという問題が
あった。
【００１０】そこで、この発明は、インナリードの所定
位置と半導体チップ上の電極とを確実に接触でき、十分
に成長した金属メッキ層を常に形成することが可能な半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
の表面に設けられた電極とリードフレームのインナリー
ドの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続してな
るものにおいて、前記インナリードの所定位置の前後
を、それぞれ前記半導体チップの表面に貼着するように
してなる構成とされている。
【００１２】また、この発明の半導体装置にあっては、
表面の略中央部に複数の電極が設けられた半導体チップ
と、この半導体チップの各電極にそれぞれ対応して設け
られた複数のインナリードを有するリードフレームと、
このリードフレームの各インナリードの所定位置と前記
半導体チップの各電極とを電気的に接続する金属メッキ
による接続部と、この接続部の前後において、それぞれ
前記インナリードの所定位置を除く部位を、前記半導体
チップの表面に接着する接着テープとから構成されてい
る。
【００１３】さらに、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップ上の電極にリードフレームの
インナリードの所定位置が接触するように、前記インナ
リードの所定位置の前後をそれぞれ接着テープにより前
記半導体チップの表面に接着する工程と、この状態で、
前記半導体チップおよび前記リードフレームの両者を電
界メッキ溶液中に浸して、前記リードフレームのインナ
リードの所定位置と前記半導体チップの電極とを電気的
に接続する金属メッキ層を形成する工程とからなってい
る。
【００１４】
【作用】この発明は、上記した手段により、キュアによ
る接着テープの収縮によってインナリードの先端側が動
くのを阻止できるようになるため、リードフレームのイ
ンナリードの所定位置が半導体チップの表面の電極から
浮き上がるのを防止することが可能となるものである。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかるＬＯＣ構造を
有する半導体パッケージ装置の構成を概略的に示すもの
である。なお、同図（ａ）は半導体パッケージ装置の平
面図であり、同図（ｂ）は同じくＡ−Ａ線に沿う断面
図、同図（ｃ）は同じくＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００１６】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば、半導体チップ１１の表面に接着テープ１２，
１２を用いてリードフレーム１３のインナリード１３ａ
の先端部側および基端部側がそれぞれ接合されるととも
に、そのインナリード１３ａの突起部分（所定位置）１
３ａ´と上記半導体チップ１１の電極パッド１１ａとが
接触され、かつ、ニッケル（Ｎｉ）などからなる接続部
としての金属メッキ層１４によって電気的に接続されて
なる構成とされている。
【００１７】そして、上記リードフレーム１３のアウタ
リード１３ｂを除く、上記半導体チップ１１の周面が封
止用樹脂１５によって封止されて、パッケージングされ
ている。
【００１８】また、上記リードフレーム１３のアウタリ
ード１３ｂは、所定の形状にフォーミングされている。
上記半導体チップ１１は、たとえばチップ表面の長手方
向の中心部に沿って複数の電極パッド１１ａが一定の間
隔を有して一列に配列された、いわゆるセンタパッド構
造とされている。
【００１９】上記接着テープ１２，１２としては、たと
えば絶縁性を有するエポキシ系のポリイミドテープが用
いられる。上記リードフレーム１３は、上記インナリー
ド１３ａおよびアウタリード１３ｂからなる複数のリー
ドを有した構成とされている。
【００２０】このリードフレーム１３は、鉄−ニッケル
合金（４２−Ａｌｌｏｙ）や銅などの金属薄板をエッチ
ングまたはプレス加工することで、各リードの相互が接
続されて一体的に形成されるようになっている。各リー
ドのアウタリード１３ｂは、所定の形状にフォーミング
された後、個々に切り離される。
【００２１】各リードのインナリード１３ａには、上記
半導体チップ１１上の電極パッド１１ａとの接続のため
の突起部分１３ａ´が設けられ、この突起部分１３ａ´
の前後、つまりインナリード１３ａの突起部分１３ａ´
を除く先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テー
プ１２を貼付するためのスペースが設けられている。
【００２２】そして、このインナリード１３ａは、その
先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テープ１
２，１２が貼付されて、上記突起部分１３ａ´が上記半
導体チップ１１の電極パッド１１ａに接触するように位
置合わせされた状態で、上記半導体チップ１１の表面に
貼着される。
【００２３】このように、インナリード１３ａの突起部
分１３ａ´の前後にそれぞれ接着テープ１２，１２を配
し、接続部の前後において、それぞれ上記インナリード
１３ａと半導体チップ１１とを貼着することで、キュア
による接着テープ１２の収縮によってインナリード１３
ａが電極パッド１１ａから離れる方向に持ち上げられる
のを防止できるようになる。
【００２４】図２は、上記した構成の半導体パッケージ
装置における製造プロセスを示すものである。たとえ
ば、リードフレーム１３の形成工程において、リードフ
レーム１３を所定の形状に形成するとともに、形成した
リードフレーム１３のインナリード１３ａの突起部分１
３ａ´の前後にそれぞれ接着テープ１２，１２を位置合
わせして貼り付ける。
【００２５】そして、接着テープ１２，１２を貼り付け
た形で、リードフレーム１３を次段の組み立て工程に供
給する。組み立て工程では、別工程より供給される半導
体チップ１１の表面に、接着テープ１２，１２の貼り付
けられたリードフレーム１３を位置合わせして貼り合わ
せる（同図（ａ））。
【００２６】このとき、インナリード１３ａの突起部分
１３ａ´が半導体チップ１１の電極パッド１１ａに確実
に接触するように、上記接着テープ１２，１２を介し
て、インナリード１３ａの先端部側および基端部側がそ
れぞれ上記半導体チップ１１の表面に貼着される。
【００２７】上記接着テープ１２，１２をキュアによっ
て硬化させた後、上記インナリード１３ａ側に電位をか
けつつ、たとえばニッケル・メッキ浴に浸すことで、イ
ンナリード１３ａの突起部分１３ａ´と半導体チップ１
１の電極パッド１１ａとの間に金属メッキ層１４を成長
させる（同図（ｂ））。
【００２８】このとき、インナリード１３ａの突起部分
１３ａ´と半導体チップ１１の電極パッド１１ａとの間
の接触が十分に確保されることにより、インナリード１
３ａ側からメッキが析出されると同時に、電極パッド１
１ａ側からもメッキが析出されることとなり、双方から
析出する金属メッキ層１４によって効率の良い安定した
メッキボンディングが可能となる。
【００２９】なお、金属メッキ層１４の形成について
は、たとえば特願平２−１４１６８４号および特願平５
−２３１８８８号に具体的に記載されており、ここでの
詳細な説明は割愛する。
【００３０】しかる後、封止用樹脂１５によるパッケー
ジングおよびアウタリード１３ｂのフォーミングなどが
行われて、図１に示した、ＬＯＣ構造の半導体パッケー
ジ装置が製造される。
【００３１】上記したように、キュアによる接着テープ
の収縮によってインナリードの先端側が動くのを阻止で
きるようにしている。すなわち、インナリードの突起部
分の前後にそれぞれ接着テープを配し、接続部の前後に
おいて、それぞれインナリードを半導体チップの表面に
貼着するようにしている。これにより、キュアによって
接着テープが収縮したとしても、インナリードの突起部
分が半導体チップの表面の電極から浮き上がるのを防止
することが可能となる。したがって、インナリードと電
極パッドとの間の接触を確実に行えるようになるため、
十分に成長した金属メッキ層を形成できるようになるも
のである。
【００３２】なお、上記実施例においては、半導体チッ
プの左右においてそれぞれ独立した接着テープを用いて
リードフレームを接合するようにした場合について説明
したが、これに限らず、たとえば一体的に形成された接
着テープによってリードフレームのチップ表面への接合
を行うようにすることも可能である。
【００３３】また、リードフレームの製造過程におい
て、あらかじめ接着テープを貼り付ける場合に限らず、
たとえば半導体チップとの接合を行う直前にリードフレ
ームに貼り付けるようにしても良いし、半導体チップの
表面にあらかじめ接着テープを貼り付けておき、そこに
リードフレームを貼り付けるようにすることなども可能
である。
【００３４】また、ＬＯＣ特有のセンタパッド構造の半
導体チップに限らず、たとえばチップ端部に電極パッド
が配置されてなる半導体チップにも同様に適用できる。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、インナリードの所定位置と半導体チップ上の電極と
を確実に接触でき、十分に成長した金属メッキ層を常に
形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例にかかるＬＯＣ構造の半導
体パッケージ装置を概略的に示す構成図。
【図２】同じく、製造プロセスを説明するために示す要
部の概略断面図。
【図３】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体パッケージ装置の概略構成図。
【図４】同じく、製造プロセスを説明するために示す要
部の概略断面図。
【符号の説明】
１１…半導体チップ、１１ａ…電極パッド、１２…接着
テープ、１３…リードフレーム、１３ａ…インナリー
ド、１３ａ´…突起部分、１３ｂ…アウタリード、１４
…金属メッキ層、１５…封止用樹脂。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの表面に設けられた電極と
    リードフレームのインナリードの所定位置とを金属メッ
    キにより電気的に接続してなる半導体装置において、 前記インナリードの所定位置の前後を、それぞれ前記半
    導体チップの表面に貼着するようにしてなることを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 表面の略中央部に複数の電極が設けられ
    た半導体チップと、この半導体チップの各電極にそれぞ
    れ対応して設けられた複数のインナリードを有するリー
    ドフレームと、 このリードフレームの各インナリードの所定位置と前記
    半導体チップの各電極とを電気的に接続する金属メッキ
    による接続部と、 この接続部の前後において、それぞれ前記インナリード
    の所定位置を除く部位を、前記半導体チップの表面に接
    着する接着テープとを具備したことを特徴とする半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 前記接着テープは、前記各インナリード
    の所定位置の前後にそれぞれ配されることを特徴とする
    請求項２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記インナリードは、その所定位置に前
    記電極と接触する突起部分が設けられ、かつ、その突起
    部分の前後にそれぞれ前記接着テープを配するためのス
    ペースが設けられてなることを特徴とする請求項２に記
    載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 半導体チップ上の電極にリードフレーム
    のインナリードの所定位置が接触するように、前記イン
    ナリードの所定位置の前後をそれぞれ接着テープにより
    前記半導体チップの表面に接着する工程と、 この状態で、前記半導体チップおよび前記リードフレー
    ムの両者を電界メッキ溶液中に浸して、前記リードフレ
    ームのインナリードの所定位置と前記半導体チップの電
    極とを電気的に接続する金属メッキ層を形成する工程と
    からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記工程における接着は、前記インナリ
    ードの所定位置の前後にあらかじめ接着テープが配され
    た状態で行われることを特徴とする請求項５に記載の半
    導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019106550A (ja) * 2013-10-09 2019-06-27 学校法人早稲田大学 電極接続方法及び電極接続構造

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