JPH08255314A - 磁気抵抗効果素子，磁気再生装置及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
効果素子に関し、センス領域以外の領域での信号検出を
抑制し、クロストークやノイズを十分に抑制する。 【構成】磁気抵抗効果素子本体１６と、磁気抵抗効果素
子本体１６の中央部のセンス領域ＳＡを挟んでその両端
部に接触し、磁気抵抗効果素子本体１６にセンス電流を
導く一対の引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２とを有する磁気抵
抗効果素子において、一対の引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２
はともに、磁気抵抗効果素子本体１６から両端部を結ぶ
線の延長方向に引き出されていることを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子、磁
気再生装置及び磁気記録再生装置に関し、より詳しく
は、スピンバルブ磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果
素子（以下、ＭＲ素子と称する。）、磁気再生装置及び
磁気記録再生装置に関する。近年、コンピュータの外部
記憶装置の大容量化に伴い、これに用いられる磁気記録
再生装置の磁気ヘッドの高性能化が要望されている。こ
のため、記録媒体の移動速度に依存せず、小径ディスク
に対しても利用でき、高い出力が得られるＭＲヘッド、
特にスピンバルブ型ＭＲヘッドが注目されている。

【０００２】

【従来の技術】スピンバルブ効果を利用したＭＲ素子
は、特開平４−３５８３１０に開示され、図６（ａ）に
示すような構成を有する。即ち、基板１上に非磁性導電
層３を層間に挟む２つの軟磁性層２，４と、反強磁性層
（バイアス層）５とが順に積層されてＭＲ素子本体６が
構成されている。

【０００３】更に、反強磁性層５上の両端部にはセンス
電流をＭＲ素子本体６に導く帯状の引出し電極ＥＳ１，
ＥＳ２が形成され、電極ＥＳ１，ＥＳ２はＭＲ素子本体
６からＭＲ素子本体６の長手方向とほぼ直交するような
方向に引き出されている。引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２と
重なっていない、引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２間のＭＲ素
子本体６の領域が信号磁界による抵抗変化を検出するセ
ンス領域ＳＡとなる。図７に示すように、センス領域Ｓ
Ａの幅は記録媒体７のほぼ１トラックの幅に相当し、セ
ンス領域ＳＡの先端側面が記録媒体７と対面することに
なる。

【０００４】図６（ｂ）に示すように、反強磁性層５と
接している方の軟磁性層４の磁化は、反強磁性層５から
の交換相互作用により長手方向に直交する方向にそろっ
ている。また、反強磁性層５から遠い方の軟磁性層２の
磁化は、印加磁界がゼロのとき、軟磁性層４の磁化方向
と直交する方向、即ち長手方向に付与されている。信号
磁界により抵抗が線形に変化するようにするためであ
る。

【０００５】このＭＲ素子に長手方向と直交する方向の
信号磁界を印加すると、信号磁界に応じて反強磁性層５
から遠くにある方の軟磁性層２の磁化が回転する。この
とき、２つの軟磁性層２，４の磁化方向のなす角度の余
弦（ｃｏｓ）に比例してＭＲ素子の抵抗が変化する。こ
のように、磁界により抵抗が変化する効果をスピンバル
ブ効果と呼んでいる。

【０００６】この効果を利用したＭＲ素子では、対の電
極ＥＳ１，ＥＳ２を介してＭＲ素子本体６の長手方向に
センス電流Ｉｓを流すことにより、信号磁界に応じて変
化する磁気抵抗を電極ＥＳ１，ＥＳ２間の電圧として検
出する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＭＲ素子において、電極ＥＳ１，ＥＳ２とＭＲ素子本体
６とが重なっている両端部、即ち、センス領域ＳＡ以外
の領域では、隣接トラックからの信号磁界により軟磁性
層２の磁化方向が変化する。これは、電極ＥＳ１，ＥＳ
２間の抵抗変化として検出され、検出すべきトラックか
らの信号磁界による抵抗変化に重畳されることになる。
このようなクロストークにより、検出すべきトラックか
らの信号磁界を忠実に再生することが出来なくなるとい
う問題がある。

【０００８】また、フラックスガイド型ＭＲヘッド等、
ＭＲ素子が磁気記録媒体に直接対面しないような構成を
有するような場合には、隣接トラックからのクロストー
クは生じない。しかし、センス領域以外の領域にある軟
磁性層の磁化方向は、電極中を流れるセンス電流によっ
て影響を受けやすく、センス領域での磁化方向と異なっ
ていることもあるので、そこからの検出信号はノイズと
なる可能性が高い。

【０００９】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、センス領域以外の領域での信号
検出を抑制し、クロストークやノイズを十分に抑制する
ことができる磁気抵抗効果素子、磁気再生装置及び磁気
記録再生装置を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、磁
気抵抗効果素子本体と、該磁気抵抗効果素子本体中央部
のセンス領域を挟んでその両端部に接触し、該磁気抵抗
効果素子本体にセンス電流を導く一対の引出し電極とを
有する磁気抵抗効果素子において、前記一対の引出し電
極はともに、前記磁気抵抗効果素子本体から前記両端部
を結ぶ線の延長方向に引き出されていることを特徴とす
る磁気抵抗効果素子によって達成され、第２に、前記引
出し電極は前記両端部を結ぶ線の延長方向と直交する方
向に磁化された硬磁性層を下層とする多層導電膜からな
ることを特徴とする第１の発明に記載の磁気抵抗効果素
子。

【００１１】第３に、前記両端部を結ぶ線の延長方向と
直交する方向に磁化された硬磁性膜が前記両端部に形成
されていることを特徴とする第１の発明に記載の磁気抵
抗効果素子によって達成され、第４に、前記磁気抵抗効
果素子本体は、反強磁性層と、各層間に非磁性導電層を
挟む複数の軟磁性層とが順に重ねられていることを特徴
とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載の磁気抵抗
効果素子によって達成され、第５に、第１乃至第４の発
明のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を備えた磁気再
生装置によって達成され、第６に、第１乃至第４の発明
のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を備えた磁気記録
再生装置によって達成される。

【００１２】

【作用】本発明の磁気抵抗効果素子においては、磁気抵
抗効果素子本体の両端部に接触する一対の引出し電極
は、ともに両端部を結ぶ線の延長方向に磁気抵抗効果素
子本体から引き出されている。このため、センス領域以
外の両端部では、主として一対の引出し電極中を両端部
を結ぶ線の延長方向にセンス電流が流れることになる。
このとき、引出し電極中を流れるセンス電流が作る磁界
は前記延長方向と直交する方向に向く。この磁界によ
り、センス領域以外の両端部では、磁気抵抗効果素子本
体を構成する軟磁性層中の磁化方向は前記延長方向と直
交する方向に揃う。

【００１３】従って、信号磁界が前記延長方向に直交す
る方向から入ってくる場合、センス領域以外の両端部で
は、信号磁界の方向と軟磁性層の磁化方向とは一致して
おり、信号磁界により軟磁性層の磁化方向は変化しな
い。このため、この領域では磁気抵抗は変化しない。一
方、センス領域では、センス電流が分散されるため、セ
ンス電流による磁界は弱くなり、軟磁性層の磁化方向は
初期に付与されている方向、即ち、延長方向と一致して
いる。このため、この延長方向と直交する方向の信号磁
界により、その磁化方向が変化し、磁気抵抗が変化す
る。

【００１４】以上により、センス領域以外の領域を通過
する信号磁界は検出されず、センス領域を通過する信号
磁界のみを検出することが可能となる。これにより、ク
ロストークやノイズを抑制することが可能となる。ま
た、両端部を結ぶ線の延長方向と直交する方向に磁化さ
れた硬磁性層が磁気抵抗効果素子本体の両端部に形成さ
れているので、硬磁性層に付与されている磁化は、セン
ス領域以外の領域で軟磁性層に延長方向と直交する方向
の磁化を付与する。

【００１５】これにより、延長方向と直交する方向の磁
化を軟磁性層に付与するために、センス電流による磁界
にさらに硬磁性層による磁界が加わることになり、クロ
ストークやノイズをより確実に抑制することができる。
更に、上記の磁気ヘッドを磁気再生装置及び磁気記録再
生装置に用いることにより、クロストークやノイズが十
分に抑制された磁気再生装置及び磁気記録再生装置を提
供することが可能となる。

【００１６】

【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例に係るＭＲ素子の説明 図１（ａ）は、本発明の第１の実施例に係るＭＲ素子の
斜視図である。図１（ａ）において、Ａｌ₂ Ｏ₃ −Ｔｉ
Ｃからなる基板１１上に、絶縁層として薄いＡｌ₂ Ｏ₃
膜が形成され、その上に、膜厚約３〜５ｎｍのＦｅＮｉ
層からなる第１の軟磁性層１２と、膜厚約２〜３ｎｍの
Ｃｕ層或いは金層（Ａｕ層）からなる非磁性導電層１３
と、膜厚約５〜１０ｎｍのＦｅＮｉ層からなる第２の軟
磁性層１４と、膜厚約１０〜２０ｎｍのＦｅＭｎ層から
なるバイアス層１５とが順に積層されている。これらが
細長い板状のＭＲ素子本体１６を構成する。

【００１７】また、バイアス層１５表面上の長手方向の
両端部にはセンス電流Ｉｓを上記のＭＲ素子本体１６に
導き、ＭＲ素子本体１６の磁気抵抗変化を電圧変化とし
て検出する金（Ａｕ）からなる一対の引出し電極ＥＳ
１，ＥＳ２が形成されている。一対の引出し電極ＥＳ
１，ＥＳ２に挟まれた中央部領域がセンス領域ＳＡとな
る。一対の引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２は、ＭＲ素子本体
１６から長手方向に引き出されている。即ち、ＭＲ素子
本体１６の両端部で一対の引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２中
を長手方向にセンス電流が流れることになる。

【００１８】上記のＭＲ素子では、バイアス層１５と接
する第２の軟磁性層１４の磁化は、ＭＲ素子本体１６の
長手方向に直交する方向で、磁気記録媒体の方に向かう
向きに付与され、反強磁性層からなるバイアス層１５と
の交換相互作用により、磁気記録媒体の方に向かう向き
に揃えられる。その磁化の強さは外部信号磁界の強さよ
りも大きくなっている。更に、第１の軟磁性層１２の磁
化は、外部信号磁界がゼロのとき、第２の軟磁性層１４
の磁化方向に対して直交する方向で、引出し電極ＥＳ１
からＥＳ２に向かう向きに付与されている。その磁化の
強さは外部信号磁界の強さよりも弱くなっている。ここ
で、第１の軟磁性層１２の磁化方向と第２の軟磁性層１
４の磁化方向とが直交するように付与されるのは、信号
磁界により抵抗が線形に変化するようにするためであ
る。

【００１９】次に、上記のＭＲ素子の作成方法について
図２（ａ）〜（ｃ），図３を参照しながら説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、減圧されたチャンバ内
で、スパッタリング或いは蒸着により、基板１１上に第
１の軟磁性膜12ａ，非磁性導電膜13ａ，第２の軟磁性膜
14ａ及び反強磁性膜15ａを連続して形成する。第１の軟
磁性膜12ａ，第２の軟磁性膜14ａの磁化方向は、例えば
磁界中で成膜することにより付与される。

【００２０】次いで、反強磁性膜15ａ上、センス領域Ｓ
Ａとなる帯状の領域にレジストマスク17ａを形成した
後、レジストマスク17ａを被覆してＡｕ膜１８を形成す
る。続いて、有機溶剤を用いてレジストマスク17ａを除
去することにより、リフトオフによりＡｕ膜１８を除去
する。これにより、センス領域ＳＡ以外の領域にＡｕ膜
１８を残す。

【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように、センス領
域ＳＡを跨いで矩形状のレジストマスク17ｂを形成した
後、レジストマスク17ｂに基づいて、イオンミリングに
より、Ａｕ膜１８，反強磁性膜15ａ，第２の軟磁性膜14
ａ，非磁性導電膜13ａ及び第１の軟磁性膜12ａをエッチ
ングする。これにより、図２（ｃ）に示すように、第１
の軟磁性層１２と非磁性導電層１３と第２の軟磁性層１
４とバイアス層１５とが基板１１上に順に積層されたＭ
Ｒ素子本体１６と、ＭＲ素子本体１６の長手方向の両端
部に接触した電極18ａ，18ｂとが形成される。電極18
ａ，18ｂの間のＭＲ素子本体１６の領域がセンス領域Ｓ
Ａとなる。

【００２２】更に、Ａｕ膜を形成した後、パターニング
する。これにより、図３に示すように、電極18ａ，18ｂ
と接触し、長手方向に引き出された引出し配線19ａ，19
ｂを形成する。なお、電極18ａと引出し配線19ａとが引
出し電極ＥＳ１を構成し、電極18ｂと引出し配線19ｂと
が引出し電極ＥＳ２を構成する。これにより、ＭＲ素子
が完成する。ＭＲ素子本体１６の両端部の引出し電極Ｅ
Ｓ１，ＥＳ２中を長手方向にセンス電流が流れることに
なる。

【００２３】次に、上記のＭＲ素子による信号磁界の再
生動作について図１（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明
する。図１（ｂ），（ｃ）はＭＲ素子の斜視図である。
なお、図１（ｂ），（ｃ）においては、説明に便利なよ
うに、第１の軟磁性層１２と非磁性層１３との間、及び
第２の軟磁性層１４と反強磁性層１５との間は離して描
いてある。

【００２４】図１（ｂ）は、センス電流を流す前の第１
の軟磁性層１２及び第２の軟磁性層１４内の磁化方向を
示す。第１の軟磁性層１２内ではセンス領域ＳＡ及びそ
れ以外の領域でともに磁化は長手方向に方向が揃い、か
つ引出し電極ＥＳ１からＥＳ２の方に向って向きが揃っ
ている。このようなＭＲ素子に対して、図１（ｃ）に示
すように、センス電流Ｉｓを流す。このとき、引出し電
極ＥＳ１，ＥＳ２は、ＭＲ素子本体１６から長手方向に
引き出されているので、センス領域ＳＡ以外の両端部で
は、主として引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２中を長手方向に
センス電流が流れることになる。このとき、引出し電極
ＥＳ１，ＥＳ２中を流れるセンス電流が作る磁界は長手
方向と直交する方向に向く。この磁界により、センス領
域ＳＡ以外の両端部の第１の軟磁性層１２中の磁化方向
は長手方向と直交する方向に揃い、かつ磁気記録媒体の
方と反対側に向かって向きが揃う。

【００２５】この状態で、回転している記録媒体に上記
のＭＲ素子を対面させる。記録媒体は１トラック幅がほ
ぼセンス領域ＳＡの幅に等しくなっているとする。記録
媒体からの信号磁界の方向と第２の軟磁性層１４の磁化
方向とはほぼ平行になる。センス領域以外の領域では、
信号磁界と第１の軟磁性層１２の磁化方向とはほぼ平行
になるため、隣接トラックからの信号磁界により第１の
軟磁性層１２の磁化方向は変化しない。このため、検出
される磁気抵抗変化に影響を与えない。

【００２６】一方、センス領域ＳＡでは、センス電流が
多層膜１２〜１５に分散されるため、センス電流による
磁界は弱くなり、第１の軟磁性層１２の磁化方向は初期
に付与されている方向、即ち、長手方向と一致してい
る。このため、この方向と直交する方向の信号磁界によ
り、第１の軟磁性層１２の磁化方向が回転し、第２の軟
磁性層１４の磁化方向とのなす角度が変化する。このと
き、その角度の余弦（ｃｏｓ）に比例してＭＲ素子の抵
抗が変化するので、引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２間に流れ
ているセンス電流により、信号磁界に応じて変化する抵
抗が引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２間の電圧として検出され
る。このようにして、抵抗率の絶対値ρとρの変化の最
大値と最小値の差Δρが検出される。

【００２７】以上のように、第１の実施例に係るＭＲ素
子によれば、センス領域ＳＡ以外の両端部を通過する信
号磁界は検出されず、センス領域ＳＡを通過する信号磁
界のみを検出することが可能となる。これにより、クロ
ストークやノイズを抑制することが可能となる。なお、
上記と異なり、図６（ｃ）に示すように、センス電流Ｉ
ｓを導く引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２がＭＲ素子本体６か
ら長手方向に直交する方向に引き出された場合、センス
領域ＳＡ以外の領域では、長手方向に対して４５度前後
の角度で引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２中をセンス電流が流
れると考えられ、これに対応してセンス電流による磁界
の方向も長手方向に対して４５度前後の角度を有すると
考えられる。このため、信号磁界の方向と軟磁性層２の
磁化方向とは一致せず、その磁化方向は信号磁界により
変化することになる。このため、クロストークやノイズ
の原因となる。 （２）本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果素子の
説明 図４（ａ），（ｂ）は、第２の実施例に係るＭＲ素子に
ついて示す斜視図である。

【００２８】上記第１の実施例と異なるところは、一対
の引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２とＭＲ素子本体１６の間に
それぞれ、膜厚約３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜等からなる
硬磁性層20ａ，20ｂが介在していることである。硬磁性
層20ａ，20ｂは長手方向と直交する方向に数十乃至数百
エルステッド程度に磁化されている。なお、硬磁性層20
ａ，20ｂは引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２と重なって引き出
されているが、少なくとも、センス領域ＳＡを挟んでＭ
Ｒ素子本体１６の両端部に形成されていればよい。ま
た、硬磁性層20ａ，20ｂは一対の引出し電極ＥＳ１，Ｅ
Ｓ２上に積層されていてもよい。

【００２９】この場合、硬磁性層20ａ，20ｂに付与され
ている磁化は、センス領域ＳＡ以外の領域で第１の軟磁
性層１２の磁化方向を長手方向と直交する方向に向ける
ように作用する。従って、長手方向と直交する方向の磁
化を第１の軟磁性層１２に付与するために、センス電流
Ｉｓによる磁界のほかにさらに硬磁性層20ａ，20ｂによ
る磁界が加わることになり、クロストークやノイズをよ
り確実に抑制することができる。

【００３０】第２の実施例に係るＭＲ素子の作成工程
で、図２（ａ）〜（ｃ），図３に示す第１の実施例と異
なるところは、図２（ａ）に示す工程において、レジス
トマスク17ａを形成した後、Ａｕ膜１８を形成する前に
硬磁性膜を形成することである。以降は、図２（ｂ）〜
図３を用いて説明した工程と同様な工程を経て、図４
（ａ）に示すと同じようなＭＲ素子が作成される。

【００３１】なお、上記第１及び第２の実施例のＭＲ素
子では、基板１１上に軟磁性層１２／非磁性導電層１３
／軟磁性層１４／バイアス層１５／引出し電極ＥＳ１，
ＥＳ２という順に、及び基板１１上に軟磁性層１２／非
磁性導電層１３／軟磁性層１４／バイアス層１５／硬磁
性層20ａ，20ｂ／引出し電極ＥＳ１，ＥＳ２という順に
形成されているが、基板１１上にバイアス層／軟磁性層
／非磁性導電層／軟磁性層／引出し電極という順に、又
は基板１１上にバイアス層／軟磁性層／非磁性導電層／
軟磁性層／硬磁性層／引出し電極という順に形成されて
もよい。

【００３２】また、非磁性導電層１３を挟む２層の軟磁
性層１２，１４を有するが、各層間に非磁性導電層を挟
む３層以上の軟磁性層が形成されてもよい。 （３）本発明の第３の実施例に係る磁気記録再生装置の
説明 次に、上記のＭＲ素子を組み込んだ第３の実施例に係る
磁気記録再生装置について図５（ａ）〜（ｃ）を参照し
ながら説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、磁気記録再生
装置の磁気ヘッドの部分を示す断面図である。

【００３３】図５（ａ）は、複合型ＭＲヘッドを示す。
Ａ部が再生用ヘッド、Ｂ部が記録用ヘッドを示し、再生
用ヘッドの磁気シールドと記録用ヘッドの磁極は軟磁性
層１０２が共用されている。図５（ａ）に示すように、
再生用ヘッドの部分では、磁気シールドとしての軟磁性
層１０１，１０２が間隔をおいて対向し、磁気記録媒体
１０６と対面する部分１０５のギャップ内に上記のＭＲ
素子が挟まれている。磁気記録媒体１０６からの漏洩磁
界は直接ＭＲ素子に検出される。

【００３４】また、記録用ヘッドの部分では、磁極とし
ての軟磁性層１０２，１０４が間隔をおいて対向し、軟
磁性層１０２，１０４間のギャップ内に軟磁性層１０
２，１０４を通流する磁束を発生するコイル１０３が形
成されている。この磁束により対面部分１０５のギャッ
プから漏洩磁界を発生させて磁気記録媒体１０６に記録
を行う。

【００３５】この磁気記録再生装置によれば、第１及び
第２の実施例に係るＭＲ素子を用いているので、隣接ト
ラックからのクロストークが十分に抑制された磁気記録
再生装置を提供することが可能となる。図５（ｂ）はフ
ラックスガイド型ＭＲヘッドを示す。同図に示すよう
に、磁極としての軟磁性層１１１，１１４が間隔をおい
て対向し、磁気記録媒体１１６と対面する部分１１５の
ギャップ内に上記のＭＲ素子が挟まれ、軟磁性層１１
１，１１４間のギャップ内に軟磁性層１１１，１１４を
通流する磁束を発生するコイル１１３が形成されてい
る。

【００３６】ＭＲ素子は、腐食を避けるため、或いは磁
気記録媒体との直接接触を避けるため、磁気記録媒体１
１６との対面部分１１５に露出せずに、磁気ヘッドの内
側に引っ込んでいる。対面部分１１５には、ＭＲ素子と
電気的に絶縁され、磁気的に結合されているフラックス
ガイド112aが露出している。磁気記録媒体１１６からの
漏洩磁界はフラックスガイド112aに入り、ＭＲ素子に検
出される。なお、ＭＲ素子の他端には、ＭＲ素子と電気
的に絶縁され、かつ磁気的に結合された別のフラックス
ガイド112bが形成されており、ＭＲ素子を通った磁束を
軟磁性層１１１，１１４に導く。

【００３７】この磁気記録再生装置によれば、ＭＲ素子
のセンス領域ＳＡを通過する信号磁束のみが検出される
ので、ＭＲ素子本体からの電極の引き出し方向によって
ノイズとなる可能性の高いセンス領域以外の領域からの
検出信号の影響を除去することができる。図５（ｃ）は
ヨークタイプＭＲヘッドを示す。同図に示すように、磁
極としての軟磁性層１２１と123a及び123bが間隔をおい
て対向し、軟磁性層１２１と軟磁性層123a及び123bの間
のギャップ内に軟磁性層１２１と軟磁性層123a及び123b
を通流する磁束を発生するコイル１２２が形成されてい
る。ＭＲ素子は、一方の軟磁性層123a及び123bが途切れ
た箇所に軟磁性層123a及び123bと電気的に絶縁され、か
つ磁気的に結合されて配置されている。コイル１２２で
発生し、軟磁性層１２１と123a及び123bを通流する磁束
により対面部分１２４のギャップから漏洩磁界を発生さ
せて磁気記録媒体１２５に記録を行う。

【００３８】この場合も、ＭＲ素子のセンス領域ＳＡを
通過する信号磁束のみが検出されるので、ＭＲ素子本体
からの電極の引き出し方向によってノイズとなる可能性
の高いセンス領域以外の領域からの検出信号の影響を除
去することができる。なお、図５（ａ）〜（ｃ）に示す
磁気記録再生装置では、ともに磁気ヘッドが形成される
基板や軟磁性層間の絶縁膜等は省略してある。

【００３９】また、本発明に係るＭＲ素子は、上記磁気
記録再生装置に限らず、種々の磁気記録再生装置に用い
ることができる。更に、そのＭＲ素子を再生専用の磁気
再生装置に用いることも可能である。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明の磁気抵抗効果素
子においては、磁気抵抗効果素子本体のセンス領域を挟
む両端部に接続された一対の引出し電極は、磁気抵抗効
果素子本体から両端部を結ぶ線の延長方向に引き出され
ている。このため、センス領域以外の両端部では、一対
の引出し電極中を前記延長方向に流れるセンス電流が作
る磁界により磁気抵抗効果素子を構成する軟磁性層中で
延長方向と直交する方向に磁化方向が揃うので、延長方
向と直交する方向から信号磁界が入ってくる場合、信号
磁界と軟磁性層の磁化方向とは一致し、信号磁界により
軟磁性層の磁化方向は変化しない。このため、検出され
る磁気抵抗変化に影響を与えない。一方、センス領域で
は、軟磁性層の磁化方向は信号磁界と直交しているた
め、信号磁界によりその磁化方向が変化し、磁気抵抗が
変化する。

【００４１】以上により、センス領域以外の領域を通過
する信号磁界は検出されず、センス領域を通過する信号
磁界のみを検出することが可能となる。これにより、ク
ロストークやノイズを抑制することが可能となる。ま
た、前記延長方向と直交する方向に磁化された硬磁性層
が両端部に形成されているので、硬磁性層に付与されて
いる磁化は、両端部で軟磁性層の磁化方向を延長方向と
直交する方向に向けるために作用する。このため、クロ
ストークやノイズをより確実に抑制することができる。

【００４２】更に、上記の磁気ヘッドを磁気再生装置及
び磁気記録再生装置に用いることにより、クロストーク
やノイズが十分に抑制された磁気再生装置及び磁気記録
再生装置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果素子
について示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果素子
の作成方法について示す斜視図（その１）である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果素子
の作成方法について示す斜視図（その２）である。

【図４】本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果素子
について示す斜視図である。

【図５】本発明の第３の実施例に係る磁気記録再生装置
の磁気ヘッドの部分について示す断面図である。

【図６】従来例に係る磁気抵抗効果素子について示す斜
視図である。

【図７】従来例に係る磁気抵抗効果素子の再生動作につ
いて示す斜視図である。

【符号の説明】

１１ 基板、 １２ 第１の軟磁性層、 12ａ 第１の軟磁性膜、 １３ 非磁性導電層、 13ａ 非磁性導電膜、 １４ 第２の軟磁性層、 14ａ 第２の軟磁性膜、 １５ バイアス層、 15ａ 反強磁性膜、 １６ ＭＲ素子本体、 17ａ，17ｂ レジストマスク、 １８ Ａｕ膜、 18ａ，18ｂ 電極、 19ａ，19ｂ 引出し配線、 20ａ，20ｂ 硬磁性層、 １０１，１０２，１０４，１１１，１１４，１２１，１
２３ａ，１２３ｂ 軟磁性層、 １０３，１１３ コイル、 １０５，１１５，１２４ 対面部分、 １０６，１１６，１２５ 磁気記録媒体、 １１２ａ，１１２ｂ フラックスガイド、 ＥＳ１，ＥＳ２ 引出し電極、 Ｉｓ センス電流、 ＳＡ センス領域。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果素子本体と、該磁気抵抗効
   果素子本体の中央部のセンス領域を挟んでその両端部に
   接触し、該磁気抵抗効果素子本体にセンス電流を導く一
   対の引出し電極とを有する磁気抵抗効果素子において、 前記一対の引出し電極はともに、前記磁気抵抗効果素子
   本体から前記両端部を結ぶ線の延長方向に引き出されて
   いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
2. 【請求項２】 前記引出し電極は前記両端部を結ぶ線の
   延長方向と直交する方向に磁化された硬磁性層を下層と
   する多層導電膜からなることを特徴とする請求項１記載
   の磁気抵抗効果素子。
3. 【請求項３】 前記両端部を結ぶ線の延長方向と直交す
   る方向に磁化された硬磁性膜が前記両端部に形成されて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素
   子。
4. 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子本体は、反強磁性
   層と、各層間に非磁性導電層を挟む複数の軟磁性層とが
   順に重ねられていることを特徴とする請求項１乃至請求
   項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
   の磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
   の磁気抵抗効果素子を備えた磁気記録再生装置。