JPH08255865A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップの電極パッドとリードフレームの
インナリードとを金属メッキにより電気的に接続してな
る半導体パッケージ装置において、十分に成長したメッ
キ層を形成できるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【構成】たとえば、半導体チップ11の電極パッド11
aと接続される、リードフレーム13のインナリード1
3aの突起部分13a´の前後にそれぞれ接着テープ1
2,12を貼付する。そして、上記突起部分13a´が
電極パッド11aに確実に接触するように、接着テープ
12,12を介して、インナリード13aの先端部およ
び基端部を半導体チップ11の表面に貼り合わせる。こ
うして、接続部の前後において、インナリード13aを
貼着させることで、キュアによって接着テープ12が収
縮したとしても、インナリード13aの突起部分13a
´と半導体チップ11の電極パッド11aとの間の接触
を十分に確保できる構成となっている。
インナリードとを金属メッキにより電気的に接続してな
る半導体パッケージ装置において、十分に成長したメッ
キ層を形成できるようにすることを最も主要な特徴とす
る。 【構成】たとえば、半導体チップ11の電極パッド11
aと接続される、リードフレーム13のインナリード1
3aの突起部分13a´の前後にそれぞれ接着テープ1
2,12を貼付する。そして、上記突起部分13a´が
電極パッド11aに確実に接触するように、接着テープ
12,12を介して、インナリード13aの先端部およ
び基端部を半導体チップ11の表面に貼り合わせる。こ
うして、接続部の前後において、インナリード13aを
貼着させることで、キュアによって接着テープ12が収
縮したとしても、インナリード13aの突起部分13a
´と半導体チップ11の電極パッド11aとの間の接触
を十分に確保できる構成となっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プの表面に設けられた電極とリードフレームのインナリ
ードの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続して
なる半導体装置およびその製造方法に関するもので、特
にLOC(リード・オン・チップ)構造の半導体パッケ
ージ装置に用いられるものである。
プの表面に設けられた電極とリードフレームのインナリ
ードの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続して
なる半導体装置およびその製造方法に関するもので、特
にLOC(リード・オン・チップ)構造の半導体パッケ
ージ装置に用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体チップの表面の電極パッド
とリードフレームのインナリードとの間を電気的に接続
する方法として、たとえば金属メッキによる方法(メッ
キボンディング法)が実用化されている。これは、半導
体チップの電極パッドとリードフレームのインナリード
とを位置合わせした状態で、両者を電解メッキ溶液中に
浸し、上記電極パッドと上記インナリードとの接続部に
金属メッキ層を形成するものである。
とリードフレームのインナリードとの間を電気的に接続
する方法として、たとえば金属メッキによる方法(メッ
キボンディング法)が実用化されている。これは、半導
体チップの電極パッドとリードフレームのインナリード
とを位置合わせした状態で、両者を電解メッキ溶液中に
浸し、上記電極パッドと上記インナリードとの接続部に
金属メッキ層を形成するものである。
【0003】図3は、上記したメッキボンディング法を
採用して製造された半導体パッケージ装置の概略構成を
示すものである。なお、同図(a)は半導体パッケージ
装置の平面図であり、同図(b)は同じくa−a線に沿
う断面図、同図(c)は同じくb−b線に沿う断面図で
ある。
採用して製造された半導体パッケージ装置の概略構成を
示すものである。なお、同図(a)は半導体パッケージ
装置の平面図であり、同図(b)は同じくa−a線に沿
う断面図、同図(c)は同じくb−b線に沿う断面図で
ある。
【0004】この半導体パッケージ装置は、たとえば、
半導体チップ1の表面に接着テープ2を用いてリードフ
レーム3のインナリード3aの基端側を接合し、そのイ
ンナリード3aの先端側の突起部分3a´と電極パッド
1aとの間を金属メッキ層4によって電気的に接続する
ことで、LOC構造が実現されている。
半導体チップ1の表面に接着テープ2を用いてリードフ
レーム3のインナリード3aの基端側を接合し、そのイ
ンナリード3aの先端側の突起部分3a´と電極パッド
1aとの間を金属メッキ層4によって電気的に接続する
ことで、LOC構造が実現されている。
【0005】そして、上記電極パッド1aと上記インナ
リード3aとの接続部を含んで、上記半導体チップ1の
周囲が樹脂5によって封止され、さらに、上記リードフ
レーム3のアウタリード3bが所定の形状にフォーミン
グされてなる構成とされている。
リード3aとの接続部を含んで、上記半導体チップ1の
周囲が樹脂5によって封止され、さらに、上記リードフ
レーム3のアウタリード3bが所定の形状にフォーミン
グされてなる構成とされている。
【0006】このような構成の半導体パッケージ装置に
よれば、ワイヤを用いて半導体チップ1上の電極パッド
1aとリードフレーム3のインナリード3aとを接続す
るようにしてなる製品に比べ、十分に薄型化できるメリ
ットがある。
よれば、ワイヤを用いて半導体チップ1上の電極パッド
1aとリードフレーム3のインナリード3aとを接続す
るようにしてなる製品に比べ、十分に薄型化できるメリ
ットがある。
【0007】さて、上記した半導体パッケージ装置の場
合、上記インナリード3aの先端側の突起部分3a´と
電極パッド1aとが接触している状態では、金属メッキ
層4が十分に成長する。
合、上記インナリード3aの先端側の突起部分3a´と
電極パッド1aとが接触している状態では、金属メッキ
層4が十分に成長する。
【0008】しかしながら、上記の半導体パッケージ装
置においては、メッキボンディングの前にキュアによっ
て接着テープ2を硬化させる必要がある。このため、リ
ードフレーム3のインナリード3aの基端側の一ケ所
を、接着テープ2を用いて半導体チップ1の表面に接合
するようにしてなる従来の半導体パッケージ装置にあっ
ては、たとえば図4(a),(b)に示すように、キュ
ア時に発生する接着テープ2の収縮により、上記インナ
リード3aが高さ方向に動くことが懸念される。インナ
リード3aの先端側が持ち上げられて、電極パッド1a
との接触が不十分な状態となると、十分に成長した金属
メッキ層4を形成できないという問題があった。
置においては、メッキボンディングの前にキュアによっ
て接着テープ2を硬化させる必要がある。このため、リ
ードフレーム3のインナリード3aの基端側の一ケ所
を、接着テープ2を用いて半導体チップ1の表面に接合
するようにしてなる従来の半導体パッケージ装置にあっ
ては、たとえば図4(a),(b)に示すように、キュ
ア時に発生する接着テープ2の収縮により、上記インナ
リード3aが高さ方向に動くことが懸念される。インナ
リード3aの先端側が持ち上げられて、電極パッド1a
との接触が不十分な状態となると、十分に成長した金属
メッキ層4を形成できないという問題があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、リードフレームのインナリードの基端側の
一ケ所を、接着テープによって半導体チップの表面に接
合するようにしているため、キュアによる接着テープの
収縮によって上記インナリードの先端側が持ち上げられ
ると、電極パッドとの接触が不十分な状態となって、十
分に成長した金属メッキ層を形成できないという問題が
あった。
においては、リードフレームのインナリードの基端側の
一ケ所を、接着テープによって半導体チップの表面に接
合するようにしているため、キュアによる接着テープの
収縮によって上記インナリードの先端側が持ち上げられ
ると、電極パッドとの接触が不十分な状態となって、十
分に成長した金属メッキ層を形成できないという問題が
あった。
【0010】そこで、この発明は、インナリードの所定
位置と半導体チップ上の電極とを確実に接触でき、十分
に成長した金属メッキ層を常に形成することが可能な半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
位置と半導体チップ上の電極とを確実に接触でき、十分
に成長した金属メッキ層を常に形成することが可能な半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
の表面に設けられた電極とリードフレームのインナリー
ドの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続してな
るものにおいて、前記インナリードの所定位置の前後
を、それぞれ前記半導体チップの表面に貼着するように
してなる構成とされている。
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
の表面に設けられた電極とリードフレームのインナリー
ドの所定位置とを金属メッキにより電気的に接続してな
るものにおいて、前記インナリードの所定位置の前後
を、それぞれ前記半導体チップの表面に貼着するように
してなる構成とされている。
【0012】また、この発明の半導体装置にあっては、
表面の略中央部に複数の電極が設けられた半導体チップ
と、この半導体チップの各電極にそれぞれ対応して設け
られた複数のインナリードを有するリードフレームと、
このリードフレームの各インナリードの所定位置と前記
半導体チップの各電極とを電気的に接続する金属メッキ
による接続部と、この接続部の前後において、それぞれ
前記インナリードの所定位置を除く部位を、前記半導体
チップの表面に接着する接着テープとから構成されてい
る。
表面の略中央部に複数の電極が設けられた半導体チップ
と、この半導体チップの各電極にそれぞれ対応して設け
られた複数のインナリードを有するリードフレームと、
このリードフレームの各インナリードの所定位置と前記
半導体チップの各電極とを電気的に接続する金属メッキ
による接続部と、この接続部の前後において、それぞれ
前記インナリードの所定位置を除く部位を、前記半導体
チップの表面に接着する接着テープとから構成されてい
る。
【0013】さらに、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップ上の電極にリードフレームの
インナリードの所定位置が接触するように、前記インナ
リードの所定位置の前後をそれぞれ接着テープにより前
記半導体チップの表面に接着する工程と、この状態で、
前記半導体チップおよび前記リードフレームの両者を電
界メッキ溶液中に浸して、前記リードフレームのインナ
リードの所定位置と前記半導体チップの電極とを電気的
に接続する金属メッキ層を形成する工程とからなってい
る。
にあっては、半導体チップ上の電極にリードフレームの
インナリードの所定位置が接触するように、前記インナ
リードの所定位置の前後をそれぞれ接着テープにより前
記半導体チップの表面に接着する工程と、この状態で、
前記半導体チップおよび前記リードフレームの両者を電
界メッキ溶液中に浸して、前記リードフレームのインナ
リードの所定位置と前記半導体チップの電極とを電気的
に接続する金属メッキ層を形成する工程とからなってい
る。
【0014】
【作用】この発明は、上記した手段により、キュアによ
る接着テープの収縮によってインナリードの先端側が動
くのを阻止できるようになるため、リードフレームのイ
ンナリードの所定位置が半導体チップの表面の電極から
浮き上がるのを防止することが可能となるものである。
る接着テープの収縮によってインナリードの先端側が動
くのを阻止できるようになるため、リードフレームのイ
ンナリードの所定位置が半導体チップの表面の電極から
浮き上がるのを防止することが可能となるものである。
【0015】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図1は、本発明にかかるLOC構造を
有する半導体パッケージ装置の構成を概略的に示すもの
である。なお、同図(a)は半導体パッケージ装置の平
面図であり、同図(b)は同じくA−A線に沿う断面
図、同図(c)は同じくB−B線に沿う断面図である。
照して説明する。図1は、本発明にかかるLOC構造を
有する半導体パッケージ装置の構成を概略的に示すもの
である。なお、同図(a)は半導体パッケージ装置の平
面図であり、同図(b)は同じくA−A線に沿う断面
図、同図(c)は同じくB−B線に沿う断面図である。
【0016】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば、半導体チップ11の表面に接着テープ12,
12を用いてリードフレーム13のインナリード13a
の先端部側および基端部側がそれぞれ接合されるととも
に、そのインナリード13aの突起部分(所定位置)1
3a´と上記半導体チップ11の電極パッド11aとが
接触され、かつ、ニッケル(Ni)などからなる接続部
としての金属メッキ層14によって電気的に接続されて
なる構成とされている。
たとえば、半導体チップ11の表面に接着テープ12,
12を用いてリードフレーム13のインナリード13a
の先端部側および基端部側がそれぞれ接合されるととも
に、そのインナリード13aの突起部分(所定位置)1
3a´と上記半導体チップ11の電極パッド11aとが
接触され、かつ、ニッケル(Ni)などからなる接続部
としての金属メッキ層14によって電気的に接続されて
なる構成とされている。
【0017】そして、上記リードフレーム13のアウタ
リード13bを除く、上記半導体チップ11の周面が封
止用樹脂15によって封止されて、パッケージングされ
ている。
リード13bを除く、上記半導体チップ11の周面が封
止用樹脂15によって封止されて、パッケージングされ
ている。
【0018】また、上記リードフレーム13のアウタリ
ード13bは、所定の形状にフォーミングされている。
上記半導体チップ11は、たとえばチップ表面の長手方
向の中心部に沿って複数の電極パッド11aが一定の間
隔を有して一列に配列された、いわゆるセンタパッド構
造とされている。
ード13bは、所定の形状にフォーミングされている。
上記半導体チップ11は、たとえばチップ表面の長手方
向の中心部に沿って複数の電極パッド11aが一定の間
隔を有して一列に配列された、いわゆるセンタパッド構
造とされている。
【0019】上記接着テープ12,12としては、たと
えば絶縁性を有するエポキシ系のポリイミドテープが用
いられる。上記リードフレーム13は、上記インナリー
ド13aおよびアウタリード13bからなる複数のリー
ドを有した構成とされている。
えば絶縁性を有するエポキシ系のポリイミドテープが用
いられる。上記リードフレーム13は、上記インナリー
ド13aおよびアウタリード13bからなる複数のリー
ドを有した構成とされている。
【0020】このリードフレーム13は、鉄−ニッケル
合金(42−Alloy)や銅などの金属薄板をエッチ
ングまたはプレス加工することで、各リードの相互が接
続されて一体的に形成されるようになっている。各リー
ドのアウタリード13bは、所定の形状にフォーミング
された後、個々に切り離される。
合金(42−Alloy)や銅などの金属薄板をエッチ
ングまたはプレス加工することで、各リードの相互が接
続されて一体的に形成されるようになっている。各リー
ドのアウタリード13bは、所定の形状にフォーミング
された後、個々に切り離される。
【0021】各リードのインナリード13aには、上記
半導体チップ11上の電極パッド11aとの接続のため
の突起部分13a´が設けられ、この突起部分13a´
の前後、つまりインナリード13aの突起部分13a´
を除く先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テー
プ12を貼付するためのスペースが設けられている。
半導体チップ11上の電極パッド11aとの接続のため
の突起部分13a´が設けられ、この突起部分13a´
の前後、つまりインナリード13aの突起部分13a´
を除く先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テー
プ12を貼付するためのスペースが設けられている。
【0022】そして、このインナリード13aは、その
先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テープ1
2,12が貼付されて、上記突起部分13a´が上記半
導体チップ11の電極パッド11aに接触するように位
置合わせされた状態で、上記半導体チップ11の表面に
貼着される。
先端部側および基端部側にそれぞれ上記接着テープ1
2,12が貼付されて、上記突起部分13a´が上記半
導体チップ11の電極パッド11aに接触するように位
置合わせされた状態で、上記半導体チップ11の表面に
貼着される。
【0023】このように、インナリード13aの突起部
分13a´の前後にそれぞれ接着テープ12,12を配
し、接続部の前後において、それぞれ上記インナリード
13aと半導体チップ11とを貼着することで、キュア
による接着テープ12の収縮によってインナリード13
aが電極パッド11aから離れる方向に持ち上げられる
のを防止できるようになる。
分13a´の前後にそれぞれ接着テープ12,12を配
し、接続部の前後において、それぞれ上記インナリード
13aと半導体チップ11とを貼着することで、キュア
による接着テープ12の収縮によってインナリード13
aが電極パッド11aから離れる方向に持ち上げられる
のを防止できるようになる。
【0024】図2は、上記した構成の半導体パッケージ
装置における製造プロセスを示すものである。たとえ
ば、リードフレーム13の形成工程において、リードフ
レーム13を所定の形状に形成するとともに、形成した
リードフレーム13のインナリード13aの突起部分1
3a´の前後にそれぞれ接着テープ12,12を位置合
わせして貼り付ける。
装置における製造プロセスを示すものである。たとえ
ば、リードフレーム13の形成工程において、リードフ
レーム13を所定の形状に形成するとともに、形成した
リードフレーム13のインナリード13aの突起部分1
3a´の前後にそれぞれ接着テープ12,12を位置合
わせして貼り付ける。
【0025】そして、接着テープ12,12を貼り付け
た形で、リードフレーム13を次段の組み立て工程に供
給する。組み立て工程では、別工程より供給される半導
体チップ11の表面に、接着テープ12,12の貼り付
けられたリードフレーム13を位置合わせして貼り合わ
せる(同図(a))。
た形で、リードフレーム13を次段の組み立て工程に供
給する。組み立て工程では、別工程より供給される半導
体チップ11の表面に、接着テープ12,12の貼り付
けられたリードフレーム13を位置合わせして貼り合わ
せる(同図(a))。
【0026】このとき、インナリード13aの突起部分
13a´が半導体チップ11の電極パッド11aに確実
に接触するように、上記接着テープ12,12を介し
て、インナリード13aの先端部側および基端部側がそ
れぞれ上記半導体チップ11の表面に貼着される。
13a´が半導体チップ11の電極パッド11aに確実
に接触するように、上記接着テープ12,12を介し
て、インナリード13aの先端部側および基端部側がそ
れぞれ上記半導体チップ11の表面に貼着される。
【0027】上記接着テープ12,12をキュアによっ
て硬化させた後、上記インナリード13a側に電位をか
けつつ、たとえばニッケル・メッキ浴に浸すことで、イ
ンナリード13aの突起部分13a´と半導体チップ1
1の電極パッド11aとの間に金属メッキ層14を成長
させる(同図(b))。
て硬化させた後、上記インナリード13a側に電位をか
けつつ、たとえばニッケル・メッキ浴に浸すことで、イ
ンナリード13aの突起部分13a´と半導体チップ1
1の電極パッド11aとの間に金属メッキ層14を成長
させる(同図(b))。
【0028】このとき、インナリード13aの突起部分
13a´と半導体チップ11の電極パッド11aとの間
の接触が十分に確保されることにより、インナリード1
3a側からメッキが析出されると同時に、電極パッド1
1a側からもメッキが析出されることとなり、双方から
析出する金属メッキ層14によって効率の良い安定した
メッキボンディングが可能となる。
13a´と半導体チップ11の電極パッド11aとの間
の接触が十分に確保されることにより、インナリード1
3a側からメッキが析出されると同時に、電極パッド1
1a側からもメッキが析出されることとなり、双方から
析出する金属メッキ層14によって効率の良い安定した
メッキボンディングが可能となる。
【0029】なお、金属メッキ層14の形成について
は、たとえば特願平2−141684号および特願平5
−231888号に具体的に記載されており、ここでの
詳細な説明は割愛する。
は、たとえば特願平2−141684号および特願平5
−231888号に具体的に記載されており、ここでの
詳細な説明は割愛する。
【0030】しかる後、封止用樹脂15によるパッケー
ジングおよびアウタリード13bのフォーミングなどが
行われて、図1に示した、LOC構造の半導体パッケー
ジ装置が製造される。
ジングおよびアウタリード13bのフォーミングなどが
行われて、図1に示した、LOC構造の半導体パッケー
ジ装置が製造される。
【0031】上記したように、キュアによる接着テープ
の収縮によってインナリードの先端側が動くのを阻止で
きるようにしている。すなわち、インナリードの突起部
分の前後にそれぞれ接着テープを配し、接続部の前後に
おいて、それぞれインナリードを半導体チップの表面に
貼着するようにしている。これにより、キュアによって
接着テープが収縮したとしても、インナリードの突起部
分が半導体チップの表面の電極から浮き上がるのを防止
することが可能となる。したがって、インナリードと電
極パッドとの間の接触を確実に行えるようになるため、
十分に成長した金属メッキ層を形成できるようになるも
のである。
の収縮によってインナリードの先端側が動くのを阻止で
きるようにしている。すなわち、インナリードの突起部
分の前後にそれぞれ接着テープを配し、接続部の前後に
おいて、それぞれインナリードを半導体チップの表面に
貼着するようにしている。これにより、キュアによって
接着テープが収縮したとしても、インナリードの突起部
分が半導体チップの表面の電極から浮き上がるのを防止
することが可能となる。したがって、インナリードと電
極パッドとの間の接触を確実に行えるようになるため、
十分に成長した金属メッキ層を形成できるようになるも
のである。
【0032】なお、上記実施例においては、半導体チッ
プの左右においてそれぞれ独立した接着テープを用いて
リードフレームを接合するようにした場合について説明
したが、これに限らず、たとえば一体的に形成された接
着テープによってリードフレームのチップ表面への接合
を行うようにすることも可能である。
プの左右においてそれぞれ独立した接着テープを用いて
リードフレームを接合するようにした場合について説明
したが、これに限らず、たとえば一体的に形成された接
着テープによってリードフレームのチップ表面への接合
を行うようにすることも可能である。
【0033】また、リードフレームの製造過程におい
て、あらかじめ接着テープを貼り付ける場合に限らず、
たとえば半導体チップとの接合を行う直前にリードフレ
ームに貼り付けるようにしても良いし、半導体チップの
表面にあらかじめ接着テープを貼り付けておき、そこに
リードフレームを貼り付けるようにすることなども可能
である。
て、あらかじめ接着テープを貼り付ける場合に限らず、
たとえば半導体チップとの接合を行う直前にリードフレ
ームに貼り付けるようにしても良いし、半導体チップの
表面にあらかじめ接着テープを貼り付けておき、そこに
リードフレームを貼り付けるようにすることなども可能
である。
【0034】また、LOC特有のセンタパッド構造の半
導体チップに限らず、たとえばチップ端部に電極パッド
が配置されてなる半導体チップにも同様に適用できる。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
導体チップに限らず、たとえばチップ端部に電極パッド
が配置されてなる半導体チップにも同様に適用できる。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【0035】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、インナリードの所定位置と半導体チップ上の電極と
を確実に接触でき、十分に成長した金属メッキ層を常に
形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
ば、インナリードの所定位置と半導体チップ上の電極と
を確実に接触でき、十分に成長した金属メッキ層を常に
形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
【図1】この発明の一実施例にかかるLOC構造の半導
体パッケージ装置を概略的に示す構成図。
体パッケージ装置を概略的に示す構成図。
【図2】同じく、製造プロセスを説明するために示す要
部の概略断面図。
部の概略断面図。
【図3】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体パッケージ装置の概略構成図。
導体パッケージ装置の概略構成図。
【図4】同じく、製造プロセスを説明するために示す要
部の概略断面図。
部の概略断面図。
11…半導体チップ、11a…電極パッド、12…接着
テープ、13…リードフレーム、13a…インナリー
ド、13a´…突起部分、13b…アウタリード、14
…金属メッキ層、15…封止用樹脂。
テープ、13…リードフレーム、13a…インナリー
ド、13a´…突起部分、13b…アウタリード、14
…金属メッキ層、15…封止用樹脂。
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体チップの表面に設けられた電極と
リードフレームのインナリードの所定位置とを金属メッ
キにより電気的に接続してなる半導体装置において、 前記インナリードの所定位置の前後を、それぞれ前記半
導体チップの表面に貼着するようにしてなることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項2】 表面の略中央部に複数の電極が設けられ
た半導体チップと、この半導体チップの各電極にそれぞ
れ対応して設けられた複数のインナリードを有するリー
ドフレームと、 このリードフレームの各インナリードの所定位置と前記
半導体チップの各電極とを電気的に接続する金属メッキ
による接続部と、 この接続部の前後において、それぞれ前記インナリード
の所定位置を除く部位を、前記半導体チップの表面に接
着する接着テープとを具備したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項3】 前記接着テープは、前記各インナリード
の所定位置の前後にそれぞれ配されることを特徴とする
請求項2に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記インナリードは、その所定位置に前
記電極と接触する突起部分が設けられ、かつ、その突起
部分の前後にそれぞれ前記接着テープを配するためのス
ペースが設けられてなることを特徴とする請求項2に記
載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体チップ上の電極にリードフレーム
のインナリードの所定位置が接触するように、前記イン
ナリードの所定位置の前後をそれぞれ接着テープにより
前記半導体チップの表面に接着する工程と、 この状態で、前記半導体チップおよび前記リードフレー
ムの両者を電界メッキ溶液中に浸して、前記リードフレ
ームのインナリードの所定位置と前記半導体チップの電
極とを電気的に接続する金属メッキ層を形成する工程と
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記工程における接着は、前記インナリ
ードの所定位置の前後にあらかじめ接着テープが配され
た状態で行われることを特徴とする請求項5に記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7058585A JPH08255865A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7058585A JPH08255865A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255865A true JPH08255865A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13088554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7058585A Pending JPH08255865A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08255865A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019106550A (ja) * | 2013-10-09 | 2019-06-27 | 学校法人早稲田大学 | 電極接続方法及び電極接続構造 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP7058585A patent/JPH08255865A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019106550A (ja) * | 2013-10-09 | 2019-06-27 | 学校法人早稲田大学 | 電極接続方法及び電極接続構造 |
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