JPH08255583A - 溝付蛍光層によって光学的に増強された画像表示装置用プレート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な発光効率を示す発光材皮膜を有し、更
に様々な周辺光条件下にあって良好なコントラスト比を
示す画像表示装置のフェースプレートを提供する。 【解決手段】 ＦＥＤ画像ディスプレイのフェースプレ
ート（１０）は、突起（３６）で形成された溝付背面
（２５）を有する。突起（３６）は、領域（５８、５
９）内において導電材（５４）および異なる色を放射す
る蛍光材粒子（５６ａ、５６ｂ）で覆われた面（３９）
を有する。領域（５８、５９）は異なる色の櫛状陽極を
画定する。領域（５８、５９）の間の領域（６１）内の
面（３９）は、周辺光を吸収するために、絶縁性の光吸
収材（６２）で覆われる。面（３９）は蛍光材の前向き
放射光を増強するように形成される。一つの実施例で
は、面（３９）は、周辺光を光吸収材（６２）で覆われ
た突起の頂点（４０）に向けて後方に導くのに役立つ。
突起（３６）は平行で延伸するプリズム、角錐もしくは
円錐であってよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般的には画像
表示装置に係り、更に詳しくは、電極および発光皮膜を
有する透明なフェースプレートを備える画像表示装置に
関する。

【０００２】本明細書で用いる用語「平板型ディスプレ
イ」は、ＴａｎｎａｓのＦｌａｔ−Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ ａｎｄ ＣＲＴｓ（１９８５ Ｖａｎ Ｎｏ
ｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌｄ）において述べられて
いるような電界放射ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称
す）およびその他の平板型ディスプレイを意味する。こ
のような事情から、用語「平板型」は、厚さに関連する
ものであり、平面度に関連するものではない。

【０００３】

【従来の技術】平板型ディスプレイは、ラップトップ形
およびノートブック形のコンピュータ用の画像スクリー
ンとして広く用いられているが、このような用途に限定
されるものではない。発光材を使用する慣用の画像表示
装置は、画像発生における非効率性という難点を有す
る。蛍光材粒子から放射される光の指向性は、例えば、
一般にランダムであり、制御されていない。発生された
光全体のうちの一部分は、観察者に届かない後方放射に
よって失われる。発光ディスプレイの蛍光材は、慣用的
には、入射電子流に略垂直に向けられた滑らかで若干湾
曲した曲面もしくは平面の上に堆積される。したがっ
て、隣接する発光材粒子の間を電子が通過することによ
って生ずる画像の損失を避けるために、発光材は多層に
堆積され、外層の粒子は内側に敷かれた粒子間の間隙を
覆うようにされる。しかしこのために、外層の粒子と関
連する陽極ストライプとの間の高抵抗経路に起因して、
ＦＥＤディスプレイの所要動作電力は増加する。更に、
これもＦＥＤディスプレイに関連することであるが、入
射電子流密度の増加に伴って蛍光材の光放射効率が減少
することは広く知られている。この問題は慣用のＣＲＴ
ディスプレイに関して存在するが、低電力でかつしばし
ば比較的明るい周辺光の下で動作するのが典型的である
平板型ディスプレイに関しては特に難点となる。したが
って、高分解能の画素寸法を犠牲にすることなく蛍光材
表面積を増大するＦＥＤ画像表示装置用アノードプレー
トを構成できることが望まれている。

【０００４】また、平板型ディスプレイは、フェースプ
レートでの周辺光の反射に起因するコントラスト比の低
下およびグレアを生ずる。この問題は蛍光発光膜を持つ
フェースプレートを使用するディスプレイにとって特に
重要であり、この種のディスプレイはアノードストライ
プおよび顆粒状（ｇｒａｎｕｌａｒ）蛍光材で反射され
た周辺光によって非常に大きなコントラスト低下を生ず
る。したがって、画像輝度を犠牲にすることなく周辺光
の反射を低減するＦＥＤ画像表示装置用アノードプレー
トを構成できることが望まれている。

【０００５】周辺光の反射問題に関しては様々な構造体
および処理手段が提案されており、観察者の視角外に入
射周辺光の反射を向け直す周辺光散乱要素として作用す
る不規則性表面およびパターンの付与等がある。このよ
うな処理手段の一例として、米国特許第５，２４０，７
４８号ではＣＲＴディスプレイの内面を紫外線で融除し
た深さ０．１μｍの浅いパターンを開示している。しか
し、一定の視角においては散乱が反射を低減させるが、
無効光（すなわち、画像生成過程に関与しない光）が依
然として観察者に反射して来る。

【０００６】米国特許第５，２０６，７４６号は、液晶
ディスプレイの液晶とバックライト構成品との間に挿入
された３角プリズムの並置アレーを備えた背面を有する
透明プレートを開示している。プリズム底面に入射した
周辺光はプリズムの側面で内部反射してプリズムの先端
部分に向かい、そこで光吸収材の薄膜被覆に吸収され
る。しかし、バックライト光源から逆向きに進む光はあ
まり影響されず、液晶に与えられた通過／非通過モード
に従って、観測者まで到達するか、もしくは通過を阻止
される。米国特許第５，２０６，７４６号の構造体は、
アクティブ画像生成液晶およびバックライト構成品から
分離された独立素子を構成する。

【０００７】出願人の同時係属出願である米国特許出願
第０８／３４７，０１１号、発明の名称「平板型ディス
プレイのための周辺光吸収フェースプレート（Ａｍｂｉ
ｅｎｔ Ｌｉｇｈｔ Ａｂｓｏｒｂｉｎｇ Ｆａｃｅ
Ｐｌａｔｅ Ｆｏｒ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ）」は背面プリズムアレーを有するカソードルミ
ネセントディスプレイに好適な透明フェースプレートを
開示しており、この出願ではプリズムの先端は光吸収材
のみでなく導電材も被覆される。導電材は被覆された先
端に堆積された蛍光材顆粒を励起するアノードストライ
プとして作用するように接続される。この配列によっ
て、コントラストの向上および隣接する別の色の蛍光材
ストライプ間の電気的表面漏洩の低減をもたらす小形な
構造体のＦＥＤディスプレイが可能になる。

【０００８】米国特許第５，２０６，７４６号および第
５，２４０，７４８号、並びに同時係属出願の米国特許
出願第０８／３４７，０１１号を引用することによっ
て、それらの開示の全てを本明細書に援用するものとす
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、カソードル
ミネセントディスプレイのためのアノードプレートのよ
うな良好な発光効率を示す発光皮膜を有する画像表示装
置のためのフェースプレートを提供する。本発明は様々
な周辺光条件下にあって良好なコントラスト比を有する
フェースプレートを更に提供する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の態様の一つによ
れば、画像表示装置のためのフェースプレートは、峰
（ｒｉｄｇｅ）、谷（ｖａｌｌｅｙ）および連結面を画
定する複数の溝を有し、かつ溝の内部と連結面を覆うよ
うに堆積された発光材の層を有する背面を含む透明な材
料からなるプレートを有する。以下に具体的に詳述する
カソードルミネセントディスプレイのアノードプレート
の実施態様では、カソードルミネセント材料の層の下に
導電材の層が存在して、電子は連結面の垂線に対して傾
斜した入射角でアノードプレートに向かって放出され
る。これによって、発光材粒子間の間隙を埋める必要が
無くなり、材料（すなわち、顆粒状蛍光材粒子）が実質
的に単一な層として堆積されることが可能になる。

【００１１】本発明の別の態様では、溝は周期的に配列
された突起を画定し、その突起は光トラップとして作用
するように寸法を定められ、設計され、適合されて、蛍
光材で反射されてプレートの前面に入射する周辺光を阻
止する。交互に平行に並ぶ峰と谷の好ましい並列配置で
は、フェースプレート前面に入射する周辺光は、峰の頂
部を通って外向きに指向され、随意には該頂部は光吸収
材で被覆される。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施態様は例示ために選
ばれたものであり、添付の図面を参照して説明される。
なお、添付の図面を通じて、類似の要素は類似の参照番
号で引用されるものとする。

【００１３】図１および図２には、本発明によるＦＥＤ
画像表示装置が示してある。アノードプレート１０は、
電子放出器すなわちカソードプレート１２から真空空間
を挟んで離隔される。プレート１２は、電気絶縁層１８
の上側表面上に形成されたストライプからなる導電層１
６に電気的に接続された多数の導電性マイクロチップ１
４を有する陰極電極を備える。抽出電極すなわちゲート
電極２０は絶縁層２２上に堆積されたクロスストライプ
の導電層を有し、絶縁層２２は電極２０を電気的に絶縁
しかつ導電層１６のストライプから離隔させる機能をも
つ。マイクロチップ１４は円錐形状をなし、導電層２０
および絶縁層２２を貫く開口２３の内部に形成される。
マイクロチップ１４、導電層２０および絶縁層２２の相
対的寸法条件は、各々のマイクロチップ１４の先端すな
わち頂点が導電層２０の高さとほぼ等しい高さに位置す
るように選ばれる。

【００１４】アノードプレート１０は、透明な（すなわ
ち、ガラスの）基板２６上に堆積された材料からなる導
電層２８を有しており、この透明基板は抽出電極２０に
正対して平行に配置される。導電層２８は、基板２６の
背面すなわち内側表面２５の表面であって、抽出電極２
０に正対する向きに堆積される。導電層２８は、面２５
の画像表示領域全体を覆うように堆積された連続単一電
極の形態であってもよいし、代替的には、米国特許第
５，２２５，８２０号において教示され更に詳しくは同
時係属出願の米国特許出願第０８／３４７，００１号に
開示されるように、複数の電気的に絶縁された櫛状電極
（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｃｏｍｂ）の形態であってもよ
い。アノードプレート１０は、導電層２８を覆うように
堆積されて抽出電極２０に正対するように向けられる蛍
光発光材２４を更に有する。蛍光材２４は電気泳動法そ
の他の公知のプロセスを用いて導電層２８に堆積され
る。

【００１５】慣用の教示に従えば、電圧源３０を介して
抽出電極２０の交差するクロスストライプに対して相対
的に負の電位を導電層１６のストライプに印加すること
によって一つもしくはそれ以上のマイクロチップエミッ
タ１４にエネルギーが与えられ、それによって生じた電
界がマイクロチップ１４から電子を引き出す。解放され
た電子は、電圧源３０によって抽出電極２０と導電層２
８の間に印加される実質的に高い正の電圧の印加によっ
て、正にバイアスされたアノードプレート１０に向かっ
て加速される。陰極１６によって放出され陽極２８に引
き付けられる電子によってエネルギーは蛍光材２４に伝
達されて、発光を生ずる。電子の電荷は蛍光材２４から
導電層２８に転送され、電圧源３０に到る電気回路を完
成する。

【００１６】既知の教示を用いれば、陰極１６とゲート
層２０のクロスストライプとの交差場所は各個にマトリ
ックスアドレスされて、対応する蛍光領域の選択的画素
発光を生じ、アノードプレート１０の前面すなわち外側
の表面３５を注視する観察者３３にとって観察可能な画
像を形成する。電圧源を含むディスプレイの電子回路全
体は、アノードプレート１０に含まれる陽極を構成する
導電層２８を除いて、エミッタプレート１２内に集積で
きる。基板２６の表面２５の全域に広がる単一導電層の
電極２８の場合には、エミッタプレート１２とアノード
プレート１０との間に一本の電気的結線が必要である。
しかし、電気的に絶縁された櫛状形態の３電極からなる
陽極は、米国特許第５，２２５，８２０号の教示のよう
に、エミッタプレートとアノードプレートの間に３本の
電気的結線が必要である。

【００１７】本発明の原理に従えば、アノードプレート
１０の背面２５は溝付であって、交互に並ぶ峰３７と谷
３８によって定まる突起３６の周期的配列を与え、連結
面３９は峰の先端すなわち頂点４０と谷の底４１とで互
いに近寄るようになる。突起３６は並列に隣接して配置
されて、峰の先端４０は仮想的な平面４４に沿うように
整列され、谷の底４１は仮想的な平面４１に沿うように
整列される。平面４４および４６は好ましくは前面３５
に概ね平行である。

【００１８】図１の実施例では、突起３６は湾曲され
て、断面図は概ね正弦曲線を示し、斜面３９は突起の基
底部分４９に直角な中心軸に関して対称的に配向され
る。母線接続を容易にし、かつ画像の均一性を助長する
ために、突起３６は平行に伸びる溝すなわちチャネル４
５によって形成されて、等長で逆向きに傾斜したセグメ
ントすなわち連結壁面３９を有する２等辺プリズム３６
を呈する。所望なら、平行溝を横切って伸びる交差溝に
よって、突起３６に角錐状もしくは円錐状の形状を与え
ることも可能である。いずれの場合でも、溝４５は十分
な寸法を有して、以下に述べるように蛍光材粒子を溝内
の共形的な層に収容できるようにする。

【００１９】図２から分かるように、斜面３９は先ずイ
ンジウム−酸化錫（ＩＴＯ）のような透明な導電材５４
からなる共形的な層で覆われる。その後で、薄膜蛍光材
粒子５６からなる一つもしくはそれ以上の層が導電材５
４を覆うように共形的に堆積される。導電材５４は、図
１に示した陽極２８として作用する。蛍光層５６は、図
１に示した蛍光皮膜２４に対応する。蛍光粒子５６の大
きさは、堆積される際に粒子が谷３８および連結面３９
の輪郭に概ね沿うことができる程度にする。図２の実施
例では、突起３６の峰３７の先端４０も導電材５４およ
び蛍光材５６で被覆される。

【００２０】モノクロディスプレイに適するアノードプ
レート１０に関しては、ディスプレイの画像表示領域内
にある全ての突起３６の連結面３９および谷３８は導電
材５４および蛍光材５６で完全に被覆されてよい。導電
材は共通に接続されて、実質的にアノードプレート１０
の背面２５の画像表示領域全体を覆う単一の陽極２８を
形成する。しかし、カラーディスプレイに関しては、図
２に示すように、グループ化された並列突起３６のうち
の選ばれた領域５８、５９のみに導電材が堆積される。
その場合、別々の導電層グループ５８、５９は、画像表
示領域の外域に堆積された同一のもしくは異なる導電材
からなって電気的に絶縁されたストライプによって、基
板２６の内側表面２５の周辺部にそれぞれ接続される。
それによって、連接されたグループ５８、５９は、各原
色に対して１個を対応させる３個の個別に作動可能な櫛
状電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｃｏｍｂ）を形成する。
それに次いで、原色のうちの異なる１色で発光する異な
る蛍光発光材５６ａ、５６ｂが層５６に適用されて、そ
れぞれの櫛状電極のグループ５８、５９をなし、カラー
画像の表示に用いられる個別の赤色、緑色および青色の
陽極帯を形成する。隣り合う別個の櫛状電極領域５８、
５９の間の分離帯に配置された背面２５の領域６１は、
図２に示すように、被覆されないままにされるか、もし
くは随意に絶縁用、光吸収用、もしくは絶縁および光吸
収の両用の材料６２からなる層で被覆される。

【００２１】蛍光材５６を波状に起伏する背面２５と共
形的に配置することによって、画像生成プロセスの効率
は幾つかの点において向上する。マイクロチップ１４
（図１）によって放出され陽極２８（ＩＴＯ材５４）に
よって引き付けられる電子６４は、連結面３９に対して
斜め入射角（典型的には面に対して平均１０°〜３０
°、すなわち法線に対して６０°〜８０°）をなして、
蛍光層５６に衝突する。この実質的な斜め入射によっ
て、入射が蛍光層に実質的に垂直である慣用の配列と比
較すれば、特定の電子５４が隣り合う蛍光材粒子間の空
隙に衝突する確率は最小化される。したがって、多重粒
子層を形成して１層の粒子で生ずる間隙を次の層の粒子
で確実に埋めるかもしくは覆うようにする慣用の層より
も薄く（すなわち、より少ない粒子数で）発光層５６が
形成されてもよい。層が薄くなるに伴い、経路抵抗も低
くなる。また、画素寸法は背面１０（仮想面４４および
４６と共面をなす）に平行に計測されるから、蛍光材粒
子を充填した溝付面２５は、同一の所与の画素面積に関
して従来技術の配列の蛍光材皮膜よりも一層広い蛍光材
皮膜５６の表面積を有する。したがって、同一の画像輝
度に対する電流密度は低くなり、一層高い蛍光発光効率
を与える。

【００２２】更に、図２から分かるように、波状に起伏
する蛍光層５６は後方放射の一部を回収できる。慣用の
平面状の蛍光層では、光が蛍光材によってアノードプレ
ートから離れる方向に放射されると、完全に損失となっ
た。しかし、図２の配列では、連結面３９の輪郭形状が
有効に機能して、後方放射された光５３の少なくとも一
部は空隙すなわち谷３８を横切って隣り合う連結面３９
に指向し、連結面上の蛍光材の拡散作用によって再捕捉
され、再指向されたりアノードプレート１０に回収され
たりする。アノードプレート１０の内部では、突起３６
の内部のガラス領域における連結面３９の前方発散形状
は放射された光５３を前面３５の方向に収束するように
作用する。

【００２３】導電材５４を含まない領域６１内の溝は、
陽極の電気的なストライプ５８、５９を相互に分離し電
気的に絶縁する作用を果たし、それによって表面漏洩を
減少させる。ＦＥＤディスプレイでは異なる色の蛍光材
の陽極ストライプの間のアーク放電は、陽極とエミッタ
プレートとの間の空間を真空に排気して維持することに
よって最小化される。しかし、慣用の装置では高電圧に
おける異なる色の櫛状電極間の電圧の隔離絶縁手段は依
然として問題であり、共通のフェースプレートの平滑な
背面全域に堆積された各個の電極堆積体においては慣用
の共面的で先鋭な縁部間の表面漏洩がある。このような
漏洩はアーク放電の先駆現象である。本発明の波状に起
伏する面は、導電体５４から先鋭な縁部を排除し、かつ
異なる色の櫛状電極の隣り合うストライプ間に絶縁帯６
１を介在させて表面間隔を増大することによって、この
ような表面漏洩を最小化する。領域６１に絶縁用材料を
使用すれば、このような漏洩は更に減少する。

【００２４】典型的な配列構想では、各色について画素
ピッチは３００μｍもしくは１００μｍ（蛍光材ストラ
イプについて略６６μｍ、間隔について３４μｍ）であ
る。この構想では、突起のピッチ（峰の中心軸４８の間
隔）は５〜３５μｍ、突起深度は略４〜２８μｍもしく
はそれ以上である。蛍光層５６には、直径１〜５μｍ、
好ましくは１μｍ、の蛍光材粒子を使用してよい。した
がって、画素幅３００μｍの場合は、各色は、典型的に
は２〜１３個の突起３６を包含する領域５８、５９を有
し、約１〜７個の突起３６を含有する介在用の無蛍光材
領域６１を備える。典型的なガラス基板厚（面２５と面
３５との間隔）は略１１００μｍとなろう。

【００２５】図３は、溝付面２５の変形を示し、突起３
６は、並置された２等辺３角形プリズム、一般的には３
角プリズム６４からなって、のこぎり波状断面形状を示
すような外形をなす。プリズム６４は等長で逆向きに傾
斜する壁面３９を有し、壁面３９は平面４６から平面４
４に向かって後方内向きに収斂角２α（半値角α）で収
斂する。プリズムは周辺光をプリズム頂点４０に向けて
後方向きに指向するように作用し、プリズム頂点は導電
材５４で被覆されないままにされている（領域５８、５
９内においても）が、光吸収材６２で被覆されている。
角度αは、背面２５からの蛍光発光５２、５３（図２参
照のこと）の指向性、すなわち突起３６の基底部６９に
よって画定される開口を通って前方に放射される光を最
大にし、しかも頂点４０に向かって後方に透過する周辺
光６８を最大にするように選ばれる。角度αは３０°未
満でよく、典型的には角度αは１０°〜２５°である。
例示の断面図は２等辺３角形の形状であるが、２等辺３
角形でない断面形状でも周辺光反射を減少させることは
可能である。

【００２６】図３の変形においては、導電材５４および
蛍光材５６は、平面４６から平面４４に至る傾斜壁面３
９の垂直距離の略２／３を被覆する。突起３６は頂点４
０で丸められたり面取りされて、周辺光の平面状射出窓
を与えるようにされてもよい。アノードプレート１０
は、単一基板素子２６を用いて集積化構造体として形成
されてよいし、表面の溝が形成された後に基板２６の前
面部分２６ａが背面部分２６ｂと合体されるような層状
構造体からなるものでもよい。突起３６の構造体は任意
の適当な方法で形成されてよい。

【００２７】櫛状多極（ｍｕｌｔｉ−ｃｏｍｂ ｅｌｅ
ｔｒｏｄｅ）ディスプレイのために、図２のアノードプ
レート１０を形成する一つの方法を、図４に模式的に
（一定の拡大率ではない）を示す。

【００２８】透明な矩形状ガラス基板２６の内側表面２
５をホトレジスト８０の層で均一に覆う。ホトレジスト
を露光し現像してホトレジストの部分を取り去り、図４
のＡで示すように、ホトレジスト８０の除去されない部
分からなり、介在する間隙８５で分離された縦方向もし
くは横方向に伸びる帯８３で構成されるパターン８２を
残す。随意には陽極駆動電子回路等を構成する目的のた
めに、別のマスキングステップで一つもしくはそれ以上
のホトレジストの付加的な層（図示せず）を塗布して有
効画像表示領域から離れた周縁部を形成するようにして
もよい。次いで、図４のＢＮＩ示すように、ホトレジス
トの格子８２で覆ったガラス基板２６にエッチングを施
して、表面２５に並置された突起で画定される溝状で正
弦波状断面の構造体８６を形成する。別途にマスクした
ガラス基板周縁部にはエッチングを施さずにそのまま残
して、駆動電子回路、相互接続等のための安定な基板を
備えるようにする。構造体８６を機械的切削その他の既
知の技法を用いて更に加工してもよい。

【００２９】次に、図４のＣで示すように、ホトレジス
トの層を塗布して、導電材５４で被覆する予定の領域５
８、５９を画定するようにパターン形成する。その後
で、インジウム−酸化錫５４の層を表面２５の上に堆積
させて、領域５８、５９内の突起３６の峰と谷を覆うよ
うにする。次いで、別のホトレジスト９２の層を塗布し
て、櫛状電極の絶縁領域６１を形成するようにパターン
形成し、その上に絶縁用の光吸収材６２を付加する（図
４のＦ）。次に、電気泳動法のような適当な方法で導電
層５４の上に蛍光材５６ａ、５６ｂを堆積して、図４の
Ｇに示すように、領域５８、５９内の突起３６の峰と谷
とを覆うようにする。

【００３０】図３の構造体を実現するためには、導電材
堆積および光吸収材堆積ステップをそれらの材料の堆積
に応ずるパターンになるように修正される。電気泳動法
による蛍光材５６の堆積も、先述したように、各々の溝
の内部に多数の粒子５６を含ませる変形配置の蛍光材の
変形堆積に修正される。

【００３１】特許請求の範囲に規定する本発明の趣旨お
よび範囲から逸脱することなく、開示の実施例の代替お
よび修正が可能なことは当業者の当然とするところであ
る。

【００３２】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）画像表示のための発光プレートであって、表面と
前記表面を覆う発光材の層を備えてなる透明材のプレー
トにおいて、前記表面が連結面によって連結された複数
の峰と谷とを画定する溝を有し、かつ前記の発光材の層
が前記連結面を覆って共形的に堆積されることを特徴と
するプレート。 （２）前記プレートはカソードルミネセントディスプレ
イのためのアノードプレートであり、導電材の層が前記
連結面を覆って共形的に堆積され、かつ前記の発光材の
層が前記連結面を覆う前記導電層を覆って共形的に堆積
されたカソードルミネセント材の層を有する第１項記載
のプレート。 （３）前記溝が深さおよび峰から峰に至る間隔を有し、
前記溝の深さが少なくとも前記溝の間隔の８０％の大き
さである第１項もしくは第２項記載のアノードプレー
ト。 （４）前記溝が側壁を備えて平行で延伸するプリズムを
画定し、前記発光材が少なくとも前記壁面上の前記溝の
内部に堆積される第１項、第２項もしくは第３項記載の
アノードプレート。 （５）前記の導電材の層が透明な導電用皮膜を備え、か
つ前記カソードルミネセント材の層が蛍光材粒子を含む
第２項記載のアノードプレート。 （６）前記のカソードルミネセント材の層が実質的に蛍
光粒子の単一層である第１項〜第５項のいずれかの項記
載のアノードプレート。 （７）前記導電材が第１および第２のストライプとし
て、分離された位置に、前記溝付面を覆って堆積され、
かつ前記カソードルミネセント材が所与の色放射特性の
蛍光粒子を含み、更に異なる色放射特性の蛍光粒子が前
記第２のストライプの前記導電材を覆うように堆積され
る第２項記載のアノードプレート。 （８）前記の分離された位置の間の前記溝付面を覆うよ
うに共形的に堆積された電気的に絶縁するための材料を
更に含む第７項記載のアノードプレート。 （９）前記の分離された位置の間の前記溝付面を覆って
共形的に堆積された光吸収材を更に含む第７項もしくは
第８項記載のアノードプレート。 （１０）連結面で繋がれた前記の峰および谷が２等辺３
角形プリズムの周期的アレーを呈する第１項〜第９項の
いずれかの項記載のアノードプレート。 （１１）連結面で繋がれた前記の峰および谷が角錐もし
くは円錐のアレーを呈する第１項〜第９項のいずれかの
項記載のアノードプレート。 （１２）前記の峰が前記発光材によって覆われないまま
に残された頂点を有する第１項〜第１１項のいずれかの
項記載のプレート。 （１３）前記頂点を覆う光吸収材の層を更に含む第１２
項記載のプレート。 （１４）前記溝付面が背面であり、前記プレートが概ね
平面の前面を有し、かつ前記プレートが電子電界放出カ
ソードプレートから隔離されて、前記カソードプレート
に関して前記カソードプレートから電界放出によって放
出された電子が前記アノードプレート前面の法線に対し
て斜行して前記カソードルミネセント材に衝突するよう
に構成される第２項〜第１３項のいずれかの項記載のア
ノードプレート。

【００３３】（１５）ＦＥＤ画像ディスプレイのフェー
スプレート（１０）は、突起（３６）で形成された溝付
背面（２５）を有する。突起（３６）は、領域（５８、
５９）内において導電材（５４）および異なる色を放射
する蛍光材粒子（５６ａ、５６ｂ）で覆われた面（３
９）を有する。領域（５８、５９）は異なる色の櫛状陽
極を画定する。領域（５８、５９）の間の領域（６１）
内の面（３９）は、周辺光を吸収するために、絶縁性の
光吸収材（６２）で覆われる。面（３９）は蛍光材の前
向き放射光を増強するように形成される。一つの実施例
では、面（３９）は、周辺光を光吸収材（６２）で覆わ
れた突起の頂点（４０）に向けて後方に導くのに役立
つ。突起（３６）は平行で延伸するプリズム、角錐もし
くは円錐であてよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が特に適用される形式の電界放射ディス
プレイ（ＦＥＤ）装置の断面図である。

【図２】図１の装置に使用可能な本発明の実施例のアノ
ードプレートの拡大断面図である。

【図３】本発明の別の実施例のアノードプレートの拡大
断面図である。

【図４】アノードプレートの製作方法の各ステップを示
す概要図である。

【符号の説明】

１０ フェースプレート（アノードプレート） １２ エミッタプレート（カソードプレート） １４ マイクロチップ １６ 導電層 １８ 絶縁層 ２０ 導電層（ゲート電極） ２２ 絶縁層 ２５ フェースプレート背面 ２６ 基板 ２８ 導電層（陽極） ３０ 電圧源 ３３ 観察者 ３５ フェースプレート前面 ３６ 突起 ４５ 溝 ５２、５３ 蛍光材放射光 ５６ 蛍光材 ６２ 光吸収材 ６４ 電子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像表示のための発光プレートであっ
   て、表面と該表面を覆う発光材の層を備えてなる透明材
   のプレートにおいて、 前記表面が連結面によって連結された複数の峰と谷とを
   画定する溝を有し、かつ前記発光材の層が前記連結面を
   覆って共形的に堆積されることを特徴とするプレート。